JP5162385B2 - 荷電粒子ビーム描画装置におけるレーザー測長計の光軸調整方法 - Google Patents

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Description

本発明は、互いに直交するX方向及びY方向に移動自在なステージと、ステージ上に載置した試料に電子ビームやイオンビーム等の荷電粒子ビームを照射するビーム照射手段とを備える荷電粒子ビーム描画装置にステージの位置を測定するために設けるレーザー測長計の光軸調整方法に関する。
荷電粒子ビーム描画装置において、試料にパターンを描画する場合、荷電粒子ビームを偏向して描画できる範囲が限られるため、荷電粒子ビームの偏向とステージのX方向及びY方向の移動とを組み合わせて試料全体に描画を施すようにしている。この場合、ステージの移動制御のために、ステージのX方向及びY方向の位置を測定することが必要になる。そこで、荷電粒子ビーム描画装置は、ステージに固定したX方向の法線を持つ第1ステージミラーへのレーザー光の入反射でステージのX方向位置を測定する第1レーザー測長計と、ステージに固定したY方向の法線を持つ第2ステージミラーへのレーザー光の入反射でステージのY方向位置を測定する第2レーザー測長計とを備えている。
ここで、第1と第2の各レーザー測長計のレーザー光の光軸が荷電粒子ビームのビーム中心に交差していない場合、ステージ移動に伴うステージのヨーイングによって測定エラーが発生する。最近は描画精度に対する要求が厳しくなっており、各レーザー測長計のレーザー光の光軸位置を、光軸が荷電粒子ビームのビーム中心に交差するように調整することが必要になる。
従来、そのための光軸調整方法として、特許文献1記載のものが知られている。この方法では、第1と第2の各ステージミラーに開口部を有する反射防止板を取り付けて、先ず、各反射防止板の開口部の位置とビーム中心位置とのずれ量を測定する。次に、ステージをY方向に移動させ、第1ステージミラーに取り付けた反射防止板の開口部を介して第1レーザー測長計のレーザー光が第1ステージミラーに入反射されたときの受光量の変化に基づいて、第1レーザー測長計のレーザー光の光軸と第1ステージミラーに取り付けた反射防止板の開口部とのY方向の相対位置関係を測定し、先に測定した開口部の位置とビーム中心位置とのずれ量を考慮して、第1レーザー測長計のレーザー光の光軸位置を、光軸がビーム中心位置に交差するように調整する。更に、ステージをX方向に移動させ、第2ステージミラーに取り付けた反射防止板の開口部を介して第2レーザー測長計のレーザー光が第2ステージミラーに入反射されたときの受光量の変化に基づいて、第2レーザー測長計のレーザー光の光軸と第2ステージミラーに取り付けた反射防止板の開口部とのX方向の相対位置関係を測定し、先に測定した開口部の位置とビーム中心位置とのずれ量を考慮して、第2レーザー測長計のレーザー光の光軸位置を、光軸がビーム中心位置に交差するように調整する。
特開2001−322053号公報
上記従来例の光軸調整方法では、ステージをX、Yの各方向に移動させて、各レーザー測長計のレーザー光の光軸と各反射防止板の開口部との相対位置関係を測定する工程に加えて、各反射防止板の開口部の位置とビーム中心位置とのずれ量を測定する工程が必要になり、光軸調整に時間がかかる不具合がある。
本発明は、以上の点に鑑み、光軸調整を能率良く行うことができるようにした荷電粒子ビーム描画装置におけるレーザー測長計の光軸調整方法を提供することをその目的としている。
