JP5177342B2 - セラミックス磁器の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、セラミックス磁器の製造方法に関するものである。

携帯電話機等の高周波回路無線機器においては、高周波回路フィルターとして、例えばトップフィルター、送信用段間フィルター、ローカルフィルター、受信用段間フィルター等として、積層型誘電体フィルターが使用されている。誘電体積層フィルターを製造するためには、誘電体を構成するセラミック粉体の成形体を複数作製し、各成形体に対して、所定の導体ペーストを塗布することによって所定の電極パターンを各成形体に作製する。次いで、各成形体を積層して積層体を得、この積層体を焼成することによって、導体ペースト層と各成形体とを同時に焼成し、緻密化させる。

この際、電極は一般的に銀系導体、銅系導体、ニッケル系導体のような低融点金属の導体を使用しているが、これらの融点は例えば１１００℃以下であり、９３０℃程度まで低下する場合もある。このため、電極を構成する低融点金属よりも低い焼成温度で誘電体を焼結させることが必要である。

ストレー容量を低減し、遅延時間を低減し、内蔵共振器およびコンデンサーの高周波損失を低減するために、低温焼成磁器の誘電率εｒを低くし、かつ品質係数Ｑを増加させることが望まれている。本出願人は、特許文献１において、１０００℃以下の最適焼成温度を有しており、誘電率εｒが１０以下であり、品質係数Ｑが２５００以上である低温焼成磁器を開示した。この磁器はシリカ−アルミナ−酸化バリウム系であり、強度の高いセルシアン相を析出させている。
特開２０００−２１１９６９号公報

また、特許文献２においては、サンボーナイト相、セルシアン相およびクリストバライト相を析出させることで、磁器の焼成時の焼成収縮を制御し、磁器内でのクラック発生を防止している。
特開２００３−１２３７０

特許文献３記載の低温焼成磁器においても、磁器内にガーナイト結晶相、スピネル結晶相、針状のセルシアン結晶相等を析出させ、高強度で、熱伝導率やヤング率が高い低温焼成磁器を開示している。
特開２００３−４０６６８

しかし、電子部品の高周波化および小型化が進行するのにつれて、セラミックス磁器の破壊靱性を一層強化することが求められている。上記したようなセラミックス磁器においても、磁器の破壊靱性の向上には未だ上限があり、他の特性を保持しつつ、更なる磁器の破壊靱性の向上を実現することが求められている。

本発明の課題は、セラミックス磁器の破壊靱性を一層向上させることである。

本発明に係るセラミックス磁器の製造方法は、BaO：9.0〜26.0重量％，TiO ₂ ：30.0〜75.0重量％およびZnO：0.1〜38.0重量％のセラミックス組成を有しているセラミックス原料粉体１００重量部に対して０．５重量部以上、３０重量部以下の六方晶系セルシアン粉体を添加して混合物を得る工程；および
混合物を焼結させてセラミックス磁器を得るのに際して、セラミックス磁器内に単斜晶セルシアンを析出させることを特徴とする。

また、本製造方法によってセラミックス磁器が得られる。

また、本磁器によって電子部品の少なくとも一部を構成できる。

前記した従来技術の磁器でも、磁器の組織内にセルシアン結晶相が析出しており、ある程度の強度向上は見られる。しかし、これらのセルシアン相は、セルシアン原料の添加によって生成したものではなく、特定の組成と製法との組み合わせによって生じたものである。

本発明者は、セラミックス磁器を製造するのに際して、六方晶セルシアンの添加を検討した。具体的には、例えば図１に模式的に示すように、主相の原料を仮焼によって精製させて、粗粉砕した低融点ガラスと混合する段階で、六方晶セルシアン粉体を添加、混合し、焼結させることを試みた。

この結果、六方晶セルシアンを焼結前に添加することによって、BaZn₂Ti₄O₁₁，TiZn₂O₄，TiO_２（rutile），低融点ガラスに加えて、針状結晶である単斜晶セルシアンが析出することを発見した。針状セルシアン結晶は、亀裂伸展を食いとめることができるため、破壊靭性値が向上する。すなわち、図２に模式的に示すように、磁器の組織内で亀裂が伸展するためには、針状結晶が引き抜かれる必要があり、この引き抜きに必要なエネルギーだけ亀裂伸展を抑制できる。

