JP5179795B2 - Method for manufacturing light emitting device - Google Patents

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Description

本発明は、高い放熱効果を得ることができるステムを備えた発光装置の簡易な製造方法に関するものである。 The present invention relates to a simple method for manufacturing the light emitting equipment provided with a stem which can obtain a high heat radiation effect.

現在、各種産業分野において、半導体レーザチップまたは高出力のＬＥＤチップなどの半導体発光素子を備える半導体発光装置が用いられている。   Currently, in various industrial fields, semiconductor light-emitting devices including semiconductor light-emitting elements such as semiconductor laser chips or high-power LED chips are used.

図７は、半導体発光素子を備える従来の半導体発光装置の断面図である。従来の半導体発光装置は、例えば図７に示されるような構造になっている。該半導体発光装置は、金属製のステム５０１と、該ステム５０１上にサブマウント５０２を介してマウントされている半導体発光素子５０３と、該半導体発光素子５０３を保護するために該ステム５０１上に設置されたキャップ５０４とを備える。   FIG. 7 is a cross-sectional view of a conventional semiconductor light emitting device including a semiconductor light emitting element. A conventional semiconductor light emitting device has a structure as shown in FIG. 7, for example. The semiconductor light emitting device is provided on a metal stem 501, a semiconductor light emitting element 503 mounted on the stem 501 via a submount 502, and the stem 501 for protecting the semiconductor light emitting element 503. The cap 504 is provided.

そして、適宜ステム５０１には、絶縁ハーメチックシール等によってピン５０６が固定されている。なお、ステム５０１とピン５０６とが、電気的に共通している場合には、ピン５０６は、ステム５０１に直接固定されている。また、ピン５０６と半導体発光素子５０３とは電流導入のため、適宜ワイヤで接続される（ワイヤは図示せず）。   Then, a pin 506 is fixed to the stem 501 as appropriate by an insulating hermetic seal or the like. When the stem 501 and the pin 506 are electrically common, the pin 506 is directly fixed to the stem 501. Further, the pin 506 and the semiconductor light emitting element 503 are appropriately connected by a wire for introducing a current (a wire is not shown).

半導体発光素子５０３は、ステム５０１上に設置されたキャップ５０４によって気密封止されている。キャップ５０４には、半導体発光素子５０３からの光を取り出すための光透過窓５０５が設けれ、気密化のために、該光透過窓５０５にガラス５０７が接着されている。キャップ５０４は、電気抵抗溶接などによりステム５０１上に設置される。また、通常ステム５０１の平面形状は円形である。   The semiconductor light emitting element 503 is hermetically sealed by a cap 504 installed on the stem 501. The cap 504 is provided with a light transmission window 505 for extracting light from the semiconductor light emitting element 503, and a glass 507 is bonded to the light transmission window 505 for airtightness. The cap 504 is installed on the stem 501 by electric resistance welding or the like. Further, the planar shape of the normal stem 501 is a circle.

図７に示したような半導体発光装置は、順次以下のような工程を経て製造される。まず、ハンダなどの低融点金属によって、半導体発光素子５０３をサブマウント５０２に接合する、第１接合工程を行なう。次に、該サブマウント５０２をハンダによってステム５０１に接合する第２接合工程を行なう。次に、ピン５０６と半導体発光素子５０３との間の電気的導通を確保するためにワイヤで双方を接続する。そして、最後にガラス５０７が接着されたキャップ５０４を電気抵抗溶接によってステム５０１に設置して、半導体発光素子５０３を気密封止する。   The semiconductor light emitting device as shown in FIG. 7 is sequentially manufactured through the following steps. First, a first bonding step is performed in which the semiconductor light emitting element 503 is bonded to the submount 502 with a low melting point metal such as solder. Next, a second joining step for joining the submount 502 to the stem 501 with solder is performed. Next, in order to ensure electrical continuity between the pin 506 and the semiconductor light emitting element 503, both are connected with a wire. Finally, the cap 504 to which the glass 507 is bonded is installed on the stem 501 by electric resistance welding to hermetically seal the semiconductor light emitting element 503.

図７に示すような半導体発光装置は、キャップ５０４によって半導体発光素子を収納され、気密封止されている。キャップ５０４の設置は、半導体発光装置の取り扱いを簡便にし、半導体発光素子５０３を保護し、半導体発光装置の動作時において半導体発光素子５０３から発生する熱を効率よく放散させる役割を有している。   A semiconductor light emitting device as shown in FIG. 7 houses a semiconductor light emitting element by a cap 504 and is hermetically sealed. The installation of the cap 504 serves to simplify the handling of the semiconductor light emitting device, protect the semiconductor light emitting element 503, and efficiently dissipate heat generated from the semiconductor light emitting element 503 during the operation of the semiconductor light emitting device.

ここで、特に、近年においては、数１００ｍＡ以上の大電流を投入して短波長（青色〜紫外）の光を発する半導体レーザチップまたはＬＥＤチップなどの半導体発光素子５０３を備えた半導体発光装置が検討されている。これは、該半導体発光装置をより出力の大きな照明用途等に用いるためである。したがって、更に高い半導体発光素子５０３の放熱効果を有する半導体発光装置が求められている。   Here, in particular, in recent years, a semiconductor light emitting device including a semiconductor light emitting device 503 such as a semiconductor laser chip or an LED chip that emits light of a short wavelength (blue to ultraviolet) by applying a large current of several hundred mA or more is studied. Has been. This is because the semiconductor light-emitting device is used for lighting applications with higher output. Accordingly, there is a demand for a semiconductor light emitting device having a higher heat dissipation effect of the semiconductor light emitting element 503.

そこで、例えば、特許文献１には、アイレッドと、該アイレッド上に載置されるヒートシンクとを含むステム構造を備える発光装置であって、該ヒートシンクを２つ設けることで放熱性を向上した発光装置が開示されている。   Thus, for example, Patent Document 1 discloses a light-emitting device including a stem structure including eye red and a heat sink placed on the eye red, and the heat dissipation is improved by providing two heat sinks. A light emitting device is disclosed.

また、高出力で短波長の光を発する半導体発光素子５０３は、外気と接していると、雰囲気中の浮遊物質と化合したり、焼け付けを起こしたりし、特性が劣化してしまう。これは、該半導体発光素子の高エネルギーかつ高出力の光によるものである。そこで、半導体発光装置において半導体発光素子５０３は確実に気密封止することにより、劣化を防止することが重要になる。   In addition, when the semiconductor light emitting element 503 that emits light with high output and short wavelength is in contact with the outside air, the semiconductor light emitting element 503 is combined with floating substances in the atmosphere or burned, resulting in deterioration of characteristics. This is due to the high energy and high output light of the semiconductor light emitting device. Therefore, it is important to prevent the semiconductor light emitting element 503 from being deteriorated by surely hermetically sealing the semiconductor light emitting device.

図７に示すような半導体発光装置において、更に高い半導体発光素子の放熱効果を得るためには、ステム５０１を大型化することは有効な方法である。また、上述の高出力の大型の半導体発光装置を得るためにも、ステム５０１を大型化することは有効な方法である。現在、半導体発光素子５０３として窒化物半導体レーザを備える半導体発光装置において、標準的に用いられているステム５０１は、φ５．６ｍｍの金属製のものであり、その重量は０．４ｇ以下である。例えば、１Ａ以上の大電流を投入するような大型の高出力の半導体発光装置においては、上述したφ５．６ｍｍの金属製のステム５０１の１０倍以上の容量を有するステム（以下、大型ステムという）を備える必要がある。   In the semiconductor light emitting device as shown in FIG. 7, it is an effective method to increase the size of the stem 501 in order to obtain a higher heat dissipation effect of the semiconductor light emitting element. In order to obtain the above-described large semiconductor light emitting device with high output, it is an effective method to increase the size of the stem 501. At present, in a semiconductor light emitting device including a nitride semiconductor laser as the semiconductor light emitting element 503, a stem 501 that is used as a standard is made of metal having a diameter of 5.6 mm, and its weight is 0.4 g or less. For example, in a large high-power semiconductor light emitting device that inputs a large current of 1 A or more, a stem having a capacity 10 times or more that of the above-described φ5.6 mm metal stem 501 (hereinafter referred to as a large stem). It is necessary to have.

ここで、上述の第２接合工程において、ハンダはあらかじめ、ステム５０１あるいはサブマウント５０２に積層されているか、もしくは、箔の状態で半導体発光素子５０３の接合部分に置かれている。そして、ステム５０１が加熱されてハンダが溶解し、ステム５０１上にサブマウント５０２が位置決めされて固定され、該ステム５０１を冷却することにより、ステム５０１上に半導体発光素子５０３が接合される。より具体的には、上述の第２接合工程は、３００℃程度であり、該第２接合工程の後にステム５０１を少なくとも１００℃程度にまで冷却する。   Here, in the above-described second bonding step, the solder is previously laminated on the stem 501 or the submount 502 or placed on the bonding portion of the semiconductor light emitting element 503 in a foil state. Then, the stem 501 is heated to melt the solder, the submount 502 is positioned and fixed on the stem 501, and the semiconductor light emitting element 503 is bonded onto the stem 501 by cooling the stem 501. More specifically, the above-described second bonding step is about 300 ° C., and the stem 501 is cooled to at least about 100 ° C. after the second bonding step.

