JP5189064B2

JP5189064B2 - 光ディスク記録方法及び光ディスク記録装置

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Publication number: JP5189064B2
Application number: JP2009268994A
Authority: JP
Inventors: 貴弘黒川
Original assignee: Hitachi Consumer Electronics Co Ltd
Current assignee: Hitachi Consumer Electronics Co Ltd
Priority date: 2009-11-26
Filing date: 2009-11-26
Publication date: 2013-04-24
Anticipated expiration: 2029-11-26
Also published as: CN102081931A; US8130610B2; EP2328145A1; JP2011113606A; CN102081931B; US20110122756A1; EP2328145B1

Description

本発明は，パルス状に強度変調されたレーザ光を照射することにより情報を記録する光ディスク記録方法及びそれを用いた光ディスク記録装置に関する。

記録型光ディスクでは，パルス状に強度変調されたレーザ光を光ディスクに照射することにより記録膜の状態を変化させ，マークとマーク間部（スペース）を形成することにより情報を記録する。記録型光ディスクのうち，情報を１回のみ記録可能な追記型光ディスクとしては，ＤＶＤ−Ｒ，ＤＶＤ＋Ｒがよく知られており，情報を上書き可能な書き換え型光ディスクとしては，ＤＶＤ−ＲＡＭ，ＤＶＤ−ＲＷ，ＤＶＤ＋ＲＷがよく知られている。また最近では，青色光源を用いた大容量光ディスクであるBlu-ray Disc（ＢＤ）が実用化されており，追記型のＢＤ−Ｒ，書き換え型のＢＤ−ＲＥがある。

現在の光ディスクに用いられているマークエッジ記録方式では，マークの前後のエッジ位置によってコード情報が定まるため，記録においてはレーザ光のパワーやパルスのタイミングを調整してマークエッジを適切な位置に制御する必要がある。記録マークのエッジ位置は，そのマークの前後のマークを記録するときの熱の影響も考慮して制御する必要があるため，パルスの始端の時刻やパルスの時間幅を当該マークの長さと隣接スペースの長さの組み合わせのパターンで分類して制御する適応記録制御が用いられている。

図１は，ＢＤ等で用いられる記録方式「Ｎ−１記録ストラテジ」における記録パルス波形を示した図である。この名称は，ＮＴの長さのマークを（Ｎ−１）本のパルス列を用いて記録することに由来する。ここではＢＤのコードに用いられる２Ｔ〜９Ｔ（Ｔはチャネルビット長）の長さのマークのうち，２Ｔ〜５Ｔのマークを記録するパルス列を示している。パルス列の最初のパルスはファーストパルス，最終のパルスはラストパルスと呼ばれる。ファーストパルスとラストパルスの間の複数のパルスはマルチパルスと呼ばれ，マーク長が１Ｔ増える毎に１本ずつ増える。但し，２Ｔマークのパルス列はファーストパルスのみからなり，３Ｔマークのパルス列はファーストパルスとラストパルスからなり，マルチパルスを含まない。最終のパルスの直後のパルスはクーリングパルスと呼ばれる。

レーザ光の出力パワーレベルとしては，ライトパワーＰ_W，スペースパワー（イレーズパワー）Ｐ_S，バイアスパワーＰ_BW，クーリングパワーＰ_Cがある。ライトパワーＰ_Wは，ファーストパルス，マルチパルス及びラストパルスのパワーレベルであり，記録膜にエネルギーを投入して状態変化を起こさせるためのパワーレベルである。スペースパワーＰ_Sは，マーク間（スペース）となる部分に照射するパワーレベルであり，追記型ディスクに対しては次のマークを形成するための予熱に用いられ，相変化記録膜を用いた書き換え型ディスクに対してはマークを消去してスペースに変化させることで直接書き換えを行うために用いられる。クーリングパワーＰ_Cは，クーリングパルスのパワーレベルであり，追記型ディスクに対しては後続マーク記録部への熱の拡散を遮断し熱干渉を低減する目的で用いられ，書き換え型ディスクに対しては記録膜の加熱後の急冷により非晶質のマークを形成する目的で用いられる。なお，これらのパワーレベルはマーク長によらず一律の値を用いる。

また，パルスのタイミングに関するパラメータとしては，ファーストパルスの始端の時刻ＴＳＦＰ，ファーストパルスの時間幅ＦＰ，マルチパルスの時間幅ＭＰ，ラストパルスの始端の時刻ＴＳＬＰ，ラストパルスの時間幅ＬＰ及びクーリングパルスの時間幅ＣＰがある。ここで，ＴＳＦＰとＴＳＬＰは，記録データのＮＲＺＩチャネルビット信号を基準として図１に示したように定義される。これらのパルスパラメータのうち，マークエッジ位置を制御するために用いられるのは，ＴＳＦＰ，ＦＰ，ＴＳＬＰ，ＬＰ及びＣＰである。パラメータの値は，当該マークの長さと当該マークの直前のスペースの長さの組み合わせのパターン毎に設定し，当該マークの長さと当該マークの直後のスペースの長さの組み合わせのパターン毎に設定する。本明細書ではこれ以降，当該マークとは記録パルス制御の対象となるマークあるいはエッジシフト検出の対象となるマークを示し，先行スペースとは当該マークの直前のスペースを示し，先行マークとは当該マークの１つ前のマークを示すこととする。

各パルスパラメータを最適値に調整する方法として，ジッタを最小にする方法や，エッジシフトを最小にする方法が知られている。図２は媒体上に記録されたマーク／スペース，それに対応した等化再生信号，等化再生信号を２値化した２値化再生信号及び２値化再生信号から生成されたチャネルビットクロック信号の波形を模式的に示した図である。ジッタは２値化再生信号とチャネルビットクロック信号のマークエッジにおける時間差の標準偏差をチャネルクロック周期で規格化したものであり，エッジシフトは２値化再生信号とチャネルクロック信号のエッジにおける時間差の平均値をチャネルクロック周期で規格化したものである。エッジシフトの符号は，光スポットが光ディスクに対して相対的に動く方向をプラスと定義し，その逆方向をマイナスと定義する。

図３は，従来のパルスパラメータ調整手順の一例を示したフローチャートである。この調整手順では，前エッジの制御に関するパラメータＴＳＦＰ及びＦＰが当該マーク長（２Ｔ，３Ｔ，４Ｔ及び５Ｔ以上）と先行スペース長（２Ｔ，３Ｔ，４Ｔ及び５Ｔ以上）の４×４の組み合わせのパターンで分類され，後エッジの制御に関するパラメータＴＳＬＰ，ＬＰ及びＣＰが当該マーク長（２Ｔ，３Ｔ，４Ｔ及び５Ｔ以上）と後続スペース長（２Ｔ，３Ｔ，４Ｔ及び５Ｔ以上）の４×４の組み合わせのパターンで分類された記録ストラテジを用いて，マークのエッジシフトを，前エッジについては記録ストラテジに対応して当該マーク長と先行スペース長の組み合わせのパターンで分類して検出し，後エッジについては当該マーク長と後続スペース長の組み合わせのパターンで分類して検出し，各パターンのエッジシフトが最小になるように各パルスパラメータを調整するものである。