しかし、本発明の製法により得られた磁器の破壊靱性の向上は、従来のセルシアン結晶相が析出した磁器における靱性向上と比べても著しく高いものであった。この理由を検討したところ、以下のことが判明してきた。すなわち、図３（ａ）に模式的に示すように、原料粉体４に対して針状のセルシアン結晶５を添加した場合には、針状結晶５は一種のトゲとして他の結晶粉体４の間に介在し、他の粉体４の焼結の進行を阻害する傾向がある。このように粉体の焼結性が低下するために、針状のセルシアン結晶粉体５を添加しても、図３（ｂ）に示すように、結晶粉体１の焼結が部分的に阻害され、またセルシアン結晶粉体６の長さも短くなる傾向がある。そして、焼結不良部分が発生しやすいため、破壊靱性値は低下する傾向がある。更に、焼結段階で、針状のセルシア結晶は折れ、アスペクト比３以下の結晶６が磁器中に残留しやすいと思われる。

これに対して、図４（ａ）に模式的に示すように、焼結前の磁器原料４に対して六方晶セルシアン結晶粉体７を添加して焼結させた場合には、この粉体７は、他のより量の多い原料粉体の間４の粒界に収容され易く、従って、他のセラミックス粉体４の焼結を妨げることはない。そして、図４（ｂ）に模式的に示すように、結晶粉体４の磁器の焼結が進行するのにつれて、粉体７が針状の単斜晶２に変態していくが、この過程で他の結晶相１の間の細長い粒界に沿って再配列され、密に充填されていくものと思われる。この結果、焼結の不十分な部分が発生するようなことはなく、単斜晶セルシアン結晶相２の強度をもっとも発揮しやすい形態となるものと思われる。

本発明に係るセラミックス磁器の製造方法は、セラミックス粉体に０．５重量％以上、３０重量％以下の六方晶系セルシアン粉体を添加して混合物を得る工程；および
前記混合物を焼結させてセラミックス磁器を得るのに際して、前記セラミックス磁器内に針状の単斜晶セルシアンを析出させる工程を含む。

ここで、磁器の種類およびセラミックス粉体の種類はBaO−TiO ₂ −ZnO系である。

本発明においては、セラミックス原料粉体が、BaO：9.0〜26.0重量％，TiO₂：30.0〜75.0重量％およびZnO：0.1〜38.0重量％のセラミックス組成を有している。このような原料粉体から得られたチタン酸バリウム（亜鉛）系磁器において、単斜晶セルシアンを析出させた磁器は、特に優れた破壊靱性を有することを見いだした。

更に好適な実施形態においては、セラミックス原料粉体が、BaO、TiO₂およびZnOの合計量を100重量部としたとき、更に、Al₂O₃：0.7〜15.0重量部、SiO₂：0.1〜15.0重量部，MnO：0.1〜5.5重量部およびB₂O₃：0.1〜20.0重量部を含有する。

セルシアン結晶相は、高温相が六方晶系であり、低温相が単斜晶系となっている。このため、磁器原料の主相に加えて、六方晶セルシアンにガラス粉体を添加し、比較的低温で焼結させた場合に、低温相の単斜晶が析出し易くなったものとも推定できる。

また、磁器原料粉体および六方晶セルシアン粉体に加えて、ガラス粉体を添加することが好ましい。この場合、ガラス粉体としては、以下を例示できる。
ZnO-SiO₂-B₂O₃、SiO₂-B₂O₃、BaO-Al₂O₃-SiO₂-B₂O₃、BaO-Bi₂O₃-B₂O₃、Li₂O-R₂O₃-SiO₂-B₂O₃、Li₂O-RO-SiO₂-B₂O₃ (Rはアルカリ土類金属）

本発明の製法では、セラミックス粉体に０．５重量部以上、３０重量部以下の六方晶系セルシアン粉体を添加する。セルシアン粉体の重量比率は、原料粉体の合計量を１００重量部として計算する。ここで、六方晶系セルシアン粉体の比率を０．５重量部以上とすることによって、磁器中での単斜晶セルシアン結晶の析出を促進でき、これによって磁器の破壊靱性を更に向上させることができる。この観点からは、六方晶系セルシアン粉体の添加量は、２．０重量部以上とすることが更に好ましい。

また、六方晶系セルシアン粉体の添加量が３０重量部を超えると、焼結性が低下し、磁器中の欠陥が増加する。このため、六方晶系セルシアン粉体の添加量は３０重量部以下とする。この観点からは、この添加量は、２５重量部以下とすることが更に好ましい。

