JP5125464B2 - 導体パターン形成用インク、導体パターンおよび配線基板 - Google Patents

Description

本発明は、導体パターン形成用インク、導体パターンおよび配線基板に関するものである。

電子部品が実装される回路基板（配線基板）として、セラミックスで構成された基板（セラミックス基板）上に、金属材料で構成された配線が形成されたセラミックス回路基板が、広く用いられている。このようなセラミックス回路基板では、基板（セラミックス基板）自体が、多機能性材料で構成されているため、多層化による内装部品の形成、寸法の安定性等の点で有利である。
そして、このようなセラミックス回路基板は、セラミックス粒子とバインダーとを含む材料で構成されたセラミックス成形体上に、形成すべき配線（導体パターン）に対応するパターンで、金属粒子を含む組成物を付与し、その後、当該組成物が付与されたセラミックス成形体に対し、脱脂、焼結処理を施すことにより製造されている。

セラミックス成形体上へのパターン形成の方法としては、スクリーン印刷法が広く用いられている。その一方で、近年、配線の微細化（例えば、線幅：６０μｍ以下の配線）、狭ピッチ化による回路基板の高密度化が求められているが、スクリーン印刷法では、配線の微細化、狭ピッチ化に不利であり、上記のような要求に応えるのが困難である。
そこで、近年、セラミックス成形体上へのパターン形成の方法として、液体吐出ヘッドから金属粒子を含む液体材料（導体パターン形成用インク）を液滴状に吐出する液滴吐出法、いわゆるインクジェット法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

しかし、従来の導体パターン形成用インクでは、吐出待機時や長時間連続して吐出した際に、液滴吐出ヘッド（インクジェットヘッド）の液滴の吐出部付近において、導体パターン形成用インクの分散媒の揮発により導電性微粒子が析出してしまうといった問題があった。このように液滴の吐出部付近に導電性微粒子が析出すると、吐出された液滴の軌道が変化し（いわゆる、飛行曲がりが発生し）、目的の部位に液滴を着弾させることができなくなったり、液滴の吐出量が不安定化する等の問題を生じることがあった。また、このような場合、従来の導体パターン形成用インクによって基板上に形成されたパターンは、十分に均一な厚さ、幅を有することが困難であった。

また、従来のインクを用いて基板にパターンを形成した場合、基板上に形成されたパターンから、分散媒を取り除く際に、パターン中に亀裂（クラック）が生じやすく、結果として形成した導体パターンの一部に断線が生じやすいものとなっていた。特に、近年の配線の微細化、狭ピッチ化による回路基板の高密度化に伴い、このような問題の発生が顕著であった。

特開２００７−８４３８７号公報

本発明の目的は、液滴の吐出安定性に優れ、形成される導体パターンでのクラック、断線の発生を防止することができる導体パターン形成用インクを提供すること、信頼性の高い導体パターンを提供すること、および、このような導体パターンを備え、信頼性の高い配線基板を提供することにある。

このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の導体パターン形成用インクは、液滴吐出法により、基材上に導体パターンを形成するための導体パターン形成用インクであって、
金属粒子と、前記金属粒子が分散した水系分散媒と、イノシトールと、ポリグリセリン骨格を有するポリグリセリン化合物とを含み、
下記式（Ｉ）で示されるＨが０．０５０〜０．７０であることを特徴とする。

（式中、ＯＨ（Ａ）［個］は、前記ポリグリセリン化合物：１分子中の水酸基の平均の個数、Ｍｗ（Ａ）は、前記ポリグリセリン化合物の重量平均分子量、Ｘ（Ａ）［ｗｔ％］は、導体パターン形成用インク中における前記ポリグリセリン化合物の含有量、ＯＨ（Ｂ）［個］は、前記イノシトール：１分子中の水酸基の個数、Ｍｗ（Ｂ）は、前記イノシトールの分子量、Ｘ（Ｂ）［ｗｔ％］は、導体パターン形成用インク中における前記イノシトールの含有量を示す。）
これにより、液滴の吐出安定に優れ、形成される導体パターンでのクラック、断線の発生を防止することができる導体パターン形成用インクを提供することができる。

