JP5146604B2 - 表面汚染モニタ - Google Patents

Description

本発明は、被験者又は検査対象物の表面に付着した放射性物質から放射される放射線を放射線検出素子で検出する表面汚染モニタに関する。

従来、原子力発電所、病院などの放射性物質を取り扱う施設に設置され、当該施設の作業者の手、足、衣服に付着した放射性物質の表面汚染を検査する表面汚染モニタとしてハンドフットクロスモニタが知られている。ハンドフットクロスモニタは、放射性物質から放出される放射線（α線、β線、γ線）を測定し、測定値が警報レベルを超えるとアラームを鳴動させるとともに汚染部位を液晶ディスプレイに表示する。

このようなハンドフットクロスモニタの放射線検出センサとしては、ＧＭ計数管、ガスフロー計数管、シンチレータ型放射線検出装置が用いられている。ＧＭ計数管及びガスフロー計数管は、放射線による気体の電離作用を利用して放射線を検出する。また、シンチレータ型放射線検出装置は、放射線により発光するシンチレータからの光をガイドによって集光し、集光した光を光電子倍増管によって増幅し、増幅信号により放射線を検出する（例えば、特開２００３−１６７０５９号公報）。

ところで、一般的な放射線検出センサとしては、半導体型放射線検出装置も知られている。半導体型放射線検出装置は、シリコン（Ｓｉ）などの半導体によって構成される放射線検出素子に放射線を入射させ、放射線の電離作用によって発生した電荷を電気信号として出力することにより放射線を検出する。

特開２００３-１６７０５９号公報 特開昭６３−１９３０８８号公報

ハンドフットクロスモニタや表面汚染モニタは、放射線を取り扱う施設への出入時に出入する人や物品の表面の放射性物質による汚染を検査するばかりでなく、必要に応じて施設内の放射性物質を取り扱う場所の出入での放射性物質の表面汚染の一次検査としても使用される。ところが、放射線検出センサとしてＧＭ計数管、ガスフロー計数管、シンチレータ型放射線検出装置を用いる場合、放射線検出センサの装置規模が大きくなってしまうため、ハンドフットフットクロスモニタや表面汚染モニタが大型・重量化してしまい、検査を実施すべき場所への移設が簡便に実施できないという問題点があった。

そこで、ハンドフットクロスモニタの放射線検出センサとして、装置規模が比較的小さい半導体型放射線検出装置を用いることにより、ハンドフットクロスモニタの小型・軽量化を図ることが期待されている。さらに、ハンドフットクロスモニタの放射線検出センサとして、長期間にわたって放射線検出性能を維持可能な半導体型放射線検出装置が望まれていた。

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、検査を実施すべき場所への移設が簡便に実施できるハンドフットクロスモニタを含む表面汚染モニタを提供することを目的とする。

本発明の表面汚染モニタは、被験者又は検査対象物の表面に付着した放射性物質から放射される放射線を放射線検出素子で検出する表面汚染モニタであって、モニタ本体を折り畳み可能な折り畳み機構を有し、被験者の手・足の表面及び衣服の表面に付着した放射性物質から放射される放射線を前記放射線検出素子で検出するハンドフットクロスモニタとして用いられ、足部測定用の前記放射線検出素子が上面に設けられた基台と、前記基台の上面中央奥に設けられた支柱と、前記支柱の上端部に固定され手部測定用の前記放射線検出素子が設けられた上部ユニットと、を備え、前記折り畳み機構は、前記支柱を、該支柱の下端部に設けられた第１のヒンジを介して前記基台の上面に折り曲げ可能であるとともに、該支柱の中間部に設けられた第２のヒンジを介して反対側に折り曲げ可能であり、前記支柱が前記第１及び第２のヒンジを介して折り曲げられた状態では、前記上部ユニットが前記基台の端部よりも外側に出ること特徴とする。
また、上記表面汚染モニタにおいて、前記放射線検出素子は、第１の面側にｐ型半導体層が形成され、前記第１の面と反対側の第２の面側に前記ｐ型半導体層と接合したｎ型半導体層が形成された半導体基板と、前記第１の面上に形成される第１の電極と、前記第２の面上に形成される第２の電極と、前記第１の電極を含む前記第１の面の全体を被覆する防湿性を有する保護膜と、を具備することを特徴とする。