該第２接合工程において、標準的に用いられているφ５．６ｍｍの金属製のステム５０１の場合には１〜２分で冷却可能である。しかし、大型ステムでは、エアーの吹き付けのような通常の冷却方法で、１０〜２０分以上の時間を、第２接合工程における冷却のために必要とすることが見込まれる。つまり、ステムを単純に大型化すると、該冷却のプロセスに時間がかかる。該冷却に時間がかかると、半導体発光装置の生産のリードタイムが悪くなるだけでなく、半導体発光素子５０３が１００℃を超える温度にさらされる時間が長くなることから特性が劣化する怖れがある。   In the second joining step, the metal stem 501 having a diameter of 5.6 mm that is used as a standard can be cooled in 1 to 2 minutes. However, in a large stem, it is expected that a time of 10 to 20 minutes or more is required for cooling in the second joining step by a normal cooling method such as air blowing. That is, if the stem is simply enlarged, the cooling process takes time. If the cooling takes a long time, not only the lead time of production of the semiconductor light-emitting device is deteriorated, but also the property that the semiconductor light-emitting element 503 is exposed to a temperature exceeding 100 ° C. may be deteriorated. .

上述した、特許文献１において、放熱性を向上した大型化したステムを含む発光装置および、大型化したステムを含む発光装置の製造工程、例えば接合工程の改良等については、開示されていない。   Patent Document 1 described above does not disclose a light emitting device including a large stem with improved heat dissipation and a manufacturing process of the light emitting device including a large stem, for example, an improvement in a bonding process.

また、該第２接合工程を、ハンダ以外の銀ペースト等のような有機系の材料を用いて接着剤で固定するように変更すれば、ハンダを用いた場合よりも低い温度で半導体発光素子をステムに接合させることができる。しかし、このような有機系の材料は、蒸散により封止内部の汚染を引き起こすので、高出力で短波長の光を発する半導体発光装置に用いることができない。   In addition, if the second bonding step is changed so as to be fixed with an adhesive using an organic material such as a silver paste other than solder, the semiconductor light emitting element can be manufactured at a lower temperature than when solder is used. Can be joined to the stem. However, such an organic material causes contamination inside the seal due to transpiration, and therefore cannot be used for a semiconductor light emitting device that emits light of high output and short wavelength.

以上の理由から、ステムを大型化することは困難であった。
特開２００４−１０３７３５号公報 For these reasons, it has been difficult to increase the size of the stem.
JP 2004-103735 A

本発明の目的は、簡易で、短時間に行なうことができ、半導体発光素子が高温処理にさらされる時間を低減することができる、大型のステムを備えた発光装置の製造方法について提供することである。 An object of the present invention is a straightforward easy, can be performed in a short time, the semiconductor light-emitting device can reduce the time of exposure to high temperature processing, provides a method for manufacturing the light-emitting device having a large stem It is.

本発明は、半導体発光素子と、ステムとを備える発光装置の製造方法であって、ステムは、第１ブロックおよび第１ブロックが嵌入した第２ブロックを含み、半導体発光素子を第１ブロック上に接合する接合工程と、半導体発光素子が接合された第１ブロックを第２ブロックに嵌めこむ嵌入工程とを備える発光装置の製造方法に関する。 The present invention is a method of manufacturing a light emitting device including a semiconductor light emitting element and a stem , the stem including a first block and a second block into which the first block is fitted, and the semiconductor light emitting element is disposed on the first block. The present invention relates to a method for manufacturing a light emitting device including a joining step of joining and a fitting step of fitting a first block to which a semiconductor light emitting element is joined into a second block.

また、本発明は、上述の発光装置の製造方法であって、半導体発光素子が接合された第１ブロック上に、または第１ブロックが嵌入された第２ブロック上に、キャップを設置する設置工程を備える発光装置の製造方法に関する。 The present invention is also a method for manufacturing the above light emitting device , wherein the cap is installed on the first block to which the semiconductor light emitting element is bonded or on the second block in which the first block is inserted. The present invention relates to a method for manufacturing a light emitting device.

また、本発明の発光装置の製造方法において、キャップは、半導体発光素子からの発光を外部に取り出す光透過窓を有することが好ましい。 In the light emitting device manufacturing method of the present invention, it is preferable that the cap has a light transmission window for extracting light emitted from the semiconductor light emitting element to the outside .

また、本発明の発光装置の製造方法において、嵌入工程は、第１ブロックを第２ブロックに圧入して行われることが好ましい。   Moreover, in the manufacturing method of the light-emitting device of this invention, it is preferable that a fitting process is performed by press-fitting a 1st block in a 2nd block.

また、本発明の発光装置の製造方法において、設置工程は、電気抵抗溶接により行われることが好ましい。   Moreover, in the manufacturing method of the light-emitting device of this invention, it is preferable that an installation process is performed by electrical resistance welding.

また、本発明の発光装置の製造方法において、半導体発光素子は、気密封止されることが好ましい。また、本発明の発光装置の製造方法において、半導体発光素子は、窒化物半導体発光素子であることが好ましく、青色から紫外領域で発光することが好ましく、半導体レーザであることが好ましい。 In the method for manufacturing a light emitting device of the present invention, the semiconductor light emitting element is preferably hermetically sealed. In the method for manufacturing a light emitting device of the present invention, the semiconductor light emitting element is preferably a nitride semiconductor light emitting element, preferably emits light in a blue to ultraviolet region, and is preferably a semiconductor laser.

本発明において用語は、一般的には以下の意味に使用する。但し、本発明の目的の範囲においてこの意味に限定されるものではない。   In the present invention, terms are generally used in the following meanings. However, it is not limited to this meaning within the scope of the object of the present invention.

「半導体発光素子」とは、半導体材料で構成された発光部を有する発光デバイスであり、例えば、窒化物系半導体レーザ素子、ＬＥＤ素子などの公知のものを適宜用いることが可能である。   The “semiconductor light emitting element” is a light emitting device having a light emitting portion made of a semiconductor material. For example, a known device such as a nitride semiconductor laser element or an LED element can be used as appropriate.

「ステム」とは、半導体発光素子を搭載する部分としての平坦部が適宜付設され、（１）外部の電極と電気的に接続するためのピンを接続されるもの、または、（２）該ピンが接続されたもの、（１）、（２）双方を示すものとする。該平坦部には半導体発光素子が搭載され、該ピンと半導体発光素子とが電気的に接続される。ステムには、一般的に、銅または鉄を主体とする金属で構成され、また、表面に金属膜がめっき形成されたものを用いることができる。このめっき形成される金属膜としては、ニッケル（Ｎｉ）膜と金（Ａｕ）膜との積層膜を用いることができる。半導体発光素子を搭載する部分としての平坦部は、光の出射方向を所要の方向に向けるために、適宜ステムの突出部に設けられることもある。   The “stem” is appropriately provided with a flat portion as a portion on which the semiconductor light emitting element is mounted, and (1) is connected to a pin for electrical connection with an external electrode, or (2) the pin And (1) and (2) are both shown. A semiconductor light emitting element is mounted on the flat portion, and the pin and the semiconductor light emitting element are electrically connected. The stem is generally made of a metal mainly composed of copper or iron, and a stem having a metal film formed on the surface thereof can be used. As the metal film to be plated, a laminated film of a nickel (Ni) film and a gold (Au) film can be used. The flat portion as a portion on which the semiconductor light emitting element is mounted may be appropriately provided on the protruding portion of the stem in order to direct the light emission direction in a required direction.

「サブマウント」とは、半導体発光素子を積載するための部品を意味している。サブマウント１０２を構成する材料として、一般的に知られている放熱材料を用いることができる。例えば、サブマウント１０２を構成する材料として、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ＣｕＷ、ＢｅＯ、鉄（Ｆｅ）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、シリコン（Ｓｉ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、立方晶窒化硼素（ｃｕｂｉｃ Ｂｏｒｏｎ Ｎｉｔｒｉｄｅ：ｃＢＮ）、ＣｕＭｏ、ダイヤモンドなどを用いることができる。 “Submount” means a component for mounting a semiconductor light emitting element. As a material constituting the submount 102, a generally known heat dissipation material can be used. For example, as the material constituting the submount 102, silver (Ag), copper (Cu), CuW, BeO, iron (Fe), alumina (Al 2 O 3 ), silicon (Si), aluminum nitride (AlN), carbonized Silicon (SiC), cubic boron nitride (cBN), CuMo, diamond, or the like can be used.

簡易で、短時間に行なうことができ、半導体発光素子の高温処理に有する時間を低減することができ、大型のステムを備えた発光装置の製造方法について提供するができる。本発明の製造方法によると、該高温処理による該半導体発光素子の性能低下を抑制することができ、製造工程を短縮できることから、歩留りが向上する。 In easy easy, can be performed in a short time, it is possible to reduce the time having the high temperature treatment of the semiconductor light-emitting element can but provides a method for manufacturing a light emitting device having a large stem. According to the manufacturing method of the present invention, the performance degradation of the semiconductor light emitting element due to the high temperature treatment can be suppressed, and the manufacturing process can be shortened, so that the yield is improved.

以下、本願の図面において、同一の符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。また、図面における長さ、大きさ、幅などの寸法関係は、図面の明瞭化と簡略化のために適宜に変更されており、実際の寸法を表してはいない。   Hereinafter, in the drawings of the present application, the same reference numerals represent the same or corresponding parts. In addition, dimensional relationships such as length, size, and width in the drawings are changed as appropriate for clarity and simplification of the drawings, and do not represent actual dimensions.

（第１実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る発光装置の製造方法によって製造される発光装置を示す断面図である。また、図２は、図１に示される発光装置の平面図である。まず、図１および図２に基づいて本実施形態における発光装置の基本的な構造について説明する。 (First embodiment)
Figure 1 is a sectional view showing a light emitting equipment manufactured by the manufacturing method of the light emitting device according to a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a plan view of the light emitting device shown in FIG. First, the basic structure of the light emitting device according to the present embodiment will be described with reference to FIGS.