本発明の導体パターン形成用インクでは、前記Ｘ（Ａ）および前記Ｘ（Ｂ）は、０．１０≦Ｘ（Ａ）／Ｘ（Ｂ）≦２０の関係を満足するものであることが好ましい。
これにより、導体パターン形成用インクの吐出安定性を長期にわたって特に優れたものとすることができ、導体パターン形成時におけるクラック、断線の発生をより確実に防止することができる。

本発明の導体パターン形成用インクでは、前記Ｘ（Ａ）は、１．０〜２０ｗｔ％であることが好ましい。
これにより、導体パターンでのクラックの発生をより確実に防ぎつつ、インクの粘度を十分に低いものとすることができ、導体パターン形成用インクの吐出安定性を特に優れたものとすることができる。

本発明の導体パターン形成用インクでは、前記Ｘ（Ｂ）は、１．０〜１５ｗｔ％であることが好ましい。
これにより、導体パターン形成用インクの吐出安定性を特に優れたものとすることができ、導体パターン形成時において、導体パターン形成用インク中のイノシトールが結晶化し、形成された導体パターンに損傷を与えることを確実に防止することができる。

本発明の導体パターン形成用インクでは、前記ポリグリセリン化合物は、ポリグリセリンであることが好ましい。
これにより、形成する導体パターンでの断線、クラックの発生をより確実に防止することができるとともに、イノシトールの結晶化をより確実に防止することができる。
本発明の導体パターン形成用インクでは、前記Ｍｗ（Ａ）は、３００〜３０００であることが好ましい。
これにより、導体パターン形成用インクによって形成されたパターンを乾燥した際に、パターンにクラックが発生することをより確実に防止することができる。

本発明の導体パターン形成用インクでは、導体パターン形成用インクにおける前記イノシトールと前記ポリグリセリン化合物との合計の含有量は、２．０〜３５ｗｔ％であることが好ましい。
これにより、導体パターン形成用インクの吐出安定性を特に優れたものとすることができ、導体パターン形成時におけるクラック、断線の発生をより確実に防止することができる。

本発明の導体パターン形成用インクでは、前記基板は、セラミックス粒子と、バインダーとを含む材料で構成されたシート状のセラミックス成形体を脱脂、焼結を施されることにより形成されるものであり、
導体パターン形成用インクは、液滴吐出法により、前記セラミックス成形体上に付与されるものであることが好ましい。
これにより、液滴吐出ヘッドの吐出部付近における水系分散媒の揮発をより効果的に抑制することができるとともに、導体パターン形成用インクの粘度をより適度なものとすることができ、吐出安定性がさらに向上する。

本発明の導体パターン形成用インクは、前記金属粒子と前記金属粒子の表面に付着した分散剤とで構成された金属コロイド粒子が前記水系分散媒に分散したコロイド液であることが好ましい。
本発明の導体パターン形成用インクは、このようなセラミックス成形体上に導体パターンを形成するのに好適に用いることができる。

本発明の導体パターン形成用インクでは、前記分散剤は、ＣＯＯＨ基とＯＨ基とを合わせて３個以上有し、かつ、ＣＯＯＨ基の数がＯＨ基の数と同数またはＣＯＯＨ基の数がＯＨ基の数よりも多いヒドロキシ酸またはその塩を含むものであることが好ましい。
これにより、クラックおよび断線が確実に防止された、より微細な導体パターンを形成することができる。

本発明の導体パターン形成用インクでは、前記分散剤は、ＣＯＯＨ基とＳＨ基とを合わせて２個以上有するメルカプト酸またはその塩を含むものであることが好ましい。
これにより、インク内での金属粒子の凝集が防止され、クラックおよび断線が確実に防止された、より微細な導体パターンを形成することができる。
本発明の導体パターン形成用インクでは、前記コロイド液は、ｐＨが６〜１２であることが好ましい。
これにより、インク内での金属粒子の凝集が防止され、より微細な導体パターンを形成することができる。

本発明の導体パターンは、本発明の導体パターン形成用インクによって形成されたことを特徴とする。
これにより、信頼性の高い導体パターンを提供することができる。
本発明の配線基板は、本発明の導体パターンが備えられてなることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い配線基板を提供することができる。