処理開始後，ステップ１１では，ＴＳＦＰ，ＦＰ，ＭＰ，ＴＳＬＰ，ＬＰ及びＣＰの各パルスパラメータの値を設定する。初回ループの場合には所定の初期値を設定し，２回目以降のループでは現在の設定値を変更する。ここで，前エッジの制御に関するＴＳＦＰ及びＦＰは当該マーク長と先行スペース長の組み合わせのパターンで分類し，後エッジの制御に関するＴＳＬＰ，ＬＰ及びＣＰは当該マーク長と後続スペース長の組み合わせのパターンで分類して設定する。なお，ＭＰは全てのパターンに対して同一の値を用いる。

パラメータの設定値のテーブルを，図４Ａ及び図４Ｂに示す。図４ＡはＴＳＦＰ及びＦＰに対する初期値のテーブルであり，図４ＢはＴＳＬＰ，ＬＰ及びＣＰに対する初期値のテーブルである。このようにして，合計５個の初期値テーブルが用いられる。Ｔ_Wはチャネルビットクロック周期である。

ステップ１２で光ディスク媒体上の所定の場所にランダムデータを記録し，記録したデータを再生する。ステップ１３では再生信号を用いてエッジシフトを，前エッジについては当該マーク長と先行スペース長の組み合わせのパターンで分類して算出し，後エッジについては当該マーク長と後続スペース長の組み合わせのパターンで分類して算出する。パターンで分類したエッジシフト値のテーブルは図５Ａ及び図５Ｂに示した通りとなる。図５Ａは前エッジのエッジシフトを当該マーク長と先行スペース長の組み合わせのパターンで分類して算出したものであり，図５Ｂは後ろエッジのエッジシフトを当該マーク長と後続スペース長の組み合わせのパターンで分類して算出したものである。ステップ１４では，全てのパターンのエッジシフトの絶対値がそれぞれ最小であるかどうかを判定し，Ｙｅｓであれば処理を終了し，Ｎｏであればステップ１１に戻ってパルスパラメータの値を変更する。このようにして全てのパターンのエッジシフトの絶対値が最小になるようにパルスパラメータを決定する。

特開２００８―１０８３００号公報

図６は，１層タイプのＢＤ−ＲディスクにＢＤフォーマットに従って２５ＧＢ／面の記録密度でランダムデータを記録して再生し，マークの前エッジのエッジシフトを当該マーク長（２Ｔ，３Ｔ，４Ｔ，≧５Ｔ）と先行スペース長（２Ｔ，３Ｔ，４Ｔ，≧５Ｔ）の組み合わせで分類して計測し，４×４テーブルの形で示したものである。記録及び再生の際のデータ転送速度はＢＤの２倍速の速度とした。記録方式としてはＮ−１記録ストラテジを用い，各パルスパラメータの値を全マーク長に対して一律に下記の通り設定した。

ＦＰ＝ＭＰ＝ＬＰ＝８
ＣＰ＝１６
ＴＳＦＰ＝ＴＳＬＰ＝０（単位：Ｔ_W／１６）

ここで，チャネルビットクロック周期Ｔ_Wは，ＢＤ２倍速の条件ではＴ_W＝７．５８ｎｓである。エッジシフト計測の際の再生信号処理には，ＢＤの標準再生回路を用いた。

図６の結果によると，エッジシフトの値は全パターンで±３％以内と，問題とならない範囲に収まっていた。また，このときのトータルジッタの値は４．７％であった。

しかしながら，結果を更に詳細に解析することにより，次のような問題があることが分かった。図７Ａ〜図７Ｄは，図６の４×４テーブルを更に先行マーク長（２Ｔ，３Ｔ，４Ｔ，≧５Ｔ）で分類し，それぞれを示したものである。図７Ａは先行マーク長が２Ｔのとき，図７Ｂは先行マーク長が３Ｔのとき，図７Ｃは先行マーク長が４Ｔのとき，図７Ｄは先行マーク長が５Ｔ以上のときのエッジシフトをそれぞれ示す。例えば，当該マーク長が２Ｔであり先行スペース長が２Ｔであるパターン（太枠のセル）を見ると，図６の結果ではエッジシフトは＋０．１％とほぼゼロであったのに対して，図７Ａ〜図７Ｄの結果では先行マーク長が２Ｔ（図７Ａ）及び３Ｔ（図７Ｂ）の場合のエッジシフトはそれぞれ＋３．８％及び＋４．０％とプラス側に寄っており，先行マーク長が４Ｔ（図７Ｃ）及び５Ｔ以上（図７Ｄ）の場合のエッジシフトはそれぞれ−３．１％及び−７．７％とマイナス側に寄っており，それぞれ絶対値が無視できない大きさとなっていた。このような傾向は，これ以外のパターンでも同様に見られ，特に先行スペース長が２Ｔであるパターンで顕著であった。

このように，当該マーク長と先行スペース長の組み合わせのパターンで分類したエッジシフトの絶対値がほぼゼロであっても，さらに先行マーク長で分類すると各エッジシフトの絶対値が無視できない大きさになっている場合がある。これは各エッジシフトの分布が図８Ａのようになっているためであると考えられる。図８Ａは，図６及び図７Ａ〜図７Ｄの結果を模式的に示した図であり，当該マーク長が２Ｔであり先行スペース長が２Ｔであるパターンについて，横軸にエッジシフト量，縦軸に計測エッジ数を示した分布図である。ａ，ｂ，ｃ及びｄの分布は，それぞれ先行マーク長が２Ｔ，３Ｔ，４Ｔ及び５Ｔ以上の場合の分布であり，トータルの分布は当該マーク長が２Ｔであり先行スペース長が２Ｔである全てのパターンの分布である。すなわち，図８Ａのトータルの分布の平均値は図６のテーブルの太枠セルの値に対応し，ａ，ｂ，ｃ及びｄの各分布の平均値は，それぞれ図７Ａ，図７Ｂ，図７Ｃ及び図７Ｄの太枠セルの値に対応する。この図において，先行マーク長が２Ｔ及び３Ｔの場合の分布はプラス側に寄っており，先行マーク長が４Ｔ及び５Ｔ以上の場合の分布はマイナス側に寄っているが，これら全４種類のパターンのトータルの分布の平均値はほぼゼロになっている。

