JP5160585B2 - 超伝導回路及び超伝導回路の製造方法 - Google Patents
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誘電体基板と、該誘電体基板の両面に高温超伝導体であるYBCO膜により形成された電気回路とを有する超伝導回路において、
前記YBCO膜により形成された前記電気回路の信号線路上に形成され、前記電気回路の電気信号の入出力に用いられる電極
を有し、
前記電極は、
前記信号線路上に密着させて形成されたアルミニウム膜と、
該アルミニウム膜上に密着させて形成されたアルミニウムより低抵抗である金属膜と
を有する。
誘電体基板と、該誘電体基板の片面に高温超伝導体であるYBCO膜により形成された電気回路とを有する超伝導回路において、
前記YBCO膜により形成された前記電気回路の信号線路上に形成され、前記電気回路の電気信号の入出力に用いられる電極
を有し、
前記電極は、
前記信号線路上に密着させて形成されたアルミニウム膜と、
該アルミニウム膜上に密着させて形成されたアルミニウムより低抵抗である金属膜と
を有する。
誘電体基板と、該誘電体基板の両面に高温超伝導体であるYBCO膜により形成された電気回路とを有する超伝導回路の製造方法において、
前記YBCO膜により形成された前記電気回路の信号線路上に、前記電気回路の電気信号の入出力に用いられる電極を形成するステップ
を有し、
前記電極を形成するステップでは、
前記信号線路上に密着させてアルミニウム膜を形成し、該アルミニウム膜上に密着させて該アルミニウム膜よりも低抵抗である金属膜を形成する。
誘電体基板と、該誘電体基板の片面に高温超伝導体であるYBCO膜により形成された電気回路とを有する超伝導回路の製造方法において、
前記YBCO膜により形成された前記電気回路の信号線路上に、前記電気回路の電気信号の入出力に用いられる電極を形成するステップ
を有し、
前記電極を形成するステップでは、
前記信号線路上に密着させてアルミニウム膜を形成し、該アルミニウム膜上に密着させて該アルミニウム膜よりも低抵抗である金属膜を形成する。
前記YBCO膜の上面に形成されたアルミニウム膜と、該アルミニウム膜の上面に形成された金属膜とからなり、前記アルミニウム膜と前記金属膜の形成によって、前記超伝導回路の基板上に形成された回路の信号の入出力に用いられる電極が形成される。
前記アルミニウム膜の上面に形成された金属膜はアルミニウムより抵抗の低い金属の膜で形成される。
前記アルミニウム膜の上面に銅膜が形成され、該銅膜の上面に前記金属膜が形成される。
前記YBCO膜の上面に形成されたアルミニウム膜と、該アルミニウム膜の上面に形成された金属膜とからなり、前記アルミニウム膜と前記金属膜の形成によって、前記超伝導回路の基板上に形成された回路の信号の入出力に用いられる電極が形成される。
前記アルミニウム膜の上面に形成された金属膜はアルミニウムより抵抗の低い金属の膜で形成される。
前記アルミニウム膜の上面に銅膜が形成され、該銅膜の上面に前記金属膜が形成される。
前記YBCO膜の上面にアルミニウム膜を形成し、該アルミニウム膜の上面にアルミニウムより抵抗の低い金属膜を形成することにより、前記超伝導回路の基板上に形成された回路の信号の入出力に用いられる電極が形成される。
前記アルミニウム膜の上面に銅膜を形成し、該銅膜の上面に前記金属膜を形成する。
前記YBCO膜の上面にアルミニウム膜を形成し、該アルミニウム膜の上面にアルミニウムより抵抗の低い金属膜を形成することにより、前記超伝導回路の基板上に形成された回路の信号の入出力に用いられる電極が形成される。
前記アルミニウム膜の上面に銅膜を形成し、該銅膜の上面に前記金属膜を形成する。
2 酸化物超伝導体膜
3 Au/Ge合金膜
4 常伝導体膜
5 反応層
6 半田層
7 銅線
12、22、32、42 YBCO信号線路
13、23、24、33、43 YBCO地導体
36、37、45 銅膜
200 YBCO膜
14、15、25、34、35、44、300 アルミニウム膜
16、17、26、38、39、46、400 低抵抗金属膜
Claims (8)
- 誘電体基板と、該誘電体基板の両面に高温超伝導体であるYBCO膜により形成された電気回路とを有する超伝導回路において、
前記YBCO膜により形成された前記電気回路の信号線路上に形成され、前記電気回路の電気信号の入出力に用いられる電極
を有し、
前記電極は、
前記信号線路上に密着させて形成されたアルミニウム膜と、
該アルミニウム膜上に密着させて形成された該アルミニウムより低抵抗である金属膜と
を有することを特徴とする超伝導回路。 - 誘電体基板と、該誘電体基板の片面に高温超伝導体であるYBCO膜により形成された電気回路とを有する超伝導回路において、
前記YBCO膜により形成された前記電気回路の信号線路上に形成され、前記電気回路の電気信号の入出力に用いられる電極
を有し、
前記電極は、
前記信号線路上に密着させて形成されたアルミニウム膜と、
該アルミニウム膜上に密着させて形成された該アルミニウムより低抵抗である金属膜と
を有することを特徴とする超伝導回路。 - 請求項1又は2記載の超伝導回路において、
前記金属膜は、金、銅、及び銀のいずれか1つにより形成された膜であることを特徴とする超伝導回路。 - 請求項1又は2記載の超伝導回路において、
前記アルミニウム膜と前記金属膜との間に形成された銅膜
を有することを特徴とする超伝導回路。 - 誘電体基板と、該誘電体基板の両面に高温超伝導体であるYBCO膜により形成された電気回路とを有する超伝導回路の製造方法において、
前記YBCO膜により形成された前記電気回路の信号線路上に、前記電気回路の電気信号の入出力に用いられる電極を形成するステップ
を有し、
前記電極を形成するステップでは、
前記信号線路上に密着させてアルミニウム膜を形成し、該アルミニウム膜上に密着させて該アルミニウム膜よりも低抵抗である金属膜を形成することを特徴とする超伝導回路の製造方法。 - 誘電体基板と、該誘電体基板の片面に高温超伝導体であるYBCO膜により形成された電気回路とを有する超伝導回路の製造方法において、
前記YBCO膜により形成された前記電気回路の信号線路上に、前記電気回路の電気信号の入出力に用いられる電極を形成するステップ
を有し、
前記電極を形成するステップでは、
前記信号線路上に密着させてアルミニウム膜を形成し、該アルミニウム膜上に密着させて該アルミニウム膜よりも低抵抗である金属膜を形成することを特徴とする超伝導回路の製造方法。 - 請求項5又は6記載の超伝導回路の製造方法において、
前記金属膜は、金、銅、及び銀のいずれか1つにより形成された膜であることを特徴とする超伝導回路の製造方法。 - 請求項5又は6記載の超伝導回路の製造方法において、
前記電極を形成するステップでは、前記アルミニウム膜の上面に銅膜を形成し、該銅膜の上面に前記金属膜を形成することを特徴とする超伝導回路の製造方法。
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