以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。
《導体パターン形成用インク》
本発明の導体パターン形成用インクは、基材上に導体パターンを形成するのに用いるインクであり、特に、液滴吐出法によって導体パターンを形成するのに用いるインクである。

導体パターンが形成される基材は、いかなるものであってもよいが、本実施形態では、基材としてセラミックスを主として構成されたセラミックス基板を用いることとする。また、本実施形態では、セラミックスとバインダーとを含む材料で構成されたシート状のセラミックス成形体（セラミックスグリーンシート）に導体パターン形成用インクを付与するものとして説明する。なお、セラミックス成形体およびセラミックス成形体に付与されたインクは、後述するように焼結処理され、それぞれセラミックス基板および導体パターンとなる。

以下、導体パターン形成用インクの好適な実施形態について説明する。なお、本実施形態では、金属粒子を水系分散媒に分散してなる分散液として、銀粒子が分散した分散液を用いた場合について代表的に説明する。
導体パターン形成用インク（以下、単にインクともいう）は、水系分散媒と、水系分散媒に分散した銀粒子と、ポリグリセリン骨格を有するポリグリセリン化合物と、イノシトールとを含む。

［水系分散媒］
まず、水系分散媒について説明する。
本発明において、「水系分散媒」とは、水および／または水との相溶性に優れる液体（例えば、２５℃における水１００ｇに対する溶解度が３０ｇ以上の液体）で構成されたもののことを指す。このように、水系分散媒は、水および／または水との相溶性に優れる液体で構成されたものであるが、主として水で構成されたものであるのが好ましく、特に、水の含有率が７０ｗｔ％以上のものであるのが好ましく、９０ｗｔ％以上のものであるのがより好ましい。

水系分散媒の具体例としては、例えば、水、メタノール、エタノール、ブタノール、プロパノール、イソプロパノール等のアルコール系溶媒、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）等のエーテル系溶媒、ピリジン、ピラジン、ピロール等の芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）等のアミド系溶媒、アセトニトリル等のニトリル系溶媒、アセトアルデヒド等のアルデヒド系溶媒等が挙げられ、これらのうち、１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
また、導体パターン形成用インク中における水系分散媒の含有量は、２５〜６０ｗｔ％であることが好ましく、３０〜５０ｗｔ％であることがより好ましい。これにより、インクの粘度を好適なものとしつつ、分散媒の揮発による粘度の変化を少ないものとすることができる。

［銀粒子］
次に、銀粒子（金属粒子）について説明する。
銀粒子は、形成される導体パターンの主成分であり、導体パターンに導電性を付与する成分である。
また、銀粒子は、インク中において分散している。

銀粒子の平均粒径は、１〜１００ｎｍであるのが好ましく、１０〜３０ｎｍであるのがより好ましい。これにより、インクの吐出性をより高いものとすることができるとともに、微細な導体パターンを容易に形成することができる。
また、インク中に含まれる銀粒子（分散剤が表面に吸着していない銀粒子）の含有量は、０．５０〜６０ｗｔ％であるのが好ましく、１０〜４５ｗｔ％であるのがより好ましい。これにより、導体パターンの断線をより効果的に防止することができ、より信頼性の高い導体パターンを提供することができる。
また、銀粒子（金属粒子）は、その表面に分散剤が付着した銀コロイド粒子（金属コロイド粒子）として、水系分散媒中に分散していることが好ましい。これにより、銀粒子の水系分散媒への分散性が特に優れたものとなり、インクの液滴吐出性が特に優れたものとなる。