このように，先行マーク長で分類した各エッジシフトの分布が分離していると，トータルの分布の平均値がほぼゼロであっても，分布の標準偏差は大きくなり，トータルジッタが増加してしまう。これによりドライブ装置のシステムマージンが減少し，再生エラーが発生しやすくなる。システムマージンの減少は，将来の更なる記録再生速度の向上や記録密度の向上の可能性を小さくする。従って，先行マーク長で分類した各エッジシフトの分布は，図８Ｂに示したように，それぞれがゼロに近くなるように補正されることが望ましい。

上記のような，エッジシフトが先行マーク長に依存して分離するという課題に対して，特許文献１に開示されている技術では，記録マーク長，先行するスペース長，さらに先行するマーク長，及び記録マークに後続するスペース長をもとに，レーザパルスの開始位置と終了位置を補正することにより解決を図っている。しかしながら，記録パルスのパラメータを，少なくとも当該マーク長と先行スペース長に加えて，先行マーク長でも分類する必要があり，当該マーク長と先行スペース長の組み合わせのみで分類した記録パルスパラメータテーブルを用いた一般的なレーザパルス制御器では実現することができず，記録システムが複雑になるという課題があった。

本発明の目的は，少なくとも当該マーク長と先行スペース長の組み合わせのパターンで分類した記録パルスパラメータを用いることにより，先行マーク長に依存して分離するエッジシフトを補正可能な光ディスク記録方法及びそれを用いた光ディスク記録装置を提供することにある。

本発明の光ディスク記録方法は，光ディスク媒体に，クーリングパルスを含んだパルス列状に強度変調されたレーザ光を照射してマーク及びマーク間部（スペース）を形成することにより情報を記録する方法であり，上記目的を達成するために以下の手段を用いた。

（１）ｎを整数，Ｔをチャネルビット長として，１つ前のマークが長さｎＴのマークである記録マークの前エッジのエッジシフト量を検出するステップと，前記検出したエッジシフト量に基づいて，長さｎＴのマークを形成するためのパルス列におけるクーリングパルスの時間幅を決定するステップと，を備えた。

これにより，先行マーク長に依存して分離するマークの前エッジのエッジシフトをそれぞれ補正することができる。

ここで，マークの前エッジのエッジシフトを補正するためにクーリングパルスを用いるのは，クーリングパルス幅を変化させることにより当該マークの１つ後のマークを形成する位置への熱の漏れ込み量を変化させることができるからである。例えば，クーリングパルス幅を増加させると当該マークの１つ後のマークを形成する位置への熱の漏れ込み量は小さくなり１つ後のマークの前エッジはマーク長が小さくなる方向に変化する，すなわちエッジシフトがプラスの方向に変化する。逆にクーリングパルス幅を小さくするとエッジシフトはマイナスの方向に変化する。

クーリングパルスを用いるもう１つの理由は，少なくともマーク長で分類したパルスパラメータを用いればマークの前エッジのエッジシフトを制御することができるためである。これは，クーリングパルスは当該マークの後エッジの形成に寄与するだけでなく，１つ後のマークの前エッジの形成にも寄与することによる。当該マークの形成にのみ寄与するパラメータを用いて課題を解決するためには，特許文献１の方法のように，そのパラメータを少なくとも先行マーク長で分類して制御する必要がある。すると，パラメータ数が増加し，記録システムが複雑になる。

また，クーリングパルス幅を決定する際の指標としてエッジシフトを用いるのは，エッジシフトの各分布がどのようにずれているかが分かるからである。すなわち，クーリングパルス幅を増加させればよいのか減少させればよいのか，またどの程度増減させればよいのかを知ることができるからである。このことは調整時間の短縮に寄与する。

（２）１つ前のマークの長さがｎＴである，前エッジのエッジシフト量を検出する記録マークを，直前のスペースがコード規則における最小長さである記録マークとした。

この方法は，（１）に示した手段において，特に先行スペース長がコード規則における最小長さであるパターンのエッジシフトを指標としてクーリングパルス幅の調整を行う。例えば，ＢＤにおける最小スペース長は２Ｔである。

これは，先行スペース長が最小である場合に，マーク間の熱干渉量が最も大きくなるため，先行マーク長に依存して分離するエッジシフトを高感度に検出することができるためである。

（３）１つ前のマークの長さがｎＴである，前エッジのエッジシフト量を検出する記録マークを，長さがコード規則における最小長さの記録マークとした。

この方法は，（１）に示した手段において，特にマーク長がコード規則における最小長さであるパターンのエッジシフトを指標としてクーリングパルス幅の調整を行う。例えば，ＢＤにおける最小マーク長は２Ｔである。

これは，マーク長が最小である場合に，マーク間の熱干渉の影響を最も強く受けるため，エッジシフトの変化が大きくなるからである。これにより，（２）の方法と同様に，先行マーク長に依存して分離するエッジシフトを高感度に検出することができる。

（４）１つ前のマークの長さがｎＴである，前エッジのエッジシフト量を検出する記録マークを，長さがコード規則における最小長さのマークであり，かつ当該記録マークの直前のスペースがコード規則における最小長さである記録マークとした。

この方法は，（２）と（３）の方法を組み合わせたものであり，先行マーク長に依存して分離するエッジシフトを更に高感度に検出することが期待できる。

（５）長さｎＴのマークを形成するためのパルス列におけるクーリングパルスの時間幅を，それぞれエッジシフト量の絶対値が略最小となるように決定した。

これにより，上記（１）〜（４）の方法を用いて，先行マークに依存して分離するエッジシフトを補正することができる。このような調整により，エッジシフトの補正及びトータルジッタの低減を実現することができる。

（６）長さｎＴのマークを形成するためのパルス列におけるクーリングパルスの時間幅を，上述のエッジシフト量が略一定となるように決定した。

この方法は，上記（５）の方法のように直接各エッジシフトの絶対値を最小にすることができない場合を想定している。すなわち，先行マーク長で分類された各エッジシフトの値を，一旦ほぼ同じ値にまとめる。その後，各エッジシフトをまとめて変化させることは，例えば，当該マークに対応するパルス列におけるパルス列の始端の時刻を制御することによって可能である。

（７）パルス列における各パルスの時間幅及び各パルスの始端又は終端の時刻を，少なくともマーク長で分類して制御した。

本発明による，先行マークに依存して分離するエッジシフトの補正は，少なくともクーリングパルス幅をマーク長で分類して制御することにより可能である。この方法は，最小限の記録パルスパラメータにより本発明の目的を達成することを可能とし，レーザパルス制御回路の簡素化に寄与する。

（８）パルス列における各パルスの時間幅及び各パルスの始端又は終端の時刻を，少なくともマークの長さと当該マークの直前のスペースの長さの組み合わせで分類して制御した。

