JP5143792B2

JP5143792B2 - Semiconductor laser device

Info

Publication number: JP5143792B2
Application number: JP2009162873A
Authority: JP
Inventors: 哲也藤谷
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2009-07-09
Filing date: 2009-07-09
Publication date: 2013-02-13
Anticipated expiration: 2029-07-09
Also published as: JP2011018800A

Description

本発明は、半導体レーザ装置に関し、特に、半導体レーザ素子が搭載された半導体レーザ装置に関する。 The present invention relates to a semiconductor laser device, and more particularly to a semiconductor laser device on which a semiconductor laser element is mounted.

近年、半導体レーザの用途は著しく拡大しており、各産業分野において、半導体レーザ素子が搭載された半導体レーザ装置が用いられている。また、近年では、半導体レーザ素子の高出力化が強く要求されており、半導体レーザ装置に、光出力の高い高出力半導体レーザ素子が搭載されることが多くなってきている。 In recent years, the use of semiconductor lasers has been remarkably expanded, and semiconductor laser devices equipped with semiconductor laser elements are used in various industrial fields. In recent years, there has been a strong demand for higher output of semiconductor laser elements, and high-power semiconductor laser elements with high optical output are often mounted on semiconductor laser devices.

高出力半導体レーザ素子が搭載された半導体レーザ装置では、半導体レーザ素子の発熱量が大きくなるため、より高い放熱効果が求められる。このため、半導体レーザ素子で発生する熱を効率よく放熱させるために、放熱器を備えた構成とする場合がある。たとえば、特許文献１では、半導体レーザ素子からの熱を放熱させる放熱板（放熱器）を備え、この放熱板を、半導体レーザ装置のアイレット部の側面と接触させている。 In a semiconductor laser device on which a high-power semiconductor laser element is mounted, since the amount of heat generated by the semiconductor laser element increases, a higher heat dissipation effect is required. For this reason, in order to efficiently dissipate the heat generated in the semiconductor laser element, there may be a configuration provided with a radiator. For example, in Patent Document 1, a heat radiating plate (heat radiator) that radiates heat from the semiconductor laser element is provided, and this heat radiating plate is brought into contact with the side surface of the eyelet portion of the semiconductor laser device.

特開２００６−２７８３６１号公報JP 2006-278361 A

上述のように、半導体レーザ装置のアイレット部を放熱器と接触させる方法は、半導体レーザ装置の放熱効果を高めるための方法として非常に有効である。 As described above, the method of bringing the eyelet part of the semiconductor laser device into contact with the radiator is very effective as a method for enhancing the heat radiation effect of the semiconductor laser device.

しかしながら、放熱器をアイレット部と接触させた場合でも、接触させる位置などの違いによっては、十分な放熱効果が得られない場合がある。特に、高出力半導体レーザ素子が搭載されている半導体レーザ装置の場合には、接触位置などによって、放熱効果が不十分になり易いという問題点がある。 However, even when the radiator is brought into contact with the eyelet part, a sufficient heat radiation effect may not be obtained depending on the difference in the position of contact. In particular, in the case of a semiconductor laser device on which a high-power semiconductor laser element is mounted, there is a problem that the heat dissipation effect tends to be insufficient depending on the contact position.

この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、高い放熱効果を有し、高出力でレーザ光を出射可能な半導体レーザ装置を提供することである。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and one object of the present invention is to provide a semiconductor laser device having a high heat dissipation effect and capable of emitting laser light with high output. That is.

上記目的を達成するために、この発明の一の局面による半導体レーザ装置は、ブロック部と、ブロック部が上面上に設けられたアイレット部とを含むステムと、ブロック部に搭載された半導体レーザ素子と、半導体レーザ素子を覆うように、アイレット部の上面上に固定されたキャップと、アイレット部に保持されたリードと、半導体レーザ素子からの熱を放熱するための放熱器とを備えている。そして、上記放熱器は、少なくとも、アイレット部の下面におけるブロック部の真下に位置する領域全面と熱接触している。なお、本発明の「熱接触」とは、空気が介在しない熱接触であり、放熱器とアイレット部とが直接的に接触する場合の他、充填層などを介して間接的に接触する場合も含む。 In order to achieve the above object, a semiconductor laser device according to one aspect of the present invention includes a stem including a block portion, an eyelet portion provided on the upper surface of the block portion, and a semiconductor laser element mounted on the block portion. And a cap fixed on the upper surface of the eyelet part, a lead held by the eyelet part, and a radiator for radiating heat from the semiconductor laser element so as to cover the semiconductor laser element. The radiator is in thermal contact with at least the entire region located directly below the block portion on the lower surface of the eyelet portion. The “thermal contact” of the present invention is a thermal contact in which air does not intervene, and in addition to a case where the radiator and the eyelet part are in direct contact, there is a case where the contact is made indirectly through a packed layer or the like. Including.

この一の局面による半導体レーザ装置では、上記のように、半導体レーザ素子からの熱を放熱するための放熱器を、少なくとも、アイレット部の下面におけるブロック部の真下に位置する領域全面と熱接触させることによって、半導体レーザ素子からの熱を効率よく放熱器に伝達させることができる。すなわち、半導体レーザ素子からの熱は、ブロック部を介してアイレット部に伝達されるため、アイレット部の下面におけるブロック部の真下に位置する領域全面に放熱器を熱接触させることによって、半導体レーザ素子からの熱を効率よく放熱器に伝達させることができる。このため、十分な放熱効果を得ることができるので、高い光出力でレーザ光を出射した場合でも、半導体レーザ素子の温度上昇を抑制することができる。これにより、半導体レーザ素子の温度上昇に起因する信頼性および素子特性の低下を抑制することができる。また、半導体レーザ素子の温度上昇を抑制することによって、素子の長寿命化を図ることができる。 In the semiconductor laser device according to this aspect, as described above, the heat radiator for radiating the heat from the semiconductor laser element is brought into thermal contact with at least the entire region located directly below the block portion on the lower surface of the eyelet portion. Thus, the heat from the semiconductor laser element can be efficiently transmitted to the radiator. That is, since heat from the semiconductor laser element is transmitted to the eyelet part through the block part, the semiconductor laser element is brought into thermal contact with the entire surface of the lower surface of the eyelet part located immediately below the block part. Can be efficiently transferred to the radiator. For this reason, since a sufficient heat dissipation effect can be obtained, even when the laser beam is emitted with a high light output, an increase in the temperature of the semiconductor laser element can be suppressed. Thereby, it is possible to suppress a decrease in reliability and element characteristics due to a temperature increase of the semiconductor laser element. Moreover, the lifetime of the element can be extended by suppressing the temperature rise of the semiconductor laser element.

上記一の局面による半導体レーザ装置において、上記放熱器は、アイレット部の下面におけるブロック部の真下に位置する領域に加えて、アイレット部の下面における他の領域およびアイレット部の側面とも熱接触されているのが好ましい。 In the semiconductor laser device according to the one aspect, the radiator is in thermal contact with the other region on the lower surface of the eyelet portion and the side surface of the eyelet portion in addition to the region located directly below the block portion on the lower surface of the eyelet portion. It is preferable.

上記一の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、リードは、アイレット部とは電気的に絶縁された状態で保持されている。このように構成すれば、アイレット部と電気的に接続されるリードを省略することができる。通常、アイレット部と電気的に接続されるリードは、アイレット部の下面におけるブロック部の真下に位置する領域に取り付けられる。このため、アイレット部と電気的に接続されるリードを省略することによって、放熱器を、アイレット部の下面におけるブロック部の真下に位置する領域全面と容易に熱接触させることが可能となる。 In the semiconductor laser device according to the aforementioned aspect, the lead is preferably held in a state of being electrically insulated from the eyelet portion. If comprised in this way, the lead electrically connected with an eyelet part can be omitted. Usually, the lead electrically connected to the eyelet part is attached to a region located directly below the block part on the lower surface of the eyelet part. For this reason, by omitting the lead electrically connected to the eyelet part, the radiator can be easily brought into thermal contact with the entire surface of the lower surface of the eyelet part located immediately below the block part.

上記一の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、アイレット部には、リードが２本保持されており、これら２本のリードは、それぞれ、半導体レーザ素子と電気的に接続されている。このように構成すれば、アイレット部と電気的に接続されるリードが省略された状態となるので、リードが１本省略された分、放熱器を、アイレット部の下面のより広い領域と熱接触させることができる。これにより、より効率よく、半導体レーザ素子からの熱を放熱器に伝達させることができるので、十分な放熱効果を容易に得ることができる。 In the semiconductor laser device according to the above aspect, preferably, two leads are held in the eyelet part, and each of the two leads is electrically connected to the semiconductor laser element. With this configuration, since the lead electrically connected to the eyelet part is omitted, the heat sink is brought into thermal contact with a wider area on the lower surface of the eyelet part by the amount of one lead omitted. Can be made. As a result, heat from the semiconductor laser element can be more efficiently transmitted to the radiator, so that a sufficient heat radiation effect can be easily obtained.

上記一の局面による半導体レーザ装置において、アイレット部には、厚み方向に貫通する２つの第１貫通穴が形成されており、２つの第１貫通穴には、それぞれ、リードが１本ずつ挿通されるように構成することができる。 In the semiconductor laser device according to the above aspect, the eyelet part has two first through holes penetrating in the thickness direction, and one lead is inserted into each of the two first through holes. Can be configured.

