JP5188781B2 - Plasma processing apparatus and plastic surface protective film forming method - Google Patents
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Description
本発明は、プラズマ処理装置、及び被処理基板表面上にハードコート層を形成するプラスチック表面保護膜の形成方法に関するものである。 The present invention relates to a plasma processing apparatus and a plastic surface protective film forming method for forming a hard coat layer on a surface of a substrate to be processed.
プラスチック素材の表面は、一般に、その物性から耐擦傷性が硝子に比して劣る。透明性の大きいプラスチック素材は、一般に軽量であり、耐衝撃性が大きく、しかも、加工が容易であるなどの種々の長所を有しており、これらの長所を活用して眼鏡のレンズおよび時計のカバーグラスなどとして硝子に代えて広く使用されている。しかしながら、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂およびCR−39樹脂(ジエチレングリコールビスアリルカーボネート重合体 以下同様)などから得られた透明なプラスチック素材は、その使用、特に光学上の使用に際しては、透明性が大きいことが重視されることから、その表面に傷が付き難いことが当然に要求され、そのための種々の表面硬化法がある。
従来のプラスチック素材の表面硬化法の他の1つとして、プラズマ重合法がある。プラズマ重合法は、真空反応容器中において気体で存在するような蒸気圧を有する有機化合物であれば、これらの有機化合物のほとんど全ては真空反応容器中でプラズマ励起させることによって重合せしめられて、ピンホールのような欠陥のない被膜が形成されることを利用するものである。また、真空中でのプラズマ重合法における反応は、常温での反応であり、プラスチックの耐用温度よりも低い温度で被膜を形成させることができるという利点がある。しかも、このプラズマ重合法における反応は比較的低温で行われながら、電子温度が高いので、化学反応では高温でしか起こらないような反応を行わせることができるために、架橋度が高く、高い硬度を有する膜を形成させることができるという利点がある。
プラズマ処理方法として、特許文献1及び特許文献2などに開示がある。特許文献1では、アノード電極と反応ガス吹き出し手段とを一体としたものである。被処理基板はカソード電極の表面に設けられる。また、カソード電極のみが冷却され、アノード電極は冷却されないものである。
特許文献2では、被処理基板はアノード電極の表面に設けられる。また、アノード電極は冷却され、カソード電極は冷却されないものである。
しかるに、本発明者らは、プラズマ処理方法できわめて重要な点は、アノード電極とカソード電極との間で、プラズマが均一及び安定的に発生していることにあることを知見した。これが担保されると、被処理基板にピンホールのような欠陥のない被膜並びに膜厚が均一なものとなる。
特許文献1では、反応ガスの吹き出しを分散させることにより上記の課題を解決しようとしている。特許文献2は、かかる観点は開示していない。
しかし、本発明者らは、特許文献1の思想に従って種々の試みを行ったが、その効果は一定限度においてみられるものの、十分でないことが知見された。
There is a plasma polymerization method as another conventional surface hardening method for plastic materials. In the plasma polymerization method, if an organic compound has a vapor pressure that exists as a gas in a vacuum reaction vessel, almost all of these organic compounds are polymerized by plasma excitation in the vacuum reaction vessel. It utilizes the formation of a film free from defects such as holes. Further, the reaction in the plasma polymerization method in vacuum is a reaction at room temperature, and there is an advantage that a film can be formed at a temperature lower than the durable temperature of the plastic. Moreover, the reaction in this plasma polymerization method is performed at a relatively low temperature, but the electron temperature is high, so that a reaction that occurs only at a high temperature can be performed in a chemical reaction, so the degree of crosslinking is high and the hardness is high. There is an advantage that a film having the above can be formed.
As a plasma processing method, there are disclosures in
In
However, the present inventors have found that a very important point in the plasma processing method is that plasma is generated uniformly and stably between the anode electrode and the cathode electrode. If this is ensured, the substrate to be processed and the film having no defects such as pinholes and the film thickness will be uniform.
In
However, the present inventors have made various attempts in accordance with the idea of
したがって、本発明が解決しようとする主たる課題は、アノード電極とカソード電極との間で、プラズマを均一及び安定的に発生させ、被処理基板にピンホールのような欠陥のない、かつ均一な膜厚の被膜を得ることにある。他の課題は、硬質で被処理基板に対する密着性に優れた被膜を形成できる。 Therefore, the main problem to be solved by the present invention is to generate plasma uniformly and stably between the anode electrode and the cathode electrode, and to form a uniform film without defects such as pinholes on the substrate to be processed. It is to obtain a thick film. Another problem is that a hard film having excellent adhesion to the substrate to be processed can be formed.