六方晶セルシアン粉体は、磁器を構成する各金属原料の混合物に対して添加することができる。あるいは、六方晶セルシアン粉体以外の各酸化物を混合し、仮焼して仮焼物を作製し、仮焼物を粉砕して仮焼粉体を得、仮焼粉体に対して六方晶セルシアン粉体およびガラス粉体を添加して混合し、この混合物を焼結させることができる。

セルシアン粉体の添加時には、更に、磁器の製造時に通常使用されるような添加剤を添加することができる。このような添加剤としては、部分安定化ジルコニア、アルミナを例示できる。

磁器中に析出する針状セルシアン結晶相の長さは限定されないが、通常、１．６〜３．０μｍである。また、このセルシアン結晶相の直径は通常０．１〜０．８μｍであり、アスペクト比は通常２．０〜３０である。

また、本発明のセラミックス磁器においては、BaOの比率を9.0〜26.0重量％とすることによって、磁器の気孔率が著しく低くなり、破壊靱性が向上し、また強誘電体層の析出が抑制される。

TiO₂の比率を30.0〜75.0重量％とすることによって、磁器の気孔率が著しく低くなり、破壊靱性が向上し、クラックが抑制される。

ZnOの比率を0.1〜38.0重量％とすることによって、磁器の気孔率が著しく低くなり、壊靱性が向上し、クラックが抑制される。

本発明において好適なセラミックス組成においては、更にAl₂O₃の比率を0.7〜15.0重量部とすることができる。ただし、BaO、TiO₂およびZnOの合計量を１００重量部とする。このようにAl₂O₃を添加することによって、磁器の焼結性を制御できる。

本発明において好適なセラミックス組成では、更にSiO₂の比率を0.1〜15.0重量％とすることができる。ただし、BaO、TiO₂およびZnOの合計量を１００重量部とする。このようにSiO₂を添加することによって、磁器の焼結性を制御できる。

本発明において好適なセラミックス組成では、更にMnOの比率を0.1〜5.5重量％とすることができる。ただし、BaOおよびZnOの合計量を１００重量部とする。このようにMnO を添加することによって、磁器の焼結性を制御できる。

本発明において好適なセラミックス組成では、更にB₂O₃の比率を0.1〜20.0重量％とすることができる。ただし、BaO、TiO₂およびZnOの合計量を１００重量部とする。このようにB₂O₃を添加することによって、磁器の焼結性を制御できる。

本発明において、Ｘ線回折チャートおよびピーク強度は、以下の条件で測定する。
Ｘ線回折装置名： RIGAKU製「Ｍｕｌｔｉ Ｆｌｅｘ」
管球：Cu管電圧： 50kV管電流：30mA モノクロメーター：入射側Ｇｅ発散スリット：1/2deg散乱スリット：1/2deg受光スリット：0.15ｍｍステップ：0.02deg計数時間：２．０sec

本発明の磁器は、各金属原料中に含まれる不可避的不純物は含有されていてよい。また、上記成分以外の酸化物や金属成分を含有していてよい。こうした酸化物や金属成分としては、例えば、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、Ｙ_２Ｏ_３、Ｖ_２Ｏ_５、ＣｏＯ、ＮｉＯ、Ｎｄ_２Ｏ_３、Ｓｍ_２Ｏ_３、Ｌａ_２Ｏ_３、ＣｕＯ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄがある。

本発明の対象となる電子部品は特に限定されないが、例えば積層誘電体フィルター、多層配線基板、誘電体アンテナ、誘電体カプラー、誘電体複合モジュールを例示できる。

本発明の電子部品においては、セラミックス磁器が電子部品の他部品に対して接合されていることが好ましい。他部品が限定されないが、好ましくは誘電体層、磁性体層、圧電体層または金属電極である。

電子部品において使用できる金属電極は限定されないが、銀電極、銅電極、ニッケル電極、またはこれらの合金あるいはこれらの混合物からなる電極が好ましく、銀、銀合金、銀とその他の金属との混合物からなる電極が更に好ましく、銀電極が特に好ましい。

また金属電極上には、メッキ層および／または半田層を設けることができる。メッキ層の成分としては、Ｎｉ、Ｓｎを例示できる。半田層の成分としては、Ｓｎ−Ｐｂ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｓｂ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ａｇ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｉｎ,Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｓｂ−Ａｇ−Ｃｕ、Ｓｎを例示できる。

