JP5153346B2 - カーボン・ナノチューブを酸化物の表面に選択的に配置する方法 - Google Patents
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Description
MicroelectronicEngineering 誌の 61-62(2002), pp.491-496 おける E. Valentin 氏他による「High-densityselective placement methods for carbon nanotubes」と題した論文。
(1)スタンプの表面上に自己形成の単分子層12を形成する。
(2)基本酸化物、例えば、高い等電点をもつ金属酸化物との結合を形成する。
(3)カーボン・ナノチューブを含む表面へのカーボン・ナノチューブの接着を撥ね付ける。
例示的には、上記基準(1)〜(3)を満たす1つの前駆体材料が、構造式R−PO3H2を有するホスホン酸を含む。なお、Rは、1乃至約22個の炭素原子、望ましくは、1乃至約16個までの炭素原子を含むアルキル基であるか、または、Rは、1乃至12個の環、望ましくは、3乃至6個の環を含む芳香族化合物または複素環式芳香族化合物である。複素環式芳香族化合物は、ヘテロ原子として窒素、硫黄、酸素の1つ、またはそれらの結合体を含むことが可能である。芳香族化合物または複素環式芳香族化合物は、場合によっては、1乃至約22個の炭素原子を含むアルキル(直鎖または分鎖)でもって代用し得る。更に典型的には、自己形成の単分子層12は、例えば、ヘキサデシルホスホン酸のようなアルキルホスホン酸から成る。
シリコン・ウエハが真空蒸着によって100nm のハフニウム酸化物によって覆われた。事前パターン化フィーチャ(くぼみ)を有するポリ(ジメチルシロキサン)(PDMS)スタンプがイソプロピル・アルコールにおけるヘキサデシルホスホン酸の5mM溶液に浸され、窒素流によって乾かれた。次にPDMSスタンプが、ハフニウム酸化物の表面を有する基板に押し当てられて数秒間保持され、しかる後、100℃で1分間加熱された。次に、そのスタンプされた基板がジクロロエチレン内のカーボン・ナノチューブの拡散液でもって覆われ、窒素流の下で乾かされた。次に、基板がジクロロエチレン内に浸され、スタンプされた領域におけるいずれのカーボン・ナノチューブも除去するために静かに攪拌された。このプロセスは、図6に示されたように、スタンプされなかった(ハフニウム酸化物表面を露出した)基板の領域のみにおけるカーボン・ナノチューブの付着を導く。スタンプされた領域におけるナノチューブ形成は観察されなかった。
表面上に100nm のシリコン酸化物を有するシリコン・ウエハがシャドウ・マスクを通した蒸着によって10nmのアルミニウム酸化物でもってパターン化された。次に、基板がエタノールにおけるヘキサデシルホスホン酸の5mM 溶液に浸漬された。2時間後、基板が溶液から取り出され、エタノールでもって洗浄され、100℃で1分間乾かされた。ジクロロエチレン内のカーボン・ナノチューブの拡散液が基板上に付着され、窒素流の下で乾かされた。次に、基板が溶剤でもって洗浄され、室温で乾かされた。この例では、図13に示されるように、露出したシリコン酸化物表面上にカーボン・ナノチューブが付着された。この例では、カーボン・ナノチューブが、清浄されたSiO2表面に接着し、処理されたAl2O3には接着しなかった。
基板上に100nm のシリコン酸化物を有するシリコン・ウエハが標準的なリソグラフィを介して9nmのアルミニウム層でもってパターン化された。そこで、アルミニウム層は酸素プラズマで酸化された。このサンプルが低濃度(4mM のエタノール)の4−アミノブチルホスホン酸(ABPA)溶液内に数日間入れられた。ABPAはAl2O3のみに結合し、SiO2には結合しない。そこで、サンプルが界面活性剤トリトン−Xおよび水の中にカーボン・ナノチューブを入れられた懸濁液に4時間入れられた。基板が溶液から取り出され、余分な溶剤を洗浄された。基板を検査すると、ABPAが結合した領域、即ち、Al2O3のパターン化ライン(図20)においてカーボン・ナノチューブが主として見られた。周囲のSiO2は、非常に低い密度のカーボン・ナノチューブまたはアモルファス・カーボンを示した。
Claims (13)
- 所定の表面上にカーボン・ナノチューブを選択的に配置する方法であって、
基板の金属酸化物の上表面に非シリル化単分子層前駆体を用いて自己形成の単分子層を選択的に配置するステップと、
拡散液から、前記自己形成の単分子層上にまたは前記自己形成の単分子層を含まない前記基板の表面上に、カーボン・ナノチューブを付着するステップと、
前記基板から余分なカーボン・ナノチューブを取り除くステップと
を含む、方法。 - 前記基板はパターン化されてない金属酸化物から構成される、請求項1に記載の方法。
- 前記自己形成の単分子層を選択的に配置するステップは、前記自己形成の単分子層のパターンを含むスタンプを提供するステップおよび前記自己形成の単分子層のパターンを前記金属酸化物に転写するステップを含む、請求項2に記載の方法。
- 前記カーボン・ナノチューブを付着するステップは、前記自己形成の単分子層によってスタンプされない前記金属酸化物の領域上で生じる、請求項3に記載の方法。
- 前記単分子層前駆体は、構造式R−PO 3 H 2 を有するホスホン酸(該構造式において、Rは1乃至約22個の炭素分子を含むアルキル基であるか、または1乃至12個の環を含む芳香族化合物もしくは複素環式芳香族化合物である)を含む、請求項3に記載の方法。
- 前記単分子層前駆体は、構造式R1−CONHOHのヒドロキサム酸(該構造式において、R1は1乃至22個の炭素分子を含むアルキル基であるか、または1乃至12個の環を含む芳香族化合物もしくは複素環式芳香族化合物である)を含む、請求項3に記載の方法。
- 前記ホスホン酸がヘキサデシルホスホン酸である、請求項5に記載の方法。
- 前記ヒドロキサム酸がヘキサデシルヒドロキサム酸である、請求項6に記載の方法。
- 前記金属酸化物は、Al 2 O 3 、HfO 2 、TiO 2 、およびZrO 2 の中から選択された1つを含む、請求項1〜8のいずれか1項に記載の方法。
- 前記金属酸化物の上側表面は、前記基板上に設けられたパターン化された金属酸化物を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記自己形成の単分子層を選択的に配置するステップは、自己形成の単分子層前駆体を含む溶液を使用して行われる、請求項10に記載の方法。
- 所定の表面上にカーボン・ナノチューブを選択的に配置する方法であって、
マイクロコンタクト・プリンティングを使って、非シリル化単分子層前駆体を用いた自己形成の単分子層を含むパターン化されたスタンプから金属酸化物上に自己形成の単分子層を選択的に配置するステップと、
拡散液から、前記自己形成の単分子層を含まない基板上に、カーボン・ナノチューブを付着するステップと、
前記基板から余分なカーボン・ナノチューブを取り除くステップと
を含む、方法。 - 所定の表面上にカーボン・ナノチューブを選択的に配置する方法であって、
基板の表面を露出する少なくとも1つの開口部を含むパターン化された金属酸化物上に非シリル化単分子層前駆体を用いて自己形成の単分子層を選択的に配置するステップと、
拡散液から、前記自己形成の単分子層上にまたは前記自己形成の単分子層を含まない前記基板の表面上に、カーボン・ナノチューブを付着するステップと、
前記基板から余分なカーボン・ナノチューブを取り除くステップと
を含む、方法。
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US7258745B2 (en) * | 2004-08-06 | 2007-08-21 | Ut-Battelle, Llc | Method for fabricating hafnia films |