本実施形態の発光装置は、図１に示すように、第１ブロック１０１および該第１ブロック１０１が嵌入した第２ブロック１１０を含むステムと、該第１ブロック１０１上に接合された半導体発光素子１０３とを備える。また、該発光装置は、第２ブロック１１０上に設置されたキャップ１０４とを備えることが好ましい。半導体発光素子１０３は、サブマウント１０２を介して第１ブロック１０１に接合されている。サブマウント１０２と半導体発光素子１０３とは、ハンダで接合されており、また、該サブマウント１０２と第１ブロック１０１とは、ハンダで接合されている。ステムとしての第１ブロック１０１は、平面方向から見ると円盤状の形態である。そして、第１ブロック１０１は、半導体発光素子１０３を積載し、接合するための突出部を備える。該突出部によって半導体発光素子１０３を第１ブロックの基準面つまり、半導体発光素子１０３の底面に対して垂直方向にレーザを射出するように第１ブロック１０１に接合されている。   As shown in FIG. 1, the light emitting device of the present embodiment includes a stem including a first block 101 and a second block 110 in which the first block 101 is inserted, and a semiconductor light emitting element bonded on the first block 101. 103. Further, the light emitting device preferably includes a cap 104 installed on the second block 110. The semiconductor light emitting element 103 is bonded to the first block 101 via the submount 102. The submount 102 and the semiconductor light emitting element 103 are joined by solder, and the submount 102 and the first block 101 are joined by solder. The first block 101 as a stem has a disk shape when viewed from the plane direction. The first block 101 includes a protruding portion for loading and joining the semiconductor light emitting elements 103. The protruding portion joins the semiconductor light emitting element 103 to the first block 101 so as to emit laser in a direction perpendicular to the reference surface of the first block, that is, the bottom surface of the semiconductor light emitting element 103.

本実施形態で製造される発光装置において、キャップ１０４の形態は、特に限定されず、例えば全てガラスで形成されたものであっても良い。ただし、本実施形態において、好ましい該キャップ１０４の構造は、強度が確保でき、溶接により容易に接合が可能な材料であるコバールなどで形成され、発光装置における半導体発光素子１０３からの発光を外部に取り出す光透過窓１０５が設けられている構造である。本実施形態の発光装置が、外部からの衝撃に対して高い強度を有することができるためである。そして、光透過窓１０５が設けられている構造である場合には、半導体発光素子１０３を気密封止するために、該光透過窓１０５にガラス１０７が接着されていることが好ましい。そして、半導体発光素子１０３から放出されたレーザは、光透過窓１０５から発光装置の外部に放出される。 In the light emitting device manufactured in the present embodiment, the form of the cap 104 is not particularly limited, and for example, the cap 104 may be formed entirely of glass. However, in the present embodiment, a preferable structure of the cap 104 is formed of Kovar, which is a material that can secure strength and can be easily joined by welding, and emits light from the semiconductor light emitting element 103 in the light emitting device to the outside. In this structure, a light transmission window 105 is provided. This is because the light emitting device of the present embodiment can have high strength against external impacts. In the case where the light transmission window 105 is provided, glass 107 is preferably bonded to the light transmission window 105 in order to hermetically seal the semiconductor light emitting element 103. Then, the laser emitted from the semiconductor light emitting element 103 is emitted from the light transmission window 105 to the outside of the light emitting device.

半導体発光素子１０３の正負の電気的接続は、ワイヤやサブマウント１０２を通じて、適宜行われ、通常のステムの場合と同様、最終的にピン１０６のいくつかと半導体発光素子１０３とは電気的に導通している。そして、設置されたキャップ１０４の内部は、外気と遮断され、気密封止となっている。該内部は、半導体発光素子への焼きつきやコンタミネーションを防止するために有機系やシリコン系の不純物が十分に除去され、水分も除去された乾燥空気や、不活性ガスで充填されていることが好ましい。   The positive and negative electrical connections of the semiconductor light emitting element 103 are appropriately made through wires and the submount 102. Finally, as in the case of a normal stem, some of the pins 106 and the semiconductor light emitting element 103 are finally electrically connected. ing. The inside of the installed cap 104 is shielded from the outside air and is hermetically sealed. The interior is filled with dry air or inert gas from which organic and silicon impurities have been sufficiently removed and moisture has been removed to prevent burn-in and contamination on the semiconductor light emitting device. Is preferred.

第２ブロック１１０には、第１ブロック１０１を嵌入するための穴が備えられている。該穴の形状は、第１ブロック１０１の外形が嵌って固定することができ、第１ブロック１０１の外形の形状と略同じである必要がある。例えば、第１ブロック１０１の外形が、正方形である場合には、第２ブロック１１０における該穴は、同様の正方形であることが好ましい。第１ブロック１０１と第２ブロック１１０とが密着固定されない場合には、第１ブロック１０１と第２ブロック１１０との間を低融点ガラスなどの材料で補填することが好ましい。また、第１ブロック１０１が円形である場合には、その直径と第２ブロックにおける該穴の直径は略同じであることが好ましい。第１ブロックと第２ブロック１１０との間が密着していない場合には、熱伝達が滞り、高い放熱性を得ることができない虞があるためである。   The second block 110 is provided with a hole for inserting the first block 101. The shape of the hole can be fixed by fitting the outer shape of the first block 101, and needs to be substantially the same as the shape of the outer shape of the first block 101. For example, when the outer shape of the first block 101 is a square, the hole in the second block 110 is preferably a similar square. When the first block 101 and the second block 110 are not tightly fixed, it is preferable that the space between the first block 101 and the second block 110 is filled with a material such as low melting point glass. Moreover, when the 1st block 101 is circular, it is preferable that the diameter and the diameter of this hole in a 2nd block are substantially the same. This is because when the first block and the second block 110 are not in close contact with each other, heat transfer is delayed and high heat dissipation may not be obtained.

また、本実施形態の発光装置において、第１ブロック１０１は、図２に示すように第２ブロック１１０の中央部付近に固定されていることが好ましい。そして、第２ブロック１１０には、ネジなどで他のものに固定する際に用いるための孔１１１が適宜設けられていることが好ましい。   In the light emitting device of this embodiment, the first block 101 is preferably fixed near the center of the second block 110 as shown in FIG. And it is preferable that the second block 110 is appropriately provided with a hole 111 for use when the second block 110 is fixed to another with a screw or the like.

本発明において、第１ブロック１０１の形状は、上面方向から見て、φ１〜２０ｍｍ（主材料が鉄および銅で作製された場合０．０５〜２ｇ）のものが好ましく、φ２〜８ｍｍ（主材料が鉄および銅で作製された場合０．１〜０．５ｇ）のものが特に好ましい。ただし、該形状は特に限定されない。また、第１ブロック１０１を断面方向から見て、突出部を除いた部分の厚みは、０．５〜５ｍｍであることが好ましく、０．８〜３ｍｍであることが特に好ましい。また、該厚みは、一定であることが好ましい。   In the present invention, the shape of the first block 101 is preferably φ1 to 20 mm (0.05 to 2 g when the main material is made of iron and copper) as viewed from above, and φ2 to 8 mm (main material). Are particularly preferred when made from iron and copper. However, the shape is not particularly limited. Further, when the first block 101 is viewed from the cross-sectional direction, the thickness of the portion excluding the protruding portion is preferably 0.5 to 5 mm, and particularly preferably 0.8 to 3 mm. The thickness is preferably constant.

第１ブロック１０１の該大きさが、上述する範囲であることが好ましい理由は、後述する製造工程において記載するとおり、接合工程において、操作が簡易化、短縮化されるためである。   The reason that the size of the first block 101 is preferably in the above-described range is that the operation is simplified and shortened in the joining process as described in the manufacturing process described later.

また、第１ブロック１０１の大きさと、第２ブロック１１０の大きさとの関係において、第２ブロック１１０の体積は、第１ブロック１０１の５〜１０００倍であることが好ましい。第２ブロック１１０の上面方向から見た形状は、図２においては長方形であるが、特に限定はされず、第１ブロック１０１および第２ブロック１１０で構成されるステムの用途に応じて適宜選択することができる。第２ブロック１１０の断面方向から見た厚みは、第１ブロック１０１の厚みと同程度であるか、それより大きいことが好ましく、０．９〜３倍程度であることが好ましい。また、該厚みは、一定であることが好ましい。第１ブロック１０１と第２ブロック１１０との大きさを上述の範囲で選択することで、ステムとしての放熱性を向上することができるためである。また、第２ブロック１１０の大きさを適宜調整することにより、ステム自体を所望の大きさに容易に設計することが可能であり、従来のステムより簡易的に大型化することができる。   Further, in the relationship between the size of the first block 101 and the size of the second block 110, the volume of the second block 110 is preferably 5 to 1000 times that of the first block 101. The shape of the second block 110 viewed from the top surface is a rectangle in FIG. 2, but is not particularly limited, and is appropriately selected according to the use of the stem composed of the first block 101 and the second block 110. be able to. The thickness of the second block 110 viewed from the cross-sectional direction is preferably about the same as or larger than the thickness of the first block 101, and preferably about 0.9 to 3 times. The thickness is preferably constant. This is because heat dissipation as a stem can be improved by selecting the sizes of the first block 101 and the second block 110 within the above range. Further, by appropriately adjusting the size of the second block 110, it is possible to easily design the stem itself to a desired size, and it is possible to easily increase the size of the conventional stem.

