JP5155808B2 - 半導体放射線検出器および核医学診断装置 - Google Patents
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Description
半導体放射線検出器は、前記の半導体結晶と、この半導体結晶の一面に形成されたカソード電極と、半導体結晶を挟んでこのカソード電極と対向するアノード電極とを備えている。これらのカソード電極とアノード電極との間に直流高圧電圧を印加することにより、X線、γ線等の放射線が半導体結晶内に入射したときに生成される電荷を、前記カソード電極あるいはアノード電極から信号として取出すようにしている。
さらに、近年では、臭化タリウムによって構成された半導体放射線検出器に、カソード電極およびアノード電極として金/タリウム二層電極を用いることにより、ポーラリゼーションを防止して長時間の安定動作が可能になることが明らかになった(例えば、非特許文献1参照)。
その場合、ポーラリゼーションの防止が不十分となり、半導体放射線検出器として長時間の安定動作ができなくなる。
また、複数のカソード電極同士の間または複数のアノード電極同士の間が絶縁スペーサによって絶縁されることとなるので、複数の電極の間で信号のクロストークが生じるのを好適に防止することができる。
(第1実施形態)
本実施形態の半導体放射線検出器(以下では単に、検出器という)1は、図1(a)に示すように、1枚の半導体素子(検出素子)11と、半導体素子11の一方の面(上面)に配置された二層の電極(第1タリウム電極12A〜12D、分割電極14A〜14D)および分割電極板16A〜16Dと、他方の面(下面)に配置された二層の電極(第2タリウム電極13、共通電極15)および共通電極板17とを備えて構成されている。
臭化タリウム結晶11aは、放射線(γ線等)と相互作用をして電荷を生成する領域をなしており、臭化タリウムの単結晶をスライスして形成されている。本実施形態では、臭化タリウム結晶11aの厚さを、例えば、1.2mm、第1タリウム電極12A〜12Dおよび第2タリウム電極13を形成する面の寸法を、例えば、5.2mm×5.0mmの薄板状体としてある。
また、分割電極14A〜14Dおよび共通電極15は、金または白金のいずれかを用いて形成されており、その厚さは、例えば、50nmとしてある。なお、共通電極15として、アルミニウムやチタン等を用いてもよい。
第1タリウム電極12A〜12D、および分割電極14A〜14Dの寸法は、例えば、1.2mm×5.0mmとしてあり、第2タリウム電極13および共通電極15の寸法は、例えば、5.2mm×5.0mmとしてある。
ここで、絶縁スペーサ18および絶縁スペーサ19の厚さは、例えば、約30nmとしてあり、絶縁スペーサ18の幅は、例えば、0.1mm、絶縁スペーサ19の幅は、例えば、0.05mmとしてある。
なお、前記した各寸法は、一例を示すものであり、前記各寸法に限定される趣旨ではない。
はじめに、平板状に形成された臭化タリウム結晶11aの一方の面(5.2mm×5.0mmの面)に電子ビーム蒸着法によってタリウムを20nm被着し、続いて金あるいは白金のいずれかを50nm被着し、第2タリウム電極13と共通電極15を形成する。
このような工程を経ることによって検出素子11が得られる。
なお、図示しないマスクを配置して金を被着するようにしてもよい。
放射線検出装置30に適用される検出器1は、図2に構造を簡略化して示すように、共通電極板17側に、直流高圧電源20が接続され、分割電極板16A〜16D側が抵抗を介して接地されるとともに、アナログ計測回路40に設けられた信号処理回路40A〜40Dに接続されている。直流高圧電源20は、検出器1に電荷収集用の電圧として、−400〜−800Vあるいは+400〜+800Vを印加するようになっており、直流高圧電源20の正負電圧の極性は、一定時間ごと、例えば、30時間ごとに逆転させる。これは、後記するように、陽イオン化反応およびその逆反応の何れかが極端に進行することによって第1タリウム電極12A〜12Dまたは第2タリウム電極13の何れかが消耗するのを防止するためである。
しかし、本実施形態の検出器1においては、分割電極14A〜14Dの直下に第1タリウム電極12A〜12D(図1(b)参照)、共通電極15の直上に第2タリウム電極13(図1(b)参照)を設けてあるので、タリウム金属原子の陽イオン化反応およびその逆反応によって、電極付近に蓄積した電荷をキャンセルすることができる。この陽イオン化反応およびその逆反応の何れかが極端に進行することによって第1タリウム電極12A〜12Dあるいは第2タリウム電極13の何れかが消耗するのを防止するため、直流高圧電源20の正負電圧の極性は、一定時間ごと、例えば、30時間ごとに逆転させる。
このようにして、放射線検出装置30では、およそ500時間以上にわたり連続して放射線計測を続けることが可能である。
そして、256個の検出器1から得た1024個の波高値信号に基づいて、エネルギー122keVのγ線スペクトルを1024個得ることができる。そして、得られたγ線スペクトル1024個のエネルギー分解能の経過時間依存性について検討した。
得られたγ線スペクトル1024個のエネルギー分解能の平均値は、最初の30分間では7.5%であったが、10時間経過した後の30分間では18%に劣化し、長時間にわたる放射線検出性能に関して、本実施形態の前記結果を下回った。