この構成によれば、長期間にわたって放射線検出性能を維持可能な半導体型検出装置を放射線検出センサとして用いるとともに、小型・軽量な表面汚染モニタを提供することができる。

また、上記表面汚染モニタにおいて、前記放射線検出素子の側面にシリコーン樹脂層を有することが望ましい。

本発明によれば、検査を実施すべき場所への移設が簡便に実施できるハンドフットクロスモニタを含む表面汚染モニタを提供することができる。

本発明の実施形態に係るハンドフットクロスモニタの斜視図である。 本発明の実施形態に係る放射線検出素子から構成される放射線検出ユニットを示す図である。 本発明の実施形態に係る放射線検出素子の斜視図である。 本発明の実施形態に係る放射線検出素子の断面図である。 本発明の実施形態に係る回路ブロック図である。 本発明の実施形態に係るハンドフットクロスモニタの支柱の折り曲げ構造を示す斜視図である。

以下、本発明の実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。

図１は、本実施形態のハンドフットクロスモニタの斜視図である。ハンドフットクロスモニタは、基台１と、基台１の上面中央奥に設けられた支柱２と、支柱２の上端部に固定された上部ユニット３とから構成される。

基台１の上面手前には、足測定部４が設けられる。足測定部４には、左右一対の放射線検出部４ａが設けられる。左右一対の放射線検出部４ａ上には、被測定者の両足が乗せられる。左右一対の放射線検出部４ａは、被測定者の左足及び右足の表面に付着した放射性物質から放出される放射線（α線、β線、γ線）を検出する。なお、左右一対の放射線検出部４ａの間には、後述する接触エリア４ｂが設けられている。

支柱２の正面下端部には、基台１の上面に向かって支柱２を折り曲げ可能にするヒンジ２ａが設けられている。支柱２の背面下端部には、基台１の上面に対して垂直に支柱２を正立させる支え部２ｂが設けられる。また、支柱２は、支柱２の中間付近で連結された下部領域２ｃと上部領域２ｄとから構成されている。下部領域２ｃの正面連結部には、上部領域２ｄの正面連結部に設けられた突起２ｈ（図６参照）に嵌合させて、支柱２を折り曲げ不可能に固定する留め金２ｅが設けられる。下部領域２ｃ及び上部領域２ｄ双方の背面連結部には、下部領域２ｃの背面に向かって上部領域２ｄを折り曲げ可能にするヒンジ２ｆ（図６参照）が設けられる。また、下部領域２ｃの正面連結部には、留め金２ｅの下方に、後述するスペーサ２ｇが設けられる。

上部ユニット３は、被測定者の手の平よりも少なくとも厚い盤体形状を有する。上部ユニット３の上面中央部には、被測定者の各部位の放射線測定結果を表示する表示部５と、当該放射線測定結果に基づいてアラームを発するブザー６が設けられる。また、上部ユニット３には、表示部５を挟むように、左右一対の手測定部７が設けられる。手測定部７には、被測定者の手が挿入される手挿入部７ａが設けられており、手挿入部７ａの対向する側面には、一対の放射線検出部７ｂが設けられる。一対の放射線検出部７ｂは、手挿入部７ａに挿入された被測定者の手の平及び手の甲の表面に付着した放射性物質から放出される放射線（α線、β線、γ線）を検出する。

また、上部ユニット３の一方の側面には、衣服測定部８を吊り下げ可能なフック３ａが設けられる。衣服測定部８は、略長方体形状である。衣服測定部８の一方の側面には、被測定者が衣服測定部８を手持ちするための取手８ａが設けられており、対向する他方の側面には、放射線検出部８ｂが設けられる。放射線検出部８ｂは、被測定者の衣服の表面に付着した放射性物質から放出される放射線（α線、β線、γ線）を検出する。

このようなハンドフットクロスモニタの放射線検出部４ａ、７ｂ、８ｂは、半導体型の放射線検出装置であり、半導体によって構成される放射線検出素子１０が２次元上に密に配列されている。なお、放射線検出部４ａ、７ｂ、８ｂに配列される放射線検出素子１０の数は、適宜変更可能である。また、放射線検出部４ａ、７ｂ、８ｂは、図２に示すような放射線検出ユニット５０を複数組み合わせたものであってもよい。図２に示す放射線検出ユニット５０では、１つの基板２０上に４つの放射線検出素子１０が固定される。