本発明の第1の態様は、互いに直交するX方向及びY方向に移動自在なステージと、ステージ上に載置した試料に荷電粒子ビームを照射するビーム照射手段と、ステージに固定したX方向の法線を持つ第1ステージミラーへのレーザー光の入反射でステージのX方向位置を測定する第1レーザー測長計と、ステージに固定したY方向の法線を持つ第2ステージミラーへのレーザー光の入反射でステージのY方向位置を測定する第2レーザー測長計とを備える荷電粒子ビーム描画装置の第1と第2の各レーザー測長計のレーザー光の光軸位置を、光軸が荷電粒子ビームのビーム中心に交差するように調整する方法において、ステージにX方向及びY方向に位置決めして固定可能な調整用治具であって、ステージ上に張り出す治具部分に形成した、所定位置のポイントを示すマーカー部と、第1ステージミラーを覆う治具部分に形成した、マーカー部で示されるポイントを通るX方向の線上に第1レーザー測長計のレーザー光の光軸が位置したときにこのレーザー光が入射される第1光軸ターゲット部と、第2ステージミラーを覆う治具部分に形成した、マーカー部で示されるポイントを通るY方向の線上に第2レーザー測長計のレーザー光の光軸が位置したときにこのレーザー光が入射される第2光軸ターゲット部とを有するものを用い、ステージに調整用治具を固定して、マーカー部で示されるポイントの位置が荷電粒子ビームのビーム中心に合致する位置になるようにステージをX方向及びY方向に位置調整するステージ位置調整工程と、第1と第2の各レーザー測長計のレーザー光が第1と第2の各光軸ターゲット部に入射されるように第1と第2の各レーザー測長計のレーザー光の光軸位置を調整する光軸調整工程とを順に実行することを特徴とする。
本発明の第2の態様は、前記ステージ位置調整工程では、顕微鏡を、前記ステージを収納するチャンバーの天井部に形成した前記ビーム照射手段の取付穴に、前記ビーム中心に合致する位置に顕微鏡の光軸が位置するように配置し、前記マーカー部で示される前記ポイントの位置が顕微鏡の光軸に合致する位置になるようにステージをX方向及びY方向に位置調整することを特徴とする。
本発明の第3の態様は、前記第1と第2の各光軸ターゲット部は、前記ステージ上に載置する試料と同一高さ位置に形成されていることを特徴とする。
本発明の第4の態様は、前記マーカー部は、前記ポイントからX方向とY方向にのびる2つのエッジ部で構成されることを特徴とする。
本発明の第5の態様は、前記ステージ上に張り出す前記治具部分に、ステージの上面に着座する着座部が形成されていることを特徴とする。
本発明の第1の態様によれば、調整治具に、マーカー部と、マーカー部で示されるポイントを通るX、Yの各方向の線上に位置する第1と第2の各光軸ターゲット部とが形成されているため、マーカー部で示されるポイントの位置がビーム中心に合致する位置になるようにステージを位置調整すれば、ビーム中心に交差するX、Yの各方向の線上に第1と第2の各光軸ターゲット部が位置することになる。従って、第1と第2の各レーザー測長計のレーザー光が第1と第2の各光軸ターゲット部に入射されるように光軸位置を調整するだけで、各レーザー測長計のレーザー光の光軸がビーム中心に交差する。その結果、各レーザー測長計の光軸調整を能率良く行うことができる。
本発明の第2の態様によれば、顕微鏡でマーカー部を視準することにより、マーカー部で示されるポイントの位置がビーム中心に合致する位置になるようにステージを正確に位置調整できる。
本発明の第3の態様によれば、各レーザー測長計のレーザー光の光軸を試料と同一高さに位置するように調整でき、ステージ移動に伴うピッチングやローリングによる測定エラーの発生を防止できる。
本発明の第4の態様によれば、X、Yの各方向にのびるエッジ部がポイントのX、Yの各方向の位置を示す幅を持たない指示線となって、ポイントが大きさを持たない点として特定され、ステージを正確に位置調整できるようになる。
本発明の第5の態様によれば、調整治具がステージの上面に着座して安定し、マーカー部のぐらつきが防止されて、ステージを正確に位置調整できるようになる。
図1、図2は電子ビーム描画装置を示している。この描画装置は、真空引きされるチャンバー1を備えており、チャンバー1内に、マスク等の試料Wを載置するステージ2と、ステージ2を互いに直交するX方向及びY方向に移動させる移動機構3とが配置されている。