特許文献１に開示された技術では，先行マーク長に依存して分離するエッジシフトを補正するために，少なくとも当該マーク長と先行スペース長と先行マーク長の組み合わせで分類した記録パルスパラメータを用いる必要があったため，パラメータ数が多くなりレーザパルス制御回路を複雑化させるという課題があったが，本構成では，少なくともクーリングパルス幅を当該マーク長で分類して制御すればよいため，このような課題を解決することができる。

（９）マークの長さと当該マークの直前のスペースの長さの組み合わせで分類されたパルス列の始端の時刻を，マークの長さと当該マークの直前のスペースの長さの組み合わせで分類されたマークの前エッジのエッジシフト量が略最小となるように決定するステップと，続いて，長さｎＴのマークを形成するためのパルス列におけるクーリングパルスの時間幅を，それぞれ上述のエッジシフト量の絶対値が略最小となるように決定するステップと，を備えた。

これは，先行マーク長で分類した各エッジシフトの値がゼロから大きくずれていて，クーリングパルス幅の調整のみではエッジシフトを補正しきれない場合に有効な手段である。すなわち，先行マーク長で分類された各エッジシフトの分布をまとめて平均値をゼロに近づけ，続いて各エッジシフトの分布をそれぞれゼロに近づける。

（１０）長さｎＴのマークを形成するためのパルス列におけるクーリングパルスの時間幅を，それぞれ上述のエッジシフト量が略一定となるように決定するステップと，続いて，マークの長さと当該マークの直前のスペースの長さの組み合わせで分類されたパルス列の始端の時刻を，マークの長さと当該マークの直前のスペースの長さの組み合わせで分類されたマークの前エッジのエッジシフト量が略最小となるように決定するステップと，を備えた。

この方法も（９）と同様に，先行マーク長で分類した各エッジシフトの値がゼロから大きくずれていて，クーリングパルス幅の調整のみではエッジシフトを補正しきれない場合に有効な手段である。（９）の方法との違いは，先行マーク長に依存して分離した各エッジシフトの分布をまず１つにまとめて，続いてそれらの分布を集団として平均値をゼロに近づける点である。

（１１）光ディスクは，追記型光ディスクとした。
本発明の技術は，用いる媒体が追記型光ディスクである場合に特に有効である。それは，追記型光ディスクでは，ラストパルスの終端で当該マークの後エッジの位置が決定され，クーリングパルスは殆ど寄与しないため，クーリングパルス幅は後続マークへの熱干渉を制御することのみで決定することができるからである。一方，相変化記録膜を用いた書き換え型光ディスクでは，マークの後エッジ位置はクーリングパルス幅に強く依存するため，クーリングパルス幅を後続マークへの熱干渉の調整のみで決定することができない場合がある。

（１２）マークの前エッジのエッジシフトを当該マークの１つ前のマークの長さで分類して検出するステップと，当該マークの長さと当該マークの直前のスペースの長さの組み合わせで分類されたパルス列の始端の時刻を，分類して検出したエッジシフトのうち最小であるものの絶対値が最小になるように決定するステップと，続いて，長さｎＴのマークを形成するためのパルス列におけるクーリングパルスの時間幅を，それぞれ上述のエッジシフト量の絶対値が略最小となるように決定するステップと，を備えた。

この方法は（９）の方法とほぼ同様であるが，先行マーク長で分類された各エッジシフトの分布をまとめて平均値をゼロに近づける代わりに，エッジシフトの値が最小である分布を基準として，その分布の平均値をゼロに近づけるものである。その後，元々エッジシフトが最小であった分布はそのままにし，他の分布の平均値をそれぞれゼロに近づける。

（１３）マークの前エッジのエッジシフトを当該マークの１つ前のマークの長さで分類して検出するステップと，当該マークの長さと当該マークの直前のスペースの長さの組み合わせで分類されたパルス列の始端の時刻を，分類して検出したエッジシフトのうち最大であるものの絶対値が最小になるように決定するステップと，続いて，長さｎＴのマークを形成するためのパルス列におけるクーリングパルスの時間幅を，それぞれ上述のエッジシフト量の絶対値が略最小となるように決定するステップと，を備えた。

この方法は（１２）の方法と同様であるが，エッジシフトの値が最大である分布を基準として，その分布の平均値をゼロに近づけるものである。その後，元々エッジシフトが最大であった分布はそのままにし，他の分布の平均値をそれぞれゼロに近づける。
また，本発明の光ディスク装置は，以下の手段を備える。

（１４）情報を記録する光ディスク媒体と，光ディスク媒体にクーリングパルスを含んだパルス列状に強度変調したレーザ光を照射してマーク及びマーク間部（スペース）を形成することにより情報を記録するためのレーザ光発生手段と，パルス列における各パルスのパワーレベル，時間幅及び始端又は終端の時刻を制御するレーザ光制御手段と，形成したマークのエッジシフト量を検出するエッジシフト検出手段とを備え，エッジシフト検出手段は，形成したマークの前エッジのエッジシフト量を当該マーク長の１つ前のマークの長さで分類し，ｎを整数，Ｔをチャネルビット長として，１つ前のマークが長さｎＴのマークであるマークの前エッジのエッジシフト量を算出し，レーザ光制御手段は，長さｎＴのマークを形成するためのパルス列におけるクーリングパルスの時間幅を，前記エッジシフト量に基づいて決定する。

これにより，上記（１）〜（１３）の記録パルス調整手段を備えた光ディスク装置を実現することができる。

本発明の効果を，実験結果を参照することにより示す。

図７Ａにおける太枠のセルのエッジシフトの絶対値が最小になるように２Ｔマークに対応するパルス列におけるクーリングパルス幅を調整し，同様に図７Ｂ，図７Ｃ及び図７Ｄにおける太枠のセルのエッジシフトの絶対値が最小になるように３Ｔ，４Ｔ及び≧５Ｔに対応するパルス列（当該マークの先行マークに相当するマークのパルス列）のクーリングパルス幅を調整した。

この調整の結果，マーク長が２Ｔ及び３Ｔのマークのクーリングパルス幅ＣＰ（２Ｔ）及びＣＰ（３Ｔ）は減少し，マーク長が４Ｔ及び５Ｔ以上のマークのクーリングパルス幅ＣＰ（４Ｔ）及びＣＰ（≧５Ｔ）は増加し，それぞれ下記の通りとなった。

ＣＰ（２Ｔ）＝１１
ＣＰ（３Ｔ）＝１３
ＣＰ（４Ｔ）＝２０
ＣＰ（≧５Ｔ）＝２９（単位：Ｔ_W／１６）

図９は，上記のクーリングパルス幅の調整後，マークの前エッジのエッジシフトを当該マーク長と先行スペース長の組み合わせのパターンで分類して４×４テーブルの形で示したものであり，図１０Ａから図１０Ｄは，図９の４×４テーブルを更に先行マーク長（２Ｔ，３Ｔ，４Ｔ，≧５Ｔ）で分類してそれぞれ示したものである。クーリングパルス幅を全マーク長で一律の値にした場合の，先行マーク長が２Ｔ，３Ｔ，４Ｔ及び≧５Ｔである各マークの前エッジのエッジシフト量はそれぞれ＋３．８％，＋４．０％，−３．１％及び−７．７％であったのに対して，上記のクーリングパルス幅の調整後には，それぞれ＋０．４％，＋２．３％，−０．４％及び−０．８％と，絶対値が問題ない大きさに収まった。