分散剤は、ＣＯＯＨ基とＯＨ基とを合わせて３個以上有し、かつ、ＣＯＯＨ基の数がＯＨ基と同じか、それよりも多いヒドロキシ酸またはその塩を含むことが好ましい。これらの分散剤は、銀粒子の表面に吸着してコロイド粒子を形成し、分散剤中に存在するＣＯＯＨ基の電気的反発力によって銀コロイド粒子を水溶液中に均一に分散させてコロイド液を安定化する働きを有する。このように、銀コロイド粒子が安定してインク中に存在することにより、より容易に微細な導体パターンを形成することができる。また、インクによって形成されたパターン（前駆体）において銀粒子が均一に分布し、クラック、断線等が発生しにくいものとなる。これに対して、分散剤中のＣＯＯＨ基とＯＨ基の数が３個未満であったり、ＣＯＯＨ基の数がＯＨ基の数よりも少ないと、銀コロイド粒子の分散性が十分に得られない場合がある。
このような分散剤としては、例えば、クエン酸、りんご酸、クエン酸三ナトリウム、クエン酸三カリウム、クエン酸三リチウム、クエン酸三アンモニウム、りんご酸二ナトリウム、タンニン酸、ガロタンニン酸、五倍子タンニン等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

または、分散剤は、ＣＯＯＨ基とＳＨ基とを合わせて２個以上有するメルカプト酸またはその塩を含んでいてもよい。これらの分散剤は、メルカプト基が銀微粒子の表面に吸着してコロイド粒子を形成し、分散剤中に存在するＣＯＯＨ基の電気的反発力によってコロイド粒子を水溶液中に均一に分散させてコロイド液を安定化する働きを有する。このように、銀コロイド粒子が安定してインク中に存在することにより、より容易に微細な導体パターンを形成することができる。また、インクによって形成されたパターン（前駆体）において銀粒子が均一に分布し、クラック、断線等が発生しにくいものとなる。これに対して、分散剤中のＣＯＯＨ基とＳＨ基の数が２個未満すなわち片方のみであると、銀コロイド粒子の分散性が十分に得られない場合がある。

このような分散剤としては、例えば、メルカプト酢酸、メルカプトプロピオン酸、チオジプロピオン酸、メルカプトコハク酸、チオ酢酸、メルカプト酢酸ナトリウム、メルカプトプロピオン酸ナトリウム、チオジプロピオン酸ナトリウム、メルカプトコハク酸二ナトリウム、メルカプト酢酸カリウム、メルカプトプロピオン酸カリウム、チオジプロピオン酸カリウム、メルカプトコハク酸二カリウム等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

インク中における銀コロイド粒子の含有量は、１〜６０ｗｔ％程度であるのが好ましく、１０〜５０ｗｔ％程度であるのがより好ましい。銀コロイド粒子の含有量が前記下限値未満であると、銀の含有量が少なく、導体パターンを形成した際、比較的厚い膜を形成する場合に、複数回重ね塗りする必要が生じる。一方、銀コロイド粒子の含有量が前記上限値を超えると、銀の含有量が多くなり、分散性が低下し、これを防ぐためには攪拌の頻度が高くなる。

また、銀コロイド粒子の熱重量分析における５００℃までの加熱減量は、１〜２５ｗｔ％程度が好ましい。コロイド粒子（固形分）を５００℃まで加熱すると、表面に付着した分散剤、後述する還元剤（残留還元剤）等が酸化分解され、大部分のものはガス化されて消失する。残留還元剤の量は、僅かであると考えられるので、５００℃までの加熱による減量は、銀コロイド粒子中の分散剤の量にほぼ相当すると考えてよい。

加熱減量が１ｗｔ％未満であると、銀粒子に対する分散剤の量が少なく、銀粒子の充分な分散性が低下する。一方、２５ｗｔ％を超えると、銀粒子に対する残留分散剤の量が多なり、導体パターンの比抵抗が高くなる。但し、比抵抗は、導体パターンの形成後に加熱焼結して有機分を分解消失させることである程度改善することができる。そのため、より高温で焼結されるセラミックス基板等に有効である。
なお、銀コロイド粒子の形成については、後に詳述する。

［イノシトール］
本発明の導体パターン形成用インクには、イノシトールが含まれている。
イノシトールは、保湿性に優れた成分であり、導体パターン形成用インクの分散媒の揮発を防止することに寄与することのできる成分である。このため、導体パターン形成用インクにイノシトールが含まれていることにより、所定期間保存した場合であっても、導体パターン形成用インク中に含まれる分散媒の揮発を防止することができ、インクの粘度が高くなることを防止できる。このため、導体パターン形成用インクは、長期にわたって、吐出安定性が優れたものとなる。