ステムを構成する第１ブロック１０１と第２ブロック１１０とは、金属で形成されていることが好ましい。第１ブロック１０１の材料については、鉄、銅、アルミニウムおよび真鍮等を主成分とすることができ、鉄およびアルミニウムであることが特に好ましい。鉄またはアルミニウムを主成分とする金属は、加工が容易でありコストが低いためである。ただし、第１ブロック１０１、特に第１ブロック１０１の突出部における材料を銅とすることによって、該突出部に接合される半導体発光素子１０３からの放熱の面では、上述した鉄およびアルミニウムよりも有利となる。第２ブロック１１０の材料については、アルミニウムなどのやわらかい金属を主成分とする材料であることが好ましい。また、第２ブロック１１０において第１ブロック１０１と接する箇所のみ、第２ブロック１１０の材料と部分的に異なる材料とすることもできる。そして、第１ブロック１０１の材料と第２ブロック１１０の材料とは、同じ材料であっても良いが、第１ブロック１０１と第２ブロック１１０との固定を圧入で行なうことを考慮すると、第１ブロック１０１の材料と第２ブロック１１０の材料とで硬度が異なり、圧入の際に塑性変形が起こることが好ましい。具体的には、ビッカーズ硬度（ＪＩＳＺ２２４４）の測定において、硬度差Ｈｖ１００以上とすることができる。また、本実施形態のステムは、鉄で作製された第１ブロック１０１と、それよりも硬度の小さいアルミニウムで作製された第２ブロック１１０との組合せからなることができる。また、第１ブロック１０１と第２ブロック１１０との材料の組合せは、鉄と銅との組合せ、ステンレスとアルミニウムとの組合せなどを採用することもできる。第１ブロック１０１のサイズが第２ブロック１１０のサイズよりも小さいことを考慮すると、第１ブロック１０１側を硬度の高い側とすることが、第１ブロック１０１の精度維持の点から好ましい。   The first block 101 and the second block 110 constituting the stem are preferably made of metal. About the material of the 1st block 101, iron, copper, aluminum, brass, etc. can be made into a main component, and it is especially preferable that it is iron and aluminum. This is because a metal mainly composed of iron or aluminum is easy to process and low in cost. However, by using copper as the material in the protrusions of the first block 101, particularly the first block 101, heat dissipation from the semiconductor light emitting element 103 joined to the protrusions is more advantageous than iron and aluminum described above. It becomes. The material of the second block 110 is preferably a material mainly composed of a soft metal such as aluminum. Further, only the portion of the second block 110 that contacts the first block 101 may be made of a material that is partially different from the material of the second block 110. The material of the first block 101 and the material of the second block 110 may be the same material, but considering that the first block 101 and the second block 110 are fixed by press-fitting, the first block 101 and the second block 110 may be the same material. It is preferable that the material of the block 101 and the material of the second block 110 have different hardness, and plastic deformation occurs during press-fitting. Specifically, in the measurement of Vickers hardness (JISZ2244), the hardness difference can be Hv100 or more. In addition, the stem of the present embodiment can be composed of a combination of a first block 101 made of iron and a second block 110 made of aluminum having a lower hardness. Moreover, the combination of the material of the 1st block 101 and the 2nd block 110 can also employ | adopt the combination of iron and copper, the combination of stainless steel, and aluminum. In consideration of the fact that the size of the first block 101 is smaller than the size of the second block 110, it is preferable that the first block 101 side has a higher hardness from the viewpoint of maintaining the accuracy of the first block 101.

また、第１ブロック１０１および第２ブロック１１０の一方が他の一方より柔らかい金属であることが好ましいため、たとえば第２ブロックにおいて嵌入部分の材料のみを部分的に第１ブロックより柔らかい材料で構成することがより好ましい。   In addition, since one of the first block 101 and the second block 110 is preferably made of a softer metal than the other, for example, in the second block, only the material of the insertion portion is partially made of a softer material than the first block. It is more preferable.

半導体発光素子１０３は、窒化物半導体レーザ素子であることが好ましい。窒化物半導体レーザ素子は、短波長での発光が可能であり、波長変換により白色光が得られるなど、照明用途に向いており、発光装置を大型化することが必要な発光源としての利用が見込まれるからである。なお、該窒化物半導体レーザ素子は、波長３００〜４８０ｎｍの紫外から青色の短波長領域で発光するものであることが好ましく、波長３８０〜４８０ｎｍで発光することが特に好ましい。なお、波長は、例えばＪＩＳＺ８７２２に準拠して測定することができる。   The semiconductor light emitting device 103 is preferably a nitride semiconductor laser device. Nitride semiconductor laser elements are suitable for lighting applications, such as being capable of emitting light at short wavelengths and obtaining white light by wavelength conversion, and can be used as light sources that require a larger light emitting device. Because it is expected. The nitride semiconductor laser element preferably emits light in the ultraviolet to blue short wavelength region with a wavelength of 300 to 480 nm, and particularly preferably emits light with a wavelength of 380 to 480 nm. The wavelength can be measured according to, for example, JISZ8722.

次に、本実施形態の発光装置の製造方法について図１を参照して説明する。
≪接合工程≫
始めに、半導体発光素子１０３を第１ブロック１０１上に接合する接合工程について説明する。本発明における接合工程では、（１）または（２）のいずれかの工程を行なう。
（１）半導体発光素子１０３を第１ブロック１０１上に直接接合する。
（２）半導体発光素子１０３をサブマウント１０２に接合してから該サブマウント１０２を第１ブロット１０１上に接合する。 Next, a method for manufacturing the light emitting device of this embodiment will be described with reference to FIG.
≪Join process≫
First, a bonding process for bonding the semiconductor light emitting element 103 onto the first block 101 will be described. In the joining step in the present invention, either step (1) or (2) is performed.
(1) The semiconductor light emitting element 103 is directly bonded onto the first block 101.
(2) After bonding the semiconductor light emitting element 103 to the submount 102, the submount 102 is bonded onto the first blot 101.

そこで、以下、（２）の工程を例に説明する。
該（２）の工程の場合には、半導体発光素子１０３が直接搭載される面を有するサブマウント１０２の加工精度および電極積層の調整、ならびにハンダ接合が容易である。また、サブマウント１０２を絶縁性とすると、ステム（第１ブロック１０１および第２ブロック１１０）と半導体発光素子１０３とを簡易的に絶縁できる。 Therefore, the process (2) will be described below as an example.
In the case of the step (2), the processing accuracy of the submount 102 having the surface on which the semiconductor light emitting element 103 is directly mounted, adjustment of electrode stacking, and solder bonding are easy. Further, when the submount 102 is made insulative, the stem (the first block 101 and the second block 110) and the semiconductor light emitting element 103 can be easily insulated.

まず、半導体発光素子１０３をサブマウント１０２の上にハンダ接合する第１接合を行なう。このとき、ハンダを加熱するために、例えばサブマウント１０２を加熱する温度は、２５０〜５００℃とすることが好ましい。ハンダを加熱する温度が、２５０℃未満であるような低融点のハンダを用いる場合には、接合強度が不十分となる虞があり、５００℃を超える場合には、半導体発光素子１０３が劣化する虞があるからである。上述のハンダ接合の後、サブマウント１０２および半導体発光素子１０３を冷却する。冷却には例えば、エアー吹付などを用いることができる。   First, a first bonding is performed in which the semiconductor light emitting element 103 is solder bonded onto the submount 102. At this time, in order to heat the solder, for example, the temperature at which the submount 102 is heated is preferably 250 to 500 ° C. When using solder with a low melting point such that the temperature at which the solder is heated is less than 250 ° C., the bonding strength may be insufficient, and when it exceeds 500 ° C., the semiconductor light emitting device 103 deteriorates. This is because there is a fear. After the above-described solder bonding, the submount 102 and the semiconductor light emitting element 103 are cooled. For example, air blowing or the like can be used for cooling.

次に、半導体発光素子１０３が搭載されたサブマウント１０２を第１ブロック１０１にハンダ接合する第２接合を行なう。第１ブロック１０１には、例えば、あらかじめピン１０６が絶縁性のハーメチックシールで固定され、あるいは、直接第１ブロック１０１に固定されている。第１ブロック１０１の平面形状は、円形状である。ハンダ接合は、ダイボンディング方式で行なう。したがって、該ハンダを加熱するために、第１ブロック１０１を加熱する方法の他、レーザ加熱の方法を用いることができる。   Next, second bonding is performed in which the submount 102 on which the semiconductor light emitting element 103 is mounted is soldered to the first block 101. For example, the pin 106 is fixed to the first block 101 in advance with an insulating hermetic seal or directly fixed to the first block 101. The planar shape of the first block 101 is a circular shape. Solder bonding is performed by a die bonding method. Therefore, in order to heat the solder, in addition to the method of heating the first block 101, a laser heating method can be used.

ハンダ接合される際の例えば、第１ブロック１０１が加熱される温度は、半導体発光素子１０３とサブマウント１０２とをハンダ接合したときと同様に、２５０〜５００℃とすることが好ましい。該ハンダ接合の後、半導体発光素子１０３と、該半導体発光素子１０３が接合された第１ブロック１０１と、サブマウント１０２とを冷却する。このとき、半導体発光素子１０３の特性に影響を与えない１００℃以下温度にまで冷却する。本実施形態の発光装置によると、第１ブロック１０１は、０．０５〜２ｇであるため、例えば３００℃から１００℃にまで冷却するために要する時間は、２分程度以下で可能である。   For example, the temperature at which the first block 101 is heated at the time of solder bonding is preferably 250 to 500 ° C., similarly to the case where the semiconductor light emitting element 103 and the submount 102 are solder bonded. After the solder bonding, the semiconductor light emitting element 103, the first block 101 to which the semiconductor light emitting element 103 is bonded, and the submount 102 are cooled. At this time, the semiconductor light-emitting element 103 is cooled to a temperature of 100 ° C. or less that does not affect the characteristics of the semiconductor light-emitting element 103. According to the light emitting device of this embodiment, since the first block 101 is 0.05 to 2 g, the time required for cooling from 300 ° C. to 100 ° C., for example, can be about 2 minutes or less.