本発明の電子部品においては、本発明の低温焼成磁器を、誘電率εｒが１０−１５０の他の低温焼成磁器と一体化することができる。

こうした磁器の組成系は限定されないが、以下の組成系が好ましい。
ＢａＯ−ＴｉＯ_２−ＺｎＯ−ＳｉＯ_２−Ｂ_２Ｏ_３： ＢａＯ−ＴｉＯ_２−Ｂｉ_２Ｏ_３−Ｎｄ_２Ｏ_３−ＺｎＯ−ＳｉＯ_２−Ｂ_２Ｏ_３： ＢａＯ−ＴｉＯ_２−Ｂｉ_２Ｏ_３−Ｌａ_２Ｏ_３−Ｓｍ_２Ｏ_３−ＺｎＯ−ＳｉＯ_２−Ｂ_２Ｏ_３： ＭｇＯ−ＣａＯ−ＴｉＯ_２−ＺｎＯ−Ａｌ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２−Ｂ_２Ｏ_３

磁性体層を構成する磁性体は、以下のものを例示できる。
ＭｎＯ−ＺｎＯ−Ｆｅ_２Ｏ_３−ＣｕＯ： ＭｎＯ−ＺｎＯ−Ｆｅ_２Ｏ_３−ＣｕＯ−ＳｉＯ₂： ＭｎＯ−ＺｎＯ−Ｆｅ_２Ｏ_３−ＣｕＯ−Ｔａ_２Ｏ₅：
ＭｎＯ−ＺｎＯ−Ｆｅ_２Ｏ_３−ＣｕＯ−ＳｉＯ_２−Ｔａ_２Ｏ_５： ＮｉＯ−ＺｎＯ−Ｆｅ_２Ｏ_３： ＭｎＯ−ＺｎＯ−Ｆｅ_２Ｏ_３： ＭｎＯ−ＺｎＯ−Ｆｅ_２Ｏ_３−Ｂｉ_２Ｏ_３−ＭｏＯ_３：ＮｉＯ−ＣｕＯ−ＺｎＯ

圧電体層を構成する圧電体は、以下のものを例示できる。
ＰｂＯ−ＺｒＯ_２−ＴｉＯ_２： ＰｂＯ−ＺｒＯ_２−ＴｉＯ_２−Ｓｂ_２Ｏ_３： Ｋ_２Ｏ−Ｎａ_２Ｏ−Ｌｉ_２Ｏ−Ｎｂ_２Ｏ_５−Ｔａ_２Ｏ_５−Ｂｉ_２Ｏ_３： ＰｂＯ−ＣｏＯ−Ｎｂ_２Ｏ_３−ＺｒＯ_２−ＴｉＯ_２： ＰｂＯ−ＭｇＯ−Ｎｂ_２Ｏ_３−Ｙｂ_２Ｏ_３−ＴｉＯ_２−ＺｒＯ_２： ＢａＯ−ＴｉＯ_２

本発明の低温焼成磁器を製造する際には、好ましくは、各金属成分の原料を所定比率で混合して混合粉体を得、混合粉体を８５０−１２００℃で仮焼し、仮焼体を粉砕し、セラミック粉体を得る。そして、好ましくは、セラミック粉体と、低融点ガラス粉体と、六方晶セルシアン粉体とを使用して、グリーンシートを作製し、グリーンシートを８５０−９３０℃で焼成する。各金属成分の原料としては、各金属の酸化物、硝酸塩、炭酸塩、硫酸塩などを使用できる。

（試験番号１〜１０）
（セラミック粉体の製造）
炭酸バリウム、酸化チタンおよび酸化亜鉛の各粉体を、表１に示す所定組成となるように秤量した。ただし、アルミナ、酸化マンガンの各粉体を、それぞれ、０．５重量部、０．８重量部となるように秤量し、添加した。これら混合物を湿式混合し、この混合粉体を１２５０℃で仮焼し、仮焼体を得た。仮焼物の結晶相とその結晶性を調べるために、粉体Ｘ線回折測定を行ったところ、以下の結晶相が得られた。
ＢａＺｎ_２．０３Ｔｉ_３．９３Ｏ_{１０．８９}相（ICSD Ｎｏ．81-2380）
ＴｉＺｎ_２Ｏ_４相 （ICSD Ｎｏ．77-0014）
ＴｉＯ_２（ルチル）相 （ICSD Ｎｏ．73-1765）