この課題を解決した本発明は、次のとおりである。
〔請求項1記載の発明〕
真空容器内に対向して配置された第1電極及び第2電極を有し、前記第1電極表面上に被処理基板を配置し、減圧状態で前記真空容器内に反応ガスを導入しながら、その反応ガスのプラズマを前記電極間に形成するプラズマ処理装置であって、
前記第1電極は電源に接続され、前記第2電極はアース接地され、
前記被処理基板と前記第2電極との間に、前記反応ガスの導入ヘッドが設けられ、
前記導入ヘッドは、箱状となり、前記被処理基板側の壁に多数の吹き出し口を有し、外部から流入孔を通して前記導入ヘッド内へ導入される前記反応ガスが、前記吹き出し口群から前記被処理基板側に吹き出されるように構成し、
前記導入ヘッドは、エポキシ樹脂、ガラス・エポキシ積層板、フッ素樹脂、ポリカーボネート樹脂、フェノール樹脂の群から選ばれたことを特徴とするプラズマ処理装置。
The present invention that has solved this problem is as follows.
[Invention of Claim 1]
While having a first electrode and a second electrode arranged opposite to each other in the vacuum vessel, disposing a substrate to be processed on the surface of the first electrode and introducing a reaction gas into the vacuum vessel in a reduced pressure state, A plasma processing apparatus for forming a plasma of the reaction gas between the electrodes,
The first electrode is connected to a power source, the second electrode is grounded;
An introduction head for the reaction gas is provided between the substrate to be processed and the second electrode,
The introduction head has a box shape and has a large number of outlets on a wall on the substrate to be processed, and the reaction gas introduced from the outside into the introduction head through the inflow hole is supplied from the outlet group to the target. Configured to be blown to the processing substrate side ,
The plasma processing apparatus , wherein the introduction head is selected from the group consisting of epoxy resin, glass / epoxy laminate, fluororesin, polycarbonate resin, and phenol resin .
(作用効果)
本発明では、第1電極表面(カソード電極)上に被処理基板を設けたものである。これによって、第2電極表面(アノード電極)上に被処理基板を設ける場合に比較して、硬質な被膜が得られ、また、被処理基板に対する被膜の密着性が高いものとなる。この理由は、プラズマと電極表面との間の電位差がアノード電極に比較してカソード電極の方が大きく、エネルギーの大きいイオンが存在していることに起因すると思われる。
他方、本発明では、特許文献1のように、第2電極表面(アノード電極)自体から反応ガスを吹き出すものではなく、被処理基板と第2電極表面(アノード電極)との間に、反応ガスの導入ヘッドから反応ガスを吹き出すようにしている。特許文献1のように、第2電極表面(アノード電極)自体から反応ガスを吹き出すようにすると、吹き出し口部分でプラズマが点灯し、異常放電を起こしたり、反応生成物である粉末が吹き出し口部分に堆積する場合があることが知見された。そして、プラズマ点灯した吹き出し口を反応ガスが通過すると、前記の粉末が起因して、透明であるべき生成した被膜がわずかに白く濁ったり、膜厚の不均一性や一部硬度が十分でない被膜を生成してしまう危険性がある。
導入ヘッドは、箱状となり、被処理基板側の壁に多数の吹き出し口を有し、外部から流入孔を通して導入ヘッド内へ導入される反応ガスが前記吹き出し口群から前記被処理基板側に吹き出されるようにしたので、プラズマを均一及び安定的に発生させることができる。
以上の事項によって、アノード電極とカソード電極との間で、プラズマを均一及び安定的に発生させ、被処理基板にピンホールのような欠陥のない、かつ均一な膜厚の被膜を得ることができる。しかも、生成する被膜は、硬質で、被処理基板に対する被膜の密着性が高いものとなる
また、プラズマの発生によって、導入ヘッドも加熱され、たとえば100℃程度になることもある。そのために導入ヘッドの材料には、たとえば150℃以上の耐熱性が要求されるが、列挙の材料はその耐熱性は充足する。ガラスやアルミナなどの材料も耐熱性に優れ、前記導入ヘッドとして利用可能であるが、加工性に難がある。導入ヘッドの比誘電率が真空に比べて大きければ、電界分布を変化させることができる。良好な膜形成に必要な電界分布の観点から、比誘電率が2.5〜12.0程度であるのが望ましいことを知見しているが、列挙の材料は前記の比誘電率の範囲内に存在する。結論的には、列挙の材料は耐熱性、加工性及び良好な膜形成に必要な電界分布の観点から、好適な材料である。
(Function and effect)
In the present invention, a substrate to be processed is provided on the first electrode surface (cathode electrode). As a result, a hard film can be obtained and the adhesion of the film to the substrate to be processed is higher than when a substrate to be processed is provided on the second electrode surface (anode electrode). The reason is considered to be that the potential difference between the plasma and the electrode surface is larger in the cathode electrode than in the anode electrode, and ions having higher energy exist.
On the other hand, in the present invention, unlike
The introduction head has a box shape and has a large number of blowout ports on the substrate-side wall, and the reaction gas introduced from the outside into the introduction head through the inflow holes blows out from the blowout port group to the substrate to be processed. Therefore, the plasma can be generated uniformly and stably.
