JP5126646B2 - 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 - Google Patents
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Description
また、本発明は、その露光技術を用いて、デバイスの集積密度を向上できるデバイス製造技術を提供することをも目的とする。
図1(A)は、本例のスキャニング・ステッパーよりなる走査露光型の露光装置(投影露光装置)の構成を示し、この図1(A)において、その露光装置は、露光光源1と、露光光源1からの照明光IL(露光用の光束又は露光ビーム)で転写用のパターンが形成されたレチクルRを照明する照明光学系12と、レチクルRの位置及び速度を制御するレチクルステージ系と、レチクルRのパターンの像を基板としてのフォトレジストが塗布されたウエハW上に投影する投影光学系PLと、ウエハWの位置及び速度を制御するウエハステージ系と、装置全体の動作を統括制御するコンピュータよりなる主制御系17とを含んで構成されている。露光光源1としてはArFエキシマレーザ光源(波長193nm)が使用されている。なお、露光光源1としては、KrFエキシマレーザ光源(波長248nm)、F2 レーザ光源(波長157nm)などのレーザ光源、水銀ランプ、又はYAGレーザの高調波発生光源若しくは固体レーザ(例えば半導体レーザ等)等の高調波発生装置なども使用することができる。
図1(B)に示すように、第1プリズム71は、照明光学系12の光軸BXを中心とする円形領域で平行平面板71aとなり、その周辺部で凹の円錐体71bとなる部材であり、第2プリズム72は、第1プリズム71に対して凹凸が逆になると共に、第1プリズム71と合わせたときに全体として平行平面板を構成する部材である。プリズム71,72の周辺の円錐部(斜面)を通る光束は、フライアイレンズ5の射出面Q1上で光量が高められる複数の領域を通過する。また、プリズム71,72の少なくとも一方、例えば本例では第2プリズム72のみが光軸BXに沿って不図示の駆動機構によって変位可能に支持されている。本例では、第2プリズム72を光軸BXに沿って変位させて、プリズム71及び72の間隔を変えることによって、フライアイレンズ5の射出面Q1における光量の大きい複数の領域の位置を半径方向に調整できる。即ち、レチクルRのパターン面がほぼ平行に配置されるXY平面のX方向、Y方向に対応する、射出面(所定面、瞳面)Q1上での直交2軸方向に関する複数の領域の位置(光軸BXとの距離)を可変としている。なお、図1(A)ではその直交2軸方向がY、Z方向となるが、以下の説明では、XY平面におけるレチクルRのパターンの周期方向(配列方向)と、射出面Q1における複数の領域の配置との対応付けを明確にして説明を分かり易くするため、射出面Q1においてもその直交2軸方向を、パターンの周期方向などと対応させてX、Y方向と呼ぶものとする。
図2(A)は、図1(A)中のレチクルRに形成され、DRAM(Dymamic Random Access Memory)の製造過程における所定の層の回路パターンを形成する際に使用される転写用のパターン36の一部を示す拡大図である。この図2(A)において、そのパターン36は、遮光膜35を背景として、X方向の幅P1AでY方向の長さP2Aの矩形の多数の透過部31をX方向及びY方向に2次元的に配置したものである。具体的に、複数の透過部31(明部)をY方向に長さP2Bの遮光部32(暗部)を隔てて、周期(ピッチ)P2(=P2A+P2B)で配列することによって、1次元の格子パターン33Aが形成され、この格子パターン33Aに平行にX方向に幅P1Bの遮光部34を隔てて、周期P1(=P1A+P1B)で、それぞれ格子パターン33Aと同様に複数の透過部31をY方向に周期P2で配列してなる1次元の格子パターン33B,33C,33D,33E,33F,…が配列されている。これらの格子パターン33A〜33Fがパターン36に含まれている。
θ=90°−arctan(D/P1) …(1)
また、角度θを用いると、図2(A)の格子パターン33A〜33FのY方向の周期P2、透過部31のY方向の長さP2A、及び遮光部32のY方向の長さP2Bに対して、図2(B)のラインパターン38のS方向の周期P3、幅P3A、及び間隔P3Bは次のようにsin θに比例して小さくなる。
なお、上述の具体例のように、X方向の周期P1が154nm、Y方向の周期P2が200nmで、シフト量DがP2/4である場合には、式(1)より角度θは約72°、sin θは約0.95、P3は約190nmとなる。
次に、図3(A)は、図2(B)又は図2(A)の斜めに交差する2つの方向に周期性を持つパターン36に照明光ILを照射した場合に、パターン36から発生する多数の回折光(0次光を含む)の図1(A)の投影光学系PLの瞳面Q3における光量分布に相当する回折パターン47を説明する図である。この図3(A)において、回折パターン47は、X軸に平行に等間隔で配置された複数の直線46と、X軸に対して反時計回りに角度θで交差するS方向に平行に等間隔で配置された複数の直線44との交点である全部の格子点45をそれぞれ回折光の中心とする光量分布となる。各格子点45と中心がほぼ一致してそれぞれ異なる次数の回折光が通過するが、実際には格子点45中には回折光の光量が殆ど無いものもある。図3(A)の瞳面Q3上のX方向及びY方向の距離を、投影光学系PLに入射する回折光の開口数(入射角の正弦)を単位として表すものとして、照明光ILの波長をλとして、図2(B)のパターン36のX方向の周期P1及びS方向の周期P3を用いると、X軸に平行な直線46上の隣接する2つの格子点45(回折光)の間隔はλ/P1となり、S方向に平行な直線44上の隣接する2つの格子点45(回折光)の間隔はλ/P3となる。