次いで、この仮焼粉体を、ボールミルにて、所定粒度まで粉砕し、粉体を乾燥し、セラミック原料粉体を得た。

（ガラス粉体の製造）
ＳｉＯ₂、ＺｎＯ、Ｂ₂Ｏ₃の各粉体を秤量し、乾式混合し、混合粉体を白金ルツボ中で溶融させ、溶融物を水中に投下して急速冷却し、塊状のガラスを得る。このガラスを湿式粉砕し、低融点ガラス粉体を得る。

（六方晶セルシアン粉体の製造）
炭酸バリウム、アルミナおよび酸化珪素の各粉体を、セルシアンの組成比率に合わせて湿式混合し、１３５０℃で仮焼し、六方晶セルシアン仮焼物を得た。これを粗粉砕し、仮焼粉体を得た。得られた仮焼粉体のＸ線回折パターンは、六方晶セルシアンに一致した。

（焼結）
前記したセラミックス原料粉体、ガラス粉体および六方晶セルシアン粉体を一緒に微粉砕した。一方、有機溶剤、バインダー、可塑剤および分散剤を混合し、微粉砕された混合粉体へと添加し、アルミナポット、アルミナボールを使用して混合し、スラリーを得、スラリーを乾燥して造粒粉体を得た。得られた造粒粉体を金型プレスにて所定の形状に成形し、９２０℃にて焼成し、焼結体磁器を得た。

（開気孔率の測定）
得られた焼結体の開気孔率をアルキメデス法によって測定した。

（Ｘ線回折ピークの測定）
各磁器試料について、Ｘ線回折ピークを前述の条件にて測定した。この結果、以下の結晶相を確認した。

（破壊靱性値）
前記したセラミック粉体、ガラス粉体および六方晶セルシアン粉体を、有機バインダー、可塑剤、分散剤および有機溶剤と共に、アルミナポット、アルミナボールを使用して湿式混合し、グリーンシート成形用スラリーを得た。このスラリーを用いてドクターブレード装置によって、厚み０．０３〜２ｍｍの各グリーンシートを成形した。各グリーンシートを所定枚数積層してＣＩＰ法によって積層体を得、ダイサーにて１１ｍｍ×８ｍｍ×３ｍｍの形状に切断し、９２０℃で焼成することによって、焼結体を得た。次いで、焼結体を洗浄し、ニッケル中で電解メッキを行い、次いでスズ中性浴中で電解メッキを行い、得られた試料を洗浄した。この試料について、ＪＩＳ−Ｒ−１６０７ 圧子圧入法（ＩＦ法）に従って破壊靱性値を測定した。

（クラック発生数）
上記したと同様にして、厚み0.03〜2mmの各グリーンシートを成形した。各グリーンシートにモデルパターンとして図５（ａ）、（ｂ）の共振器電極パターン１１をAg-Pt（Pt1重量％）ペーストにてスクリーン印刷し、各グリーンシート１０、１２を、図５（ｂ）の積層構造となるように所定枚数積層してCIP法によって積層体を得、焼成後寸法が3.2×2.5×1.8mmとなるようにダイサーにて切断し、外装電極印刷後、９２０℃で焼結させた。得られた焼結体を次の熱衝撃および高湿度条件に暴露し、次いで超音波探傷法によってクラックの有無を評価した。クラックの有無の確認は、超音波探傷装置（日立建機株式会社製「マイスコープ」）でクラックの部分からの超音波エコー反射の画像データにより判断した。それぞれ１０００個の試料について測定し、不良品の発生個数を表に示す。
（熱衝撃条件）
−５５℃〜＋１２５℃を１サイクルとし、１サイクルを１時間とし、３３サイクル実施した。
（高湿度条件）
８５℃、８５％ＲＨ ２４０時間

六方晶セルシアンの添加量が３０重量部以下であると、クラックの発生率が低くなり、破壊靱性値も上昇する。本発明の範囲内では、破壊靱性値が高く、クラックもほとんど発生しない。

また、試験番号２〜９の各例の試料について、前記のＸ線回折試験を行ったところ、以下の結晶相を確認した。
ＢａＺｎ_２Ｔｉ_４Ｏ_１１相（ICSD Ｎｏ．81-2380）
ＴｉＺｎ_２Ｏ_４相 （ICSD Ｎｏ．77-0014）
ＴｉＯ_２（ルチル）相 （ICSD Ｎｏ．73-1765）
単斜晶セルシアン相（ICSD Ｎｏ．74-1677）