全ての結合基板53およびコリメータ55は、回転支持台57に設置された遮光・電磁シールド54内に配置される。この遮光・電磁シールド54は、γ線以外の電磁波の検出器1等への影響を遮断している。
そして、放射性薬剤が集積した被検体H内の集積部(例えば、患部)Dからγ線が放出されると、放出されたγ線がコリメータ55の放射線通路を通って対応する検出器1に入射する。そして、検出器1は、γ線検出信号を出力し、このγ線検出信号は、前記したアナログ計測回路40(図2参照)等で処理され、その後、データ処理装置33で、波高値(γ線のエネルギー)に対するそのカウント数(γ線のカウント数)の情報等が作成されて、その情報等が表示装置34に表示される。
第1タリウム電極12A〜12Dの側方における、臭化タリウム結晶11aの表面が露出する可能性のある部分(第1タリウム電極12A〜12Dの間部分、第1タリウム電極12A、12Dの外側側方部分)が、絶縁スペーサ18、19で被覆されているので、分割電極板16A〜16Dを接着するための導電性接着剤の一部が、仮に、分割電極14A〜14Dと分割電極板16A〜16Dとの間からはみ出して、これが臭化タリウム結晶11a側に流れる事態が生じても、分割電極14A〜14D(第2層)やこれに接着された分割電極板16A〜16Dと、臭化タリウム結晶11aと、が第1タリウム電極12A〜12Dを介さずに短絡してしまうことが阻止される。これにより、ポーラリゼーションを好適に防止することができる。
また、第1タリウム電極12A〜12D同士の間が絶縁スペーサ18によって絶縁されることとなるので、第1タリウム電極12A〜12Dの間で信号のクロストークが生じるのを好適に防止することができる。
したがって、経済効果が高く、コストの低減も図ることができる。
本発明の第2実施形態の検出器を説明する。本実施形態の検出器101は、図4(a)に示すように、1枚の半導体素子111と、半導体素子111の一方の面(上面)に配置された第1分割電極板116A〜116D、および他方の面(下面)に配置された第2分割電極板117A〜117Dから構成されている。
第1タリウム電極112A〜112Dおよび第2タリウム電極113A〜113Dの厚さは、例えば、20nmとしてある。また、第1分割電極114A〜114Dおよび第2分割電極115A〜115Dは、金または白金のいずれかを用いて形成されており、その厚さは、例えば、50nmとしてある。
第1タリウム電極112A〜112Dおよび第2タリウム電極113A〜113Dの寸法は、例えば、1.2mm×5.0mmとしてあり、第1分割電極114A〜114Dおよび第2分割電極115A〜115Dの寸法は、例えば、1.2mm×5.0mmとしてある。
第1絶縁スペーサ118、第1絶縁スペーサ119、第2絶縁スペーサ120、第2絶縁スペーサ121の厚さは、例えば、約30nmとしてある。また、第1絶縁スペーサ118および第2絶縁スペーサ120の幅は、例えば、0.1mmとしてあり、第1絶縁スペーサ119および第2絶縁スペーサ121の幅は、例えば、0.05mmとしてある。
なお、前記した各寸法は、一例を示すものであり、前記各寸法に限定される趣旨ではない。
はじめに、平板状に形成された臭化タリウム結晶111aの5.2mm×5.0mmの一方の面に、電子ビーム蒸着法によってタリウムを20nm被着し、続いて金あるいは白金の何れかを50nm被着し、リフトオフ法によって加工して、まず第1分割電極114A〜114Dを形成する。
同様に、臭化タリウム結晶111aの前記第1分割電極114A〜114Dを形成した面と反対側の面に、第2分割電極115A〜115D、第2絶縁スペーサ120、第2絶縁スペーサ121、および第2タリウム電極113A〜113Dを形成する。
これによって、検出素子111が得られる。
図5に構造を簡略化して示すように、放射線検出装置130では、検出器101に対して、直流高圧電源20が接続されるとともに、アナログ計測回路140に設けられた信号処理回路140A〜140Dが接続されている。直流高圧電源20は、スイッチ145によって接続を切替えることが可能であり、例えば、最初、第2分割電極板117A〜117Dに共通して接続されるが、30時間ごとに接続を切替えて第1分割電極板116A〜116Dに共通して接続される。信号処理回路140A〜140Dは、スイッチ146A〜146Dによって接続を切替えることが可能であり、例えば、それぞれ最初、第1分割電極板116A〜116Dに別々に接続されるが、30時間ごとに接続を切替えて第2分割電極板117A〜117Dに別々に接続される。信号処理回路140A〜140Dは、抵抗を介してそれぞれ接地されている。直流高圧電源20は、検出器101に電荷収集用の電圧として、−400〜−800Vを印加する。
信号処理回路140Aは、γ線検出信号に基づきγ線の波高値を求めることを目的として、チャージアンプ141A、シェーピングアンプ142A、ゲート積分器143A、および波高分析回路144Aを備えている。そして、これらのチャージアンプ141A、シェーピングアンプ142A、ゲート積分器143A、および波高分析回路144Aが、この順に接続されている。この点は、信号処理回路140B、140C、140Dにおける、141B〜144B、141C〜144C、141D〜144Dも同様である。