また、イノシトールは、ある程度の量の水分を保持した状態で安定する成分である。すなわち、イノシトールは、ある程度の量の水分を保持した状態においては、比較的吸湿しにくくなる成分である。このため、導体パターン形成用インクにてパターン（後に詳述する導体パターンの前駆体）を形成し、パターンから水系分散媒を除去した後に、形成されたパターンは、再び水分を取り込みにくいものとなる。このため、このパターンに残存する水分を少ないものとすることができ、焼結の際において、形成されたパターンに含まれる水分が急激に気化して気泡が発生することを確実に防止することができる。この結果、気泡の発生による導体パターンの損傷が防止される。

また、イノシトールは、融点が高い物質であるため、例えば、後述するようなセラミックス成形体の積層体を形成した際に、イノシトールは、積層体の形成における加熱では容易に融けないため、積層体のパターン中において大きな結晶を形成しない。その結果、積層体を形成する際に、パターンにクラックが生じるのを効果的に防止することができる。また、セラミックス成形体を構成するバインダーとして、種々のガラス転移点のものを用いることができる。すなわち、セラミックス成形体を構成する材料（バインダー）の選択性が向上する。
また、イノシトールは、分子量あたりの酸素数が多いために燃焼しやすく、導体パターンを形成する際には導体パターン内からより容易に除去（酸化分解）することができる。

また、導体パターン形成用インクによって形成されたパターンを乾燥（脱分散媒）する際に、水系分散媒が揮発とともに、イノシトールの濃度が上昇する。これにより、導体パターンの前駆体の粘度が上昇するため、前駆体を構成するインクの不本意な部位への流れ出しがより確実に防止される。その結果、形成される導体パターンをより高い精度で所望の形状とすることができる。

イノシトールは、ｃｉｓ−イノシトール、ｅｐｉ−イノシトール、ａｌｌｏ−イノシトール、ｍｙｏ−イノシトール、ｍｕｃｏ−イノシトール、ｎｅｏ−イノシトール、ｃｈｉｒｏ−イノシトールのＤ体およびＬ体、ｓｃｙｌｌｏ−イノシトールの９種類の異性体が存在する。これらの中でも、入手のしやすさから、ｍｙｏ−イノシトールを用いるのが好ましい。

導体パターン形成用インク中におけるイノシトールの含有量Ｘ（Ｂ）［ｗｔ％］は、１．０〜１５ｗｔ％であることが好ましく、２．０〜１０ｗｔ％であることがより好ましい。これにより、導体パターン形成用インクの水系分散媒の揮発をより確実に防止することができ、より長期にわたって導体パターン形成用インクの液滴の吐出性を特に優れたものとすることができる。また、導体パターン形成時において、導体パターン形成用インク中のイノシトールが結晶化し、形成された導体パターンに損傷を与えることを確実に防止することができる。これに対し、インク中に含まれるイノシトールの含有量が前記下限値未満であると、インクの組成によってはインクの保湿性を十分に高くすることができない場合がある。一方、前記上限値を超えると、銀粒子に対するイノシトールの量が多なりすぎ、焼結時に残存しやすくなる。その結果として、導体パターンの比抵抗が高くなる。比抵抗は、焼結時間や焼結環境の制御によりある程度改善することができる。しかし、イノシトールは一定温度にて急激に分解除去されるため、焼結時の温度条件によっては、急激な体積収縮を発生してクラックが発生する場合があり、導通不良の原因となる場合がある。

［ポリグリセリン化合物］
ポリグリセリン化合物は、導体パターン形成用インクによって形成されたパターン（後に詳述する導体パターンの前駆体）を乾燥（脱分散媒）した際に、パターンにクラックが発生するのを防止する機能を有するものである。これは、以下のように考えられる。導体パターン形成用インク中にポリグリセリン化合物が含まれることにより、銀粒子（金属粒子）の間に高分子鎖が存在することとなり、ポリグリセリン化合物が銀粒子同士の距離を保つことができる。さらに、ポリグリセリン化合物は比較的沸点が高いため、水系分散媒の除去時においては除去されず、銀粒子の周囲に付着する。以上により、水系分散媒除去時において、ポリグリセリン化合物が銀粒子を包み込んだ状態が長く続き、水系分散媒の揮発による急激な体積収縮が避けられるとともに銀の粒成長（凝集）が妨げられる結果、パターン中のクラックの発生が抑制されると考えられる。