図３は、本実施形態に係るハンドフットクロスモニタの放射線検出部を構成する放射線検出素子の斜視図である。図３に示すように、放射線検出素子１０は、２５ｍｍ四方の平板形状を有する。放射線検出素子１０の構成を詳述するために、図４を参照し、図３の線Ａにおける放射線検出素子１０の断面形状を説明する。図４に示すように、放射線検出素子１０は、検出部１１と、回路基板側電極１２と、検出面側電極１３と、表面保護層としてのシリコン窒化膜１４と、側面保護層としてのシリコーン樹脂層１５と、を主に備えている。

放射線検出素子１０の検出部１１は、Ｎ型半導体基板、ここではＮ型シリコン基板１１１で構成されている。Ｎ型シリコン基板１１１の一方の主面には、Ｐ⁻層１１４が設けられている。Ｐ⁻層１１４は、不純物濃度が低い、すなわち電気抵抗値が高い層であり、後述する回路基板側電極１２との間でオーミック接触させるための層である。Ｐ⁻層１１４は、ホウ素などの元素をＮ型シリコン基板に拡散させることにより形成する。

Ｎ型シリコン基板１１１の他方の主面には、Ｐ層１１２が形成されている。このＰ層１１２の深さは、約数十μｍ程度である。Ｐ層１１２は、例えば、次のようにして形成する。まず、Ｎ型シリコン基板１１１の他方の主面上にシリコン酸化膜をスパッタリングなどの方法で被着し、Ｐ層１１２の形成領域に対応する部分を開口するようにシリコン酸化膜をパターニングし、残存したシリコン酸化膜をマスクにして、露出したＮ型シリコン基板にホウ素などの元素を拡散させ、その後シリコン酸化膜を除去する。

Ｐ層１１２の外側において露出しているＮ型シリコン基板１１１の外側には、Ｐ^＋層１１３が設けられている。Ｐ^＋層１１３は、不純物濃度が高い、すなわち電気抵抗値が低い層である。このＰ^＋層１１３は接地されており、回路基板側電極１２と同電位となっている。Ｐ^＋層１１３付近もプラス電界が形成されて電子が移動する。すなわち、この領域では電流が流れないため、空乏層１１７が側面まで拡がることを防止できる。このようなＰ^＋層１１３の存在により、漏れ電流を低減することができる。Ｐ^＋層１１３は、Ｎ型シリコン基板１１１の他方の主面上にシリコン酸化膜をスパッタリングなどの方法で被着し、Ｐ^＋層１１３の形成領域に対応する部分を開口するようにシリコン酸化膜をパターニングし、残存したシリコン酸化膜をマスクにして、露出したＮ型シリコン基板１１１にホウ素などの元素を拡散させ、その後シリコン酸化膜を除去する。

Ｐ層１１２の外側において露出しているＮ型シリコン基板１１１上には、シリコン酸化膜１１５が形成されている。このシリコン酸化膜１１５は、露出しているＮ型シリコン基板１１１の領域で極性反転が起きて、基板表面に沿う方向に漏れ電流が流れてしまうことを防止する。シリコン酸化膜１１５は、Ｎ型シリコン基板１１１の他方の主面上にシリコン酸化膜をスパッタリングなどの方法で被着し、露出したＮ型シリコン基板上に残存させるようにシリコン酸化膜１１５をパターニングすることにより形成する。シリコン酸化膜１１５の上層は、ゲッタリング層１１６である。ゲッタリング層１１６は、シリコン酸化膜層に含まれる不純物を捕獲、除去するものである。ゲッタリング層１１６は、シリコン酸化膜１１５にリンをドープして表面改質することにより形成する。

Ｎ型シリコン基板１１１のＰ⁻層１１４上には、回路基板側電極１２が形成されている。回路基板側電極１２は、Ｐ⁻層１１４上に電極材料をスパッタリングなどにより被着することにより形成する。Ｎ型シリコン基板のＰ層１１２上には、検出面側電極１３が形成されている。検出面側電極１３は、Ｐ層１１２上に電極材料をスパッタリングなどにより被着し、Ｐ層１１２上に残存させるように電極材料をパターニングすることにより形成する。検出面側電極１３は、アルミなどの遮光膜をかねた導電膜であることが望ましい。