As described above, plasma can be generated uniformly and stably between the anode electrode and the cathode electrode, and a film having a uniform film thickness free from defects such as pinholes can be obtained on the substrate to be processed. . In addition, the resulting coating is hard and has high adhesion to the substrate to be processed.
Further, the introduction head is heated by the generation of plasma, and may be about 100 ° C., for example. Therefore, the material of the introduction head is required to have a heat resistance of, for example, 150 ° C. or higher, but the listed materials satisfy the heat resistance. Materials such as glass and alumina are also excellent in heat resistance and can be used as the introduction head, but they are difficult to process. If the relative permittivity of the introduction head is larger than that of the vacuum, the electric field distribution can be changed. From the viewpoint of electric field distribution necessary for good film formation, it is known that the relative dielectric constant is preferably about 2.5 to 12.0. However, the listed materials are within the range of the relative dielectric constant. Exists. In conclusion, the listed materials are suitable materials from the viewpoint of heat resistance, workability, and electric field distribution necessary for good film formation.
〔請求項2記載の発明〕
前記被処理基板の表面は曲面を有し、これと対向する前記導入ヘッドの対向表面を、前記被処理基板と実質的に均等な間隔をもつように曲面を有するようにした請求項1記載のプラズマ処理装置。
[Invention of Claim 2]
The surface of the said to-be-processed substrate has a curved surface, The opposing surface of the said introduction head facing this is made to have a curved surface so that it may have a substantially equal space | interval with the said to-be-processed substrate. Plasma processing equipment.
(作用効果)
被処理基板の表面が曲面を有する場合、これと対向する導入ヘッドの対向表面は、前記被処理基板と実質的に均等な間隔をもつように曲面を有することで、プラズマを均一かつ安定的に発生させることができ、被処理基板上に均一な膜特性及び均一な膜厚の被膜を形成できる。
(Function and effect)
When the surface of the substrate to be processed has a curved surface, the opposing surface of the introduction head opposite to the surface to be processed has a curved surface so as to have a substantially uniform distance from the substrate to be processed, thereby making plasma uniform and stable. Therefore, a film having uniform film characteristics and a uniform film thickness can be formed on the substrate to be processed.
〔請求項3記載の発明〕
前記吹き出し口は実質的に均等な間隔をもって行列状又は千鳥状に形成され、その形状が円形で、かつ直径が2〜7mmである請求項1または2に記載のプラズマ処理装置。
[Invention of Claim 3]
3. The plasma processing apparatus according to
(作用効果)
吹き出し口は実質的に均等な間隔をもって行列状又は千鳥状に形成され、その形状が円形であると、各吹き出し口からの吹き出しガス流量が均一化し、プラズマが均一かつ安定的に発生させる効果が高いものとなる。また、直径が2〜7mmであることで、プラズマ反応が安定し、膜厚の均一性が高いものとなる。この点は後述の実施例及び比較例によって明らかにする。
(Function and effect)
The outlets are formed in a matrix or zigzag pattern with substantially uniform intervals, and if the shape is circular, the flow rate of the blowing gas from each outlet becomes uniform, and the effect of generating plasma uniformly and stably is obtained. It will be expensive. Further, when the diameter is 2 to 7 mm, the plasma reaction is stabilized and the film thickness is highly uniform. This point will be clarified by examples and comparative examples described later.
〔請求項4記載の発明〕
前記吹き出し口のピッチが4〜20mmである請求項3記載のプラズマ処理装置。
[Invention of Claim 4]
The plasma processing apparatus according to
(作用効果)
ピッチが4〜20mmであると、反応ガスの分散供給が均一化することで、被処理基板表面でのプラズマ重合反応が安定し、膜厚が均一化する。
(Function and effect)
When the pitch is 4 to 20 mm, the distributed supply of the reaction gas is made uniform, so that the plasma polymerization reaction on the surface of the substrate to be processed is stabilized and the film thickness is made uniform.
〔請求項5記載の発明〕
請求項1〜4のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置を使用し、被処理基板をプラスチック素材とし、オルガノシロキサン、又はオルガノシランと酸素ガスとの混合ガスを反応ガスとして、前記被処理基板表面上に前記反応ガスをプラズマ状態とすることにより生成する重合物によりハードコート層を形成することを特徴とするプラズマ処理によるプラスチック表面保護膜の形成方法。
[Invention of Claim 5 ]
Using a plasma processing apparatus according to any one of claims 1-4, the substrate to be processed as a plastic material, as the reaction gas a mixed gas of organosiloxane or organosilane and oxygen gas, the substrate to be treated A method of forming a plastic surface protective film by plasma treatment, comprising forming a hard coat layer on a surface by a polymer produced by bringing the reaction gas into a plasma state.
(作用効果)
本発明において、反応ガスに限定されないが、オルガノシロキサン、又はオルガノシランと酸素ガスとの混合ガスを反応ガスとして使用すると、均一で硬質な被膜を形成できる。
(Function and effect)
In the present invention, the reaction gas is not limited, but when an organosiloxane or a mixed gas of organosilane and oxygen gas is used as the reaction gas, a uniform and hard film can be formed.