移動機構3は、台座31上に設けられた、図外の駆動機構によりX方向に駆動されるXテーブル32と、Xテーブル32上に設けられた、図外の駆動機構によりY方向に駆動されるYテーブル33とで構成される。そして、Yテーブル33上に、これに立設した複数本(例えば3本)の支持ピン34を介してステージ2を支持している。
ステージ2の上面には複数本(例えば3本)の支持ピン21が立設されており、これら支持ピン21の上に試料Wが載置される。ステージ2の上面には、更に、描画を行う際の基準位置を決定する基準マーク22が固定されている。また、ステージ2のX方向一方に位置する辺には、X方向の法線を持つ第1ステージミラー23が固定され、ステージ2のY方向一方に位置する辺には、Y方向の法線を持つ第2ステージミラー23が固定されている。
チャンバー1の天井部11には取付穴12が形成されており、この取付穴12上にビーム照射手段4が配置されている。ビーム照射手段4は、電子銃41、各種レンズ42、ブランキング用偏向器43、ビーム寸法可変用偏向器44、ビーム走査用の主偏向器45、ビーム走査用の副偏向器46及び2個のビーム成形用アパーチャ47、48を有する。ビーム寸法可変用偏向器44とビーム成形用アパーチャ47、48は、ビーム形状を可変制御する役割を果たす。
電子ビームによる描画に際しては、ステージ2をX方向とY方向との一方、例えばX方向に連続移動させながら、主偏向器45による電子ビームの偏向幅に応じて短冊状に区分されたフレーム領域の描画処理を行う。次に、ステージ2をY方向にステップ移動させてからX方向に連続移動させて、隣接するフレーム領域の描画処理を行う。これを繰り返すことにより、試料W全体に描画する。尚、各フレーム領域は行列状の多数のサブフィールド領域に分割される。そして、フレーム領域の描画処理に際しては、主偏向器45により電子ビームを各サブフィールド領域に位置決めし、副偏向器46により電子ビームを各サブフィールド領域内で走査して各サブフィールド領域の描画を行う。
電子ビーム描画装置は、ステージ2の移動制御のために、第1ステージミラー23へのレーザー光の入反射でステージ2のX方向位置を測定する第1レーザー測長計5と、第2ステージミラー23へのレーザー光の入反射でステージ2のY方向位置を測定する第2レーザー測長計5とを備えている。
第1と第2の各レーザー測長計5,5は、レーザーヘッド51と、2つのビームベンダ52,53と、干渉計54と、レシーバ55とを備えている。レーザーヘッド51から照射されたレーザー光は、2つのビームベンダ52,53を介して対応するステージミラー23,23に入射され、ステージミラー23,23で反射したレーザー光が干渉計54を介してレシーバ55で受光される。レシーバ55は、光の周波数変化を電気信号に変換して出力し、この出力によってステージ2のX、Y各方向の位置が測定される。尚、本実施形態では、測長の分解能を向上させるため、レーザー光が干渉計54と各ステージミラー23,23との間で互いに離隔した2つの光路56,57上を往復するようになっている。この場合、2つの光路56,57の中間にレーザー光の光軸5aが位置することになる。
ビームベンダ52,53の位置は微調整できるようになっている。そして、ビームベンダ52,53の位置調整によりレーザー光の光軸5aの位置を調整できるようにしている。
ここで、ステージ2の移動に伴うヨーイングで測定エラーを生じないようにするには、第1と第2の各レーザー測長計5,5のレーザー光の光軸5aの位置を、図2に示す如く、光軸5aが電子ビームのビーム中心Oに交差するように調整することが必要になる。尚、ここで言うビーム中心Oは、主偏向器45及び副偏向器46で電子ビームを偏向させない状態での電子ビームの中心を意味する。そして、ビーム照射手段4の取付穴12の中心がビーム中心に合致する位置になる。