また、ポリグリセリン化合物は、導体パターンを形成する際の焼結時において、断線が発生するのを防止することができる。これは、以下のように考えられる。ポリグリセリン化合物は、比較的沸点あるいは分解温度が高い。このため、導体パターン形成用インクから導体パターンを形成する過程において、水系分散媒が蒸発した後に、ポリグリセリン化合物を、蒸発或いは熱（酸化）分解させることが可能である。
また、ポリグリセリン化合物が蒸発或いは熱（酸化）分解するまでは、銀粒子の周囲にポリグリセリン化合物が存在し、銀粒子同士の接近と凝集とを抑制することができ、ポリグリセリン化合物が分解した後には、より均一に銀粒子同士を接合させることができる。

さらに、焼結時においてパターン中の銀粒子（金属粒子）の間に高分子鎖（ポリグリセリン化合物）が存在することとなり、ポリグリセリン化合物が銀粒子同士の距離を保つことができる。また、このポリグリセリン化合物は、適度な流動性を有している。このため、ポリグリセリン化合物を含むことにより、導体パターンの前駆体は、セラミックス成形体の温度変化による膨張・収縮への追従性が良好となる。
以上より、形成された導体パターンに断線が生じることを防止することができると考えられる。

また、ポリグリセリン化合物は、前述したイノシトールが結晶化するのを防止する機能を有している。このため、インクがイノシトールを含んでいても、後述する導体パターン形成時においてもイノシトールの結晶化が防止され、形成された導体パターンが損傷することを防止することができる。これは、イノシトールと、ポリグリセリン化合物が互いに多くの水酸基を含み、親和性が高いため、イノシトールの複数の分子間にポリグリセリン化合物が侵入することができ、この侵入したポリグリセリン化合物によってイノシトールの結晶化が妨げられると考えられる。

また、前述したようにイノシトールとポリグリセリン化合物とは、親和性が高い。加えて、イノシトールは、比較的分子量が小さい化合物である。このため、焼結時において、イノシトールは、ポリグリセリン化合物の分子鎖の中に侵入し、水系分散媒が除去された後であっても、ポリグリセリン化合物の流動性が高いものとして保たれる。特に、イノシトールは、高い融点を有する物質であるため、焼結時において比較的高い温度まで分解せずに残存し、ポリグリセリン化合物の流動性を高いものとすることができる。この結果、焼結時において、クラック、断線等が発生することを防止することができ、形成される導体パターンは、信頼性の高いものとなる。すなわち、焼結時において、導体パターンが形成する際に、その前駆体であるパターンは収縮するが、このような場合であっても、パターンが一定の流動性を有することにより、パターンにクラック、断線が発生することを防止することができる。また、パターンが形成されたセラミックス成形体も、焼結時において、膨張、収縮するが、パターンが一定の流動性を有することにより、パターンにクラック、断線が発生することを防止することができる。
また、このようなポリグリセリン化合物を含むことにより、インクの粘度をより適度なものとすることができ、インクジェットヘッドからの吐出安定性をより効果的に向上させることができる。また、成膜性も向上させることができる。

ポリグリセリン化合物としては、ポリグリセリン、ポリグリセリンエステル等のポリグリセリン骨格を有するポリグリセリン化合物が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。また、ポリグリセリンエステルとしては、例えば、ポリグリセリンのモノステアレート、トリステアレート、テトラステアレート、モノオレエート、ペンタオレエート、モノラウレート、モノカプリレート、ポリシノレート、セスキステアレート、デカオレエート、セスキオレエート等が挙げられる。
上述した中でも、ポリグリセリンを用いるのが好ましい。これにより、断線、クラックの発生をより確実に防止することができるとともに、イノシトールの結晶化をより確実に防止することができる。さらに、ポリグリセリンは、水系分散媒への溶解度も高いので、好適に用いることができる。