Ｎ型シリコン基板１１１の他方の主面側には、その表面を被覆するように表面側保護層として、シリコン窒化膜１４が形成されている。シリコン窒化膜１４は、放射線検出性能を維持しつつ、放射線検出素子１０の寿命を長くするためのものである。シリコン窒化膜１４の厚さは、硬度が高いことに起因する応力発生による漏れ電流の増加を考慮すると、０．５μｍ〜１．５μｍであることが好ましい。シリコン窒化膜１４は、Ｎ型シリコン基板１１１の他方の主面上にシリコン窒化物をスパッタリングなどにより被着することにより形成する。シリコン窒化膜は、後述する対環境試験（促進試験）から判るように防湿性に優れた保護膜であるが、同様の対環境性能を有する保護膜として、シリコン窒化膜の他に、パラキシリレン系有機薄膜を用いることもできる。

また、検出部１１の上面（有感部領域）を除いた側面領域には、側面側保護層として、シリコーン樹脂層１５が設けられている。シリコーン樹脂層１５も、放射線検出性能を維持しつつ、放射線検出素子１０の寿命を長くするためのものである。上記シリコン窒化膜１４及びシリコーン樹脂層１５を設けることにより、より確実に、放射線検出性能を維持しつつ、放射線検出素子１０の寿命を長くすることができる。シリコーン樹脂層１５は、検出部１１の側面にシリコン樹脂を塗布し、乾燥することにより形成する。

なお、このような検出部１１において、Ｐ層１１２は、アモルファスシリコン層であっても良い。すなわち、Ｎ型シリコン基板１１１上にＰ層形成領域を開口したマスクを介してアモルファスシリコンをＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法で成膜して、Ｎ型シリコン基板１１１上にアモルファスシリコンＰ層を形成しても良い。
ここで、ベータ線放射線検出素子では、ベータ線だけでなく光も計数（捕獲）してしまうことから、対環境性能（透湿性能）に優れかつ遮光性を有し、使用時の素子の汚染防止も可能なポリイミド等の有機膜を併用する。ところが、ベータ線よりも飛程が短いアルファ線の場合、保護膜の厚さとして６μｍ程度までしか確保できないので、保護膜に十分な防湿性の機能を持たせることは困難である。このため、放射線検出素子に形成する保護膜に十分な防湿性を持たせる必要がある。そこで、電極部分を含む表面全面をシリコン窒化膜（又はパラキシリレン系有機薄膜）で覆い、保護膜に十分な防湿性を持たせている。遮光性は検出面側電極１３にアルミなどの遮光膜をかねた導電膜を用いることで実現可能である。

以上のような放射線検出部４ａ、７ｂ、８ａには、図５に示すような回路ブロックが接続される。図５は、本実施形態のハンドフットクロスモニタの放射線検出部の回路ブロック図である。図５に示すように、放射線検出部４ａ、７ｂ、８ａでは、放射線検出素子１０毎に信号処理部３０が設けられ、各信号処理部３０は、ＭＰＵ４０に接続されている。

各信号処理部３０は、放射線検出素子１０から放出された信号を増幅する。ＭＰＵ４０は、各信号処理部３０で増幅された信号を検出し、検出信号をカウントし、カウント結果に基づいて放射線量を算出する。ＭＰＵ４０は、算出した放射線量が所定値を超える場合、アラームを発するようにハンドフットクロスモニタのブザー６を制御し、算出した放射線量が所定値を超えた汚染部位の警告表示を行うように表示部５を制御する。なお、ＭＰＵ４０は、放射線検出素子１０からの検出信号のカウント範囲を制御することによって、汚染部位をより詳細に特定することが可能である。

次に、図１及び４を参照し、以上のように構成されたハンドフットクロスモニタにおいて、被測定者の手、足、衣服の表面に付着した放射性物質から放射される放射線を検出する動作について説明する。

被測定者は、手、足の表面に付着した放射性物質を検出するために、図１に示すハンドフットクロスモニタにおいて、足測定部４に設けられた左右一対の放射線検出部４ａに両足を乗せるとともに、手・足測定開始ボタン（不図示）を押下し、一対の手測定部７に設けられた手挿入部７ａに両手を挿入する。また、被測定者は、手・足の検査後に、衣服の表面に付着した放射性物質を検出するために、衣服測定部８の取手８ａを保持して、衣服測定開始ボタン（不図示）を押下し、放射線検出部８ｂを自身の衣服に近づける。