図3は、光軸調整に際して使用する調整治具6を示している。この調整治具6は、金属、セラミックス、ガラス等で形成されるもので、ステージ2上に張り出す平面視L字状の治具部分61と、治具部分61のX、Y各方向の端部から垂下して、第1と第2の各ステージミラー23,23の一部を覆う治具部分62,62とを有している。そして、治具部分62,62の下部の肉厚部に固定孔63を形成し、固定孔63に挿入するボルト(図示せず)により、肉厚部を各ステージミラー23,23の下部に当接させた状態で、調整治具6をステージ2にX方向及びY方向に位置決めして固定できるようにしている。尚、治具部分62,62の下部以外の部分は、ステージミラー23,23の傷付きを防止するため、ステージミラー23,23から浮いている。
ステージ2上に張り出す治具部分61には、所定位置のポイント64aを示すマーカー部64が形成されている。ここで、マーカー部64は、ポイント64aで交わる十字状の刻線で構成することも可能であるが、刻線は幅を持つためポイント64aを一点(大きさを持たない点)に特定できなくなる。そこで、本実施形態では、治具部分61の上面から1段低くした部分に、ポイント64aからX方向とY方向にのびる、水平面とこれに垂直な面との交線から成る2つのエッジ部64b、64cを形成し、このエッジ部64b、64cでマーカー部64を構成している。エッジ部64b、64cは、ポイント64aのX、Y各方向の位置を示す幅を持たない指示線となり、ポイント64aが大きさを持たない点として特定される。尚、ポイント64aとなる部分は加工の都合上切り欠かれている。
また、ステージ2上に張り出す治具部分61には、マーカー部64の下側でステージ2の上面に着座する着座部65が形成されている。これにより調整治具6がステージ2上に安定して支持され、マーカー部64のぐらつきが防止される。
第1ステージミラー23を覆う治具部分62には、マーカー部64で示されるポイント64aを通るX方向の線上に第1レーザー測長計5のレーザー光の光軸5aが位置したときにこのレーザー光が入射される第1光軸ターゲット部66が形成され、第2ステージミラー23を覆う治具部分62には、マーカー部64で示されるポイント64aを通るY方向の線上に第2レーザー測長計5のレーザー光の光軸5aが位置したときにこのレーザー光が入射される第2光軸ターゲット部66が形成されている。また、第1と第2の各光軸ターゲット部66,66は、ステージ2上に載置する試料Wと同一高さ位置に形成されている。
尚、本実施形態では、第1と第2の各レーザー測長計5,5のレーザー光が干渉計54と各ステージミラー23,23との間で互いに離隔した2つの光路56,57上を2往復するため、第1と第2の各光軸ターゲット部66,66を、光路56上のレーザー光と光路57上のレーザー光とが入射される2つの透孔で構成し、レーザー光が透孔を介してステージミラー23,23に入反射されるようにしている。
以下、図4、図5を参照して、第1と第2の各レーザー測長計5,5の光軸調整方法について説明する。光軸調整に際しては、ビーム照射手段4を取り外して、ステージ2に調整治具6を上記の如くX方向及びY方向に位置決めして固定する。また、ビーム照射手段4の取付穴12に顕微鏡7を固定坂8を用いて配置する。この際、電子ビームのビーム中心に合致する位置、即ち、取付穴12の中心に合致する位置に顕微鏡7の光軸7aを位置させる。
次に、顕微鏡7で調整治具6のマーカー部64を視準し、マーカー部64で示されるポイント64aが顕微鏡7の光軸に合致する位置になるようにステージ2をX方向及びY方向に位置調整する(ステージ位置調整工程)。ここで、マーカー部64は、上記の如くポイント64aからX方向とY方向にのびるエッジ部64b、64cで構成されるため、ポイント64aを大きさを持たない点として特定でき、更に、マーカー部64のぐらつきが着座部65で防止されるため、ステージ2の位置調整を正確に行うことができる。
次に、第1レーザー測長計5のレーザー光の調整治具6に対する入射ポイントを目視確認しつつ、レーザー光が第1光軸ターゲット部66に入射されるように第1レーザー測長計5の光軸5aの位置を調整する (第1レーザー測長計5の光軸調整工程)。同様に、第2レーザー測長計5のレーザー光が第2光軸ターゲット部66に入射されるように第2レーザー測長計5の光軸5aの位置を調整する(第2レーザー測長計5の光軸調整工程)。