また、ポリグリセリン化合物としては、その重量平均分子量が３００〜３０００であるものを用いるのが好ましく、４００〜６００であるものを用いるのがより好ましい。これにより、導体パターン形成用インクによって形成されたパターンを乾燥した際に、クラックの発生をより確実に防止することができる。また、導体パターン形成時において、イノシトールが結晶化することをより確実に防止することができる。また、ポリグリセリン化合物とイノシトールとの親和性が十分に高いものとなり、焼結時において、インクによって形成されたパターンは、より長期にわたって流動性を維持することができ、セラミック成形体の温度変化による収縮、膨張への追従性が特に優れたものとなる。これに対し、ポリグリセリン化合物の重量平均分子量が前記下限値未満であると、水系分散媒を除去する際にポリグリセリン化合物が分解しやすい傾向があり、クラック、イノシトールの結晶化の発生を防止する効果が小さくなる。また、ポリグリセリン化合物の重量平均分子量が前記上限値を超えると、排除体積効果等によりインク中への溶解性、分散性が低下する場合がある。

導体パターン形成用インク中におけるポリグリセリン化合物の含有量Ｘ（Ａ）［ｗｔ％］は、１．０〜２０ｗｔ％であることが好ましく、３．０〜１５ｗｔ％であることがより好ましい。これにより、導体パターンでのクラック、断線の発生をより確実に防ぎつつ、インクの粘度を十分に低いものとすることができ、インクの液滴の吐出性を特に優れたものとすることができる。これに対して、ポリグリセリン化合物の含有量が前記下限値未満であると、上記分子量が下限値を下回った場合には、クラックの発生を防止する効果が小さくなる場合がある。また、ポリグリセリン化合物の含有量が前記上限値を超えると、前記分子量が上限値を超えた場合には、ポリグリセリン化合物のインク中への分散性が低下する場合があり、インクの粘度を十分に低いものとすることが困難な場合がある。
ところで、本発明では、導体パターン形成用インクは、下記式（Ｉ）で示されるＨが０．０５０〜０．７０となるようにイノシトールとポリグリセリンが含まれる点に特徴を有する。

（式中、ＯＨ（Ａ）［個］は、ポリグリセリン化合物：１分子中の水酸基の平均の個数、Ｍｗ（Ａ）は、ポリグリセリン化合物の重量平均分子量、Ｘ（Ａ）［ｗｔ％］は、導体パターン形成用インク中におけるポリグリセリン化合物の含有量、ＯＨ（Ｂ）［個］は、イノシトール：１分子中の水酸基の個数、Ｍｗ（Ｂ）は、イノシトールの分子量、Ｘ（Ｂ）［ｗｔ％］は、導体パターン形成用インク中におけるイノシトールの含有量を示す。）

上述したように、イノシトールは、保湿性に特に優れた成分である。また、ポリグリセリン化合物も保湿性が比較的高い成分である。そして、これらの成分の保湿性は、水酸基の量に大きく依存していると考えられる。このため、イノシトールおよびポリグリセリン化合物の水酸基の量を、導体パターン形成用インクの乾燥性の指標とすることができる。前記式（Ｉ）で示されるＨが上述したような範囲にあることにより、導体パターン形成用インクは、水系分散媒が揮発しにくいものとなり、吐出安定性に優れたものとなる。すなわち、インクをインクジェット装置に投入し、インクジェット装置の吐出部付近のインクの粘度の上昇、乾燥が抑えられ、インクの液滴の吐出安定性が優れたものとなる。これにより、インクの液滴の重量のばらつきが小さいものとなり、目詰まり、飛行曲がり等が少ないものとなる。この結果、厚さおよび幅が均一なパターンをインクによって容易に形成でき、得られる導体パターンは、厚さおよび幅が均一で、クラック、断線等の少ないものとなる。特に、インクジェット装置に導体パターン形成用インクを充填した後に、所定期間（例えば、３日）運転を行わずにインクジェット装置を待機した場合であっても、本発明の導体パターン形成用インクは、均一な量で、目的とする位置に精度よく吐出されることができる。

