JP5166708B2 - 光電変換材料および半導体電極 - Google Patents
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Description
中間体Aの合成
1,2−ビス(2−アミノエトキシ)エタン4.8g、トリエチルアミン6.6g、エタノール100mlを混合し、氷水浴冷却、攪拌下に、二硫化炭素4.9gを15分間で滴下した。そのまま同温にて1時間攪拌し、ついでモノクロロ酢酸6.1gを加え、さらに浴温を上昇させて、5時間加熱還流した。反応液を室温に戻した後、上澄液をデカンテーションにより除去し、残った褐色油状物を酢酸エチル75mlに溶解した。そしてこの酢酸エチル溶液を、水、飽和食塩水の順に洗浄し(各100ml×1回)、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧留去して、8.1gの中間体Aを得た。
中間体A8.0g、エチルイソチオシアナトアセタート6.1g、N,N−ジメチルホルムアミド50mlを混合し、氷水浴冷却、攪拌下に、1,8−ジアザビシクロ−7−ウンデセン6.4gを10分間で滴下した。そのまま同温にて1時間攪拌し、ついでブロモ酢酸エチル7.0gを加え、さらに浴温を上昇させて、浴温120℃にて2時間加熱攪拌を行った。ついで溶媒を減圧留去し、残渣の油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒クロロホルム/メタノール=40/1)により精製して2.5gの中間体Bを得た。
中間体B1.2g、酢酸30ml、濃塩酸15mlを混合し、浴温120℃にて3時間加熱攪拌を行った。ついで溶媒を減圧留去し、残渣に2−プロパノール20mlを加えて室温下で攪拌した。1時間後、結晶化した固体を濾取し、2−プロパノール、水、アセトンの順に洗浄後乾燥して、0.6gの中間体Cを得た。
中間体C0.20g、下記中間体D0.28g、酢酸アンモニウム0.05g、酢酸50mlを混合し、10時間加熱還流を行った。室温まで冷却後、析出した固体を濾取し、酢酸、メタノールの順に洗浄後乾燥して、0.35gの粗生成物を得た。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒クロロホルム/メタノール=10/1)で精製して、0.15gの例示化合物B−2を得た。
吸収極大(DMF):534nm、融点:247℃〜(分解)
Claims (2)
- 下記一般式(1)、(2)、(3)で示される化合物の少なくとも1種を用いることを特徴とする光電変換材料。
- 表面に導電性を有する基板と、その導電性表面上に被覆された半導体層と、その半導体層の表面に吸着した色素からなる半導体電極において、色素として請求項1に記載された一般式(1)、(2)、(3)で示される化合物を少なくとも1種以上用いることを特徴とする半導体電極。
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