尚、透孔から成る各光軸ターゲット部66,66にレーザー光が入射されると、レーザー光が各ステージミラー23,23に到達する。レーザー光が各ステージミラー23,23に到達しなければ、各レーザー測長計5,5の出力はゼロになる。また、レーザー光が各光軸ターゲット部66,66で一部遮られれば、各レーザー測長計5,5の出力はその分、減少する。従って、各レーザー測長計5,5の出力変化に基づいて、レーザー光が各光軸ターゲット部66,66に入射されたか否かを自動的に判別することも可能である。
ここで、第1と第2の各光軸ターゲット部66,66は、マーカー部64で示されるポイント64aを通るX、Yの各方向の線上に第1と第2の各レーザー測長計5,5の光軸5aが位置したときに各レーザー測長計5,5のレーザー光が入射されるように形成されている。そして、ステージ位置調整工程において、マーカー部64で示されるポイント64aが電子ビームのビーム中心に合致するように位置決めされるため、上述した光軸調整工程において、第1と第2の各レーザー測長計5,5の光軸5aの位置を、光軸5aがビーム中心に交差するように調整することができる。これにより、ステージ2の移動に伴うヨーイングで測定エラーを生ずることを防止できる。
更に、第1と第2の各光軸ターゲット部66,66は、ステージ2上に載置する試料Wと同一高さ位置に形成されている。そのため、上述した光軸調整工程において、第1と第2の各レーザー測長計5,5の光軸5aを試料Wと同一高さ位置に調整することができる。これにより、ステージ2の移動に伴うローリングやピッチングで測定エラーを生ずることも防止できる。
光軸調整工程後は、ステージ2上の基準マーク22の中心が顕微鏡7の光軸に合致するようにステージ2を移動させ、このときに第1と第2の各レーザー測長計5,5で測定されるステージ2のX、Y各方向の位置を記憶する。この位置は、ビーム照射手段4を設置して、電子ビームにより基準マーク22の中心を確認する際のリファレンスとなる。
ところで、上述した光軸調整方法では、顕微鏡7の分解能(例えば、0.05mm)と調整治具6の製造公差の影響で各レーザー測長計5,5の光軸5aがビーム中心からずれる可能性があるが、このずれ量は0.1mm以内に抑え込むことができる。ずれ量が0.1mm以内であれば、描画結果を見て描画のパターンずれがある箇所に補正をかけることで対処でき、実用上問題はない。
以上、本発明の実施形態について図面を参照して説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、上記実施形態では、各光軸ターゲット部66,66を透孔で構成したが、十字状等のマークで各光軸ターゲット部66,66を構成してもよい。また、上記実施形態は、電子ビームを照射する電子ビーム描画装置におけるレーザー測長計5,5の光軸調整に本発明を適用したものであるが、イオンビーム等の他の荷電粒子ビームを照射する描画装置におけるレーザー測長計の光軸調整にも同様に本発明を適用できる。
本発明を適用する電子ビーム描画装置の概略側面図。 図1のII−II線から見た平面図。 (a) 調整治具を取り付けた状態でのステージの斜視図、(b)図3(a)とは異なる方向から見たステージの斜視図。 図1の電子ビーム描画装置の光軸調整時の状態を示す概略側面図。 図4のV−V線から見た平面図。
符号の説明
W…試料、1…チャンバー、11…天井部、12…取付穴、2…ステージ、23…第1ステージミラー、23…第2ステージミラー、4…ビーム照射手段、5…第1レーザー測長計、5…第2レーザー測長計、5a…各レーザー測長計の光軸、6…調整治具、61…ステージ上に張り出す治具部分、62…第1ステージミラーを覆う治具部分、62…第2ステージミラーを覆う治具部分、64…マーカー部、64a…ポイント、64b、64c…エッジ部、65…着座部、66…第1光軸ターゲット部、66…第2光軸ターゲット部、7…顕微鏡、7a…顕微鏡の光軸。