図６は、六方晶セルシアン粉体無添加の場合の磁器と、六方晶セルシアン粉体添加（１０．０重量部）の磁器についてのＸ線回折チャートである。六方晶セルシアン粉体を添加して得られた磁器からは、単斜晶セルシアンの回折ピークが確認された。

また、図７は、六方晶セルシアン粉体添加（１０．０重量部）の磁器についての写真である。針状の結晶相が粒界に沿って多数析出していることがわかる。例えば４箇所の針状結晶について確認したところ、長さ、直系、アスペクト比は以下のとおりであった。
長さ ２．１μｍ 直径 ０．４μｍ アスペクト比 ５．３
長さ １．４μｍ 直径 ０．４μｍ アスペクト比 ３．５
長さ １．６μｍ 直径 ０．４μｍ アスペクト比 ４．０
長さ １．３μｍ 直径 ０．４μｍ アスペクト比 ３．３

（試験番号１１〜１８）
試験番号１〜１０と同様にして，表２に示す各磁器を製造した。この結果、セラミックス原料粉体に３０重量部以下の六方晶セルシアンを添加し、磁器中に単斜晶セルシアンを析出させた場合には、破壊靱性値が著しく向上し、クラックが防止されることがわかった。ただし、酸化バリウムが３０重量部を超えると、磁器に強誘電体が生成していた。

（試験番号１９〜２８）
試験番号１〜１０と同様にして，表３に示す各磁器を製造した。この結果、セラミックス原料粉体に３０重量部以下の六方晶セルシアンを添加し、磁器中に単斜晶セルシアンを析出させた場合には、破壊靱性値が著しく向上し、クラックが防止されることがわかった。

（試験番号２９〜３７）
試験番号１〜１０と同様にして，表４に示す各磁器を製造した。この結果、セラミックス原料粉体に３０重量部以下の六方晶セルシアンを添加し、磁器中に単斜晶セルシアンを析出させた場合には、破壊靱性値が著しく向上し、クラックが防止されることがわかった。

（試験番号３８〜４５）
試験番号１〜１０と同様にして，表５に示す各磁器を製造した。この結果、セラミックス原料粉体に３０重量部以下の六方晶セルシアンを添加し、磁器中に単斜晶セルシアンを析出させた場合には、破壊靱性値が著しく向上し、クラックが防止されることがわかった。

本発明の実施形態に係る製造方法のフローチャートを示す。 本発明によって得られた磁器の微構造を示す。 （ａ）は、比較例における焼結前の原料混合物を示す模式図であり、（ｂ）は、（ａ）の混合物の焼結後の状態を示す模式図である。 （ａ）は、本発明における焼結前の原料混合物を示す模式図であり、（ｂ）は、（ａ）の混合物の焼結後の状態を示す模式図である。 （ａ）は、実施例で作製した素子のグリーンシート上の共振器パターンを示す平面図であり、（ｂ）は、この素子の概略断面図である。 磁器のＸ線回折チャートである。 本発明によって得られた磁器の電子顕微鏡写真である。

符号の説明

１ 主結晶 ２ 単斜晶セルシアン結晶相 ４ セラミックス原料粉体 ５ 針状のセルシアン粉体 ７ 六方晶セルシアン粉体

Claims (4)

1. BaO：9.0〜26.0重量％，TiO ₂ ：30.0〜75.0重量％およびZnO：0.1〜38.0重量％のセラミックス組成を有しているセラミックス原料粉体１００重量部に対して０．５重量部以上、３０重量部以下の六方晶系セルシアン粉体を添加して混合物を得る工程；および
   前記混合物を焼結させてセラミックス磁器を得るのに際して、前記セラミックス磁器内に単斜晶セルシアンを析出させることを特徴とする、セラミックス磁器の製造方法。
2. 前記セラミックス原料粉体が、BaO、TiO₂およびZnOの合計量を100重量部としたとき、更にAl₂O₃：0.7〜15.0重量部、SiO₂：0.1〜15.0重量部，MnO：0.1〜5.5重量部およびB₂O₃：0.1〜20.0重量部を含有していることを特徴とする、請求項１記載のセラミックス磁器の製造方法。
3. 前記混合物に対して焼結助剤を添加することを特徴とする、請求項１または２記載のセラミックス磁器の製造方法。
4. 前記焼結時の温度が850℃以上、930℃以下であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一つの請求項に記載のセラミックス磁器の製造方法
   

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