JP5129615B2 - 調節計、及びその動作方法 - Google Patents
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Description
以下に、本発明を適用した具体的な実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。図1は、本実施の形態にかかる調節計の計装事例を示す図である。
一つ目の算出例では、書き込み時刻に応じて書き込み優先度を算出している。ここでは、書き込み時刻が最も古い方のメモリ領域を書き込み対象とする。従って、書き込み時刻が古いと、書き込み優先度Prが高くなる。第1メモリ領域12aの書き込み優先度Pr1=2007年12月10日10:00となり、第2メモリ領域12bの書き込み優先度Pr2=2007年12月10日10:35となる。Pr1とPr2とを比較すると、Pr1の方がPr2よりも古い。従って、書き込み対象のメモリ領域を第1メモリ領域12aとする。これにより、ステップS4において第1メモリ領域12aが初期化され、ステップS6において新たに取得された特徴量のデータが第1メモリ領域12aに書き込まれる。書き込み時刻を用いることで、確保したメモリ領域の数に応じた(この算出例では2つ)最新のデータセットが常にメモリ領域に保持され、ユーザに提供可能となる。
二つ目の算出例では、特徴量のデータに応じて書き込み優先度を算出している。本算出例では特徴量そのものの値を書き込み優先度としている。ここでは、設定値到達時間xtの大きいメモリ領域が書き込み対象のメモリ領域と決定される。すなわち、設定値到達時間xtから優先度Prを算出する。第1メモリ領域12aの書き込み優先度Pr1=xt1=100となり、第2メモリ領域12bの書き込み優先度Pr2=xt2=90となる。よって、書き込み対象のメモリ領域が第1メモリ領域12aと決定される。これにより、ステップS4において第1メモリ領域12aが初期化され、ステップS6において新たに検出された特徴量のデータが書き込まれる。この算出例2は、ユーザが設定値到達時間xtの短い制御応答を調整目標としている場合に好適である。
三つ目の算出例では、特徴量のデータに応じて書き込み優先度を算出している。ここでは、設定値到達時間xtとオーバーシュート量ovsが大きいメモリ領域を書き込み対象とする。すなわち、設定値到達時間xtとオーバーシュート量ovsとの値から書き込み優先度Prを算出する。具体的には、設定値到達時間xtとオーバーシュート量ovsとを、それぞれの最大値で規格化する。このため、第1メモリ領域12aの書き込み優先度Pr1、及び第2メモリ領域12bの書き込み優先度Pr2は、以下の式で算出される。
Pr1=xt1/max(xt1,xt2)+ovs1/max(ovs1,ovs2)
Pr2=xt2/max(xt1,xt2)+ovs2/max(ovs1,ovs2)
Pr1=wt1×xt1/max(xt1,xt2)+wt2×ovs1/max(ovs1,ovs2)
Pr2=wt1×xt2/max(xt1,xt2)+wt2×ovs2/max(ovs1,ovs2)
実施の形態2では、実施の形態1とは、設定値変更時に特徴量を無効化する処理が異なっている。実施の形態1では、設定値変更時において、記憶されている特徴量のデータ自体を初期化したが、本実施の形態では、特徴量が新データであることを示すフラグを設けて、新データか旧データかを判別している。以下に、本実施の形態にかかる調節計1の処理について、図6を用いて説明する。図6は、本実施の形態2にかかる調節計において、特徴量を書き込むときの処理を説明するための図である。図6では、図4と同様の手法によって、処理が示されている。なお、特徴量を書き込むときの処理以外の処理、及び調節計1の基本的構成は、実施の形態1と同様であるため、説明を省略する。従って、本実施の形態かかる調節計1において、EEPROM12に2つのメモリ領域が確保されている。また、図6では3つの特徴量を抽出する場合を示し、4つ目以降については、図示、及び説明を適宜省略する。
4 ヒータ
5 温度センサ
6 加熱処理炉
7 電力機器
8 被加熱物
11 演算処理部
12 EEPROM
12a 第1メモリ領域
12b 第2メモリ領域
13 RAM
21 A領域
22 B領域
23 C領域
PV 制御量
SP 設定値
MV 操作量
Vini リセット値
Claims (10)
- 計測値を設定値に近づけるように、制御パラメータに応じた操作量を制御対象に出力する調節計であって、
制御応答の進行中に計測されていく前記計測値に基づいて、前記制御応答の複数の特徴量を、前記制御応答の進行に伴って順次算出していく演算処理部と、