US7504132B2 (en) * | 2005-01-27 | 2009-03-17 | International Business Machines Corporation | Selective placement of carbon nanotubes on oxide surfaces |
US8859048B2 (en) * | 2006-01-03 | 2014-10-14 | International Business Machines Corporation | Selective placement of carbon nanotubes through functionalization |
US7833504B2 (en) * | 2007-08-27 | 2010-11-16 | The Research Foundation Of State University Of New York | Silylated carbon nanotubes and methods of making same |
WO2009093698A1 (ja) * | 2008-01-24 | 2009-07-30 | Nec Corporation | カーボンナノチューブ分散膜の形成方法及び半導体素子の製造方法 |
US8598569B2 (en) | 2008-04-30 | 2013-12-03 | International Business Machines Corporation | Pentacene-carbon nanotube composite, method of forming the composite, and semiconductor device including the composite |
JP5532553B2 (ja) * | 2008-06-11 | 2014-06-25 | 凸版印刷株式会社 | 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタアレイ及び画像表示装置 |
US8138102B2 (en) * | 2008-08-21 | 2012-03-20 | International Business Machines Corporation | Method of placing a semiconducting nanostructure and semiconductor device including the semiconducting nanostructure |
GB0903600D0 (en) * | 2009-03-03 | 2009-04-08 | Isis Innovation | Method and apparatus for the production of carbon-containing materials |
US8297449B2 (en) * | 2010-01-12 | 2012-10-30 | International Business Machines Corporation | Nanoporous semi-permeable membrane and methods for fabricating the same |
US8354336B2 (en) * | 2010-06-22 | 2013-01-15 | International Business Machines Corporation | Forming an electrode having reduced corrosion and water decomposition on surface using an organic protective layer |
US8124485B1 (en) | 2011-02-23 | 2012-02-28 | International Business Machines Corporation | Molecular spacer layer for semiconductor oxide surface and high-K dielectric stack |
US8821965B2 (en) * | 2011-04-29 | 2014-09-02 | International Business Machines Corporation | Accurate deposition of nano-objects on a surface |
TWI479547B (zh) * | 2011-05-04 | 2015-04-01 | Univ Nat Cheng Kung | 薄膜電晶體之製備方法及頂閘極式薄膜電晶體 |
US9273004B2 (en) * | 2011-09-29 | 2016-03-01 | International Business Machines Corporation | Selective placement of carbon nanotubes via coulombic attraction of oppositely charged carbon nanotubes and self-assembled monolayers |
US9177688B2 (en) * | 2011-11-22 | 2015-11-03 | International Business Machines Corporation | Carbon nanotube-graphene hybrid transparent conductor and field effect transistor |
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US8394727B1 (en) | 2012-08-17 | 2013-03-12 | International Business Machines Corporation | High density selective deposition of carbon nanotubes onto a substrate |
US8828762B2 (en) * | 2012-10-18 | 2014-09-09 | International Business Machines Corporation | Carbon nanostructure device fabrication utilizing protect layers |
TWI524825B (zh) | 2012-10-29 | 2016-03-01 | 財團法人工業技術研究院 | 碳材導電膜的轉印方法 |
KR20140107968A (ko) * | 2013-02-28 | 2014-09-05 | 한국전자통신연구원 | 그래핀 전사방법 |
US9193585B2 (en) | 2013-06-07 | 2015-11-24 | International Business Machines Corporation | Surface modification using functional carbon nanotubes |
US10583677B2 (en) | 2014-11-25 | 2020-03-10 | Massachusetts Institute Of Technology | Nanoporous stamp printing of nanoparticulate inks |
US9618474B2 (en) | 2014-12-18 | 2017-04-11 | Edico Genome, Inc. | Graphene FET devices, systems, and methods of using the same for sequencing nucleic acids |
