JP5128085B2 - 薄膜トランジスタ装置およびその製造方法 - Google Patents
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2 半導体層
2a ソース領域
2b ドレイン領域
2c チャンネル領域
3 ゲート絶縁層
3a 第1のゲート絶縁層
3b 第2のゲート絶縁層
4 ゲート電極
5 層間絶縁層
6 配線
7 上部絶縁層
Claims (18)
- 絶縁基板上にソース領域、ドレイン領域およびチャネル領域を含む半導体層と、
前記半導体層を覆う第1のゲート絶縁層と、
前記第1のゲート絶縁層上を覆う平坦化膜たる第2のゲート絶縁層と、
前記第2のゲート絶縁層上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極を覆う層間絶縁層とを備え、
前記第2のゲート絶縁層は、シルセスキオキサンであり、前記第1のゲート絶縁層よりも薄い膜厚である薄膜トランジスタ装置。 - 前記第2のゲート絶縁層の膜厚が100nm以下であることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ装置。
- 前記第1のゲート絶縁層が、シリコン酸化膜からなることを特徴とする請求項1又は2に記載の薄膜トランジスタ装置。
- 前記第2のゲート絶縁層が、HSQまたはMSQを含む膜からなることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタ装置。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタ装置を備えたアクティブマトリクス型表示装置。
- 絶縁基板上に半導体層、ゲート絶縁層、ゲート電極の順に形成された薄膜トランジスタ装置の製造方法であって、
前記半導体層を覆う第1のゲート絶縁層を形成する工程と、
前記第1のゲート絶縁層を覆う平坦化膜たる第2のゲート絶縁層を塗布する工程とを備え、
前記第2のゲート絶縁層は、シルセスキオキサンであり、前記第1のゲート絶縁層よりも薄い膜厚とする薄膜トランジスタ装置の製造方法。 - 前記第2のゲート絶縁層を塗布後、不活性雰囲気中において熱処理を行う工程を備えたことを特徴とする請求項6に記載の薄膜トランジスタ装置の製造方法。
- 前記第2のゲート絶縁層を塗布後、不活性雰囲気中において第1の熱処理を行う工程と、
前記第1の熱処理後、前記第2のゲート絶縁層上に前記ゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極を覆う層間絶縁層を形成する工程と、
前記層間絶縁層を形成後、不活性雰囲気中において第2の熱処理を行う工程を備えたことを特徴とする請求項7に記載の薄膜トランジスタ装置の製造方法。 - 前記第2のゲート絶縁層を塗布後、不活性雰囲気中において第1の熱処理を行う工程と、
前記第1の熱処理後、前記第2のゲート絶縁層上に前記ゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極を覆う層間絶縁層を形成する工程と、
前記第1、第2のゲート絶縁層および前記層間絶縁層にコンタクトホールを開口し、前記半導体層のソース領域、ドレイン領域および前記ゲート電極に接続する配線を形成する工程と、
前記配線を覆う上部絶縁層を形成する工程と
前記上部絶縁層を形成後、不活性雰囲気中において第2の熱処理を行う工程を備えたことを特徴とする請求項7に記載の薄膜トランジスタ装置の製造方法。 - 前記第2のゲート絶縁層がHSQまたはMSQを含む膜からなることを特徴とする請求項6〜9のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタ装置の製造方法。
- 前記第1のゲート絶縁層をプラズマCVDにより形成することを特徴とする請求項6〜10のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタ装置の製造方法。
- 前記プラズマCVDによりTEOSを材料ガスとしてシリコン酸化膜を形成することを特徴とする請求項11に記載の薄膜トランジスタ装置の製造方法。
- 前記層間絶縁層が、水素の拡散を抑制する膜を含んでいることを特徴とする請求項8に記載の薄膜トランジスタ装置の製造方法。
- 前記水素の拡散を抑制する膜が、シリコン窒化膜またはシリコン酸化窒化膜であることを特徴とする請求項13に記載の薄膜トランジスタ装置の製造方法。
- 前記上部絶縁層が、水素の拡散を抑制する膜を含んでいることを特徴とする請求項9に記載の薄膜トランジスタ装置の製造方法。
- 前記水素の拡散を抑制する膜が、シリコン窒化膜またはシリコン酸化窒化膜であることを特徴とする請求項15に記載の薄膜トランジスタ装置の製造方法。
- 前記熱処理は350℃〜500℃の温度範囲で行うことを特徴とする請求項7〜9のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタ装置の製造方法。
- 前記第2のゲート絶縁層の膜厚が100nm以下とすることを特徴とする請求項6〜17のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタ装置の製造方法。
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JP2006157635A JP5128085B2 (ja) | 2006-06-06 | 2006-06-06 | 薄膜トランジスタ装置およびその製造方法 |
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JP2003316296A (ja) * | 2002-02-01 | 2003-11-07 | Seiko Epson Corp | 回路基板、電気光学装置、電子機器 |
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