上記一の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、アイレット部には、リードが１本保持されており、この１本のリードは、半導体レーザ素子と電気的に接続される第１リード部および第２リード部を含み、第１リード部および第２リード部は、絶縁層を介して一体化されている。このように構成すれば、アイレット部に保持されるリードの数を１本に減らすことができるので、放熱器を、アイレット部の下面のさらに広い領域と熱接触させることができる。これにより、さらに効率よく、半導体レーザ素子からの熱を放熱器に伝達させることができるので、十分な放熱効果をより容易に得ることができる。 In the semiconductor laser device according to the above aspect, preferably, one lead is held in the eyelet portion, and the one lead is electrically connected to the semiconductor laser element and the first lead portion and the first lead. Including two lead parts, the first lead part and the second lead part are integrated via an insulating layer. If comprised in this way, since the number of the leads hold | maintained at an eyelet part can be reduced to one, a heat radiator can be made to be in thermal contact with the wider area | region of the lower surface of an eyelet part. As a result, heat from the semiconductor laser element can be transmitted to the radiator more efficiently, and a sufficient heat radiation effect can be obtained more easily.

この場合において、アイレット部には、厚み方向に貫通する１つの第２貫通穴が形成されており、第２貫通穴には、第１リード部および第２リード部を含むリードが挿通されるように構成することができる。 In this case, the eyelet part is formed with one second through hole penetrating in the thickness direction, and a lead including the first lead part and the second lead part is inserted into the second through hole. Can be configured.

上記一の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、リードは、アイレット部の側面に保持されており、放熱器は、アイレット部の下面全面と熱接触している。このように構成すれば、アイレット部の下面における放熱器と熱接触している領域を最大限に大きくすることができるので、より高い放熱効果を得ることができる。 In the semiconductor laser device according to the above aspect, the lead is preferably held on the side surface of the eyelet part, and the radiator is in thermal contact with the entire lower surface of the eyelet part. If comprised in this way, since the area | region which is in thermal contact with the heat radiator in the lower surface of an eyelet part can be enlarged to the maximum, the higher heat dissipation effect can be acquired.

上記一の局面による半導体レーザ装置において、アイレット部は、平面的に見て、直径が５．６ｍｍの略円形状に形成されており、アイレット部の下面全体の面積に対する、アイレット部の下面における放熱器と熱接触している領域の面積の比率が、８５％〜１００％であるのが好ましい。このように構成すれば、従来の半導体レーザ装置に比べて、高い放熱効果を有する半導体レーザ装置を得ることができる。 In the semiconductor laser device according to the above aspect, the eyelet portion is formed in a substantially circular shape having a diameter of 5.6 mm when seen in a plan view, and heat is dissipated on the lower surface of the eyelet portion with respect to the entire area of the lower surface of the eyelet portion. The area ratio of the region in thermal contact with the vessel is preferably 85% to 100%. If comprised in this way, the semiconductor laser apparatus which has a high heat dissipation effect compared with the conventional semiconductor laser apparatus can be obtained.

上記一の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、放熱器と接触しているアイレット部の表面の算術平均粗さＲａが、１μｍ以下である。このように構成すれば、接触面に凹凸が形成されていることに起因して、放熱器とアイレット部との実効的な接触面積が低下するという不都合が生じるのを抑制することができる。これにより、容易に、半導体レーザ素子からの熱を放熱器に伝達させることができるので、高い放熱効果を容易に得ることができる。 In the semiconductor laser device according to the above aspect, the arithmetic average roughness Ra of the surface of the eyelet part in contact with the radiator is preferably 1 μm or less. If comprised in this way, it can suppress that the problem that the effective contact area of a heat radiator and an eyelet part falls due to the unevenness | corrugation being formed in the contact surface arises. Thereby, the heat from the semiconductor laser element can be easily transmitted to the radiator, so that a high heat radiation effect can be easily obtained.

上記一の局面による半導体レーザ装置において、放熱器は、アイレット部の下面と直接的に接触していてもよい。この場合、放熱器と接触しているアイレット部の表面の算術平均粗さＲａを１μｍ以下とすることによって、放熱器とアイレット部との実効的な接触面積が低下するのを容易に抑制することができる。 In the semiconductor laser device according to the aforementioned aspect, the radiator may be in direct contact with the lower surface of the eyelet part. In this case, by making the arithmetic average roughness Ra of the surface of the eyelet part in contact with the radiator 1 μm or less, the effective contact area between the radiator and the eyelet part can be easily suppressed from decreasing. Can do.

上記一の局面による半導体レーザ装置において、放熱器は、フィラーを含む充填層を介して、アイレット部の少なくとも下面と間接的に接触するように構成されていてもよい。このように構成すれば、放熱器とアイレット部との隙間を、フィラーを含む充填層で埋めることができる。このため、これによっても、容易に、半導体レーザ素子からの熱を放熱器に伝達させることができる。 In the semiconductor laser device according to the above aspect, the radiator may be configured to indirectly contact at least the lower surface of the eyelet part via a filler layer including a filler. If comprised in this way, the clearance gap between a heat radiator and an eyelet part can be filled up with the filling layer containing a filler. For this reason, also by this, the heat from the semiconductor laser element can be easily transmitted to the radiator.

この場合において、少なくとも、アイレット部の下面上にはメッキ層が形成されており、メッキ層を構成するメッキの粒径は、フィラーの粒径によって調整されているのが好ましい。たとえば、メッキの粒径をフィラーの粒径と同程度とすることによって、メッキの粒の間に、フィラーを入り込み易くすることができる。これにより、フィラーによる熱伝達効果を向上させることができる。 In this case, it is preferable that a plating layer is formed at least on the lower surface of the eyelet part, and the particle size of the plating constituting the plating layer is adjusted by the particle size of the filler. For example, by setting the particle size of the plating to be approximately the same as the particle size of the filler, it is possible to easily enter the filler between the plating particles. Thereby, the heat transfer effect by a filler can be improved.

なお、半導体レーザ素子からの熱を放熱器に伝達させるためには、アイレット部の表面を放熱器に半田付けすることにより、アイレット部（ステム）と放熱器とを金属接合させる方法が効果的であると考えられる一方、メッキ層の耐熱性により、このような方法を採用することが困難になる場合がある。 In order to transfer heat from the semiconductor laser element to the radiator, it is effective to solder the surface of the eyelet part to the radiator so that the eyelet part (stem) and the radiator are metal-bonded. On the other hand, it may be difficult to adopt such a method due to the heat resistance of the plating layer.

上記一の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、半導体レーザ素子は、窒化物半導体からなり、上記キャップによって、半導体レーザ素子が気密封止されている。このように構成すれば、高出力で青紫色レーザ光を出射可能な半導体レーザ装置を容易に得ることができる。 In the semiconductor laser device according to the above aspect, the semiconductor laser element is preferably made of a nitride semiconductor, and the semiconductor laser element is hermetically sealed by the cap. With this configuration, a semiconductor laser device that can emit blue-violet laser light with high output can be easily obtained.

以上のように、本発明によれば、高い放熱効果を有し、高出力でレーザ光を出射可能な半導体レーザ装置を容易に得ることができる。 As described above, according to the present invention, it is possible to easily obtain a semiconductor laser device having a high heat dissipation effect and capable of emitting laser light with high output.

放熱器を備えた本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置の断面図である。It is sectional drawing of the semiconductor laser apparatus by 1st Embodiment of this invention provided with the heat radiator. 本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置のアイレット部を下面側から見た平面図である。It is the top view which looked at the eyelet part of the semiconductor laser apparatus by 1st Embodiment of this invention from the lower surface side. 本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置の斜視図である。1 is a perspective view of a semiconductor laser device according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置の平面図（キャップを取り外した状態の図）である。1 is a plan view of a semiconductor laser device according to a first embodiment of the present invention (with a cap removed). 本発明の第１実施形態による放熱器の下部部材の平面図である。It is a top view of the lower member of the radiator by a 1st embodiment of the present invention. 従来の半導体レーザ装置の断面図である。It is sectional drawing of the conventional semiconductor laser apparatus. 従来の半導体レーザ装置のアイレット部を下面側から見た平面図である。It is the top view which looked at the eyelet part of the conventional semiconductor laser apparatus from the lower surface side. 第１実施形態の変形例による半導体レーザ装置の断面図である。It is sectional drawing of the semiconductor laser apparatus by the modification of 1st Embodiment. 本発明の第２実施形態による半導体レーザ装置の断面図である。It is sectional drawing of the semiconductor laser apparatus by 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第２実施形態による半導体レーザ装置のアイレット部を下面側から見た平面図である。It is the top view which looked at the eyelet part of the semiconductor laser apparatus by 2nd Embodiment of this invention from the lower surface side. 本発明の第２実施形態による半導体レーザ装置のリードの斜視図である。It is a perspective view of the lead | read | reed of the semiconductor laser apparatus by 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第２実施形態による半導体レーザ装置の平面図（キャップを取り外した状態の図）である。It is a top view (figure in the state where a cap was removed) of a semiconductor laser device by a 2nd embodiment of the present invention. 本発明の第２実施形態による放熱器の下部部材の平面図である。It is a top view of the lower member of the radiator by a 2nd embodiment of the present invention. 本発明の第２実施形態による半導体レーザ装置のリード（他の例）の斜視図である。It is a perspective view of a lead (another example) of a semiconductor laser device according to a second embodiment of the present invention. 本発明の第３実施形態による半導体レーザ装置の断面図である。It is sectional drawing of the semiconductor laser apparatus by 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第３実施形態による半導体レーザ装置のアイレット部を下面側から見た平面図である。It is the top view which looked at the eyelet part of the semiconductor laser apparatus by 3rd Embodiment of this invention from the lower surface side. 図１６をＡ方向から見た側面図である。It is the side view which looked at FIG. 16 from the A direction. 本発明の第３実施形態による半導体レーザ装置の平面図（キャップを取り外した状態の図）である。It is a top view (figure in the state where a cap was removed) of a semiconductor laser device by a 3rd embodiment of the present invention. 第３実施形態の変形例による半導体レーザ装置の側面図（図１７と同様の方向から見た図）である。It is a side view (figure seen from the direction similar to FIG. 17) of the semiconductor laser apparatus by the modification of 3rd Embodiment.