本発明に従うと、要すれば、アノード電極とカソード電極との間で、プラズマを均一及び安定的に発生させ、被処理基板に均一な膜厚の被膜を得ることができる。また、硬質で被処理基板に対する密着性に優れた被膜を形成できる。 According to the present invention, if necessary, plasma can be generated uniformly and stably between the anode electrode and the cathode electrode, and a film having a uniform film thickness can be obtained on the substrate to be processed. In addition, it is possible to form a hard film having excellent adhesion to the substrate to be processed.
次に、本発明の実施の形態を説明する。
(第1の実施の形態)
図1及び図2は本発明の基本形態の例示である。なお、図示例において、第1電極10、第2電極20、処理基板30及び導入ヘッド40は、上下方向に並んでいるが、左右方向に並置することによっても本発明の効果は実質的に同一にあらわれることを、予め断っておく。
本発明のプラズマ処理装置においては、真空容器1内に、第1電極(カソード電極)10及び第2電極(アノード電極)20が対向して配置されている。第1電極10表面上に被処理基板30が配置され、ホルダー12によって支持される。真空容器1内は、排気口4から真空ポンプ5によって、減圧状態とされ、真空容器1内に外部から反応ガス7を導入ヘッド40を通して導入しながら、その反応ガスのプラズマを第1電極(カソード電極)10とび第2電極(アノード電極)20との間に形成するようにしてある。
第1電極(カソード電極)10はマッチングボックス3を介して電源2に接続されている。真空容器1との間は絶縁シール6によって絶縁されている。また、詳細は図示していないが、第1電極(カソード電極)10内には冷却媒体6Aが流通され、その界面を通しての冷却熱伝達により被処理基板30の冷却が図られている。さらに、第1電極(カソード電極)10の、第2電極(アノード電極)20対向面を除く外周面には、若干の間隔をおいてシールド部材14が設けられている。第2電極(アノード電極)20はアース接地してある。
Next, an embodiment of the present invention will be described.
(First embodiment)
1 and 2 are illustrations of the basic form of the present invention. In the illustrated example, the
In the plasma processing apparatus of the present invention, a first electrode (cathode electrode) 10 and a second electrode (anode electrode) 20 are disposed in the
The first electrode (cathode electrode) 10 is connected to the
本発明においては、被処理基板30と第2電極(アノード電極)20との間に、反応ガス7の導入ヘッド40が設けられている。
他方で、図示例においては、導入ヘッド40が第2電極(アノード電極)20と接触する形態であり、導入ヘッド40の冷却を図り、被処理物(被処理基板及び又は被膜)の熱による変形及び変質を防ぐために、第2電極(アノード電極)20内には、第1電極(カソード電極)10と同様に、冷却媒体6Aが流通され、その界面を通しての冷却熱伝達により導入ヘッド40の冷却が図られている。
In the present invention, an
On the other hand, in the illustrated example, the
導入ヘッド40は、箱状となり、被処理基板30側の壁に多数の吹き出し口40A、40A…を有し、反応ガス7は流入孔40B、40B…を通して、導入ヘッド40内へ導入されるようになっている。この反応ガス7は、吹き出し口40A、40A…から被処理基板30側に吹き出されるように構成されている。
導入ヘッド40は、扁平な箱状であればよく、その外形は被処理基板30の形状及び寸法によって決まる。図示例では扁平な四角形箱状となり、周壁に実質的に均等な間隔をもって反応ガス7の流入孔40B、40B…を有するものである。流入孔40B、40B…を、周壁に実質的に均等な間隔をもって形成した理由は、仮に均等でない場合には、導入ヘッド40内において反応ガス7の流れとして渦流が生じ、導入ヘッド40内で白粉を生じたり、吹き出し口40A、40A…から均一な吹き出しが達成でき難いことを避けるためである。
なお、導入ヘッド40は、箱状で吹き出し口40A、40A…から均一に分散する構造であればよいので、第2電極(アノード電極)20と密着する壁40Cは無くてもよい。
The
The
The
吹き出し口40A、40A…は実質的に均等な間隔をもって図2に示すような行列状又は千鳥状に形成することができる。その形状は、吹き出し流れの均一性を確保するために円形であるのが望ましい。その直径が2〜7mmであるのが特に望ましい。
吹き出し口40A、40Aのピッチが10〜20mmであるのが好適である。
導入ヘッド40は、前述の理由により、エポキシ樹脂、ガラス・エポキシ積層板、フッ素樹脂、ポリカーボネート樹脂、フェノール樹脂の群から選ばれるのが望ましい。
被処理基板30としては、金属板、無機材料板のほかプラスチック板など限定されない。好適なプラスチック板としては、アクリル樹脂やポリカーボネート樹脂のほか、ジエチレングチコールビスアリルカーボネート重合体、含硫黄ウレタン系樹脂、ウレタン系樹脂、フマル酸エステルアリル系樹脂、トリアジン環アクリル樹脂、臭素配合系樹脂、含硫黄ウレタン−ラジカル樹脂、チオエーテルエステル系樹脂などの板を選択できる。
The
It is preferable that the pitch of the
The
The substrate to be processed 30 is not limited to a metal plate, an inorganic material plate, or a plastic plate. Suitable plastic plates include acrylic resin and polycarbonate resin, diethylene glycol bisallyl carbonate polymer, sulfur-containing urethane resin, urethane resin, fumaric acid ester allyl resin, triazine ring acrylic resin, bromine compound resin A plate such as a sulfur-containing urethane-radical resin or a thioether ester resin can be selected.