ここで、第２接合の場合には、ハンダ接合の際の加熱温度を第１接合の場合と同様に行なうことができるが、該加熱温度よりも低温に設定することも可能である。第２接合の際の加熱温度および加熱時間は、加熱によってサブマウント１０２から半導体発光素子１０３が剥がれない条件を適宜検討し、設定することができる。   Here, in the case of the second bonding, the heating temperature at the time of solder bonding can be performed in the same manner as in the case of the first bonding, but it is also possible to set the temperature lower than the heating temperature. The heating temperature and the heating time for the second bonding can be set by appropriately examining the conditions under which the semiconductor light emitting element 103 is not peeled off from the submount 102 by heating.

≪嵌入工程≫
第１ブロック１０１を第２ブロック１１０に嵌入して、第１ブロック１０１および第２ブロック１１０を固定する。嵌入は、圧入によって行なわれることが好ましい。また、圧入は、例えば、第２ブロック１１０の断面方向から見たときの下面（図１において、ピン１０６設置面）から上面の方向に、押し込むことで行なわれることが好ましい。 ≪Insertion process≫
The first block 101 is fitted into the second block 110, and the first block 101 and the second block 110 are fixed. The insertion is preferably performed by press-fitting. In addition, it is preferable that the press-fitting is performed, for example, by pushing in from the lower surface (the pin 106 installation surface in FIG. 1) to the upper surface when viewed from the cross-sectional direction of the second block 110.

第１ブロック１０１の外形は、第２ブロック１１０の穴の形状よりわずかに大きくしておき、第１ブロック１０１を穴に押し込む。第１ブロック１０１および第２ブロック１１０は、金属でできているので、弾性変形して密着し固定される。以下、第１ブロック１０１の上面方向からみた形状が円形であり、第２ブロック１１０の該穴も、第１ブロック１０１の形状に対応した円形である場合について説明する。   The outer shape of the first block 101 is slightly larger than the shape of the hole of the second block 110, and the first block 101 is pushed into the hole. Since the first block 101 and the second block 110 are made of metal, they are elastically deformed to be closely attached and fixed. Hereinafter, the case where the shape seen from the upper surface direction of the first block 101 is a circle and the hole of the second block 110 is also a circle corresponding to the shape of the first block 101 will be described.

第１ブロック１０１と第２ブロック１１０との固定を圧入により行なうと、これらが構成するステムを高温に加熱することなく、かつ、放熱性を保ったまま固定できるので好ましい。さらに、第１ブロック１０１と第２ブロック１１０との境界部分を低融点ガラスなどで覆い、第１ブロック１０１と第２ブロック１１０とをより完全に密着させることも可能である。また、嵌入は、圧入によらず、例えばレーザ溶接などの、局地的な加熱により、第１ブロック１０１に接合された半導体発光素子１０３に高温が及ばないよう固定することも可能である。   It is preferable to fix the first block 101 and the second block 110 by press-fitting because the stem formed by these blocks can be fixed without heating to a high temperature and while maintaining heat dissipation. Furthermore, it is possible to cover the boundary portion between the first block 101 and the second block 110 with a low melting point glass or the like so that the first block 101 and the second block 110 are more closely attached. Further, the insertion can be fixed so that the semiconductor light emitting element 103 bonded to the first block 101 does not reach a high temperature by local heating such as laser welding, for example, without being press-fitted.

該直径の差は、１０〜１００μｍであることが好ましく、１０〜２０μｍであることが特に好ましい。１００μｍより大きい場合には、第１ブロック１０１が、第２ブロック１１０に嵌入しにくい虞があり、１０μｍより小さい場合には、第１ブロック１０１と第２ブロック１１０とが密着することができない虞があるためである。また、本実施の形態においては、単純な側面を有する円形の穴に単純な側面を有する円柱を嵌入することを例に説明したが、接触する側面同士に噛み合い構造を設けて気密をより高めることが特に好ましい。   The difference in diameter is preferably 10 to 100 μm, and particularly preferably 10 to 20 μm. If it is larger than 100 μm, the first block 101 may be difficult to fit into the second block 110, and if it is smaller than 10 μm, the first block 101 and the second block 110 may not be in close contact with each other. Because there is. In the present embodiment, an example has been described in which a circular cylinder having a simple side surface is fitted into a circular hole having a simple side surface. However, a meshing structure is provided between the contacting side surfaces to further improve airtightness. Is particularly preferred.

それから、嵌入工程の後、適宜半導体発光素子１０３について通電のためにワイヤボンディングを行なう。本実施形態においては、半導体発光素子１０３と導電のために接続するピン１０６が第１ブロック１０１に形成されている。   Then, after the fitting process, the semiconductor light emitting element 103 is appropriately wire-bonded for energization. In the present embodiment, pins 106 connected to the semiconductor light emitting element 103 for conductivity are formed in the first block 101.

≪設置工程≫
本実施形態においては、設置工程において、半導体発光素子１０３からの発光を外部に取り出すための光透過窓１０５を設けたキャップ１０４を、第２ブロック１１０上に、設置することが好ましい。光透過窓１０５は、ガラス１０７が接着していることが好ましい。該キャップ１０４の設置は、電流抵抗溶接により行なわれることが好ましい。気密を保った状態で接合できる理由からである。 ≪Installation process≫
In the present embodiment, it is preferable that the cap 104 provided with the light transmission window 105 for taking out the light emitted from the semiconductor light emitting element 103 to the outside is installed on the second block 110 in the installation step. The light transmission window 105 is preferably bonded with a glass 107. The cap 104 is preferably installed by current resistance welding. This is because it can be joined in an airtight state.

本工程によって、半導体発光素子１０３を、気密封入することができる。気密封入することで、半導体発光素子１０３が、浮遊物質と化合したり、焼け付けを起こしたりすることに由来する、半導体発光素子１０３の劣化を防止することができる。   By this step, the semiconductor light emitting element 103 can be hermetically sealed. By hermetically sealing, the semiconductor light emitting device 103 can be prevented from being deteriorated due to the combination of the semiconductor light emitting device 103 with a floating substance or causing burn-in.

本実施形態において、接合工程の後に嵌入工程を行なうことが好ましい。第１ブロック１０１は、ステム全体と比較して体積が小さいため、上述の接合工程における加熱および冷却に要する時間を短縮することができるためである。したがって、半導体発光素子１０３が、高温、例えば１００℃を超える温度でさらされる時間を短縮することができる。このため、高温で長時間さらされることによる、半導体発光素子１０３の劣化を抑制することができるため、発光装置の寿命が長くなり、また、発光装置の信頼性が向上する。なお、嵌入工程によって第１ブロックと第２ブロックとを固定した後に、接合工程を行なって半導体発光素子１０３を第１ブロック１０１にハンダ接合した場合には、ステムの冷却に１０分以上要する。その結果、接合工程に要する時間が増加して生産性が非常に悪化したほかに、半導体発光素子１０３の電圧が上昇するなどの特性の劣化が生じる虞がある。   In this embodiment, it is preferable to perform an insertion process after a joining process. This is because the first block 101 has a small volume as compared with the whole stem, so that the time required for heating and cooling in the above-described joining step can be shortened. Therefore, it is possible to shorten the time during which the semiconductor light emitting element 103 is exposed to a high temperature, for example, a temperature exceeding 100 ° C. For this reason, since the deterioration of the semiconductor light emitting element 103 due to exposure to a high temperature for a long time can be suppressed, the life of the light emitting device is extended, and the reliability of the light emitting device is improved. If the semiconductor light emitting element 103 is soldered to the first block 101 after the first block and the second block are fixed by the fitting process, the cooling of the stem takes 10 minutes or more. As a result, the time required for the bonding process is increased and the productivity is greatly deteriorated. In addition, there is a possibility that the characteristics of the semiconductor light emitting device 103 may be deteriorated such as a voltage increase.

また、本実施形態の嵌入工程において、第１ブロック１０１は、第２ブロック１１０に圧入により固定するので、第１ブロック１０１と第２ブロック１１０との間の熱伝導は良好であり、放熱のための十分なボリュームを持つステムとすることができる。   Moreover, in the insertion process of this embodiment, since the 1st block 101 is fixed to the 2nd block 110 by press fit, the heat conduction between the 1st block 101 and the 2nd block 110 is favorable, and for heat dissipation The stem can have a sufficient volume.

また、本実施形態において、発光装置の製造は、接合工程、嵌入工程、設置工程の工程順で行なわれることが好ましい。仮に、設置工程の後に、第２ブロック１１０に第１ブロック１０１を圧入する嵌入工程を行なうと、その際キャップ１０４に歪がかかることで、ガラス１０７の割れが発生してしまう虞がある。   Moreover, in this embodiment, it is preferable that manufacture of a light-emitting device is performed in order of a process of a joining process, an insertion process, and an installation process. If an insertion process for press-fitting the first block 101 into the second block 110 is performed after the installation process, the cap 104 may be distorted at that time, and the glass 107 may be broken.

（第２実施形態）
図３は、本発明の第２の実施形態に係る発光装置の製造方法によって製造される発光装置を示す断面図である。以下、図３に基づいて該発光装置の構造について説明する。 (Second Embodiment)
Figure 3 is a sectional view showing a light emitting equipment manufactured by the manufacturing method of the light emitting device according to a second embodiment of the present invention. Hereinafter, the structure of the light emitting device will be described with reference to FIG.