本発明を具体化した実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の実施形態では、パッケージサイズ（ステムの外径）が５．６ｍｍφのキャンパッケージ型半導体レーザ装置に本発明を適用した例について説明する。 DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Embodiments embodying the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the following embodiment, an example in which the present invention is applied to a can package type semiconductor laser device having a package size (outer diameter of the stem) of 5.6 mmφ will be described.

（第１実施形態）
図１は、放熱器を備えた本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置の断面図である。図２は、本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置のアイレット部を下面側から見た平面図である。図３は、本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置の斜視図である。図４および図５は、本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置の構造を説明するための図である。まず、図１〜図５を参照して、本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置について説明する。 (First embodiment)
FIG. 1 is a cross-sectional view of a semiconductor laser device according to a first embodiment of the present invention provided with a radiator. FIG. 2 is a plan view of the eyelet part of the semiconductor laser device according to the first embodiment of the present invention as seen from the lower surface side. FIG. 3 is a perspective view of the semiconductor laser device according to the first embodiment of the present invention. 4 and 5 are views for explaining the structure of the semiconductor laser device according to the first embodiment of the present invention. First, the semiconductor laser device according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

第１実施形態による半導体レーザ装置は、図１および図４に示すように、アイレット部１０と、アイレット部１０の上面上に固定されたブロック部１１と、サブマウント２０を介して上記ブロック部１１に搭載された半導体レーザ素子３０と、半導体レーザ素子３０が搭載されたブロック部１１を覆うように、アイレット部１０の上面上に固定されたキャップ４０と、アイレット部１０に保持されたリード５０とを備えている。なお、アイレット部１０とブロック部１１とによって、ステム１２が構成される。 As shown in FIGS. 1 and 4, the semiconductor laser device according to the first embodiment includes an eyelet part 10, a block part 11 fixed on the upper surface of the eyelet part 10, and the block part 11 via a submount 20. A cap 40 fixed on the upper surface of the eyelet portion 10 so as to cover the block portion 11 on which the semiconductor laser device 30 is mounted, and a lead 50 held by the eyelet portion 10. It has. The eyelet portion 10 and the block portion 11 constitute a stem 12.

また、第１実施形態による半導体レーザ装置は、図１および図３に示すように、半導体レーザ素子３０からの熱を放熱させる放熱器６０をさらに備えている。 The semiconductor laser device according to the first embodiment further includes a radiator 60 that radiates heat from the semiconductor laser element 30 as shown in FIGS. 1 and 3.

アイレット部１０は、図１、図２および図４に示すように、鉄または銅などの金属材料から構成されており、略円板状に形成されている。このアイレット部１０の表面には、金メッキなどの表面処理が施されており、その表面にメッキ層が形成されている。また、アイレット部１０は、直径が約５．６ｍｍ、厚みが約１．２ｍｍに形成されている。さらに、アイレット部１０の所定領域には、厚み方向に貫通するとともに、後述するリード５０を保持するための２つの貫通穴１３が形成されている。なお、貫通穴１３は、本発明の「第１貫通穴」の一例である。 As shown in FIGS. 1, 2, and 4, the eyelet portion 10 is made of a metal material such as iron or copper, and is formed in a substantially disc shape. The surface of the eyelet portion 10 is subjected to a surface treatment such as gold plating, and a plating layer is formed on the surface. The eyelet part 10 is formed with a diameter of about 5.6 mm and a thickness of about 1.2 mm. Further, two through holes 13 are formed in a predetermined region of the eyelet portion 10 so as to penetrate in the thickness direction and hold a lead 50 described later. The through hole 13 is an example of the “first through hole” in the present invention.

ブロック部１１は、鉄または銅などの金属材料によって構成されており、アイレット部１０の上面の中央部近傍に固定されている。なお、ブロック部１１の表面には、アイレット部１０と同様に、金メッキなどの表面処理が施されている。また、ブロック部１１は、アイレット部１０に一体的に形成された構成となる場合もある。 The block part 11 is made of a metal material such as iron or copper, and is fixed in the vicinity of the center part of the upper surface of the eyelet part 10. Note that the surface of the block portion 11 is subjected to surface treatment such as gold plating in the same manner as the eyelet portion 10. Moreover, the block part 11 may become the structure integrally formed in the eyelet part 10. FIG.

半導体レーザ素子３０は、窒化物半導体から構成されており、たとえば、２５０ｍＷ以上の光出力で青紫色レーザ光を出射可能な高出力半導体レーザ素子からなる。この半導体レーザ素子３０は、サブマウント２０を介して、ブロック部１１の先端側一側面（アイレット部１０の中心側の面）の所定の領域に搭載されている。なお、半導体レーザ素子３０は、ジャンクションダウン方式またはジャンクションアップ方式のいずれかでサブマウント２０上に実装される。 The semiconductor laser element 30 is made of a nitride semiconductor, and is made of, for example, a high-power semiconductor laser element that can emit blue-violet laser light with an optical output of 250 mW or more. The semiconductor laser element 30 is mounted on a predetermined region on one end side surface (the surface on the center side of the eyelet portion 10) of the block portion 11 via the submount 20. The semiconductor laser element 30 is mounted on the submount 20 by either a junction down method or a junction up method.

キャップ４０は、銅や鉄の合金などの金属材料によって構成されており、略円筒状の側壁部４１と、この側壁部４１の一端に設けられた天面部４２と、側壁部４１の他端に設けられたフランジ部４３とを含んで構成されている。このキャップ４０の天面部４２には、半導体レーザ素子３０から出射されるレーザ光を取り出すための出射孔４２ａが設けられており、天面部４２の出射孔４２ａは、半導体レーザ素子３０を気密封止するために、ガラスからなる光透過窓４４によって覆われている。なお、光透過窓４４は、低融点ガラスによってキャップ４０に取り付けられている。 The cap 40 is made of a metal material such as an alloy of copper or iron, and has a substantially cylindrical side wall portion 41, a top surface portion 42 provided at one end of the side wall portion 41, and the other end of the side wall portion 41. And a flange portion 43 provided. The top surface portion 42 of the cap 40 is provided with an emission hole 42a for extracting laser light emitted from the semiconductor laser element 30. The emission hole 42a of the top surface portion 42 hermetically seals the semiconductor laser element 30. In order to do so, it is covered by a light transmission window 44 made of glass. The light transmission window 44 is attached to the cap 40 with low melting point glass.

また、キャップ４０は、そのフランジ部４３がアイレット部１０に溶接されることによって、半導体レーザ素子３０などを覆うように、アイレット部１０の上面上に固定されている。なお、上記半導体レーザ素子３０は、アイレット部１０とキャップ４０とによって、気密封止されている。 The cap 40 is fixed on the upper surface of the eyelet part 10 so as to cover the semiconductor laser element 30 and the like by welding the flange part 43 to the eyelet part 10. The semiconductor laser element 30 is hermetically sealed by the eyelet part 10 and the cap 40.

ここで、第１実施形態では、上記リード５０は、半導体レーザ素子３０のアノードまたはカソードの一方と電気的に接続されるリード５１と、半導体レーザ素子３０のアノードまたはカソードの他方と電気的に接続されるリード５２とから構成されている。 Here, in the first embodiment, the lead 50 is electrically connected to the lead 51 that is electrically connected to one of the anode and the cathode of the semiconductor laser element 30 and the other of the anode and the cathode of the semiconductor laser element 30. The lead 52 is made up of.

すなわち、第１実施形態による半導体レーザ装置は、アイレット部１０に２本のリード５１および５２が固定された構成となっている。この２本のリード５１および５２は、それぞれ、アイレット部１０の貫通穴１３に挿通され、その一方端部がアイレット部１０の上面側に突出するように、絶縁体１４を介してアイレット部１０に絶縁固定されている。このため、第１実施形態では、アイレット部１０に直接取り付けられる（アイレット部１０に電気的に接続される）リードが省略された構成となっている。 That is, the semiconductor laser device according to the first embodiment has a configuration in which the two leads 51 and 52 are fixed to the eyelet portion 10. The two leads 51 and 52 are respectively inserted into the through holes 13 of the eyelet part 10, and are connected to the eyelet part 10 via the insulator 14 so that one end thereof protrudes to the upper surface side of the eyelet part 10. Insulated and fixed. For this reason, in 1st Embodiment, it becomes the structure by which the lead directly attached to the eyelet part 10 (electrically connected to the eyelet part 10) was abbreviate | omitted.

そして、上記リード５１の一方端部が、ボンディングワイヤ１５を介して半導体レーザ素子３０と電気的に接続されており、上記リード５２の一方端部が、ボンディングワイヤ１６およびサブマウント２０を介して、半導体レーザ素子３０と電気的に接続されている。 One end of the lead 51 is electrically connected to the semiconductor laser element 30 through the bonding wire 15, and one end of the lead 52 is connected through the bonding wire 16 and the submount 20. The semiconductor laser element 30 is electrically connected.

なお、第１実施形態では、上記半導体レーザ素子３０の配線形式がフローティング接続となっている。ここで、フローティング接続とは、半導体レーザ素子の電極をコモンに接続しない配線形式である。 In the first embodiment, the wiring form of the semiconductor laser element 30 is a floating connection. Here, the floating connection is a wiring form in which the electrode of the semiconductor laser element is not connected to the common.