反応ガスとしては、珪素化合物が好適であり、特許第3446150号公報及び特開平5−194770号公報においても記載されているように、好ましくは、炭素原子を含む珪素化合物または、炭素原子と酸素原子または窒素原子を含む珪素化合物を使用するのが望ましい。
具体的化合物としては例えば、テトラメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、テトラエトキシシラン、ヘキサメチルシクロトリシロキサン、オクタメチルトリシロキサン、ヘキサメチルジシロキサン、ヘキサメチルジシロキサン、ヘキサエチルジシロキサン、ヘキサエチルシクロトリシロキサン、テトラメチルシラン、1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、1,1,3,3−テトラメチルジシラザン、ペンタメチルジシロキサン、ヘキサメチルジシラザン、ヘプタメチルジシラザン、1,3−ジメトキシテトラメチルジシロキサン、1,3−ジエトキシテトラメチルジシロキサン、ヘキサメチルシクロトリシラザン、1,1,3,3,5,5,−ヘキサメチルトリシロキサン、1,1,1,3,5,5,5−ヘプタメチルトリシロキサン、1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサン、1,1,1,3,5,7,7,7−オクタメチルテトラシロキサン、1,1,3,3,5,5,7,7−オクタメチルシクロテトラシラザン、トリス(トリメチルシロキシ)シラン、デカメチルテトラシロキサン等を使用できる。
電源としては、高周波電源、DCパルス電源、MF電源などを使用できる。特に望ましくは、高周波電源、DCパルス電源である。
As the reaction gas, a silicon compound is suitable, and as described in Japanese Patent No. 3446150 and Japanese Patent Laid-Open No. 5-194770, a silicon compound containing a carbon atom or a carbon atom and an oxygen atom are preferable. Alternatively, it is desirable to use a silicon compound containing a nitrogen atom.
Specific compounds include, for example, tetramethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, octamethylcyclotetrasiloxane, tetraethoxysilane, hexamethylcyclotrisiloxane, octamethyltrisiloxane, hexamethyldisiloxane, hexamethyldisiloxane, hexaethyldisiloxane. Siloxane, hexaethylcyclotrisiloxane, tetramethylsilane, 1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, 1,1,3,3-tetramethyldisilazane, pentamethyldisiloxane, hexamethyldisilazane, heptamethyl Disilazane, 1,3-dimethoxytetramethyldisiloxane, 1,3-diethoxytetramethyldisiloxane, hexamethylcyclotrisilazane, 1,1,3,3,5,5-hexamethyltrisiloxane, 1, 1, , 3,5,5,5-heptamethyltrisiloxane, 1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane, 1,1,1,3,5,7,7,7-octamethyltetrasiloxane, 1,3,3,5,5,7,7-octamethylcyclotetrasilazane, tris (trimethylsiloxy) silane, decamethyltetrasiloxane, and the like.
As a power source, a high frequency power source, a DC pulse power source, an MF power source, or the like can be used. Particularly desirable are a high frequency power source and a DC pulse power source.
(他の実施の形態)
図3に示すように、導入ヘッド40は、第2電極(アノード電極)20と接触していることなく離間していてもよい。
他方、図4に示すように、被処理基板31が曲面を有する場合、被処理基板31側の壁が、被処理基板31の曲面と実質的に同一の曲面を有するように形成すると、プラズマを均一及び安定的に発生させ、被処理基板31に均一な膜特性及び均一な膜厚の被膜を得ることができる。必要により、第1電極(カソード電極)10及び又は第2電極(アノード電極)20の対向面を、同一の曲面とするのが望ましい。第1電極(カソード電極)10を同一の曲面とすることで被処理基板31を、第2電極(アノード電極)20を同一の曲面とすることで導入ヘッド41を、それぞれ熱伝達により良好に冷却できる。
(Other embodiments)
As shown in FIG. 3, the
On the other hand, as shown in FIG. 4, when the substrate to be processed 31 has a curved surface, if the wall on the side of the substrate to be processed 31 is formed to have a curved surface that is substantially the same as the curved surface of the substrate to be processed 31, plasma is generated. It can be generated uniformly and stably, and a film having a uniform film characteristic and a uniform film thickness can be obtained on the
次に実施例及び比較例を示しながら本発明の効果を明らかにする。
[比較例1]
図1に示す装置構成を基本として、図5に示すように、アルミニウム製の第2電極(アノード電極)50に細孔を均一に形成し、反応ガスを均一に供給して分散させるようにした。成膜条件は下記のとおりである。
成膜条件
基板 : ポリカーボネート
モノマー : オクタメチルシクロテトラシロキサン
モノマー流量 : 15sccm
酸素流量 : 60sccm
圧力 : 0.6Pa
高周波電力 : 460W
成膜によって生成した膜は、わずかに茶色で、基板前面に細かい亀裂が入り、基板との密着性が悪いものであった。
また、プラズマ重合反応過程において、アノード極表面を目視観察すると、図6に示すように、ガス噴出細孔全体の20%程度で、プラズマの強度の強い発光が見られた。この発光部は場所及びサイクルの規則性無く、消光と発光を繰り返した。プラズマ発光領域全体に与える影響は少ないものの、プラズマは不安定な状態であることが観察された。細孔径を1.5mmφ〜3mmφの間で変化させても、同様の結果であった。また、成膜終了後に細孔を観察すると、白色の粉末が生成付着している。この粉末は電極の裏側まで生成している。粉末生成により、有効穴径が狭まりガス分散が不均一になることが知見された。
Next, the effects of the present invention will be clarified while showing examples and comparative examples.