本実施形態の発光装置は、第１ブロック２０１および該第１ブロック２０１が嵌入した第２ブロック２１０を含むステムと、該第１ブロック２０１上に接合された半導体発光素子２０３とを備える。そして、該発光装置は、第２ブロック２１０上に設置されたキャップ２０４をさらに備えることが好ましい。半導体発光素子２０３は、サブマウント２０２を介して第１ブロック２０１に接合されている。サブマウント２０２と半導体発光素子２０３とは、ハンダで接合されており、また、該サブマウント２０２と第１ブロック２０１とは、ハンダで接合されている。該キャップ２０４には、発光装置における半導体発光素子２０３からの発光を外部に取り出す光透過窓１０５が設けられている。そして、気密封止のために、該光透過窓２０５にガラス２０７が接着されている。   The light emitting device of the present embodiment includes a stem including a first block 201 and a second block 210 in which the first block 201 is inserted, and a semiconductor light emitting element 203 bonded on the first block 201. The light emitting device preferably further includes a cap 204 installed on the second block 210. The semiconductor light emitting element 203 is bonded to the first block 201 via the submount 202. The submount 202 and the semiconductor light emitting element 203 are joined by solder, and the submount 202 and the first block 201 are joined by solder. The cap 204 is provided with a light transmission window 105 for extracting light emitted from the semiconductor light emitting element 203 in the light emitting device to the outside. A glass 207 is bonded to the light transmission window 205 for hermetic sealing.

つまり、本実施形態の発光装置は、ピン２０６を第２ブロック２１０側に設ける以外は、第１実施形態と同様の構造であり、第１実施形態と同様の製造工程によって作製される。   That is, the light emitting device of this embodiment has the same structure as that of the first embodiment except that the pins 206 are provided on the second block 210 side, and is manufactured by the same manufacturing process as that of the first embodiment.

半導体発光素子２０３の正負の電気的接続は、ワイヤやサブマウント２０２を通じて、適宜行われ、通常のステムの場合と同様、最終的にピン２０６のいくつかに導通している。   The positive and negative electrical connections of the semiconductor light emitting element 203 are appropriately made through wires and the submount 202, and are finally conducted to some of the pins 206 as in the case of a normal stem.

また、本実施形態において、ステム等の材料は、第１実施形態で記載したものを同様のものを用いることができる。   In the present embodiment, the same material as that described in the first embodiment can be used as the material such as the stem.

図３に示す発光装置は、ピン２０６が、第２ブロック２１０に形成されていることで第１ブロックをより小さく形成できる利点を有する。   The light emitting device shown in FIG. 3 has an advantage that the first block can be made smaller because the pins 206 are formed in the second block 210.

（第３実施形態）
図４は、本発明の第３の実施形態に係る発光装置の製造方法によって製造される発光装置を示す断面図である。また、図５は、図４に示される発光装置の平面図である。まず、図４および図５に基づいて該発光装置の構造について説明する。 (Third embodiment)
Figure 4 is a sectional view showing a light emitting equipment manufactured by the manufacturing method of the light emitting device according to a third embodiment of the present invention. FIG. 5 is a plan view of the light emitting device shown in FIG. First, the structure of the light emitting device will be described with reference to FIGS.

本実施形態の発光装置は、第１ブロック３０１および該第１ブロック３０１が嵌入した第２ブロック３１０を含むステムと、該第１ブロック３０１上に接合された半導体発光素子３０３とを備える。そして、該発光装置は、第２ブロック３１０上に設置されたキャップ３０４をさらに備えることが好ましい。半導体発光素子３０３は、サブマウント３０２を介して第１ブロック３０１に接合されている。サブマウント３０２と半導体発光素子３０３とは、ハンダで接合されており、また、該サブマウント３０２と第１ブロック３０１とは、ハンダで接合されている。該キャップ３０４には、発光装置における半導体発光素子３０３からの発光を外部に取り出す光透過窓３０５が設けられている。そして、気密封止のために、該光透過窓２０５にガラス２０７が接着されている。   The light emitting device of the present embodiment includes a stem including a first block 301 and a second block 310 into which the first block 301 is fitted, and a semiconductor light emitting element 303 bonded on the first block 301. The light-emitting device preferably further includes a cap 304 installed on the second block 310. The semiconductor light emitting element 303 is joined to the first block 301 via the submount 302. The submount 302 and the semiconductor light emitting element 303 are joined by solder, and the submount 302 and the first block 301 are joined by solder. The cap 304 is provided with a light transmission window 305 for extracting light emitted from the semiconductor light emitting element 303 in the light emitting device to the outside. A glass 207 is bonded to the light transmission window 205 for hermetic sealing.

つまり、本実施形態の発光装置は、キャップ３０４を第１ブロック３０１側に設ける以外は、第１実施形態と同様の構造であり、第１実施形態と同様の製造工程によって作製される。   That is, the light emitting device of this embodiment has the same structure as that of the first embodiment except that the cap 304 is provided on the first block 301 side, and is manufactured by the same manufacturing process as that of the first embodiment.

半導体発光素子３０３の正負の電気的接続は、ワイヤやサブマウント３０２を通じて、適宜行われ、通常のステムの場合と同様、最終的にピン３０６のいくつかに導通している。   The positive and negative electrical connections of the semiconductor light emitting element 303 are appropriately made through wires and the submount 302, and are finally conducted to some of the pins 306 as in the case of a normal stem.

図５に示すように本実施形態の発光装置は、キャップ３０４内の領域が、第１ブロック３０１と第２ブロック３１０との境界を含んでいないので、該境界に生じるリークをより抑制することができる。   As shown in FIG. 5, the light emitting device of this embodiment has a region in the cap 304 that does not include the boundary between the first block 301 and the second block 310, and therefore can further suppress leakage that occurs at the boundary. it can.

（第４実施形態）
図６は、本発明の第４の実施形態に係る発光装置の製造方法によって製造される発光装置を示す断面図である。以下、図６に基づいて本実施形態の発光装置の構造について説明する。 (Fourth embodiment)
Figure 6 is a sectional view showing a light emitting equipment manufactured by the manufacturing method of the light emitting device according to a fourth embodiment of the present invention. Hereinafter, the structure of the light emitting device of this embodiment will be described with reference to FIG.

本実施形態の発光装置は、第１ブロック４０１および該第１ブロック４０１が嵌入した第２ブロック４１０を含むステムと、該第１ブロック４０１上に接合された半導体発光素子４０３とを備える。該発光装置は、第２ブロック４１０上に設置されたキャップ４０４をさらに備えることが好ましい。半導体発光素子４０３は、サブマウント４０２を介して第１ブロック４０１に接合されている。サブマウント４０２と半導体発光素子４０３とは、ハンダで接合されており、また、該サブマウント４０２と第１ブロック４０１とは、ハンダで接合されている。該キャップ４０４には、発光装置における半導体発光素子４０３からの発光を外部に取り出す光透過窓４０５が設けられている。そして、気密封止のために、該光透過窓４０５にガラス４０７が接着されている。   The light emitting device of this embodiment includes a first block 401, a stem including a second block 410 in which the first block 401 is fitted, and a semiconductor light emitting element 403 joined on the first block 401. The light emitting device preferably further includes a cap 404 installed on the second block 410. The semiconductor light emitting element 403 is bonded to the first block 401 via the submount 402. The submount 402 and the semiconductor light emitting element 403 are joined by solder, and the submount 402 and the first block 401 are joined by solder. The cap 404 is provided with a light transmission window 405 for extracting light emitted from the semiconductor light emitting element 403 in the light emitting device to the outside. A glass 407 is bonded to the light transmission window 405 for hermetic sealing.

半導体発光素子４０３の正負の電気的接続は、ワイヤやサブマウント４０２を通じて、適宜行われ、通常のステムの場合と同様、最終的にピン４０６のいくつかに導通している。   The positive and negative electrical connections of the semiconductor light emitting element 403 are appropriately made through wires and submounts 402, and are finally conducted to some of the pins 406, as in the case of a normal stem.

そして、本実施形態の発光装置は、さらに立上ミラー４０８を備え、かつ第１ブロック４０１に半導体発光素子４０３を接合するための突出部を有しない以外は、第１実施形態と同様の構造であり、第１実施形態と同様の製造工程によって作製される。   The light emitting device of the present embodiment has the same structure as that of the first embodiment except that the light emitting device further includes a rising mirror 408 and does not have a protrusion for joining the semiconductor light emitting element 403 to the first block 401. There is a manufacturing process similar to that of the first embodiment.

本実施形態の発光装置は、半導体発光素子４０３から出射した光が、９０°折り曲げられて、キャップ４０８の光透過窓４０５より出射するように設計されている。そのため、第１ブロック４０１に突出部を設けて半導体発光素子４０３から出射する光をステムの底面に対して垂直とする必要はない。これにより、第１ブロック４０１の平面状に半導体発光素子４０３を接続することができるので、半導体発光素子４０２の放熱が効率よくなされる。   The light emitting device of the present embodiment is designed such that light emitted from the semiconductor light emitting element 403 is bent by 90 ° and emitted from the light transmission window 405 of the cap 408. Therefore, it is not necessary to provide a protrusion on the first block 401 so that the light emitted from the semiconductor light emitting element 403 is perpendicular to the bottom surface of the stem. Thereby, since the semiconductor light emitting element 403 can be connected in a planar shape of the first block 401, the semiconductor light emitting element 402 can be efficiently dissipated.

以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example is given and this invention is demonstrated in detail, this invention is not limited to these.

［実施例］
（実施例１）
図１および図２を参照して本実施例について説明する。 [Example]
Example 1
The present embodiment will be described with reference to FIGS.

まず、ステムを構成する第１ブロック１０１と第２ブロック１１０とを準備した。第１ブロック１０１は、鉄で作製された０．３ｇのもの（φ４ｍｍ、突出部を除いた部分（以下「基部」という）の厚さ１．５ｍｍ）を準備した。第２ブロック１１０は、鉄で作製された１０ｇのもの（厚さ２ｍｍ）を準備した。   First, the first block 101 and the second block 110 constituting the stem were prepared. The first block 101 was prepared as 0.3 g (φ4 mm, thickness excluding the protruding portion (hereinafter referred to as “base”) 1.5 mm) made of iron. The 2nd block 110 prepared the thing (thickness 2mm) 10g made with iron.