また，トータルジッタ値は，本発明を適用しなかった場合に４．７％であったのに対して，本発明を適用してクーリングパルス幅をマーク長ごとに調整することにより４．２％に改善した。このトータルジッタ値の改善は，先行マーク長で分類した各エッジシフト量の分布が，図８Ａに示したような状態から図８Ｂに示したような理想的な状態に補正されたことによることは明らかである。トータルジッタ値の改善は，ドライブ装置の動作時の種々の外乱に対するマージンを拡大し，記録再生速度の高速化や記録密度の高密度化に寄与する。以上の結果より，本発明の効果が示された。

Ｎ−１記録ストラテジの記録パルス波形を示した図。媒体に記録されたマーク／スペース，等化再生信号，２値化再生信号及びチャネルビットクロック信号の波形を模式的に示した図。従来のパルスパラメータの調整手順の一例を示したフローチャート。ＴＳＦＰ及びＦＰの設定テーブルを示した図。ＴＳＬＰ，ＬＰ及びＣＰの設定テーブルを示した図。前エッジのエッジシフトの検出テーブルを示した図。後ろエッジのエッジシフトの検出テーブルを示した図。マークの前エッジのエッジシフトを当該マーク長と先行スペース長の組み合わせのパターンで分類した４×４テーブルを更に先行マーク長で分類してそれぞれ示した図。先行マーク長が２Ｔのときのエッジシフトの分布を模式的に示した図。先行マーク長が３Ｔのときのエッジシフトの分布を模式的に示した図。先行マーク長が４Ｔのときのエッジシフトの分布を模式的に示した図。先行マーク長が５Ｔ以上のときのエッジシフトの分布を模式的に示した図。先行マーク長で分類したエッジシフトの各分布を示した図。先行マーク長で分類したエッジシフトの各分布を示した図。マークの前エッジのエッジシフトを当該マーク長と先行スペース長の組み合わせのパターンで分類し，４×４テーブルの形で示した図。先行マーク長が２Ｔのときのマークの前エッジのエッジシフトを当該マーク長と先行スペース長の組み合わせのパターンで分類し，４×４テーブルの形で示した図。先行マーク長が３Ｔのときのマークの前エッジのエッジシフトを当該マーク長と先行スペース長の組み合わせのパターンで分類し，４×４テーブルの形で示した図。先行マーク長が４Ｔのときのマークの前エッジのエッジシフトを当該マーク長と先行スペース長の組み合わせのパターンで分類し，４×４テーブルの形で示した図。先行マーク長が５Ｔ以上のときのマークの前エッジのエッジシフトを当該マーク長と先行スペース長の組み合わせのパターンで分類し，４×４テーブルの形で示した図。光ディスク装置の構成例を示す図。クーリングパルス幅調整手順の一例を示すフローチャート。先行マーク長で分類したエッジシフトの各分布を示す図。先行マーク長で分類したエッジシフトの各分布を示す図。先行マーク長で分類したエッジシフトの各分布を示す図。クーリングパルス幅調整手順の一例を示すフローチャート。先行マーク長で分類したエッジシフトの各分布を示す図。先行マーク長で分類したエッジシフトの各分布を示す図。先行マーク長で分類したエッジシフトの各分布を示す図。クーリングパルス幅調整手順の一例を示すフローチャート。先行マーク長で分類したエッジシフトの各分布を示す図。先行マーク長で分類したエッジシフトの各分布を示す図。先行マーク長で分類したエッジシフトの各分布を示す図。クーリングパルス幅調整手順の一例を示すフローチャート。先行マーク長で分類したエッジシフトの各分布を示す図。先行マーク長で分類したエッジシフトの各分布を示す図。先行マーク長で分類したエッジシフトの各分布を示す図。クーリングパルス幅調整手順の一例を示すフローチャート。

以下，図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。

［実施例１］
本発明を実施するのに好適な光ディスク装置の構成例について述べる。ここではＢＤのシステムを前提とする。図１１は，本発明を適用した光ディスク装置の構成例を示す模式図である。装置に装着された光ディスク媒体１００は，スピンドルモータ１６０により回転される。再生時には，ＣＰＵ１４０によって指令された光強度になるようにレーザパワー／パルス制御器１２０が光ヘッド１１０内のレーザドライバ１１６を介して半導体レーザ１１２に流す電流を制御し，レーザ光１１４を発生させる。レーザ光１１４は対物レンズ１１１によって集光され，光スポット１０１を光ディスク媒体１００上に形成する。この光スポット１０１からの反射光１１５は対物レンズ１１１を介して，光検出器１１３で検出される。光検出器は複数に分割された光検出素子から構成されている。再生信号処理回路１３０は，光ヘッド１１０で検出された信号を用いて，光ディスク媒体１００上に記録された情報を再生する。これら装置全体は，システムコントローラ２００によって制御される。

再生信号処理回路１３０は，光ヘッド１１０で検出された信号に対して帯域制限フィルタ，オートスライサ，ＰＬＬ（Phase Locked Loop）等の処理を行うことにより，チャネルビットクロック信号を生成し，２値化再生信号を生成する。エッジシフト検出器１３５は，再生信号処理回路１３０が生成したチャネルビットクロック信号と２値化再生信号を用いて，再生信号エッジにおける２値化再生信号とチャネルビットクロック信号の間の時間差をチャネルビットクロック周期で規格化した値をエッジシフトとして計測する。更に各計測エッジにおけるエッジシフトの値を，２値化再生信号のデータパターンに基づいて当該マーク長と先行スペース長と先行マーク長の組み合わせのパターンで分類し，パターン毎に集計してエッジシフトの平均値を算出して出力する。

次に，レーザパワー／パルス制御部１２０の構成例について説明する。ここでは，記録方式として図１に示したＮ−１記録ストラテジを用いるものとする。

レーザ光の出力パワーレベルＰ_W，Ｐ_S，Ｐ_BW及びＰ_Cとして，光ディスク媒体のコントロール情報記憶領域に記録されたデータによって指定された値を用いる。パワーレベルの指定値が無い場合は試し書きを行うことにより各パワーレベルを決定する。