放熱器６０は、たとえば、アルミニウムや銅などの放熱性に優れた金属材料からなる。この放熱器６０は、図３に示すように、分割可能に構成された２つのブロック状部材（上部部材６１および下部部材６２）を含んで構成されている。 The radiator 60 is made of, for example, a metal material having excellent heat dissipation such as aluminum or copper. As shown in FIG. 3, the radiator 60 includes two block-shaped members (an upper member 61 and a lower member 62) configured to be separable.

放熱器６０を構成する上部部材６１には、キャップ４０が挿通される貫通穴６１ａが形成されている。この貫通穴６１ａの内側面６１ｂは、図１に示すように、上面側の第１内側面６１ｃと、第１内側面６１ｃより後退した第２内側面６１ｄとを含んで構成されている。そして、上記第１内側面６１ｃと上記第２内側面６１ｄとは、段差面６１ｅを介して、接続されている。また、貫通穴６１ａの第２内側面６１ｄは、アイレット部１０の側面と熱接触するように形成されている。具体的には、貫通穴６１ａの第２内側面６１ｄは、アイレット部１０の側面と、全周にわたって直接接触するように形成されている。一方、上記貫通穴６１ａの段差面６１ｅは、アイレット部１０の上面の一部（外周部）と接触するように形成されている。 A through hole 61 a through which the cap 40 is inserted is formed in the upper member 61 constituting the radiator 60. As shown in FIG. 1, the inner side surface 61b of the through hole 61a is configured to include a first inner side surface 61c on the upper surface side and a second inner side surface 61d retreated from the first inner side surface 61c. The first inner side surface 61c and the second inner side surface 61d are connected via a step surface 61e. Further, the second inner side surface 61 d of the through hole 61 a is formed so as to be in thermal contact with the side surface of the eyelet part 10. Specifically, the second inner side surface 61d of the through hole 61a is formed so as to be in direct contact with the side surface of the eyelet part 10 over the entire circumference. On the other hand, the step surface 61e of the through hole 61a is formed so as to be in contact with a part (outer peripheral portion) of the upper surface of the eyelet portion 10.

放熱器６０を構成する下部部材６２には、図３および図５に示すように、リード５０が挿通される貫通穴６２ａが形成されている。この貫通穴６２ａは、２本のリード５１および５２が挿通可能となるように長穴状に形成されている。具体的には、２本のリード５１および５２が挿通された際に、アイレット部１０の２つの貫通穴１３が、下部部材６２の貫通穴６２ａの両端に位置するように、上記貫通穴６２ａが形成されている。 As shown in FIGS. 3 and 5, a through hole 62 a through which the lead 50 is inserted is formed in the lower member 62 constituting the radiator 60. The through hole 62a is formed in a long hole shape so that the two leads 51 and 52 can be inserted. Specifically, when the two leads 51 and 52 are inserted, the through hole 62a is positioned so that the two through holes 13 of the eyelet part 10 are positioned at both ends of the through hole 62a of the lower member 62. Is formed.

上記のように構成された放熱器６０は、図１および図３に示すように、上部部材６１と下部部材６２とでアイレット部１０を挟持するとともに、上部部材６１の段差面６１ｅでアイレット部１０の上面の一部（外周部）を押圧することにより、アイレット部１０に装着されている。 As shown in FIGS. 1 and 3, the radiator 60 configured as described above sandwiches the eyelet portion 10 between the upper member 61 and the lower member 62, and the eyelet portion 10 at the step surface 61 e of the upper member 61. The eyelet part 10 is attached by pressing a part (outer peripheral part) of the upper surface of the eyelet.

ここで、第１実施形態では、図１および図２に示すように、上記放熱器６０（下部部材６２）は、アイレット部１０に装着された際に、アイレット部１０の下面における貫通穴６２ａ（図１および図５参照）と対応する領域以外の領域（図２の斜線領域）と直接接触した状態となっている。このため、放熱器６０は、アイレット部１０の下面におけるブロック部１１の真下に位置する領域１１ａ（図２参照）の全面を含む、広い領域と接触した状態となっている。 Here, in the first embodiment, as shown in FIGS. 1 and 2, when the radiator 60 (lower member 62) is attached to the eyelet part 10, a through hole 62 a ( 1 and FIG. 5) are in direct contact with a region (shaded region in FIG. 2) other than the corresponding region. For this reason, the radiator 60 is in contact with a wide area including the entire area of the area 11 a (see FIG. 2) located immediately below the block part 11 on the lower surface of the eyelet part 10.

また、アイレット部１０の下面における放熱器６０と接触する領域（図２の斜線領域）の面積Ｓ１は、アイレット部１０の下面全体の面積から貫通穴６２ａに対応する領域の面積を引いた面積であるため、以下の式（１）より、約２１．８３３ｍｍ²と算出される。
Ｓ１≒（πＤ²／４）−｛（ｄ×Ｌ）＋（πｄ²／４）｝・・・・・（１）
＝（３．１４×５．６²／４）−｛（２×１）＋（３．１４×１．０²／４）｝
＝２１．８３３（ｍｍ²） Further, the area S1 of the area (shaded area in FIG. 2) in contact with the radiator 60 on the lower surface of the eyelet part 10 is an area obtained by subtracting the area of the area corresponding to the through hole 62a from the entire area of the lower surface of the eyelet part 10. Therefore, it is calculated as about 21.833 mm ² from the following equation (1).
^{S1 ≒ (πD 2/4)} - {(d × L) + (πd 2/4)} ····· (1)
^{^{= (3.14 × 5.6 2 /4)-{(2×1)+(3.14×1.0 2}} /4)}
= 21.833 (mm ² )

寸法条件として、ステム（アイレット部１０）の直径Ｄ（図２参照）：５．６ｍｍ、貫通穴１３の直径ｄ（図２参照）：１．０ｍｍ、貫通穴１３の中心間距離Ｌ（図２参照）：２．０ｍｍを用いた。 As the dimensional conditions, the diameter D (see FIG. 2) of the stem (eyelet part 10): 5.6 mm, the diameter d of the through hole 13 (see FIG. 2): 1.0 mm, and the distance L between the centers of the through holes 13 (FIG. 2). Reference): 2.0 mm was used.

アイレット部１０の下面全体の面積は、２４．６１８ｍｍ²（＝３．１４×５．６²／４）であるため、アイレット部１０の下面全体の面積に対する、アイレット部１０の下面における放熱器６０と接触する領域（図２の斜線領域）の面積Ｓ１の比率は、８８．７％となる。 Area of the entire lower surface of the eyelet portion 10 are the ^{^{24.618mm 2 (= 3.14 × 5.6 2}} /4), to the area of the entire lower surface of the eyelet portion 10, the radiator 60 in the lower surface of the eyelet portion 10 The ratio of the area S1 of the area in contact with the area (shaded area in FIG. 2) is 88.7%.

なお、上記放熱器６０（上部部材６１）は、アイレット部１０の側面全面および上面の一部（外周部）とも直接接触した状態となっている。また、上述のように、放熱器６０とアイレット部１０とが直接接触する場合には、放熱器６０とアイレット部１０との実効的な接触面積を増加させるために、アイレット部１０の表面の算術平均粗さＲａを１μｍ以下とするのが好ましい。この場合、メッキの粒径が小さくされていれば、より好ましい。 The radiator 60 (upper member 61) is in direct contact with the entire side surface of the eyelet portion 10 and part of the upper surface (outer peripheral portion). Further, as described above, when the radiator 60 and the eyelet part 10 are in direct contact, the arithmetic of the surface of the eyelet part 10 is performed in order to increase the effective contact area between the radiator 60 and the eyelet part 10. The average roughness Ra is preferably 1 μm or less. In this case, it is more preferable if the particle size of the plating is reduced.

第１実施形態では、上記のように、半導体レーザ素子３０からの熱を放熱するための放熱器６０を、アイレット部１０の下面におけるブロック部１１の真下に位置する領域１１ａの全面を含む広い領域と接触させることによって、半導体レーザ素子３０からの熱を効率よく放熱器６０に伝達させることができる。すなわち、半導体レーザ素子３０からの熱は、ブロック部１１を介してアイレット部１０に伝達されるため、アイレット部１０の下面におけるブロック部１１の真下に位置する領域１１ａの全面に放熱器６０を接触させることによって、半導体レーザ素子３０からの熱を効率よく放熱器６０に伝達させることができる。このため、十分な放熱効果を得ることができるので、高い光出力でレーザ光を出射した場合でも、半導体レーザ素子３０の温度上昇を抑制することができる。これにより、半導体レーザ素子３０の温度上昇に起因する信頼性および素子特性の低下を抑制することができる。 In the first embodiment, as described above, the radiator 60 for radiating the heat from the semiconductor laser element 30 is a wide region including the entire surface of the region 11 a located directly below the block portion 11 on the lower surface of the eyelet portion 10. The heat from the semiconductor laser element 30 can be efficiently transmitted to the radiator 60 by contacting with the radiator 60. That is, since the heat from the semiconductor laser element 30 is transferred to the eyelet part 10 through the block part 11, the radiator 60 is brought into contact with the entire surface of the region 11 a located immediately below the block part 11 on the lower surface of the eyelet part 10. By doing so, the heat from the semiconductor laser element 30 can be efficiently transmitted to the radiator 60. For this reason, since a sufficient heat dissipation effect can be obtained, even when the laser beam is emitted with a high light output, the temperature rise of the semiconductor laser element 30 can be suppressed. Thereby, it is possible to suppress a decrease in reliability and element characteristics due to a temperature increase of the semiconductor laser element 30.