また、図2(A)の転写用のパターン36を構成する格子パターン33A〜33FはY軸に平行であるが、これらの格子パターンの配列方向はX方向又はY方向と必ずしも一致していなくてもよい。
Claims (14)
- 照明系からの光束でパターンを照明し、前記光束で前記パターン及び投影系を介して基板を露光する露光方法において、
前記パターンは、斜めに交差する第1方向及び第2方向にそれぞれ周期性を持つ周期的パターンであり、
前記照明系の瞳面又はこの共役面における前記光束の光量分布を、
前記周期的パターンから前記第1方向に発生する回折光、前記第2方向に発生する回折光、及び0次光が前記投影系を通過するように配置された第1の1対の領域、
前記周期的パターンから前記第1方向に発生する回折光及び0次光が前記投影系を通過するように配置された第2の1対の領域、並びに
前記周期的パターンから前記第2方向に発生する回折光及び0次光が前記投影系を通過するように配置された第3の1対の領域よりなる6個の領域における光量がそれ以外の領域における光量よりも大きくなるように設定したことを特徴とする露光方法。 - 前記第1の1対の領域は、前記照明系の光軸に関して対称で、かつほぼ前記第1方向及び第2方向の間の方向に前記周期的パターンの前記第1方向及び第2方向の周期に応じた間隔だけ離れた2つの領域であり、
前記第2の1対の領域は、前記光軸に関して対称で、かつほぼ前記第1方向に前記周期的パターンの前記第1方向の周期に応じた間隔だけ離れた2つの領域であり、
前記第3の1対の領域は、前記光軸に関して対称で、かつほぼ前記第2方向に前記周期的パターンの前記第2方向の周期に応じた間隔だけ離れた2つの領域であることを特徴とする請求項1に記載の露光方法。 - 前記光束の波長をλ、前記周期的パターンの前記第1方向及び第2方向の周期をそれぞれP1及びP3として、
前記第1の1対の領域の中心を結ぶ方向は、前記第1方向の幅がλ/P1で前記第2方向の幅がλ/P3の平行四辺形の長い対角線方向であり、
前記第1の1対の領域の開口数に換算した間隔は、前記平行四辺形の長い対角線よりも狭く、
前記第2の1対の領域の開口数に換算した間隔は、前記平行四辺形の前記第1方向の辺の長さにほぼ等しく、
前記第3の1対の領域の開口数に換算した間隔は、前記平行四辺形の前記第2方向の辺の長さにほぼ等しいことを特徴とする請求項2に記載の露光方法。 - 前記周期的パターンは、それぞれ前記第1方向に直交する方向に明部と暗部とを第1周期で配列してなる複数の格子パターンを、前記第1方向に第2周期で、かつ隣接する2つの前記格子パターンの前記明部が前記第1方向に直交する方向に次第にシフトするように配列したパターンであり、
複数の前記格子パターンの前記明部と前記暗部との長さの比に応じて、前記第1の1対の領域と前記第3の1対の領域との光量比を制御し、
複数の前記格子パターンの幅と前記第2周期との比に応じて、前記第1の1対の領域と前記第2の1対の領域との光量比を制御することを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の露光方法。 - 前記格子パターンの前記明部の長さに対して前記暗部の長さが短いことを特徴とする請求項4に記載の露光方法。
- 前記第1の1対の領域の前記光束の偏光状態をランダム偏光又は円偏光として、
前記第2の1対の領域の前記光束の偏光方向を前記第1方向に直交する方向として、
前記第3の1対の領域の前記光束の偏光方向を前記第2方向に直交する方向とすることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の露光方法。 - 照明系からの光束でパターンを照明し、前記光束で前記パターン及び投影系を介して基板を露光する露光装置において、
前記照明系の瞳面又はこの共役面における前記光束の光量分布を設定する光量分布設定機構と、
前記パターンに応じて前記光量分布設定機構を制御する制御装置とを備え、
前記制御装置は、前記パターンが、斜めに交差する第1方向及び第2方向にそれぞれ周期性を持つ周期的パターンであるときに、前記光量分布設定機構を制御して、前記照明系の瞳面又はこの共役面における前記光束の光量分布を、
前記周期的パターンから前記第1方向に発生する回折光、前記第2方向に発生する回折光、及び0次光が前記投影系を通過するように配置された第1の1対の領域、
前記周期的パターンから前記第1方向に発生する回折光及び0次光が前記投影系を通過するように配置された第2の1対の領域、並びに
前記周期的パターンから前記第2方向に発生する回折光及び0次光が前記投影系を通過するように配置された第3の1対の領域よりなる6個の領域における光量がそれ以外の領域における光量よりも大きくなるように設定することを特徴とする露光装置。 - 前記第1の1対の領域は、前記照明系の光軸に関して対称で、かつほぼ前記第1方向及び第2方向の中間の方向に前記周期的パターンの前記第1方向及び第2方向の周期に応じた間隔だけ離れた2つの領域であり、
前記第2の1対の領域は、前記光軸に関して対称で、かつほぼ前記第1方向に前記周期的パターンの前記第1方向の周期に応じた間隔だけ離れた2つの領域であり、
前記第3の1対の領域は、前記光軸に関して対称で、かつほぼ前記第2方向に前記周期的パターンの前記第2方向の周期に応じた間隔だけ離れた2つの領域であることを特徴とする請求項7に記載の露光装置。 - 前記光束の波長をλ、前記周期的パターンの前記第1方向及び第2方向の周期をそれぞれP1及びP3として、