それぞれの前記特徴量を保持するメモリ領域を複数有する書換可能な不揮発性メモリと、を備え、
前記複数のメモリ領域に対応した前記特徴量を利用して各メモリ領域の書き込み優先度を算出し、
前記優先度を用いて、前記不揮発性メモリに設けられた複数のメモリ領域の中から、前記特徴量を書き込む書き込み対象のメモリ領域を決定し、
設定値を変更した際に、前記書き込み対象に決定された前記メモリ領域上の複数の特徴量のデータが無効と識別可能な状態にし、
複数の前記特徴量のデータが無効と識別可能な状態になった後、前記書き込み対象に決定された前記メモリ領域上に最新の制御動作で検出された複数の特徴量を逐次書き込む調節計。 - 前記メモリ領域には、前記制御パラメータが前記特徴量に対応付けて記憶されている請求項1に記載の調節計。
- 前記優先度が、前記メモリ領域に前記特徴量が書き込まれた時間に基づいて、決定されている請求項1、又は2に記載の調節計。
- 前記優先度が、前記メモリ領域に書き込まれている前記特徴量に基づいて、決定されている請求項1乃至3のいずれか1項に記載の調節計。
- 計測値を設定値に近づけるように、制御パラメータに応じた操作量を制御対象に出力する調節計であって、
前記計測値に基づいて制御応答の特徴量を算出する演算処理部と、
前記特徴量を保持するメモリ領域を複数有する書換可能な不揮発性メモリと、を備え、
前記複数のメモリ領域に対応した前記特徴量を利用して各メモリ領域の書き込み優先度を算出し、
前記優先度を用いて、前記不揮発性メモリに設けられた複数のメモリ領域の中から、前記特徴量を書き込む書き込み対象のメモリ領域を決定し、
設定値を変更した際に、前記書き込み対象に決定された前記メモリ領域上の特徴量のデータが無効と識別可能な状態にし、
前記特徴量のデータが無効と識別可能な状態になった後、前記メモリ領域上に最新の制御動作で検出された特徴量を書き込み、
前記特徴量を用いて前記優先度を算出するための評価関数が設定され、
前記評価関数によって、前記制御応答の調整目標から最も遠いと判断されたメモリ領域が書き込み対象と決定される調節計。 - 書換可能な不揮発性メモリを有し、
計測値を設定値に近づけるように、制御パラメータに応じた操作量を制御対象に出力する調節計の動作方法であって、
制御応答の進行中に計測されていく前記計測値に基づいて、前記制御応答の複数の特徴量を、前記制御応答の進行に伴って順次算出していくステップと、
前記複数のメモリ領域に対応した前記特徴量を利用して各メモリ領域の書き込み優先度を算出するステップと、
前記優先度を用いて、前記不揮発性メモリに設けられた複数のメモリ領域の中から、前記特徴量を書き込む書き込み対象のメモリ領域を決定するステップ、
前記設定値を変更した際に、書き込み対象に決定された前記メモリ領域上の前記複数の特徴量のデータが無効と識別可能な状態にするステップと、
前記特徴量のデータが無効と識別可能な状態になった後、前記制御応答の進行中に、前記書き込み対象に決定された前記メモリ領域上に最新の制御動作で検出された複数の特徴量を逐次書き込むステップとを有する調節計の動作方法。 - 前記メモリ領域には、前記制御パラメータが前記特徴量に対応付けて記憶されている請求項6に記載の調節計の動作方法。
- 前記優先度が、前記メモリ領域に前記特徴量が書き込まれた時間に基づいて、決定されている請求項6、又は7に記載の調節計の動作方法。
- 前記優先度が、前記メモリ領域に書き込まれている前記特徴量に基づいて、決定されている請求項6乃至8のいずれか1項に記載の調節計の動作方法。
- 書換可能な不揮発性メモリを有し、
計測値を設定値に近づけるように、制御パラメータに応じた操作量を制御対象に出力する調節計の動作方法であって、
前記複数のメモリ領域に対応した前記特徴量を利用して各メモリ領域の書き込み優先度を算出するステップと、
前記優先度を用いて、前記不揮発性メモリに設けられた複数のメモリ領域の中から、前記特徴量を書き込む書き込み対象のメモリ領域を決定するステップ、
前記設定値を変更した際に、書き込み対象に決定された前記メモリ領域上の特徴量のデータが無効と識別可能な状態にするステップと、
前記特徴量のデータが無効と識別可能な状態になった後、前記メモリ領域上に最新の制御動作で検出された特徴量を書き込むステップとを有し、
前記特徴量を用いて前記優先度を算出するための評価関数が設定され、
前記評価関数によって、前記制御応答の調整目標から最も遠いと判断されたメモリ領域が書き込み対象と決定される調節計の動作方法。
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