パルスパラメータについては，図４Ａに示したテーブルに従い，ファーストパルスの始端の時刻ＴＳＦＰ及びファーストパルスの時間幅ＦＰの設定値を与え，図４Ｂに示したテーブルに従い，ラストパルスの始端の時刻ＴＳＬＰ，ラストパルスの時間幅ＬＰ及びクーリングパルスの時間幅ＣＰの設定値を与える。すなわち，ＴＳＦＰ及びＦＰは，図４Ａのパラメータテーブルに従い，当該マーク長と先行スペース長の組み合わせのパターン毎に設定し，ＴＳＬＰ，ＬＰ及びＣＰは，図４Ｂのパラメータテーブルに従い，当該マーク長と後続スペース長の組み合わせのパターン毎に設定する。なお，図示していないマルチパルスの時間幅ＭＰについては，マーク長や隣接スペース長で分類せず，全てのパターンに対して同一の設定値を用いる。

次に，本発明によるクーリングパルス幅の調整方法の実施例を説明する。図１２はクーリングパルス幅調整手順の一例を示したフローチャートである。処理開始後，当該マーク長で分類したクーリングパルス幅のそれぞれの設定値を変更する（ステップ２１）。設定されたパワー及びパルスパラメータの条件でランダムデータを記録する（ステップ２２）。次に記録したデータを再生し，再生信号処理回路１３０によってチャネルビットクロック信号及び２値化再生信号を生成する（ステップ２３）。次に，生成したチャネルビットクロック信号及び２値化再生信号を用いて，エッジシフト検出器１３５でエッジシフトを計測し，記録マーク長と先行スペース長の組み合わせのパターン，更に先行マーク長で分類して，それぞれのエッジシフト値を算出する（ステップ２４）。先行マーク長で分類した各エッジシフトの絶対値が最小になっているかを判定し（ステップ２５），Ｙｅｓであれば処理を終了し，Ｎｏであれば再度ステップ２１に戻りクーリングパルス幅の設定値を変更する。

［実施例２］
クーリングパルス幅調整方法の別の実施例を，図１３Ａ〜図１３Ｃ及び図１４を用いて説明する。装置構成は実施例１と同様である。

本実施例では，従来の方法により，マークの長さと当該マークの直前のスペースの長さの組み合わせで分類されたファーストパルスの始端の時刻を，マークの長さと当該マークの直前のスペースの長さの組み合わせで分類されたマークの前エッジのエッジシフト量の絶対値が略最小となるように決定してマーク全体のエッジシフトの分布平均をゼロにし，続いて先行マーク長で分類したエッジシフトの各分布平均がゼロになるように，マーク長毎のクーリングパルスのパルス幅を調整する。図１３Ａ〜図１３Ｃは，本実施例の処理手順を説明する模式図である。図１３Ａは，マークの長さと当該マークの直前のスペースの長さの組み合わせのパターンのうち，ある１つのパターンについて更に先行マーク長で分類した前エッジのエッジシフトの各分布の初期状態を示している。次に，当該パターンに対応するファーストパルスの始端の時刻を，当該パターンに対応する前エッジのエッジシフト量の絶対値が略最小となるように調整して，図１３Ｂに示すように，マーク全体のエッジシフトの分布平均をゼロにする。続いて，図１３Ｂに矢印で示すように，先行マーク長で分類したエッジシフトの各分布平均がゼロになるように，マーク長毎のクーリングパルスのパルス幅を調整し，図１３Ｃの状態にする。

図１４は，本実施例の処理手順を示すフローチャートである。処理開始後，ステップ３１では，ＴＳＦＰ，ＦＰの値を設定する。初回ループの場合には所定の初期値を設定し，２回目以降のループでは現在の設定値を変更する。ここで，ＴＳＦＰ及びＦＰは，図４Ａのテーブルに従い，当該マーク長と先行スペース長の組み合わせのパターンで分類して設定する。ステップ３２で光ディスク媒体上の所定の場所にランダムデータを記録し，記録したデータを再生する。ステップ３３では再生信号を用いてエッジシフトを，前エッジについて記録マークのマーク長と先行スペース長の４×４の組み合わせのパターンで分類して算出する。ステップ３４では，前エッジに関して分類した全てのパターンのエッジシフトの絶対値が最小であるかどうかを判定し，Ｙｅｓであればステップ３５に進み，Ｎｏであればステップ３１に戻ってパルスパラメータの値を変更する。このようにして前エッジに関する４×４の全てのパターンのエッジシフトの絶対値が最小になるようにパルスパラメータを決定する。

次にステップ３５では，クーリングパルス幅ＣＰの値を設定する。初回ループの場合には所定の初期値を設定し，２回目以降のループでは現在の設定値を変更する。ここで，ＣＰは，マーク長で分類して設定する。ステップ３６で光ディスク媒体上の所定の場所にランダムデータを記録し，記録したデータを再生する。ステップ３７では再生信号を用いてエッジシフトを，前エッジについて先行マーク長で分類して算出する。ステップ３８では，先行マーク長で分類した全てのエッジシフトの絶対値が最小かどうかを判定し，Ｙｅｓであれば処理を終了し，Ｎｏであればステップ３５に戻ってＣＰの値を変更する。

［実施例３］
クーリングパルス幅調整方法の別の実施例を，図１５Ａ〜図１５Ｃ及び図１６を用いて説明する。装置構成は実施例１と同様である。

本実施例では，まず通常の前エッジ補正でエッジシフトが最小の分布の平均をゼロにし，続いてクーリングパルスを減らして他の分布の平均をゼロにする。図１５Ａ〜図１５Ｃは，本実施例の処理手順を説明する模式図である。図１５Ａは，先行マーク長で分類したエッジシフトの各分布の初期状態を示している。次に各マークに対して一律に前エッジ補正を行い，図１５Ｂに示すように，エッジシフトが最小の分布の平均をゼロにする。図示の例の場合，先行マーク長がａＴである記録マークのエッジシフトの分布ａの平均がゼロになるようにする。その後，図１５Ｂに矢印で示すように，先行マーク長で分類した全てのエッジシフトの絶対値が最小になるように，マーク長毎のクーリングパルス幅を調整し，図１５Ｃの状態にする。

図１６は，本実施例の処理手順を示すフローチャートである。処理開始後，ステップ４１では，ＴＳＦＰ，ＦＰの値を設定する。初回ループの場合には所定の初期値を設定し，２回目以降のループでは現在の設定値を変更する。ここで，ＴＳＦＰ及びＦＰは，図４Ａのテーブルに従い，当該マーク長と先行スペース長の組み合わせのパターンで分類して設定する。ステップ４２で光ディスク媒体上の所定の場所にランダムデータを記録し，記録したデータを再生する。ステップ４３では再生信号を用いてエッジシフトを，前エッジについて先行マーク長で分類して算出する。ステップ４４では，前エッジに関する全てのパターンのうち，エッジシフト値が最小であるものの絶対値が最小であるかどうかを判定し，Ｙｅｓであればステップ４５に進み，Ｎｏであればステップ４１に戻ってパルスパラメータの値を変更する。このようにして前エッジに関する４×４の全てのパターンのエッジシフトの絶対値が最小になるようにパルスパラメータを決定する。