また、第１実施形態では、アイレット部１０に２本のリード５１および５２を絶縁固定し、これらのリード５１および５２を半導体レーザ素子３０と電気的に接続することによって、アイレット部１０と電気的に接続されるリードが省略された状態にすることができるので、リードが１本省略された分、放熱器６０を、アイレット部１０の下面のより広い領域と接触させることができる。これにより、より効率よく、半導体レーザ素子３０からの熱を放熱器６０に伝達させることができるので、十分な放熱効果を容易に得ることができる。 In the first embodiment, the two leads 51 and 52 are insulated and fixed to the eyelet part 10, and these leads 51 and 52 are electrically connected to the semiconductor laser element 30, thereby electrically connecting the eyelet part 10 to the eyelet part 10. Since one lead is omitted, the radiator 60 can be brought into contact with a wider area on the lower surface of the eyelet portion 10. As a result, heat from the semiconductor laser element 30 can be more efficiently transmitted to the radiator 60, so that a sufficient heat radiation effect can be easily obtained.

また、アイレット部１０と電気的に接続されるリードを省略することによって、放熱器６０を、アイレット部１０の下面におけるブロック部１１の真下に位置する領域１１ａの全面と容易に接触させることが可能となる。 Further, by omitting a lead that is electrically connected to the eyelet part 10, the radiator 60 can be easily brought into contact with the entire surface of the region 11 a located immediately below the block part 11 on the lower surface of the eyelet part 10. It becomes.

なお、放熱器６０と接触するアイレット部１０の表面の算術平均粗さＲａを１μｍ以下にした場合には、接触面に凹凸が形成されていることに起因して、放熱器６０とアイレット部１０との実効的な接触面積が低下するという不都合が生じるのを抑制することができる。これにより、容易に、半導体レーザ素子３０からの熱を放熱器６０に伝達させることができるので、高い放熱効果を容易に得ることができる。 In addition, when the arithmetic average roughness Ra of the surface of the eyelet part 10 which contacts the radiator 60 is 1 μm or less, the radiator 60 and the eyelet part 10 are caused by the formation of irregularities on the contact surface. It is possible to suppress the disadvantage that the effective contact area decreases. Thereby, since the heat from the semiconductor laser element 30 can be easily transmitted to the radiator 60, a high heat radiation effect can be easily obtained.

また、第１実施形態では、上記のように構成することによって、アイレット部１０の底面における放熱器６０との接触面積を、パッケージサイズが５．６ｍｍφの従来の半導体レーザ装置に比べて、約６．９％向上させることができる。 Further, in the first embodiment, by configuring as described above, the contact area with the radiator 60 on the bottom surface of the eyelet part 10 is about 6 compared with the conventional semiconductor laser device having a package size of 5.6 mmφ. 9% improvement.

なお、従来の半導体レーザ装置として、アイレット部と電気的に接続されたリードを有するキャンパッケージ型の半導体レーザ装置を用いた。 As a conventional semiconductor laser device, a can package type semiconductor laser device having a lead electrically connected to the eyelet portion was used.

図６は、従来の半導体レーザ装置の断面図であり、図７は、従来の半導体レーザ装置のアイレット部を下面側から見た平面図である。なお、図６は、第１実施形態と同様の放熱器を取り付けた状態を示している。 FIG. 6 is a cross-sectional view of a conventional semiconductor laser device, and FIG. 7 is a plan view of the eyelet portion of the conventional semiconductor laser device as viewed from the lower surface side. In addition, FIG. 6 has shown the state which attached the heat radiator similar to 1st Embodiment.

従来の半導体レーザ装置は、図６に示すように、上記した第１実施形態による半導体レーザ装置の構成に加えて、アイレット部１０と電気的に接続されたリード５３をさらに備えている。このリード５３は、アイレット部１０の下面におけるブロック部１１の真下に位置する領域に直接取り付けられている。また、リード５３は、ケース端子としての役割を有しており、このリード５３を接地させることにより、パッケージを電磁シールドとして利用することが可能となる。 As shown in FIG. 6, the conventional semiconductor laser device further includes a lead 53 electrically connected to the eyelet unit 10 in addition to the configuration of the semiconductor laser device according to the first embodiment. The lead 53 is directly attached to a region located directly below the block portion 11 on the lower surface of the eyelet portion 10. In addition, the lead 53 has a role as a case terminal. By grounding the lead 53, the package can be used as an electromagnetic shield.

また、放熱器６０の下部部材６２には、３本のリードを挿通するための貫通穴６２ｂが形成されている。この貫通穴６２ｂは、平面的に見て、略三角形状に形成されている。このため、放熱器６０との接触領域は、アイレット部１０の下面における貫通穴６２ｂと対応する領域以外の領域（図７の斜線領域）となる。この場合、放熱器６０は、アイレット部１０の下面におけるブロック部１１の真下に位置する領域１１ａ（図７参照）の極一部のみと接触した状態となる。 Further, the lower member 62 of the radiator 60 is formed with a through hole 62b for inserting three leads. The through hole 62b is formed in a substantially triangular shape when seen in a plan view. For this reason, the contact area with the radiator 60 is an area other than the area corresponding to the through hole 62b on the lower surface of the eyelet part 10 (shaded area in FIG. 7). In this case, the radiator 60 comes into contact with only a part of the region 11 a (see FIG. 7) located immediately below the block portion 11 on the lower surface of the eyelet portion 10.

また、アイレット部１０の下面における放熱器６０と接触する領域（図７の斜線領域）の面積Ｓ５は、アイレット部１０の下面全体の面積から貫通穴６２ｂに対応する領域の面積を引いた面積であるため、以下の式（２）より、約２０．４２３ｍｍ²と算出される。
Ｓ５≒（πＤ²／４）−｛（Ｌ²／４）＋（Ｌ×ｄ／２）＋（√Ｌ×ｄ／２）×２＋（πｄ²／４）｝・・・・・（２）
＝（３．１４×５．６²／４）−｛（２²／４）＋（２×１／２）＋（１．４１×１／２）×２＋（３．１４×１²／４）｝
＝２０．４２３（ｍｍ²） Further, the area S5 of the area (shaded area in FIG. 7) in contact with the radiator 60 on the lower surface of the eyelet part 10 is an area obtained by subtracting the area of the area corresponding to the through hole 62b from the entire area of the lower surface of the eyelet part 10. Therefore, it is calculated as about 20.423 mm ² from the following equation (2).
^{S5 ≒ (πD 2/4)} - {(L 2/4) + (L × d / 2) + (√L × d / 2) × 2 + (πd 2/4)} ····· (2)
^{= (3.14 × 5.6 2/4} ) - {(2 2 /4)+(2×1/2)+(1.41×1/2)×2+(3.14×1 2/4 )}
= 20.423 (mm ² )

寸法条件として、｛ステム（アイレット部１０）の直径Ｄ（図７参照）：５．６ｍｍ、貫通穴１３の直径ｄ（図７参照）：１．０ｍｍ、貫通穴１３の中心間距離Ｌ（図７参照）：２．０ｍｍ｝を用いた。 As dimensional conditions, {the diameter D of the stem (eyelet portion 10) (see FIG. 7): 5.6 mm, the diameter d of the through hole 13 (see FIG. 7): 1.0 mm, and the distance L between the centers of the through holes 13 (see FIG. 7): 2.0 mm}.

アイレット部１０の下面全体の面積は、第１実施形態と同様、２４．６１８ｍｍ²であるため、アイレット部１０の下面全体の面積に対する、アイレット部１０の下面における放熱器６０と接触する領域（図７の斜線領域）の面積Ｓ５の比率は、８３．０％となる。 Since the area of the entire lower surface of the eyelet part 10 is 24.618 mm ² as in the first embodiment, the area in contact with the radiator 60 on the lower surface of the eyelet part 10 relative to the area of the entire lower surface of the eyelet part 10 (see FIG. 7), the ratio of the area S5 is 83.0%.

したがって、第１実施形態による半導体レーザ装置では、上述したように、従来の半導体レーザ装置に比べて、アイレット部の底面における放熱器との接触面積を、約６．９％（＝（８８．７−８３．０）／８３．０×１００）改善することができる。すなわち、第１実施形態では、アイレット部１０における放熱に寄与し得る部分の面積をより大きくすることができる。 Therefore, in the semiconductor laser device according to the first embodiment, as described above, the contact area with the radiator on the bottom surface of the eyelet portion is about 6.9% (= (88.7) as compared with the conventional semiconductor laser device. -83.0) /83.0×100). That is, in the first embodiment, the area of a portion that can contribute to heat dissipation in the eyelet portion 10 can be further increased.

なお、第１実施形態による半導体レーザ装置において、パッケージを電磁シールドとして利用する場合には、キャップ４０や放熱器６０などの一部を接地すればよい。 In the semiconductor laser device according to the first embodiment, when the package is used as an electromagnetic shield, a part of the cap 40 or the radiator 60 may be grounded.

（第１実施形態の変形例）
図８は、第１実施形態の変形例による半導体レーザ装置の断面図である。次に、図８を参照して、第１実施形態の変形例による半導体レーザ装置について説明する。 (Modification of the first embodiment)
FIG. 8 is a cross-sectional view of a semiconductor laser device according to a modification of the first embodiment. Next, a semiconductor laser device according to a modification of the first embodiment will be described with reference to FIG.

この第１実施形態の変形例では、放熱器６０が、放熱媒体などを介して、アイレット部１０と間接的に熱接触している。具体的には、放熱器６０が、金属フィラーなどを含む銀ペーストや放熱グリスなどの充填層７０を介して、アイレット部１０と間接的に熱接触している。 In the modification of the first embodiment, the radiator 60 is in thermal contact with the eyelet part 10 indirectly through a heat dissipation medium or the like. Specifically, the radiator 60 is in thermal contact with the eyelet part 10 indirectly through a filling layer 70 such as a silver paste containing metal filler or the like and heat radiation grease.