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WO2016100049A1 (en) | 2014-12-18 | 2016-06-23 | Edico Genome Corporation | Chemically-sensitive field effect transistor |
US10036744B2 (en) | 2015-12-18 | 2018-07-31 | International Business Machines Corporation | Bifunctional acid monolayers for the selective placement of carbon nanotubes |
US9859500B2 (en) | 2016-02-18 | 2018-01-02 | International Business Machines Corporation | Formation of carbon nanotube-containing devices |
US9748334B1 (en) | 2016-02-18 | 2017-08-29 | International Business Machines Corporation | Fabrication of nanomaterial T-gate transistors with charge transfer doping layer |
US9955584B2 (en) | 2016-04-25 | 2018-04-24 | Winbond Electronics Corp. | Stamp for printed circuit process and method of fabricating the same and printed circuit process |
US10811539B2 (en) | 2016-05-16 | 2020-10-20 | Nanomedical Diagnostics, Inc. | Graphene FET devices, systems, and methods of using the same for sequencing nucleic acids |
US9691987B1 (en) * | 2016-10-20 | 2017-06-27 | International Business Machines Corporation | Self-assembly of nanostructures |
WO2019135757A1 (en) | 2018-01-05 | 2019-07-11 | Massachusetts Institute Of Technology | Apparatus and methods for contact-printing using electrostatic nanoporous stamps |
US10672986B2 (en) | 2018-04-13 | 2020-06-02 | International Business Machines Corporation | Self-assembly of nanostructures |
US11062946B2 (en) | 2018-11-08 | 2021-07-13 | International Business Machines Corporation | Self-aligned contact on a semiconductor device |
KR102491542B1 (ko) * | 2021-06-25 | 2023-01-26 | 실리콘밸리(주) | 탄소나노튜브의 입자 진동을 이용한 방열 챔버 |
CN113707769B (zh) * | 2021-08-24 | 2023-10-17 | 福州大学 | 基于转移印刷绝缘朗缪尔单层的高精度图案化led漏电流阻挡层及其制备方法 |
Family Cites Families (10)
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---|---|---|---|---|
US5196396A (en) * | 1991-07-16 | 1993-03-23 | The President And Fellows Of Harvard College | Method of making a superconducting fullerene composition by reacting a fullerene with an alloy containing alkali metal |
US6225239B1 (en) * | 1997-09-30 | 2001-05-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Organic films and a process for producing fine pattern using the same |
AUPQ304199A0 (en) * | 1999-09-23 | 1999-10-21 | Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation | Patterned carbon nanotubes |
US7491286B2 (en) * | 2000-04-21 | 2009-02-17 | International Business Machines Corporation | Patterning solution deposited thin films with self-assembled monolayers |
US6433359B1 (en) * | 2001-09-06 | 2002-08-13 | 3M Innovative Properties Company | Surface modifying layers for organic thin film transistors |
WO2003072352A1 (en) * | 2002-02-25 | 2003-09-04 | Cabot Corporation | Porous compositions comprising surface modified monoliths |
US7232686B2 (en) * | 2002-06-24 | 2007-06-19 | The Regents Of The University Of Michigan | Method of nanopatterning by forming cracks in a coated polymer substrate |
JP3908104B2 (ja) * | 2002-06-26 | 2007-04-25 | 財団法人ファインセラミックスセンター | カーボンナノチューブ配線板及びその製造方法 |
JP2005129406A (ja) * | 2003-10-24 | 2005-05-19 | Hitachi Zosen Corp | カーボンナノチューブの転写方法 |
US7504132B2 (en) * | 2005-01-27 | 2009-03-17 | International Business Machines Corporation | Selective placement of carbon nanotubes on oxide surfaces |
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