次にステップ４５では，クーリングパルス幅ＣＰの値を設定する。初回ループの場合には所定の初期値を設定し，２回目以降のループでは現在の設定値を変更する。ここで，ＣＰは，マーク長で分類して設定する。ステップ４６で光ディスク媒体上の所定の場所にランダムデータを記録し，記録したデータを再生する。ステップ４７では再生信号を用いてエッジシフトを，前エッジについて先行マーク長で分類して算出する。ステップ４８では，先行マーク長で分類した全てのエッジシフトの絶対値が最小かどうかを判定し，Ｙｅｓであれば処理を終了し，Ｎｏであればステップ４５に戻ってＣＰの値を変更する。

［実施例４］
クーリングパルス幅調整方法の別の実施例を，図１７Ａ〜図１７Ｃ及び図１８を用いて説明する。装置構成は実施例１と同様である。

本実施例では，まず通常の前エッジ補正でエッジシフトが最大の分布の平均をゼロにし，続いてクーリングパルスを増やして他の分布の平均をゼロにする。図１７Ａ〜図１７Ｃは，本実施例の処理手順を説明する模式図である。図１７Ａは，先行マーク長で分類したエッジシフトの各分布の初期状態を示している。この分布に対して全てのマーク長のマークに対して一律に前エッジ補正を行い，図１７Ｂに示すようにエッジシフトが最大の分布の平均をゼロにする。図示の例の場合，先行マーク長がｄＴである記録マークのエッジシフトの分布ｄの平均がゼロになるようにする。その後，図１７Ｂに矢印で示すように，先行マーク長で分類した全てのエッジシフトの絶対値が最小になるようにマーク長毎のクーリングパルス幅を調整し，図１７Ｃの状態にする。

図１８は，本実施例の処理手順を示すフローチャートである。処理開始後，ステップ５１では，ＴＳＦＰ，ＦＰの値を設定する。初回ループの場合には所定の初期値を設定し，２回目以降のループでは現在の設定値を変更する。ここで，ＴＳＦＰ及びＦＰは，図４Ａのテーブルに従い，当該マーク長と先行スペース長の組み合わせのパターンで分類して設定する。ステップ５２で光ディスク媒体上の所定の場所にランダムデータを記録し，記録したデータを再生する。ステップ５３では再生信号を用いてエッジシフトを，前エッジについて先行マーク長で分類して算出する。ステップ５４では，前エッジに関する全てのパターンのうち，エッジシフト値が最大であるものの絶対値が最小であるかどうかを判定し，Ｙｅｓであればステップ５５に進み，Ｎｏであればステップ５１に戻ってパルスパラメータの値を変更する。このようにして前エッジに関する４×４の全てのパターンのエッジシフトの絶対値が最小になるようにパルスパラメータを決定する。

次にステップ５５では，クーリングパルス幅ＣＰの値を設定する。初回ループの場合には所定の初期値を設定し，２回目以降のループでは現在の設定値を変更する。ここで，ＣＰは，マーク長で分類して設定する。ステップ５６で光ディスク媒体上の所定の場所にランダムデータを記録し，記録したデータを再生する。ステップ５７では再生信号を用いてエッジシフトを，前エッジについて先行マーク長で分類して算出する。ステップ５８では，先行マーク長で分類した全てのエッジシフトの絶対値が最小かどうかを判定し，Ｙｅｓであれば処理を終了し，Ｎｏであればステップ５５に戻ってＣＰの値を変更する。

［実施例５］
クーリングパルス幅調整方法の別の実施例を，図１９Ａ〜図１９Ｃ及び図２０を用いて説明する。装置構成は実施例１と同様である。

本実施例では，まずクーリングパルス調整でエッジシフトの先行マーク長依存を補正し，続いて通常の前エッジ補正を行って，先行マーク長で分類した全てのエッジシフトの分布の平均がゼロになるようにする。図１９Ａ〜図１９Ｃは，本実施例の処理手順を説明する模式図である。図１９Ａは，先行マーク長で分類したエッジシフトの各分布の初期状態を示している。この分布に対してマーク長に依存するクーリングパルスのパルス幅調整を行い，図１９Ｂに示すように，先行マーク長で分類した前エッジのエッジシフト値を略一定にする。その後，図１９Ｂに矢印で示すように，全てのマーク長のマークに対して一律に前エッジ補正を行い，先行マーク長で分類したエッジシフトの各分布の平均をゼロにして図１９Ｃに示す状態にする。

図２０は，本実施例の処理手順を示すフローチャートである。処理開始後，ステップ６１では，ＣＰの値を設定する。初回ループの場合には所定の初期値を設定し，２回目以降のループでは現在の設定値を変更する。ここで，ＣＰは，マーク長で分類して設定する。ステップ６２で光ディスク媒体上の所定の場所にランダムデータを記録し，記録したデータを再生する。ステップ６３では再生信号を用いてエッジシフトを，前エッジについて先行マーク長で分類して算出する。ステップ６４では，前エッジに関する全てのパターンのエッジシフト値が略一定であるかどうかを判定し，Ｙｅｓであればステップ６５に進み，Ｎｏであればステップ６１に戻ってパルスパラメータの値を変更する。このようにして前エッジに関して先行マーク長で分類した各エッジシフト値が略一定になるようにＣＰを決定する。

次にステップ６５では，ＴＳＦＰ及びＦＰの値を設定する。初回ループの場合には所定の初期値を設定し，２回目以降のループでは現在の設定値を変更する。ここで，ＴＳＦＰ及びＦＰは，図４Ａのテーブルに従い，当該マーク長と先行スペース長の組み合わせのパターンで分類して設定する。ステップ６６で光ディスク媒体上の所定の場所にランダムデータを記録し，記録したデータを再生する。ステップ６７では再生信号を用いてエッジシフトを，当該マーク長と先行スペース長の組み合わせのパターンで分類して算出する。ステップ６８では，分類した全てのエッジシフト値が最小かどうかを判定し，Ｙｅｓであれば処理を終了し，Ｎｏであればステップ６５に戻ってＴＳＦＰ及びＦＰの値を変更する。

本発明の効果は，以上説明した実施例に限られるものではない。

上記の実施例では，記録方式として「Ｎ−１記録ストラテジ」を用いたが，「Ｎ／２記録ストラテジ」あるいは「キャッスル記録ストラテジ」等の記録方式を用いた場合にも，本発明を同様に適用することができる。