また、アイレット部１０の表面に形成されるメッキ層のメッキの粒径は、充填層７０に含まれるフィラーの粒径によって調整されている。たとえば、メッキの粒径は、フィラーの粒径と同程度の大きさとなっている。このように、メッキの粒径を、充填層７０に含まれるフィラーの粒径によって調整することにより、メッキの粒の間に、フィラーを入り込み易くすることができるので、フィラーによる熱伝達効果を向上させることが可能となる。 Further, the particle size of the plating layer formed on the surface of the eyelet part 10 is adjusted by the particle size of the filler contained in the filling layer 70. For example, the particle size of the plating is about the same as the particle size of the filler. Thus, by adjusting the particle size of the plating according to the particle size of the filler contained in the filling layer 70, the filler can easily enter between the particles of the plating, so that the heat transfer effect by the filler is improved. It becomes possible to make it.

なお、第１実施形態の変形例のその他の構成は、上記第１実施形態と同様である。 The remaining configuration of the modification of the first embodiment is the same as that of the first embodiment.

第１実施形態の変形例では、上記のように、放熱器６０を、フィラーを含む充填層７０を介して、アイレット部１０と間接的に接触させることによって、放熱器６０とアイレット部１０の表面との間に、アイレット部１０の表面の凹凸などによって隙間が形成されていた場合でも、その隙間を、フィラーを含む充填層７０で埋めることができるので、これによっても、容易に、半導体レーザ素子３０からの熱を放熱器６０に伝達させることができる。 In the modification of the first embodiment, as described above, the radiator 60 and the surface of the eyelet portion 10 are indirectly contacted with the eyelet portion 10 through the filler layer 70 containing the filler. Even if a gap is formed between the surface of the eyelet portion 10 due to the unevenness of the surface of the eyelet portion 10, the gap can be filled with the filling layer 70 containing the filler. The heat from 30 can be transmitted to the radiator 60.

なお、放熱器６０を、充填層７０を介して間接的にアイレット部１０と接触させる場合には、接触面に凹凸が形成されていた場合でも、放熱器６０とアイレット部１０との実効的な接触面積の低下を抑制することができるので、放熱器６０と接触するアイレット部１０の表面の算術平均粗さＲａを１μｍ以下としなくてもよい。むろん、アイレット部１０の表面の算術平均粗さＲａを１μｍ以下としてもよい。 In addition, when the heat radiator 60 is brought into contact with the eyelet part 10 indirectly through the filling layer 70, the effective effect of the heat radiator 60 and the eyelet part 10 can be obtained even when the contact surface is uneven. Since the reduction of the contact area can be suppressed, the arithmetic average roughness Ra of the surface of the eyelet part 10 that is in contact with the radiator 60 may not be 1 μm or less. Of course, the arithmetic average roughness Ra of the surface of the eyelet part 10 may be 1 μm or less.

第１実施形態の変形例のその他の効果は、上記第１実施形態と同様である。 Other effects of the modification of the first embodiment are the same as those of the first embodiment.

（第２実施形態）
図９は、本発明の第２実施形態による半導体レーザ装置の断面図である。図１０は、本発明の第２実施形態による半導体レーザ装置のアイレット部を下面側から見た平面図である。図１１は、本発明の第２実施形態による半導体レーザ装置のリードの斜視図である。図１２〜図１４は、本発明の第２実施形態による半導体レーザ装置を説明するための図である。次に、図９〜図１４を参照して、本発明の第２実施形態による半導体レーザ装置について説明する。 (Second Embodiment)
FIG. 9 is a sectional view of a semiconductor laser device according to the second embodiment of the present invention. FIG. 10 is a plan view of the eyelet part of the semiconductor laser device according to the second embodiment of the present invention viewed from the lower surface side. FIG. 11 is a perspective view of the leads of the semiconductor laser device according to the second embodiment of the present invention. 12 to 14 are views for explaining a semiconductor laser device according to a second embodiment of the present invention. Next, a semiconductor laser device according to the second embodiment of the invention will be described with reference to FIGS.

この第２実施形態による半導体レーザ装置は、図９に示すように、アイレット部１０に１本のリード１５０が固定されている。このリード１５０は、図１１に示すように、導電性の第１リード部１５１および第２リード部１５２が絶縁層１５３を介して１本にまとめられた構成となっている。このようなリード１５０は、たとえば、金属板を絶縁接着剤などで貼り合わせた後、プレス加工などで棒状（ピン状）に形成することによって得ることができる。 In the semiconductor laser device according to the second embodiment, one lead 150 is fixed to the eyelet portion 10 as shown in FIG. As shown in FIG. 11, the lead 150 has a configuration in which a conductive first lead portion 151 and a second lead portion 152 are combined into one through an insulating layer 153. Such a lead 150 can be obtained, for example, by sticking a metal plate with an insulating adhesive or the like and then forming it into a rod shape (pin shape) by pressing or the like.

また、第２実施形態では、図９、図１０および図１１に示すように、アイレット部１０の略中央部に、第１実施形態と同様の貫通穴１３ａが１つ形成されている。そして、図９に示すように、上記リード１５０が、アイレット部１０の貫通穴１３ａに挿通され、その一方端部がアイレット部１０の上面側に突出するように、絶縁体１４を介してアイレット部１０に絶縁固定されている。このため、第２実施形態では、上記第１実施形態と同様、アイレット部１０に直接取り付けられる（アイレット部１０に電気的に接続される）リードが省略された構成となっている。なお、貫通穴１３ａは、本発明の「第２貫通穴」の一例である。 In the second embodiment, as shown in FIGS. 9, 10, and 11, one through hole 13 a similar to that of the first embodiment is formed in the substantially central portion of the eyelet portion 10. Then, as shown in FIG. 9, the lead 150 is inserted through the through hole 13 a of the eyelet part 10, and the eyelet part is interposed through the insulator 14 so that one end thereof protrudes to the upper surface side of the eyelet part 10. 10 is insulated and fixed. For this reason, in 2nd Embodiment, the lead directly attached to the eyelet part 10 (electrically connected to the eyelet part 10) is abbreviate | omitted similarly to the said 1st Embodiment. The through hole 13a is an example of the “second through hole” in the present invention.

また、図９および図１２に示すように、上記リード１５０の第１リード部１５１は、ボンディングワイヤ１５を介して半導体レーザ素子３０と電気的に接続されており、上記リード１５０の第２リード部１５２は、ボンディングワイヤ１６およびサブマウント２０を介して、半導体レーザ素子３０と電気的に接続されている。 Further, as shown in FIGS. 9 and 12, the first lead portion 151 of the lead 150 is electrically connected to the semiconductor laser element 30 through the bonding wire 15, and the second lead portion of the lead 150. 152 is electrically connected to the semiconductor laser element 30 via the bonding wire 16 and the submount 20.

放熱器６０を構成する下部部材６２には、図９および図１３に示すように、貫通穴１６２ａが形成されている。この貫通穴１６２ａは、上記した１本のリード１５０が挿通可能に形成されている。具体的には、下部部材６２の貫通穴１６２ａは、アイレット部１０の貫通穴１３ａと対応する大きさ（略同じ大きさ）に形成されている。 As shown in FIGS. 9 and 13, a through hole 162 a is formed in the lower member 62 constituting the radiator 60. The through hole 162a is formed so that the one lead 150 described above can be inserted therethrough. Specifically, the through hole 162a of the lower member 62 is formed in a size (substantially the same size) corresponding to the through hole 13a of the eyelet portion 10.

ここで、第２実施形態では、図９および図１０に示すように、上記放熱器６０（下部部材６２）は、アイレット部１０に装着された際に、アイレット部１０の下面における貫通穴１６２ａ（図９および図１３参照）と対応する領域以外の領域（図１０の斜線領域；貫通穴１３ａ以外の領域）と直接接触した状態となっている。このため、放熱器６０は、アイレット部１０の下面におけるブロック部１１の真下に位置する領域１１ａ（図１０参照）の全面を含む、より広い領域と接触した状態となっている。 Here, in 2nd Embodiment, as shown to FIG. 9 and FIG. 10, when the said heat radiator 60 (lower member 62) is mounted | worn with the eyelet part 10, the through-hole 162a ( 9 and 13) and a region other than the region corresponding to the region (shaded region in FIG. 10; region other than the through hole 13a). For this reason, the heat radiator 60 is in a state in contact with a wider area including the entire area of the area 11 a (see FIG. 10) located directly below the block part 11 on the lower surface of the eyelet part 10.

また、アイレット部１０の下面における放熱器６０と接触する領域（図１０の斜線領域）の面積Ｓ２は、アイレット部１０の下面全体の面積から貫通穴１６２ａに対応する領域の面積（貫通穴１３ａの平面積）を引いた面積であるため、以下の式（３）より、約２３．８３３ｍｍ²と算出される。
Ｓ２≒（πＤ²／４）−（πｄ²／４）・・・・・（３）
＝（３．１４×５．６²／４）−（３．１４×１．０²／４）
＝２３．８３３（ｍｍ²） In addition, the area S2 of the region (shaded area in FIG. 10) in contact with the radiator 60 on the lower surface of the eyelet part 10 is the area of the region corresponding to the through hole 162a (the area of the through hole 13a) from the entire area of the lower surface of the eyelet part 10. Since it is an area obtained by subtracting (planar area), it is calculated to be about 23.833 mm ² from the following equation (3).
^{S2 ≒ (πD 2/4)} - (πd 2/4) ····· (3)
^{^{= (3.14 × 5.6 2 /4)-(3.14×1.0 2}} /4)
= 23.833 (mm ² )

寸法条件として、ステム（アイレット部１０）の直径Ｄ（図１０参照）：５．６ｍｍ、貫通穴１３ａの直径ｄ（図１０参照）を用いた。 As the dimensional conditions, the diameter D (see FIG. 10) of the stem (eyelet part 10): 5.6 mm and the diameter d (see FIG. 10) of the through hole 13a were used.