Claims (5)

  1. 互いに直交するX方向及びY方向に移動自在なステージと、ステージ上に載置した試料に荷電粒子ビームを照射するビーム照射手段と、ステージに固定したX方向の法線を持つ第1ステージミラーへのレーザー光の入反射でステージのX方向位置を測定する第1レーザー測長計と、ステージに固定したY方向の法線を持つ第2ステージミラーへのレーザー光の入反射でステージのY方向位置を測定する第2レーザー測長計とを備える荷電粒子ビーム描画装置の第1と第2の各レーザー測長計のレーザー光の光軸位置を、光軸が荷電粒子ビームのビーム中心に交差するように調整する方法において、
    ステージにX方向及びY方向に位置決めして固定可能な調整用治具であって、ステージ上に張り出す治具部分に形成した、所定位置のポイントを示すマーカー部と、第1ステージミラーを覆う治具部分に形成した、マーカー部で示されるポイントを通るX方向の線上に第1レーザー測長計のレーザー光の光軸が位置したときにこのレーザー光が入射される第1光軸ターゲット部と、第2ステージミラーを覆う治具部分に形成した、マーカー部で示されるポイントを通るY方向の線上に第2レーザー測長計のレーザー光の光軸が位置したときにこのレーザー光が入射される第2光軸ターゲット部とを有するものを用い、
    ステージに調整用治具を固定して、マーカー部で示されるポイントの位置が荷電粒子ビームのビーム中心に合致する位置になるようにステージをX方向及びY方向に位置調整するステージ位置調整工程と、
    第1と第2の各レーザー測長計のレーザー光が第1と第2の各光軸ターゲット部に入射されるように第1と第2の各レーザー測長計のレーザー光の光軸位置を調整する光軸調整工程とを順に実行することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置におけるレーザー測長計の光軸調整方法。
  2. 前記ステージ位置調整工程では、顕微鏡を、前記ステージを収納するチャンバーの天井部に形成した前記ビーム照射手段の取付穴に、前記ビーム中心に合致する位置に顕微鏡の光軸が位置するように配置し、前記マーカー部で示される前記ポイントの位置が顕微鏡の光軸に合致する位置になるようにステージをX方向及びY方向に位置調整することを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビーム描画装置におけるレーザー測長計の光軸調整方法。
  3. 前記第1と第2の各光軸ターゲット部は、前記ステージ上に載置する試料と同一高さ位置に形成されていることを特徴とする請求項1又は2記載の荷電粒子ビーム描画装置におけるレーザー測長計の光軸調整方法。
  4. 前記マーカー部は、前記ポイントからX方向とY方向にのびる2つのエッジ部で構成されることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項記載の荷電粒子ビーム描画装置におけるレーザー測長計の光軸調整方法。
  5. 前記ステージ上に張り出す前記治具部分に、ステージの上面に着座する着座部が形成されていることを特徴とする請求項1〜4の何れか1項記載の荷電粒子ビーム描画装置におけるレーザー測長計の光軸調整方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2659320B2 (ja) * 1992-12-24 1997-09-30 株式会社ミツトヨ 電子線露光装置
JP2001326170A (ja) * 2000-05-18 2001-11-22 Jeol Ltd ビーム処理装置における調整方法
JP2001322053A (ja) * 2000-05-18 2001-11-20 Jeol Ltd レーザ測長計を用いたステージ移動量測定システムにおけるレーザ軸測定方法

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