被測定者によって手・足測定開始ボタンや衣服測定開始ボタンが押下されると、放射線検出部４ａ、７ｂ、８ｂに配列された放射線検出素子１０に電圧が印加される。図４に示す放射線検出素子１０において、Ｐ層１１２に負電圧を印加し、Ｎ型シリコン基板１１１に正電圧を印加すると、すなわち、ｐｎ接合に逆方向バイアスを印加すると、Ｎ型シリコン基板１１１に空乏層１１７が形成される。この空乏層１１７は、高い比抵抗であり、電界強度が高い領域である。したがって、この状態の放射線検出素子１０にβ線のような放射線が入射すると、空乏層１１７において電離し、２次電子となって有効に集められる。この有効に集められた２次電子がパルス状の電流信号となり、このパルス状の電流信号を検出することにより放射線を検出することができる。

このような放射線検出素子１０の構成、すなわち、Ｎ型シリコン基板１１１の他方の主面を被覆するようにシリコン窒化膜１４が形成されており、少なくとも検出部１１の側面を含む領域にシリコーン樹脂層１５が設けられている構成によれば、長期間にわたって放射線検出性能を維持することができる。具体的に、図４に示す構成の放射線検出素子１０に逆バイアス１５０Ｖを印加した状態で８５℃、８５％ＲＨに放置した促進試験を行ったところ、１０００時間以上にわたって、目標漏れ電流値１５０ｎＡ（室温）以下（実測値１００ｎＡ以下）を維持したことが確認できた。

また、本実施形態に係る構成の放射線検出素子１０においては、放射線を電離し、２次電子として有効に集めるために十分な空乏層１１７を形成するのに必要なバイアス電圧を低くすることができる。Ｐ型シリコン基板にＮ層を設けた構造においては、十分な空乏層１１７を形成するためには、２００Ｖのバイアス電圧が必要となる。このような構成では、全体として絶縁耐圧性を高める必要がある。一方、図４に示す構造、すなわちＮ型シリコン基板１１１にＰ層１１２を設けた構造では、１００Ｖ以下のバイアス電圧で十分な空乏層１１７を形成することができる。このため、図４に示す構造は、絶縁耐圧の観点からも有利な構造である。

以上のように、本実施形態に係るハンドフットクロスモニタによれば、長期間にわたって放射線検出性能を維持可能な半導体型検出装置を放射線検出センサとして用いるとともに、小型・軽量なハンドフットクロスモニタを提供することができる。

なお、本実施形態に係るハンドフットクロスモニタは、設置場所へ移動する場合又は収納する場合には、支柱２を折りたたみ、持ち運び容易な形状にすることができ、収納スペースを小さくすることが可能である。図６は、本実施形態のハンドフットクロスモニタの支柱を折り曲げた様子を示す図である。

図６では、図１において支柱２の上部領域２ｄの突起２ｈに嵌合していた留め金２ｅが外され、下部領域２ｃがヒンジ２ａを介して基台１の上面に向かって折り曲げられている。下部領域２ｃの長さは、下部領域２ｃを折り曲げた場合に、基台１から下部領域２ｃが突出しないように制限されている。また、基台１の足測定部４の一対の放射線検出部４ａの間には、接触エリア４ｂが設けられている。接触エリア４ｂは、下部領域２ｃを基台１の上面に向かって折り曲げたときに、下部領域２ｃの留め金２ｅとスペーサ２ｇとを接触させるためのものである。この接触エリア４ｂを設けたことにより、下部領域２ｃを折り曲げたときに、下部領域２ｃが放射線検出部４ａに接触することによって、放射線検出素子１０に傷がつくのを防止することができる。