アイレット部１０の下面全体の面積は、上記第１実施形態と同様、２４．６１８ｍｍ²であるため、アイレット部１０の下面全体の面積に対する、アイレット部１０の下面における放熱器６０と接触する領域（図１０の斜線領域）の面積Ｓ２の比率は、９６．８％となる。 Since the area of the entire lower surface of the eyelet part 10 is 24.618 mm ² as in the first embodiment, the area of the lower surface of the eyelet part 10 in contact with the radiator 60 relative to the area of the entire lower surface of the eyelet part 10 ( The ratio of the area S2 of the hatched area in FIG. 10 is 96.8%.

第２実施形態のその他の構成は、上記第１実施形態と同様である。 Other configurations of the second embodiment are the same as those of the first embodiment.

第２実施形態では、上記のように、第１リード部１５１と第２リード部１５２とが絶縁層１５３を介して１本にまとめられたリード１５０を１本、アイレット部１０に絶縁固定（保持）することによって、放熱器６０を、アイレット部１０の下面のさらに広い領域と接触させることができる。これにより、さらに効率よく、半導体レーザ素子３０からの熱を放熱器６０に伝達させることができるので、十分な放熱効果をより容易に得ることができる。 In the second embodiment, as described above, one lead 150 in which the first lead portion 151 and the second lead portion 152 are combined into one via the insulating layer 153 is insulated and fixed (held) to the eyelet portion 10. ), The radiator 60 can be brought into contact with a wider area on the lower surface of the eyelet portion 10. Thereby, since the heat from the semiconductor laser element 30 can be more efficiently transmitted to the radiator 60, a sufficient heat radiation effect can be obtained more easily.

また、第２実施形態では、上記第１実施形態で示した従来の半導体レーザ装置に比べて、アイレット部の底面における放熱器との接触面積を、約１６．６％（＝（９６．８−８３．０）／８３．０×１００）向上させることができる。すなわち、第２実施形態では、アイレット部１０における放熱に寄与し得る部分の面積をさらに大きくすることができる。 Further, in the second embodiment, compared with the conventional semiconductor laser device shown in the first embodiment, the contact area with the radiator on the bottom surface of the eyelet portion is about 16.6% (= (96.8− 83.0) /83.0×100). That is, in the second embodiment, the area of the portion that can contribute to heat dissipation in the eyelet portion 10 can be further increased.

また、第２実施形態においても、上記第１実施形態の変形例のように、フィラーなどを含む銀ペーストや放熱グリスなどの充填層を介して、放熱器とアイレット部とが間接的に熱接触された構成とすることもできる。 Also in the second embodiment, as in the modification of the first embodiment, the radiator and the eyelet part are indirectly in thermal contact with each other through a filling layer such as a silver paste containing filler or heat radiation grease. It can also be set as the structure made.

また、図１４に示すように、上記リード１５０に代えて、角柱状に形成されたリード１５５を用いることもできる。このような角柱状のリード１５５は、たとえば、樹脂からなる基板１５６の両面に銅箔１５７を被着した銅貼り基板（両面プリント基板）などを短冊状に切断加工することにより得ることができる。 Further, as shown in FIG. 14, a lead 155 formed in a prismatic shape can be used instead of the lead 150. Such a prismatic lead 155 can be obtained, for example, by cutting a copper-clad substrate (double-sided printed circuit board) in which a copper foil 157 is attached to both surfaces of a resin substrate 156 into a strip shape.

第２実施形態のその他の効果は、上記第１実施形態と同様である。 Other effects of the second embodiment are the same as those of the first embodiment.

（第３実施形態）
図１５は、本発明の第３実施形態による半導体レーザ装置の断面図である。図１６は、本発明の第３実施形態による半導体レーザ装置のアイレット部を下面側から見た平面図である。図１７は、図１６をＡ方向から見た側面図である。図１８および図１９は、本発明の第３実施形態による半導体レーザ装置を説明するための図である。次に、図１５〜図１９を参照して、本発明の第３実施形態による半導体レーザ装置について説明する。 (Third embodiment)
FIG. 15 is a sectional view of a semiconductor laser device according to the third embodiment of the present invention. FIG. 16 is a plan view of the eyelet part of the semiconductor laser device according to the third embodiment of the present invention as seen from the lower surface side. FIG. 17 is a side view of FIG. 16 viewed from the A direction. 18 and 19 are views for explaining a semiconductor laser device according to a third embodiment of the present invention. Next, with reference to FIGS. 15 to 19, a semiconductor laser device according to a third embodiment of the invention will be described.

この第３実施形態による半導体レーザ装置は、上記第１および第２実施形態と異なり、２本のリード５１および５２が、アイレット部１０の側面に固定（保持）されている。また、図１５および図１８に示すように、アイレット部１０の略中央部には、凹部１７が形成されており、アイレット部１０の側面（外側面）には、凹部１７の内側面に達する貫通穴１３ｂ（図１５参照）が形成されている。この貫通穴１３ｂは、図１７に示すように、２本のリード５１および５２が挿通可能となるように長穴状に形成されている。 In the semiconductor laser device according to the third embodiment, unlike the first and second embodiments, two leads 51 and 52 are fixed (held) to the side surface of the eyelet portion 10. Further, as shown in FIGS. 15 and 18, a recess 17 is formed in a substantially central portion of the eyelet portion 10, and the side surface (outer surface) of the eyelet portion 10 penetrates to reach the inner surface of the recess 17. A hole 13b (see FIG. 15) is formed. As shown in FIG. 17, the through hole 13b is formed in a long hole shape so that the two leads 51 and 52 can be inserted.

また、図１７および図１８に示すように、２本のリード５１および５２は、それぞれ、アイレット部１０の貫通穴１３ｂに挿通され、その一方端部がアイレット部１０の凹部１７内に位置するように、低融点ガラスなどからなる絶縁体１４ａを介してアイレット部１０に絶縁固定されている。このため、第３実施形態では、上記第１および第２実施形態と同様、アイレット部１０に直接取り付けられる（アイレット部１０に電気的に接続される）リードが省略された構成となっている。なお、上記絶縁体１４ａによって、貫通穴１３ｂが気密に封止されている。 As shown in FIGS. 17 and 18, the two leads 51 and 52 are inserted into the through holes 13 b of the eyelet part 10, respectively, so that one end thereof is located in the recess 17 of the eyelet part 10. Further, it is insulated and fixed to the eyelet part 10 through an insulator 14a made of low melting point glass or the like. For this reason, in the third embodiment, as in the first and second embodiments, a lead directly attached to the eyelet portion 10 (electrically connected to the eyelet portion 10) is omitted. The through hole 13b is hermetically sealed by the insulator 14a.

また、図１５および図１８に示すように、上記リード５１は、ボンディングワイヤ１５を介して半導体レーザ素子３０と電気的に接続されており、上記リード５２は、ボンディングワイヤ１６およびサブマウント２０を介して、半導体レーザ素子３０と電気的に接続されている。 As shown in FIGS. 15 and 18, the lead 51 is electrically connected to the semiconductor laser element 30 through the bonding wire 15, and the lead 52 is connected through the bonding wire 16 and the submount 20. The semiconductor laser element 30 is electrically connected.

上記のように構成された第３実施形態による半導体レーザ装置では、リード５１および５２がアイレット部１０の側面に固定されていることから、図１６に示すように、アイレット部１０の底面からリードなどが突出した状態となっておらず、アイレット部１０の底面全面が放熱器６０（下部部材６２）（図１５参照）と接触可能な構成となっている。このため、第３実施形態では、放熱器６０の下部部材６２（図１５参照）に、上記第１および第２実施形態のような貫通穴が形成されていない。なお、図１５に示すように、放熱器６０の上部部材６１には、リード５０を取り出すための溝部６１ｆが形成されている。 In the semiconductor laser device according to the third embodiment configured as described above, since the leads 51 and 52 are fixed to the side surface of the eyelet part 10, as shown in FIG. Is not in a protruding state, and the entire bottom surface of the eyelet portion 10 can be brought into contact with the radiator 60 (lower member 62) (see FIG. 15). For this reason, in 3rd Embodiment, the through-hole like the said 1st and 2nd embodiment is not formed in the lower member 62 (refer FIG. 15) of the heat radiator 60. FIG. As shown in FIG. 15, the upper member 61 of the radiator 60 is formed with a groove portion 61 f for taking out the lead 50.

したがって、図１５および図１６に示すように、上記放熱器６０（下部部材６２）は、アイレット部１０に装着された際に、アイレット部１０の下面全面（図１６の斜線領域）と直接接触した状態となる。このため、放熱器６０は、アイレット部１０の下面におけるブロック部１１の真下に位置する領域１１ａ（図１６参照）の全面を含む、最大限広い領域と接触した状態となる。 Therefore, as shown in FIGS. 15 and 16, the radiator 60 (lower member 62) is in direct contact with the entire lower surface of the eyelet part 10 (hatched area in FIG. 16) when attached to the eyelet part 10. It becomes a state. For this reason, the heat radiator 60 comes into contact with the widest region including the entire surface of the region 11 a (see FIG. 16) located directly below the block portion 11 on the lower surface of the eyelet portion 10.