また、図２に示すように第１ブロック１０１が、第２ブロック１１０の中央部付近に固定されるように、第２ブロック１１０における第１ブロック１０１を嵌入のための穴を設計したものを準備した。ステムを構成する第１ブロック１０１には、あらかじめ、ピン１０６が絶縁性のハーメチックシールされ、一部は直接、第１ブロック１０１に固定されているものを用いた。第１ブロック１０１の平面形状は、円形状とした。   In addition, as shown in FIG. 2, the first block 101 in the second block 110 is designed with a hole for fitting so that the first block 101 is fixed near the center of the second block 110. did. As the first block 101 constituting the stem, a pin 106 having an insulating hermetic seal and a part directly fixed to the first block 101 was used. The planar shape of the first block 101 was a circular shape.

半導体発光素子１０３には、波長４５０ｎｍの光を発する窒化物半導体レーザ素子を用いた。以下、本実施例においては、「接合工程」、「嵌入工程」そして、「設置工程」の順で発光装置を製造した。   As the semiconductor light emitting element 103, a nitride semiconductor laser element emitting light having a wavelength of 450 nm was used. Hereinafter, in this example, the light emitting device was manufactured in the order of “joining process”, “insertion process”, and “installation process”.

≪接合工程≫
まず、半導体発光素子１０３をサブマウント１０２の上にハンダ接合する第１接合を行なった。ハンダ接合の際、ハンダを熱するためにサブマウント１０２を加熱する温度は、３００℃とした。ハンダ接合の後、サブマウント１０２および半導体発光素子１０３をエアー吹付で冷却した。 ≪Join process≫
First, the 1st joining which solder-joins the semiconductor light-emitting device 103 on the submount 102 was performed. At the time of soldering, the temperature at which the submount 102 is heated to heat the solder was 300 ° C. After the solder bonding, the submount 102 and the semiconductor light emitting device 103 were cooled by air blowing.

次に、半導体発光素子１０３が搭載されたサブマウント１０２を第１ブロック１０１にハンダ接合する第２接合を行なった。   Next, second bonding was performed in which the submount 102 on which the semiconductor light emitting element 103 is mounted is soldered to the first block 101.

ハンダ接合される際の第１ブロック１０１を加熱する温度は、半導体発光素子１０３とサブマウント１０２とをハンダ接合したときと同様に、３００℃とした。該ハンダ接合の後、サブマウント１０２、半導体発光素子１０３および第１ブロック１０１をエアー吹付で冷却した。第１ブロック１０１の温度が１００℃まで冷却するのに、１分程度を要した。   The temperature for heating the first block 101 during solder bonding was set to 300 ° C., as in the case where the semiconductor light emitting element 103 and the submount 102 were solder bonded. After the solder bonding, the submount 102, the semiconductor light emitting element 103, and the first block 101 were cooled by air blowing. It took about 1 minute for the temperature of the first block 101 to cool to 100 ° C.

≪嵌入工程≫
第１ブロック１０１を第２ブロック１１０に嵌入し、固定した。このとき、第１ブロック１０１の外形を、第２ブロック１１０の穴の直径より３０μｍ大きくしておき、第１ブロック１０１を穴に圧入することで嵌入した。第１ブロック１０１と第２ブロック１１０とは、金属でできているので、弾性変形して密着した。 ≪Insertion process≫
The first block 101 was fitted into the second block 110 and fixed. At this time, the outer shape of the first block 101 was made 30 μm larger than the diameter of the hole of the second block 110, and the first block 101 was press-fitted into the hole. Since the first block 101 and the second block 110 are made of metal, they are elastically deformed and are in close contact with each other.

それから、嵌入工程の後、半導体発光素子１０３について通電のためにワイヤボンディングを行なった。   Then, after the fitting process, the semiconductor light emitting element 103 was subjected to wire bonding for energization.

≪設置工程≫
本実施形態においては、設置工程において、半導体発光素子１０３からの発光を外部に取り出すための光透過窓１０５を設けたキャップ１０４を、第２ブロック１１０上に、電流抵抗溶接によって設置した。以上より、半導体発光素子１０３は、キャップ１０４によって、気密封入された。 ≪Installation process≫
In the present embodiment, in the installation step, the cap 104 provided with the light transmission window 105 for extracting light emitted from the semiconductor light emitting element 103 to the outside is installed on the second block 110 by current resistance welding. As described above, the semiconductor light emitting device 103 is hermetically sealed by the cap 104.

（比較例１）
本比較例においては、ステムとして、鉄で作製された１０ｇのもの（基部厚さ２ｍｍ）を用いて、「接合工程」を行ない、そして「設置工程」の順で発光装置を製造した以外は、実施例１と同様に行なった。 (Comparative Example 1)
In this comparative example, except that the “joining process” was performed using the 10 g (base thickness 2 mm) made of iron as the stem, and the light emitting device was manufactured in the order of “installation process”. The same operation as in Example 1 was performed.

大型のステムは、「接合工程」において、ハンダ接合後の該ステムの冷却に１０分以上を要した。つまり、半導体発光素子が高温にさらされる時間が長くなり、このことに起因して半導体発光素子の電圧が上昇し、特性が劣化した。また、歩留りが低下した。   The large stem required 10 minutes or more to cool the stem after soldering in the “joining step”. In other words, the time during which the semiconductor light emitting element is exposed to high temperature is lengthened, and as a result, the voltage of the semiconductor light emitting element increases and the characteristics deteriorate. Moreover, the yield decreased.

（実施例２）
以下、図３を参照して、本実施例について説明する。 (Example 2)
Hereinafter, the present embodiment will be described with reference to FIG.

まず、ステムを構成する第１ブロック２０１と第２ブロック２１０とを準備した。第１ブロック２０１は、鉄で作製された０．２ｇのもの（φ２ｍｍ、基部厚さ１ｍｍ）のものを準備した。第２ブロック２１０は、銅で作製された２０ｇのもの（厚さ１．５ｍｍ）を準備した。   First, the first block 201 and the second block 210 constituting the stem were prepared. As the first block 201, a 0.2 g block (φ2 mm, base thickness 1 mm) made of iron was prepared. The 2nd block 210 prepared the thing (thickness 1.5mm) 20g made with copper.

また、図２に示すように第１ブロック２０１は第２ブロック２１０の中央部付近に固定されるよう設計されたものを準備した。ステムを構成する第１ブロック２０１には、あらかじめ、ピン２０６が絶縁性のハーメチックシールされ、一部は直接、第２ブロック２０１に固定されているものを用いた。   As shown in FIG. 2, the first block 201 was prepared so as to be fixed near the center of the second block 210. As the first block 201 constituting the stem, a pin 206 having an insulating hermetic seal and a part directly fixed to the second block 201 in advance was used.

ここで、本実施例の発光装置においては、ステムに設置されるピン２０６は第２ブロック２１０側に設けた。第１ブロック２０１の平面形状は、円形状とした。   Here, in the light emitting device of this example, the pin 206 installed on the stem was provided on the second block 210 side. The planar shape of the first block 201 was circular.

また、半導体発光素子２０３には、波長４１０ｎｍの光を発する窒化物半導体レーザ素子を用いた。   The semiconductor light emitting device 203 is a nitride semiconductor laser device that emits light having a wavelength of 410 nm.

そして、接合工程、嵌入工程、および設置工程については、実施例１と同様にして行なった。   Then, the joining process, the fitting process, and the installation process were performed in the same manner as in Example 1.

（実施例３）
以下、図４および図５を参照して説明する。 (Example 3)
Hereinafter, a description will be given with reference to FIGS. 4 and 5.

まず、ステムを構成する第１ブロック３０１と第２ブロック３１０とを準備した。第１ブロック３０１は、鉄で作製された０．３ｇのもの（φ５ｍｍ、基部厚さ１．５ｍｍ）を準備した。第２ブロック３１０は、アルミニウムで作製された３０ｇのもの（厚さ３ｍｍ）を準備した。   First, the first block 301 and the second block 310 constituting the stem were prepared. The first block 301 was prepared with 0.3 g (φ5 mm, base thickness 1.5 mm) made of iron. The second block 310 was prepared as 30 g (thickness 3 mm) made of aluminum.

また、図４に示すように第１ブロック３０１は第２ブロック３１０の中央部付近に固定されるよう設計されたものを準備した。ステムを構成する第１ブロック３０１には、あらかじめ、ピン３０６が絶縁性のハーメチックシールされ、一部は直接、第１ブロック３０１に固定されているものを用いた。   In addition, as shown in FIG. 4, the first block 301 was prepared so as to be fixed near the center of the second block 310. As the first block 301 constituting the stem, a pin 306 having an insulating hermetic seal in advance and a part directly fixed to the first block 301 was used.

また、半導体発光素子３０３には、波長４００ｎｍの光を発する窒化物半導体レーザ素子を用いた。   A nitride semiconductor laser element that emits light having a wavelength of 400 nm was used as the semiconductor light emitting element 303.

そして、接合工程、嵌入工程、および設置工程については、実施例１と同様にして行なった。   Then, the joining process, the fitting process, and the installation process were performed in the same manner as in Example 1.

ただし、本実施例において実施例１と異なる点としては、キャップ３０４を、第１ブロック３０１に設置した。   However, the present embodiment differs from the first embodiment in that the cap 304 is installed in the first block 301.