例えば、直流高圧電源20から印加する電圧の方向を30時間ごとに逆転させることによって、第1タリウム電極112A〜112Dあるいは第2タリウム電極113A〜113Dが消耗するのを防止できる。
このようにして、本実施形態の放射線検出装置130においても、第1実施形態の放射線検出装置30と同様に、500時間以上にわたり連続して放射線計測を続けることが可能である。
したがって、比較的早いレートでγ線が入射しても、応答性よくγ線検出信号を読み出すことができ、検出器101の飽和を抑えることができる。これにより、安定性の高い放射線検出装置130が得られる。
このようなSPECT撮像装置50では、検出器101において複数チャンネルの検出部に対応する複数の電極間のクロストークなしにポーラリゼーションを好適に防止することができるので、長時間にわたり、例えば、500時間以上にわたり連続して撮像を可能にすることができる。
図6はPET撮像装置70を示した図であり、このPET撮像装置70は、中央部分に円柱状の計測空間(計測領域)71aを有する撮像装置71、被検体Hを支持して長手方向に移動可能なベッド32、データ処理装置33、および表示装置34を主として備えて構成される。
このようなPET撮像装置70では、前記した放射線検出装置30(または130)に用いられる直流高圧電源20、アナログ計測回路40(または140)、ADC(アナログ・デジタル変換器)21、図示しないデジタルASIC(データ処理回路)等を備え、波高値、時刻、検出器1(または101)の検出チャンネルIDを有するパケットが作成され、この作成されたパケットがデータ処理装置33に入力されるようになっている。
そして、データ処理装置33によって、1つの陽電子の消滅により発生した一対のγ線を一個として計数(同時計数)し、その一対のγ線を検出した2つの検出チャンネルの位置をそれらの位置情報を基に特定する。また、データ処理装置33は、同時計数で得た計数値および検出チャンネルの位置情報を用いて、放射性薬剤の集積位置、すなわち腫瘍位置での被検体Hの断層像情報(画像情報)を作成する。この断層像情報は表示装置34に表示される。
10a〜10d 検出部
11 検出素子(半導体素子)
11a 臭化タリウム結晶(半導体結晶としての臭化タリウム)
12A〜12D 第1タリウム電極
13 第2タリウム電極
14A〜14D 分割電極
15 共通電極
16A〜16D 分割電極板
17 共通電極板
18、19 絶縁スペーサ
30 放射線検出装置
40 アナログ計測回路
50 SPECT撮像装置
52 放射線検出ブロック
53 結合基板(配線基板)
70 PET撮像装置
71a 計測空間
101 検出器
110a〜110d 検出部
111 半導体素子
111a 臭化タリウム結晶(半導体結晶としての臭化タリウム)
112A〜112D 第1タリウム電極
113A〜113D 第2タリウム電極
114A〜114D 第1分割電極
115A〜115D 第2分割電極
116A〜116D 第1分割電極板
117A〜117D 第2分割電極板
118、119 第1絶縁スペーサ
120、121 第2絶縁スペーサ
130 放射線検出装置
140 アナログ計測回路
H 被検体
P プリント基板(配線基板)
Claims (4)
- カソード電極およびアノード電極で挟まれる検出素子が半導体結晶として臭化タリウムを用いてなり、少なくとも前記カソード電極または前記アノード電極が前記検出素子の一つの面に二つ以上配置されて別個のチャンネルをなす検出部が複数設けられた半導体放射線検出器であって、
前記カソード電極および前記アノード電極は、二層の積層構造とされ、前記検出素子側の第1層がタリウムであり、
前記検出素子は、
前記カソード電極または前記アノード電極が二つ以上配置される側において、前記カソード電極または前記アノード電極の側方における前記半導体結晶の露出面が、前記タリウムの酸化物あるいはフッ化物のいずれかからなる絶縁スペーサで被覆されていることを特徴とする半導体放射線検出器。 - 前記カソード電極および前記アノード電極は、前記検出素子の両面にそれぞれ二つ以上同じ数だけ対応させて設けられており、対応する前記カソード電極および前記アノード電極によって、前記検出部が複数設けられていることを特徴とする請求項1に記載の半導体放射線検出器。
- 前記カソード電極および前記アノード電極は、第2層が金あるいは白金のいずれかであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体放射線検出器。
- 請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の半導体放射線検出器を用いた核医学診断装置であって、
複数の前記半導体放射線検出器が取り付けられた配線基板を有し、被検体を支持するベッドが挿入される計測領域を取り囲み、前記計測領域の周囲に配置された複数のプリント基板と、
複数の前記半導体放射線検出器から出力された放射線検出信号を基に得られた情報を用いて画像を生成する画像情報作成装置と、を備えたことを特徴とする核医学診断装置。
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