また、アイレット部１０の下面における放熱器６０と接触する領域（図１０の斜線領域）の面積Ｓ３は、アイレット部１０の下面全面の面積であるため、約２４．６１８ｍｍ²となる。このため、アイレット部１０の下面全体の面積に対する、アイレット部１０の下面における放熱器６０と接触する領域（図１０の斜線領域）の面積Ｓ３の比率は、１００％となる。 Further, since the area S3 of the area (shaded area in FIG. 10) in contact with the radiator 60 on the lower surface of the eyelet part 10 is the area of the entire lower surface of the eyelet part 10, it is about 24.618 mm ² . For this reason, the ratio of the area S3 of the area | region (hatched area | region of FIG. 10) in the lower surface of the eyelet part 10 which contacts the radiator 60 with respect to the area of the whole lower surface of the eyelet part 10 will be 100%.

第３実施形態のその他の構成は、上記第１実施形態と同様である。 Other configurations of the third embodiment are the same as those of the first embodiment.

第３実施形態では、上記のように、２本のリード５１および５２を、アイレット部１０の側面に固定（保持）することによって、アイレット部１０の底面全面を放熱器６０と接触させることができるので、アイレット部１０の下面における放熱器６０と接触している領域を最大限に大きくすることができる。これにより、より高い放熱効果を得ることができる。 In the third embodiment, as described above, the entire bottom surface of the eyelet part 10 can be brought into contact with the radiator 60 by fixing (holding) the two leads 51 and 52 to the side surface of the eyelet part 10. Therefore, the area | region which is contacting the heat radiator 60 in the lower surface of the eyelet part 10 can be enlarged to the maximum. Thereby, a higher heat dissipation effect can be obtained.

また、第３実施形態では、上記第１実施形態で示した従来の半導体レーザ装置に比べて、アイレット部の底面における放熱器との接触面積を、約２０．５％（＝（１００−８３．０）／８３．０×１００）向上させることができる。すなわち、第３実施形態では、アイレット部１０における放熱に寄与し得る部分の面積を最大限に大きくすることができる。 In the third embodiment, compared with the conventional semiconductor laser device shown in the first embodiment, the contact area with the radiator on the bottom surface of the eyelet portion is about 20.5% (= (100−83. 0) /83.0×100). That is, in the third embodiment, the area of the portion that can contribute to heat dissipation in the eyelet portion 10 can be maximized.

また、第３実施形態においても、上記第１実施形態の変形例のように、フィラーなどを含む銀ペーストや放熱グリスなどの充填層を介して、放熱器とアイレット部とが間接的に熱接触された構成とすることもできる。 Also in the third embodiment, as in the modified example of the first embodiment, the radiator and the eyelet part are indirectly in thermal contact with each other through a filler layer such as a silver paste containing filler or heat radiation grease. It can also be set as the structure made.

また、図１９に示すように、アイレット部１０の側面に形成された貫通穴を分離した２つの貫通穴１３ｃとすることにより、リード５１および５２を各々の貫通穴１３ｃに個別に挿通するように構成することもできる。 Further, as shown in FIG. 19, by making the through holes formed on the side surface of the eyelet part 10 into two separated through holes 13c, the leads 51 and 52 are individually inserted into the respective through holes 13c. It can also be configured.

第３実施形態のその他の効果は、上記第１および第２実施形態と同様である。 Other effects of the third embodiment are the same as those of the first and second embodiments.

なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。 The embodiment disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is shown not by the above description of the embodiments but by the scope of claims for patent, and further includes all modifications within the meaning and scope equivalent to the scope of claims for patent.

たとえば、上記第１〜第３実施形態では、パッケージサイズが５．６ｍｍφの半導体レーザ装置に本発明を適用した例を示したが、本発明はこれに限らず、５．６ｍｍφ以外のパッケージサイズ（たとえば、９．０ｍｍφまたは３．３ｍｍφ）の半導体レーザ装置に本発明を適用することもできる。なお、３ｍｍφ〜１０ｍｍφのキャンパッケージ型半導体レーザ装置であれば、容易に、本発明を適用することができる。 For example, in the first to third embodiments, an example in which the present invention is applied to a semiconductor laser device having a package size of 5.6 mmφ is shown, but the present invention is not limited to this, and package sizes other than 5.6 mmφ ( For example, the present invention can be applied to a semiconductor laser device of 9.0 mmφ or 3.3 mmφ. The present invention can be easily applied to any can package type semiconductor laser device having a diameter of 3 mmφ to 10 mmφ.

また、上記第１〜第３実施形態では、半導体レーザ装置に、青紫色レーザ光を出射する高出力半導体レーザ素子を実装した例を示したが、本発明はこれに限らず、上記以外の半導体レーザ素子が実装されていてもよい。 In the first to third embodiments, an example in which a high-power semiconductor laser element that emits blue-violet laser light is mounted on the semiconductor laser device has been described. However, the present invention is not limited to this, and semiconductors other than those described above. A laser element may be mounted.

また、上記第１〜第３実施形態では、ブロック状部材からなる放熱器を備えた例について示したが、本発明はこれに限らず、放熱器は、ブロック状以外の形状であってもよい。たとえば、板状であってもよいし、放熱フィンが形成された形状であってもよい。 Moreover, in the said 1st-3rd embodiment, although shown about the example provided with the heat radiator which consists of a block-shaped member, this invention is not limited to this, A heat radiator may be shapes other than a block shape. . For example, a plate shape may be sufficient and the shape in which the radiation fin was formed may be sufficient.

また、上記第１〜第３実施形態では、放熱器を金属材料から構成した例を示したが、本発明はこれに限らず、金属材料以外の材料から放熱器を構成してもよい。たとえば、セラミックスなどの絶縁材料などから、上記放熱器を構成してもよい。 Moreover, although the example which comprised the heat radiator from the metal material was shown in the said 1st-3rd embodiment, this invention is not restricted to this, You may comprise a heat radiator from materials other than a metal material. For example, you may comprise the said heat radiator from insulating materials, such as ceramics.

また、上記第１実施形態では、放熱器の下部部材に、リードを挿通させる長穴状の貫通穴を形成した例を示したが、本発明はこれに限らず、放熱器の下部部材に、アイレット部の貫通穴に対応した円形状の貫通穴を２つ形成してもよい。 Moreover, in the said 1st Embodiment, although the example which formed the long hole-shaped through-hole which penetrates a lead was shown in the lower member of a radiator, this invention is not limited to this, In the lower member of a radiator, You may form two circular through-holes corresponding to the through-hole of an eyelet part.

１０アイレット部
１１ブロック部
１２ステム
１３貫通穴（第１貫通穴）
１３ａ貫通穴（第２貫通穴）
１４、１４ａ絶縁体
１５、１６ボンディングワイヤ
１７凹部
２０サブマウント
３０半導体レーザ素子
４０キャップ
５０、５１、５２、１５０、１５５リード
６０放熱器
６１上部部材
６１ａ貫通穴
６２下部部材
６２ａ、１６２ａ貫通穴
７０充填層
１５１第１リード部
１５２第２リード部
１５３絶縁層 10 Eyelet part 11 Block part 12 Stem 13 Through hole (first through hole)
13a Through hole (second through hole)
14, 14a Insulator 15, 16 Bonding wire 17 Recess 20 Submount 30 Semiconductor laser element 40 Cap 50, 51, 52, 150, 155 Lead 60 Radiator 61 Upper member 61a Through hole 62 Lower member 62a, 162a Through hole 70 Filling Layer 151 First lead portion 152 Second lead portion 153 Insulating layer

Claims

A stem including a block portion and an eyelet portion on which the block portion is provided on the upper surface;
A semiconductor laser element mounted on the block portion;
A cap fixed on the upper surface of the eyelet part so as to cover the semiconductor laser element;
A lead held in the eyelet part;
A radiator for dissipating heat from the semiconductor laser element,
The radiator is in thermal contact with at least the entire region located directly below the block portion on the lower surface of the eyelet portion ,
The radiator is indirectly in contact with at least the lower surface of the eyelet part through a filler layer containing a filler,
At least a plating layer is formed on the lower surface of the eyelet part,
The semiconductor laser device according to claim 1, wherein a particle diameter of the plating constituting the plating layer is adjusted by a particle diameter of the filler .

The semiconductor laser device according to claim 1, wherein the lead is held in a state of being electrically insulated from the eyelet portion.

The eyelet part holds two of the leads,
3. The semiconductor laser device according to claim 1, wherein each of the two leads is electrically connected to the semiconductor laser element. 4.

In the eyelet part, two first through holes penetrating in the thickness direction are formed,
4. The semiconductor laser device according to claim 1, wherein one lead is inserted through each of the two first through holes. 5.

The eyelet part holds one lead.
The one lead includes a first lead part and a second lead part electrically connected to the semiconductor laser element,
3. The semiconductor laser device according to claim 1, wherein the first lead portion and the second lead portion are integrated via an insulating layer.

In the eyelet part, one second through hole penetrating in the thickness direction is formed,
6. The semiconductor laser device according to claim 5, wherein the lead including the first lead portion and the second lead portion is inserted into the second through hole.

The lead is held on a side surface of the eyelet part,
4. The semiconductor laser device according to claim 1, wherein the radiator is in thermal contact with the entire lower surface of the eyelet portion. 5.

The eyelet portion is formed in a substantially circular shape having a diameter of 5.6 mm when seen in a plan view,
The ratio of the area of the area in thermal contact with the radiator on the lower surface of the eyelet part to the area of the entire lower surface of the eyelet part is 85% to 100%. The semiconductor laser device according to any one of the above.

9. The semiconductor laser device according to claim 1, wherein an arithmetic average roughness Ra of a surface of the eyelet portion that is in contact with the heat radiator is 1 μm or less.

10. The semiconductor laser device according to claim 1, wherein the radiator is in direct contact with a lower surface of the eyelet portion. 11.

The semiconductor laser element is made of a nitride semiconductor,
By said cap, said semiconductor laser device is characterized in that it is hermetically sealed semiconductor laser device according to any one of claims 1 to 1 0.