図５に示すように本実施形態の発光装置は、キャップ３０４内の領域が、第１ブロック３０１と第２ブロック３１０との境界を含んでいないので、該境界に生じるリークをより抑制することができた。   As shown in FIG. 5, the light emitting device of this embodiment has a region in the cap 304 that does not include the boundary between the first block 301 and the second block 310, and therefore can further suppress leakage that occurs at the boundary. did it.

（実施例４）
以下、図６を参照して、本実施例について説明する。 Example 4
Hereinafter, the present embodiment will be described with reference to FIG.

まず、ステムを構成する第１ブロック４０１と第２ブロック４１０とを準備した。第１ブロック４０１は、鉄で作製された０．３ｇのもの（φ３ｍｍ、基部厚さ３ｍｍ）を準備した。第２ブロック４１０は、銅で作製された約２０ｇのもの（φ２．５ｍｍ）を準備した。   First, the first block 401 and the second block 410 constituting the stem were prepared. As the first block 401, a 0.3 g piece (φ3 mm, base thickness 3 mm) made of iron was prepared. As the second block 410, about 20 g (φ2.5 mm) made of copper was prepared.

また、図６に示すように第１ブロック４０１は第２ブロック４１０の中央部付近に固定されるよう設計されたものを準備した。ステムを構成する第１ブロック４０１には、あらかじめ、ピン４０６が絶縁性のハーメチックシールされ、一部は直接、第１ブロック４０１に固定されているものを用いた。   Further, as shown in FIG. 6, the first block 401 was prepared so as to be fixed near the center of the second block 410. As the first block 401 constituting the stem, a pin 406 having an insulating hermetic seal in advance and a part directly fixed to the first block 401 was used.

また、半導体発光素子４０３には、波長４８０ｎｍの光を発する窒化物半導体レーザ素子を用いた。   The semiconductor light emitting device 403 is a nitride semiconductor laser device that emits light having a wavelength of 480 nm.

そして、接合工程、嵌入工程、および設置工程については、実施例１と同様にして行なった。   Then, the joining process, the fitting process, and the installation process were performed in the same manner as in Example 1.

ここで、本実施例においては、第１ブロック４０１上に、さらに、立上ミラー４０８を備えた。そして、半導体発光素子４０３から出射した光は、９０°折り曲げられて、キャップ４０８の光透過窓４０５より出射するように設計したものを用いた。   Here, in the present embodiment, a rising mirror 408 is further provided on the first block 401. The light emitted from the semiconductor light emitting element 403 was bent 90 ° and designed to be emitted from the light transmission window 405 of the cap 408.

なお、実施例１〜４は、発光素子に半導体レーザを用いたが、これをＬＥＤチップに変更しても、同様の効果が確認された。   In Examples 1 to 4, a semiconductor laser was used as the light-emitting element, but the same effect was confirmed even when this was changed to an LED chip.

今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。   It should be understood that the embodiments and examples disclosed herein are illustrative and non-restrictive in every respect. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.

本発明の製造方法は、半導体レーザ装置、例えば、単体の半導体レーザ装置、複数の半導体レーザチップを備えた半導体レーザ装置、駆動もしくは信号検出等の処理のためのＩＣチップと一体化してパッケージされたオプトエレクトロニクスＩＣ装置、導波路あるいは微小光学素子と一体化してパッケージされた複合光学装置などの製造に応用可能である。本発明の発光装置の製造方法は、ＬＥＤ装置、例えば、単体のＬＥＤ装置、複数のＬＥＤチップを備えたＬＥＤ装置、駆動もしくは信号検出等の処理のためのＩＣチップと一体化してパッケージされたオプトエレクトロニクスＩＣ装置、導波路あるいは微小光学素子と一体化してパッケージされた複合光学装置などの製造に応用可能である。本発明の製造方法によって製造された半導体発光装置は、該装置を備えた光記録システム、光ディスクシステムや、紫外から緑色領域の光源システムなどに応用可能である。 The manufacturing method of the present invention is packaged integrally with a semiconductor laser device, for example, a single semiconductor laser device, a semiconductor laser device having a plurality of semiconductor laser chips, or an IC chip for processing such as driving or signal detection. The present invention can be applied to the manufacture of optoelectronic IC devices, waveguides or composite optical devices packaged integrally with micro optical elements. The light emitting device manufacturing method of the present invention includes an LED device, for example, a single LED device, an LED device having a plurality of LED chips, and an optical package integrated with an IC chip for processing such as driving or signal detection. The present invention can be applied to the manufacture of electronic IC devices, waveguides or composite optical devices packaged integrally with micro optical elements. The semiconductor light-emitting device manufactured by the manufacturing method of the present invention can be applied to an optical recording system, an optical disk system, and a light source system in the ultraviolet to green region.

本発明の第１の実施形態に係る発光装置の製造方法によって製造される発光装置を示す断面図である。 The emission equipment manufactured by the manufacturing method of the light emitting device according to a first embodiment of the present invention is a cross-sectional view illustrating. 図１に示される発光装置の平面図である。 It is a top view of the light-emitting device shown by FIG. 本発明の第２の実施形態に係る発光装置の製造方法によって製造される発光装置を示す断面図である。 The emission equipment manufactured by the manufacturing method of the light emitting device according to a second embodiment of the present invention is a cross-sectional view illustrating. 本発明の第３の実施形態に係る発光装置の製造方法によって製造される発光装置を示す断面図である。 The emission equipment manufactured by the manufacturing method of the light emitting device according to a third embodiment of the present invention is a cross-sectional view illustrating. 図４に示される発光装置の平面図である。 It is a top view of the light-emitting device shown by FIG. 本発明の第４の実施形態に係る発光装置の製造方法によって製造される発光装置を示す断面図である。 The emission equipment manufactured by the manufacturing method of the light emitting device according to a fourth embodiment of the present invention is a cross-sectional view illustrating. 半導体発光素子を備える従来の半導体発光装置の断面図である。It is sectional drawing of the conventional semiconductor light-emitting device provided with a semiconductor light-emitting device.

符号の説明Explanation of symbols

１０１，２０１，３０１，４０１ 第１ブロック、１０２，２０２，３０２，４０２，５０２ サブマウント、１０３，２０３，３０３，４０３，５０３ 半導体発光素子、１０４，２０４，３０４，４０４，５０４ キャップ、１０５，２０５，３０５，４０５，５０５ 光透過窓、１０６，２０６，３０６，４０６，５０６ ピン、１０７，２０７，３０７，４０７，５０７ ガラス、１１０，２１０，３１０，４１０ 第２ブロック、１１１ 孔、４０８ 立上ミラー、５０１ ステム。   101, 201, 301, 401 First block, 102, 202, 302, 402, 502 Submount, 103, 203, 303, 403, 503 Semiconductor light emitting device, 104, 204, 304, 404, 504 Cap, 105, 205 , 305, 405, 505 Light transmission window, 106, 206, 306, 406, 506 pins, 107, 207, 307, 407, 507 Glass, 110, 210, 310, 410 Second block, 111 holes, 408 Standing mirror 501 stem.

Claims (6)

半導体発光素子と、ステムとを備える発光装置の製造方法であって、
前記ステムは、第１ブロックおよび前記第１ブロックが嵌入した第２ブロックを含み、
前記半導体発光素子を、前記第１ブロック上に接合する、接合工程と、
前記半導体発光素子が接合された第１ブロックを前記第２ブロックに側面同士が密着するように嵌めこむ、嵌入工程と、
前記半導体発光素子が接合された第１ブロック上に、または、前記第１ブロックが嵌入された第２ブロック上に、前記半導体発光素子からの発光を外部に取り出すための、ガラスが設けられた光透過窓を有するキャップを設置する設置工程とをこの順に備え、
前記半導体発光素子は気密封止され、
外部の電極と電気的に接続するためのピンが前記第２ブロックに形成されている、発光装置の製造方法。 A method of manufacturing a light emitting device comprising a semiconductor light emitting element and a stem,
The stem includes a first block and a second block into which the first block is inserted,
Bonding the semiconductor light emitting element on the first block; and
Inserting the first block to which the semiconductor light emitting element is bonded into the second block so that the side surfaces are in close contact with each other;
Light provided with glass for extracting light emitted from the semiconductor light emitting element to the outside on the first block to which the semiconductor light emitting element is bonded or on the second block in which the first block is inserted. And an installation process for installing a cap having a transmission window in this order,
The semiconductor light emitting device is hermetically sealed ,
A method of manufacturing a light emitting device, wherein pins for electrically connecting to an external electrode are formed in the second block . 前記嵌入工程は、前記第１ブロックを前記第２ブロックに圧入して行われる請求項１に記載の発光装置の製造方法。 The fitting The method for manufacturing a light emitting device according to claim 1 which is performed by press-fitting the first block to the second block. 前記設置工程は、電気抵抗溶接により行われる請求項１または２に記載の発光装置の製造方法。 The installation The method for manufacturing a light emitting device according to claim 1 or 2 is carried out by electrical resistance welding. 前記半導体発光素子は、窒化物半導体発光素子である請求項１〜３のいずれかに記載の発光装置の製造方法。 The semiconductor light emitting device, the method of manufacturing the light emitting device according to any one of claims 1 to 3 which is a nitride semiconductor light emitting device. 前記半導体発光素子は、青色から紫外領域で発光する請求項１〜４のいずれかに記載の発光装置の製造方法。 The semiconductor light emitting device, the method of manufacturing the light emitting device according to any one of claims 1 to 4, emitting light in ultraviolet region from blue. 前記半導体発光素子は、半導体レーザである請求項１〜５のいずれかに記載の発光装置の製造方法。 The semiconductor light emitting device, the method of manufacturing the light emitting device according to any one of claims 1 to 5 which is a semiconductor laser.
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