前記第1の1対の領域の中心を結ぶ方向は、前記第1方向の幅がλ/P1で前記第2方向の幅がλ/P3の平行四辺形の長い対角線方向であり、
前記第1の1対の領域の開口数に換算した間隔は、前記平行四辺形の長い対角線よりも狭く、
前記第2の1対の領域の開口数に換算した間隔は、前記平行四辺形の前記第1方向の辺の長さにほぼ等しく、
前記第3の1対の領域の開口数に換算した間隔は、前記平行四辺形の前記第2方向の辺の長さにほぼ等しいことを特徴とする請求項8に記載の露光装置。 - 前記周期的パターンは、それぞれ前記第1方向に直交する方向に明部と暗部とを第1周期で配列してなる複数の格子パターンを、前記第1方向に第2周期で、かつ隣接する2つの前記格子パターンの前記明部が前記第1方向に直交する方向に次第にずれるように配列したパターンであり、
前記制御装置は、前記光量分布設定機構を介して、
複数の前記格子パターンの前記明部と前記暗部との長さの比に応じて、前記第1の1対の領域と前記第3の1対の領域との光量比を制御し、
複数の前記格子パターンの幅と前記第2周期との比に応じて、前記第1の1対の領域と前記第2の1対の領域との光量比を制御することを特徴とする請求項7から9のいずれか
一項に記載の露光装置。 - 前記格子パターンの前記明部の長さに対して前記暗部の長さが短いことを特徴とする請求項10に記載の露光装置。
- 前記第1の1対の領域の前記光束の偏光状態をランダム偏光又は円偏光として、
前記第2の1対の領域の前記光束の偏光方向を前記第1方向に直交する方向として、
前記第3の1対の領域の前記光束の偏光方向を前記第2方向に直交する方向とする偏光制御機構を備えたことを特徴とする請求項7から11のいずれか一項に記載の露光装置。 - リソグラフィ工程を含むデバイスの製造方法であって、
前記リソグラフィ工程で請求項1から6のいずれか一項に記載の露光方法を用いてパターンを感光体に転写することを特徴とするデバイス製造方法。 - 前記デバイスはDRAMであることを特徴とする請求項13に記載のデバイス製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006304916A JP5126646B2 (ja) | 2006-11-10 | 2006-11-10 | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006304916A JP5126646B2 (ja) | 2006-11-10 | 2006-11-10 | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008124177A JP2008124177A (ja) | 2008-05-29 |
JP5126646B2 true JP5126646B2 (ja) | 2013-01-23 |
Family
ID=39508624
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006304916A Active JP5126646B2 (ja) | 2006-11-10 | 2006-11-10 | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5126646B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9772566B2 (en) | 2015-06-30 | 2017-09-26 | Toshiba Memory Corporation | Mask alignment mark, photomask, exposure apparatus, exposure method, and manufacturing method of device |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05335214A (ja) * | 1992-06-02 | 1993-12-17 | Fujitsu Ltd | 光投影露光方法 |
JPH0547626A (ja) * | 1991-08-09 | 1993-02-26 | Canon Inc | 像投影方法及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 |
JPH0547628A (ja) * | 1991-08-09 | 1993-02-26 | Canon Inc | 像投影方法及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 |
JP3201027B2 (ja) * | 1992-12-22 | 2001-08-20 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び方法 |
JP2817615B2 (ja) * | 1994-01-31 | 1998-10-30 | 日本電気株式会社 | 縮小投影露光装置 |
JP2006179516A (ja) * | 2004-12-20 | 2006-07-06 | Toshiba Corp | 露光装置、露光方法及び半導体装置の製造方法 |
-
2006
- 2006-11-10 JP JP2006304916A patent/JP5126646B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008124177A (ja) | 2008-05-29 |
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