[Comparative Example 1]
Based on the apparatus configuration shown in FIG. 1, as shown in FIG. 5, the pores are uniformly formed in the second electrode (anode electrode) 50 made of aluminum, and the reaction gas is uniformly supplied and dispersed. . The film forming conditions are as follows.
Film formation conditions Substrate: Polycarbonate monomer: Octamethylcyclotetrasiloxane monomer Flow rate: 15 sccm
Oxygen flow rate: 60 sccm
Pressure: 0.6Pa
High frequency power: 460W
The film produced by the film formation was slightly brown, had a fine crack on the front surface of the substrate, and had poor adhesion to the substrate.
Further, when the anode electrode surface was visually observed in the plasma polymerization reaction process, as shown in FIG. 6, light emission with strong plasma intensity was observed in about 20% of the entire gas ejection pores. This light emitting part repeated quenching and light emission without regularity of place and cycle. Although the influence on the entire plasma emission region is small, the plasma was observed to be unstable. Even when the pore diameter was changed between 1.5 mmφ and 3 mmφ, the same result was obtained. Further, when the pores are observed after the film formation, white powder is generated and adhered. This powder is produced to the back side of the electrode. It has been found that the effective hole diameter becomes narrow and the gas dispersion becomes non-uniform due to the powder generation.
[比較例2]
図7及び図8に示すように、プラズマCVD装置におけるアノード極20とカソード極10の間に、樹脂配管を用いて基板30の周囲に対応する4箇所から反応ガスを供給した。成膜条件は下記のとおりである。なお、生成膜の基板に対する密着性と硬度を確保する成膜方法として、特許第3446150号公報に記載された方法と同様に酸素流量、投入電力を成膜時間の経過に伴って連続的に変化させた。
成膜条件
基板 : ポリカーボネート
モノマー : オクタメチルシクロテトラシロキサン
モノマー流量 : 20sccm
酸素流量 : 30→560sccm
圧力 : 1→4.3Pa
高周波電力 : 50→500W
成膜時間 : 30分
成膜によって生成した膜は、極薄い茶色で、薄膜と基板との密着性は良好であった。また、図8に示すように、150mm×150mm寸法の基板に対して、膜厚は5.33μm〜5.74μmの膜厚となり、膜厚分布は良好である。反応ガス分散供給には樹脂製の配管を用いることで、配管からの反応ガス噴出部での強いプラズマ発光は起こらなかった。成膜部全体のプラズマも安定させることができた。
しかし、大型の基板を成膜する場合には、本比較例の反応ガス分散供給方法では、基板周囲と中央部の膜特性及び成膜速度を均一にすることはできないことが知見された。
[Comparative Example 2]
As shown in FIGS. 7 and 8, the reaction gas was supplied between the
Film formation conditions Substrate: Polycarbonate monomer: Octamethylcyclotetrasiloxane monomer Flow rate: 20 sccm
Oxygen flow rate: 30 → 560sccm
Pressure: 1 → 4.3Pa
High frequency power: 50 → 500W
Film formation time: 30 minutes The film produced by the film formation was extremely thin brown, and the adhesion between the thin film and the substrate was good. Further, as shown in FIG. 8, the film thickness is 5.33 μm to 5.74 μm with respect to the substrate having a size of 150 mm × 150 mm, and the film thickness distribution is good. By using resin piping for the reactive gas dispersion supply, strong plasma emission did not occur at the reactive gas ejection portion from the piping. It was also possible to stabilize the plasma in the entire film forming section.
However, when forming a large substrate, it has been found that the reactive gas dispersion and supply method of this comparative example cannot make the film properties and the film formation speed around the substrate and the central part uniform.