また、図６では、留め金２ｅが外された上部領域２ｄがヒンジ２ｆによって下部領域２ｃの背面に向かって折り曲げられている。折り曲げられた上部領域２ｄと下部領域２ｃとの間には、下部領域２ｃの背面下端部に設けられた支え部２ｂが収納される。上部領域２ｄの長さは、上部領域２ｄを折り曲げた場合に、基台１から上部領域２ｄの上端部に固定された上部ユニット３が突出する長さに設定されている。また、基台１の背面には、上部領域２ｄを折り曲げた場合に、基台１から突出した上部ユニット３を固定する固定部１ａが設けられている。固定部１ａは、上部ユニット３の背面に設けられた溝（図示なし）を固定部１ａに嵌合させて、上部ユニット３を固定する。このように、支柱２を折りたたみ可能に構成することによって、ハンドフットクロスモニタを持ち運び容易な形状にすることができ、収納スペースを小さくすることが可能である

なお、本実施形態では、被験者（被測定者）の手・足の表面及び衣服の表面に付着した放射性物質から放射される放射線を放射線検出素子１０で検出するハンドフットクロスモニタについて説明した。しかしながら、本発明は、検査対象物の表面に付着した放射線物質から放射される放射線を放射線検出素子１０で検出する表面汚染モニタ（例えば、ランドリーモニタや物品表面汚染モニタ）にも適用可能である。

本出願は、２００９年７月１０日出願の特願２００９−１６４０９２に基づく。この内容は、全てここに含めておく。

Claims (10)

1. 被験者又は検査対象物の表面に付着した放射性物質から放射される放射線を放射線検出素子で検出する表面汚染モニタであって、
   モニタ本体を折り畳み可能な折り畳み機構を有し、
   被験者の手・足の表面及び衣服の表面に付着した放射性物質から放射される放射線を前記放射線検出素子で検出するハンドフットクロスモニタとして用いられ、
   足部測定用の前記放射線検出素子が上面に設けられた基台と、
   前記基台の上面中央奥に設けられた支柱と、
   前記支柱の上端部に固定され手部測定用の前記放射線検出素子が設けられた上部ユニットと、を備え、
   前記折り畳み機構は、
   前記支柱を、該支柱の下端部に設けられた第１のヒンジを介して前記基台の上面に折り曲げ可能であるとともに、該支柱の中間部に設けられた第２のヒンジを介して反対側に折り曲げ可能であり、
   前記支柱が前記第１及び第２のヒンジを介して折り曲げられた状態では、前記上部ユニットが前記基台の端部よりも外側に出ること特徴とする表面汚染モニタ。
2. 請求項１記載の表面汚染モニタにおいて、
   前記放射線検出素子は、
   第１の面側にｐ型半導体層が形成され、前記第１の面と反対側の第２の面側に前記ｐ型半導体層と接合したｎ型半導体層が形成された半導体基板と、
   前記第１の面上に形成される第１の電極と、
   前記第２の面上に形成される第２の電極と、
   前記第１の電極を含む前記第１の面の全体を被覆する防湿性を有する保護膜と、を具備することを特徴とする表面汚染モニタ。
3. 前記防湿性を有する保護膜は、シリコン窒化膜を有することを特徴とする請求項２記載の表面汚染モニタ。
4. 前記防湿性を有する保護膜は、パラキシリレン系有機薄膜を有することを特徴とする請求項２記載の表面汚染モニタ。
5. 前記第１の電極は、遮光性を有する導電膜で形成されていることを特徴とする請求項２記載の表面汚染モニタ。
6. 前記ｎ型半導体層の一部が、前記ｐ型半導体層の側面を囲んで前記第１の面側に形成され、
   前記ｐ型半導体層の側面の外側に前記ｎ型半導体層を介して、他のｐ型半導体層が形成されており、
   前記他のｐ型半導体層と前記第２の電極が同電位となるように電気的に接続されたことを特徴とする請求項２記載の表面汚染モニタ。
7. 前記第１の面において、前記ｎ型半導体層が形成された領域に酸化シリコン膜が形成されていることを特徴とする請求項２に記載の表面汚染モニタ。
8. 前記半導体基板はＮ型半導体基板であり、前記ｐ型半導体層は前記ｎ型半導体基板に不純物元素が拡散して形成された半導体層であることを特徴とする請求項２に記載の表面汚染モニタ。
9. 前記ｎ型半導体層と前記第２の電極の間に、前記ｐ型半導体層より不純物濃度が小さいｐ−層を有することを特徴とする請求項２に記載の表面汚染モニタ。
10. 前記放射線検出素子の側面にシリコーン樹脂層を有することを特徴とする請求項２記載の表面汚染モニタ。

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