上記の実施例ではエッジシフトとして，チャネルビットクロック信号と２値化再生信号の時間差に基づいて算出されるエッジシフトを用いたが，これに限られるものではない。広義のエッジシフトとして，ＰＲＭＬを用いた再生システムにおいて目標信号と再生信号のユークリッド距離差に基づいて算出されるエッジシフトを用いても構わない。

１００：光ディスク
１０１：光スポット
１１０：光ヘッド
１１１：対物レンズ
１１２：半導体レーザ
１１３：光検出器
１１４：レーザ光
１１５：反射光
１１６：レーザドライバ
１２０：レーザパワー／パルス制御器
１３０：再生信号処理器
１３５：エッジシフト検出器
１４０：ＣＰＵ
１６０：スピンドルモータ
２００：システムコントローラ

Claims

光ディスク媒体に，クーリングパルスを含んだパルス列状に強度変調されたレーザ光を照射してマーク及びマーク間部（スペース）を形成することにより情報を記録する光ディスク記録方法において，
ｎを整数，Ｔをチャネルビット長として，１つ前のマークが長さｎＴのマークである記録マークの前エッジのエッジシフト量を検出するステップと，
前記検出したエッジシフト量に基づいて，長さｎＴのマークを形成するためのパルス列におけるクーリングパルスの時間幅を決定するステップと，
を有することを特徴とする光ディスク記録方法。
請求項１記載の光ディスク記録方法において，
前記記録マークは，直前のスペースがコード規則における最小長さである記録マークであることを特徴とする光ディスク記録方法。
請求項１記載の光ディスク記録方法において，
前記記録マークは，長さがコード規則における最小長さの記録マークであることを特徴とする光ディスク記録方法。
請求項１記載の光ディスク記録方法において，
前記記録マークは，長さがコード規則における最小長さのマークであり，かつ当該記録マークの直前のスペースがコード規則における最小長さである記録マークであることを特徴とする光ディスク記録方法。
請求項１〜４のいずれか１項記載の光ディスク記録方法において，
前記長さｎＴのマークを形成するためのパルス列におけるクーリングパルスの時間幅を，それぞれ前記エッジシフト量の絶対値が略最小となるように決定することを特徴とする光ディスク記録方法。
請求項１〜４のいずれか１項記載の光ディスク記録方法において，
前記長さｎＴのマークを形成するためのパルス列におけるクーリングパルスの時間幅を，それぞれ前記エッジシフト量が略一定となるように決定することを特徴とする光ディスク記録方法。
請求項１〜６のいずれか１項記載の光ディスク記録方法において，
前記パルス列における各パルスの時間幅及び各パルスの始端又は終端の時刻を，少なくとも前記マークの長さで分類して制御することを特徴とする光ディスク記録方法。
請求項１〜６のいずれか１項記載の光ディスク記録方法において，
前記パルス列における各パルスの時間幅及び各パルスの始端又は終端の時刻を，少なくとも前記マークの長さと当該マークの直前のスペースの長さの組み合わせで分類して制御することを特徴とする光ディスク記録方法。
請求項１〜４，７，８のいずれか１項記載の光ディスク記録方法において，
前記マークの長さと当該マークの直前のスペースの長さの組み合わせで分類されたパルス列の始端の時刻を，前記マークの長さと当該マークの直前のスペースの長さの組み合わせで分類されたマークの前エッジのエッジシフト量が略最小となるように決定するステップと，
続いて，前記長さｎＴのマークを形成するためのパルス列におけるクーリングパルスの時間幅を，それぞれ前記エッジシフト量の絶対値が略最小となるように決定するステップと，
を有することを特徴とする光ディスク記録方法。
請求項１〜４，７，８のいずれか１項記載の光ディスク記録方法において，
前記長さｎＴのマークを形成するためのパルス列におけるクーリングパルスの時間幅を，それぞれ前記エッジシフト量が略一定となるように決定するステップと，
続いて，前記マークの長さと当該マークの直前のスペースの長さの組み合わせで分類されたパルス列の始端の時刻を，前記マークの長さと当該マークの直前のスペースの長さの組み合わせで分類されたマークの前エッジのエッジシフト量の絶対値が略最小となるように決定するステップと，
を有することを特徴とする光ディスク記録方法。
請求項１〜１０のいずれか１項記載の光ディスク記録方法において，
前記光ディスクは，追記型光ディスクであることを特徴とする光ディスク記録方法。
請求項１〜４，７，８のいずれか１項記載の光ディスク記録方法において，
マークの前エッジのエッジシフトを当該マークの１つ前のマークの長さで分類して検出するステップと，
当該マークの長さと当該マークの直前のスペースの長さの組み合わせで分類されたパルス列の始端の時刻を，前記分類して検出したエッジシフトのうち最小であるものの絶対値が最小になるように決定するステップと，
続いて，前記長さｎＴのマークを形成するためのパルス列におけるクーリングパルスの時間幅を，それぞれ前記エッジシフト量の絶対値が略最小となるように決定するステップと，
を有することを特徴とする光ディスク記録方法。
請求項１〜４，７，８のいずれか１項記載の光ディスク記録方法において，
マークの前エッジのエッジシフトを当該マークの１つ前のマークの長さで分類して検出するステップと，
当該マークの長さと当該マークの直前のスペースの長さの組み合わせで分類されたパルス列の始端の時刻を，前記分類して検出したエッジシフトのうち最大であるものの絶対値が最小になるように決定するステップと，
続いて，前記長さｎＴのマークを形成するためのパルス列におけるクーリングパルスの時間幅を，それぞれ前記エッジシフト量の絶対値が略最小となるように決定するステップと，
を有することを特徴とする光ディスク記録方法。
情報を記録する光ディスク媒体と，
前記光ディスク媒体にクーリングパルスを含んだパルス列状に強度変調したレーザ光を照射してマーク及びマーク間部（スペース）を形成することにより情報を記録するためのレーザ光発生手段と，
前記パルス列における各パルスのパワーレベル，時間幅及び始端又は終端の時刻を制御するレーザ光制御手段と，
前記形成したマークのエッジシフト量を検出するエッジシフト検出手段とを備え，
前記エッジシフト検出手段は，前記形成したマークの前エッジのエッジシフト量を当該マーク長の１つ前のマークの長さで分類し，ｎを整数，Ｔをチャネルビット長として，１つ前のマークが長さｎＴのマークであるマークの前エッジのエッジシフト量を算出し，
前記レーザ光制御手段は，長さｎＴのマークを形成するためのパルス列におけるクーリングパルスの時間幅を，前記エッジシフト量に基づいて決定することを特徴とする光ディスク記録装置。
請求項１４記載の光ディスク記録装置において，
前記レーザ光制御手段は，前記長さｎＴのマークを形成するためのパルス列におけるクーリングパルスの時間幅を，それぞれ前記エッジシフト量の絶対値が略最小となるように決定することを特徴とする光ディスク記録装置。