[実施例1]
比較例2で比較例1の課題は解決できた。しかし、例えば1000mm以上の大型の基板を成膜する場合は、比較例2の方法では基板周囲の膜厚みと中央部の膜厚みに許容できない差が生じる。
そこで、図1及び図2に示す本発明の樹脂製の反応ガス分散機構を用いた。◇
成膜条件は下記のとおりである。なお、生成膜の基板に対する密着性と硬度を確保する成膜方法として、特許第3446150号公報に記載された方法と同様に、酸素流量、投入電力を成膜時間の経過に伴って連続的に変化させた。
成膜条件
基板 : ポリカーボネート
モノマー : オクタメチルシクロテトラシロキサン
モノマー流量 : 20sccm
酸素流量 : 30→1000sccm
圧力 : 1→6Pa
高周波電力 : 50→1200W
成膜時間 : 16分
成膜によって生成した膜は、極薄い茶色で、薄膜と基板との密着性は良好であった。また、図9に示すように、150mm×150mm寸法の基板に対して、膜厚は7.llμm〜7.29μmの膜厚となり、膜厚分布は良好である。反応ガス分散供給には樹脂材料製の導入ヘッド40を用いることで、分散細孔での強いプラズマ発光は起こらなかった。成膜部全体のプラズマも安定させることができた。実施例では反応ガス分散供給にガラス・エポキシ積層板を用いたが、フッ素樹脂を用いても同様の結果を得た。この反応ガス分散供給機構を利用することで、小型基板のみならず1000mm幅以上の大型基板に対しても、均一な反応ガス供給が可能になることが判った。
[Example 1]
In Comparative Example 2, the problem of Comparative Example 1 could be solved. However, for example, when a large substrate of 1000 mm or more is formed, the method of Comparative Example 2 causes an unacceptable difference between the film thickness around the substrate and the film thickness at the center.
Therefore, the resin-made reaction gas dispersion mechanism of the present invention shown in FIGS. 1 and 2 was used. ◇
The film forming conditions are as follows. As a film formation method for ensuring the adhesion and hardness of the generated film to the substrate, the oxygen flow rate and the input power are continuously changed with the passage of the film formation time, as in the method described in Japanese Patent No. 3446150. Changed.
Film formation conditions Substrate: Polycarbonate monomer: Octamethylcyclotetrasiloxane monomer Flow rate: 20 sccm
Oxygen flow rate: 30 → 1000sccm
Pressure: 1 → 6Pa
High frequency power: 50 → 1200W
Film formation time: 16 minutes The film produced by the film formation was extremely thin brown, and the adhesion between the thin film and the substrate was good. Further, as shown in FIG. 9, the film thickness is 7.times. The film thickness is 11 μm to 7.29 μm, and the film thickness distribution is good. By using the
[実施例2]
反応ガス分散供給機構に穿った細孔の穴径は、細すぎると反応ガスの噴出し速度が速くなりすぎ、基板表面に対面する噴出し穴の位置が投影される状態で膜厚分布が生じる。穴径が大きすぎると、反応ガスの吹き出しが不均一になり、不均一な膜厚が生じる。実施例1では4.5mmφを使用したが、実施例1のほか、同一の装置のもとで、導入ヘッドの細孔径のみを種々変化させて膜厚の検討した結果、良質な被膜を成膜するためには、3mmφ〜7mmφが最適であった。試験結果を表1に示す。
[Example 2]
If the hole diameter of the pores formed in the reaction gas dispersion supply mechanism is too small, the reaction gas ejection speed becomes too high, and the film thickness distribution is generated in a state where the position of the ejection hole facing the substrate surface is projected. . If the hole diameter is too large, the reaction gas is not blown out uniformly, resulting in a non-uniform film thickness. In Example 1, 4.5 mmφ was used. In addition to Example 1, as a result of examining the film thickness by changing only the pore diameter of the introduction head under the same apparatus, a good quality film was formed. In order to achieve this, 3 mmφ to 7 mmφ was optimal. The test results are shown in Table 1.
[実施例3]
反応ガス分散供給機構(導入ヘッド)の反応ガス噴出し板と基板との距離は、成膜膜特性に大きな影響を与えるため、全ての成膜面で同じ距離にすることが肝要である。このため、図4に示すように曲面を持つ基板の場合は、反応ガス分散供給機構も基板と同じ曲面を有する構造にした。基板の曲率半径は300mmとした。成膜条件は実施例1と同一とした。結果は、実施例1と実質的に同一であった。
[Example 3]
Since the distance between the reactive gas ejection plate and the substrate of the reactive gas dispersion supply mechanism (introduction head) has a great influence on the film forming film characteristics, it is important to set the same distance on all film forming surfaces. Therefore, in the case of a substrate having a curved surface as shown in FIG. 4, the reaction gas dispersion supply mechanism has a structure having the same curved surface as that of the substrate. The curvature radius of the substrate was 300 mm. The film forming conditions were the same as in Example 1. The result was substantially the same as Example 1.
[実施例4]
大型の基板を成膜する際、成膜膜厚分布を均一にすることが課題である。実施例1に示すように、反応ガス供給を大型の基板に対して均一な成膜が可能となった。
この場合、反応ガスの均一供給のほかに、電界分布を極力均一にすることが膜厚分布と膜質特性を均一にするために肝要である。これを確認するために、プラズマCVD装置の電界分布を、株式会社ミューテックのFDTD法プログラムを用いて解析した。解析対象用のプラズマCVD装置の仕様は、カソード電極が1.5m×1.5m×厚み0.03m、アノード電極が1.5m×1.5m×厚み0.03mとし、プラズマ領域1.75m×1.75m×間隔0.05mとし、さらに解析領域境界壁を2.0m×2.0m×厚み0.5mとした。カソード電極には、2mmの間隔を保ち、厚み2mmのシール部材が取り付けてある。アノード極には、誘電率5.0のガラス・エポキシ樹脂製の導入ヘッド(1.2m×1.2m×厚み0.05m)を配した。
結果を図10に示す。カソード極と対向するアノード極及び真空容器壁の間の電界分布解析である。真空に比べて誘電率の高い材料を設置することで、カソード極とアノード極の間の電界分布が導入ヘッドの設置空間に集中していることがわかる。誘電率の高い材料で構成した機構を設けることで、電界分布を膜質の均一化に良好に寄与することが知見された。
[Example 4]
When forming a large substrate, it is a problem to make the film thickness distribution uniform. As shown in Example 1, the reactive gas supply can be uniformly formed on a large substrate.
In this case, in addition to the uniform supply of the reaction gas, it is important to make the electric field distribution as uniform as possible in order to make the film thickness distribution and film quality characteristics uniform. In order to confirm this, the electric field distribution of the plasma CVD apparatus was analyzed using the FDTD method program of Mutek Co., Ltd. The specifications of the plasma CVD apparatus for analysis are as follows: the cathode electrode is 1.5 m × 1.5 m × thickness 0.03 m, the anode electrode is 1.5 m × 1.5 m × thickness 0.03 m, and the plasma region is 1.75 m × 1.75 m × interval 0.05 m, and the analysis region boundary wall was 2.0 m × 2.0 m × thickness 0.5 m. The cathode electrode is attached with a seal member having a thickness of 2 mm while maintaining an interval of 2 mm. An introduction head (1.2 m × 1.2 m × thickness 0.05 m) made of glass / epoxy resin having a dielectric constant of 5.0 was arranged on the anode electrode.
The results are shown in FIG. It is an electric field distribution analysis between the anode electrode facing the cathode electrode and the vacuum vessel wall. It can be seen that the electric field distribution between the cathode electrode and the anode electrode is concentrated in the installation space of the introduction head by installing a material having a higher dielectric constant than that of the vacuum. It has been found that by providing a mechanism composed of a material having a high dielectric constant, the electric field distribution contributes well to uniform film quality.
本発明によれば、種々の被処理基板に、硬質で被処理基板に対する密着性に優れ、均一な被膜を形成できる。したがって、眼鏡レンズ、時計カバーガラスなどのガラス代替品を得ることができる。 According to the present invention, it is possible to form a uniform film on various substrates to be processed, which is hard and excellent in adhesion to the substrate to be processed. Therefore, glass substitutes such as eyeglass lenses and watch cover glasses can be obtained.
1…真空容器、2…電源、5…真空ポンプ、10…第1電極(カソード電極)、20…第2電極(アノード電極)、30…被処理基板、40、41…導入ヘッド。
DESCRIPTION OF
Claims (5)
前記第1電極は電源に接続され、前記第2電極はアース接地され、
前記被処理基板と前記第2電極との間に、前記反応ガスの導入ヘッドが設けられ、
前記導入ヘッドは、箱状となり、前記被処理基板側の壁に多数の吹き出し口を有し、外部から流入孔を通して前記導入ヘッド内へ導入される前記反応ガスが、前記吹き出し口群から前記被処理基板側に吹き出されるように構成し、
前記導入ヘッドは、エポキシ樹脂、ガラス・エポキシ積層板、フッ素樹脂、ポリカーボネート樹脂、フェノール樹脂の群から選ばれたことを特徴とするプラズマ処理装置。 While having a first electrode and a second electrode arranged opposite to each other in the vacuum vessel, disposing a substrate to be processed on the surface of the first electrode and introducing a reaction gas into the vacuum vessel in a reduced pressure state, A plasma processing apparatus for forming a plasma of the reaction gas between the electrodes,
The first electrode is connected to a power source, the second electrode is grounded;
An introduction head for the reaction gas is provided between the substrate to be processed and the second electrode,
The introduction head has a box shape and has a large number of outlets on a wall on the substrate to be processed, and the reaction gas introduced from the outside into the introduction head through the inflow hole is supplied from the outlet group to the target. Configured to be blown to the processing substrate side ,
The plasma processing apparatus , wherein the introduction head is selected from the group consisting of epoxy resin, glass / epoxy laminate, fluororesin, polycarbonate resin, and phenol resin .
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