また、Ｈが上述したような範囲にあることにより、導体パターン形成用インクの保湿性が極端に高くなることを防止できる。これにより、導体パターン形成用インクをセラミックス成形体上に付与し、水系分散媒を除去した場合において、形成されたパターン（前駆体）に残存する水分を十分に少ないものとすることができる。また、水系分散媒を除去した後も、パターンが吸湿することを防止することができる。この結果、焼結時において水系分散媒による気泡の発生を確実に防止することができ、形成される導体パターンが損傷することを防止することができる。

以上のような効果により、導体パターン形成用インクは、形成される導体パターンのクラック、断線等の発生が防止されたもとなり、吐出安定性に優れたものとなる。このため、このようなインクを用いて形成された導体パターンは、信頼性の高いものとなる。
これに対し、前記式（Ｉ）で示されるＨが前記下限値未満だと、インク中に含まれる水酸基の量が低いものとなり、インク中の水系分散媒が揮発しやすいものとなる。この結果、インクを長期間吐出した場合や、インクジェット装置にインクを充てんした状態で長期間待機した場合に、吐出部付近にある導体パターン形成用インク中の分散媒が揮発しやすく、吐出部付近の導体パターン形成用インクの粘度が高くなる。このようにインクの粘度が高くなったり、吐出部付近に金属粒子が凝集すると、吐出された液滴の軌道が変化し（いわゆる、飛行曲がりが発生し）、目的の部位に液滴を着弾させることができなくなったり、液滴の吐出量が不安定化する等の問題を生じる。この結果、セラミックス成形体に吐出されたインクのパターンは、厚さおよび幅が不均一なものとなり、厚さが薄い部分および幅が狭い部分を起点にしてクラック、断線が発生しやすいものとなる。

一方、前記式（Ｉ）で示されるＨが前記上限値を超えると、導体パターン形成用インクの保水性が高くなりすぎてしまう。このため、導体パターン形成用インクをセラミックス成形体に付与して、水系分散媒を除去した場合、形成されたパターン（前駆体）中に水系分散媒が多く残存してしまう。この結果、パターンを焼結する際において、パターン中に含まれる水系分散媒が急激に気化し、気泡が発生する。この発生した気泡によってパターンが損傷し、形成される導体パターンは、クラック、断線の多いものとなってしまう。また、導体パターン形成用インク中に含まれる有機物が多くなりすぎ、焼結時において、銀粒子同士が結合しにくくなる。また、インクの保水性が高すぎ、インクによって形成されたパターンの流動性が大きくなりすぎ、微細なパターンを描くことが難しくなる。また、インクを付与したセラミックス成形体のバインダーは、通常疎水性のものを用いるが、このような場合、インクとセラミックス成形体との密着性が劣るものとなる。このため、後述するセラミックス成形体の積層時や焼結時において、パターン（前駆体）がセラミックス成形体から剥離したり、断線したりしやすいものとなる。この結果、信頼性の高い導体パターンが得られない。

また、前記式（Ｉ）に示されるＨは、上述したような範囲であればよいが、０．１０〜０．５５であることが好ましく、上述したような効果をより顕著に得ることができる。
なお、本明細書中において、ＯＨ（Ａ）［個］は、ポリグリセリン化合物：１分子中の水酸基の平均の個数であり、水酸基の平均の個数は、各分子量毎のポリグリセリン化合物の含有量を基に加重平均で求めるものである。

上述したように、本発明の導体パターン形成用インクは、イノシトールとポリグリセリン化合物とを含むものであるが、インク中にイノシトール、ポリグリセリン化合物のうちのいずれか一方のみしか含まれていない場合には、本発明の効果は得られない。
インク中にイノシトールが含まれていない場合、インク中の水系分散媒が揮発しやすいものとなり、インクの液滴の吐出安定性が劣るものとなる。イノシトールの代わりに、ポリグリセリン化合物を大量にインク中に含ませた場合、インク中に含まれる有機物が多くなりすぎ、インクの粘度が、高いものとなってしまう。このため、インクの液滴の吐出安定性が劣るものとなってしまう。

また、インク中にポリグリセリン化合物が含まれない場合、インクによって形成されたパターンを乾燥、焼結した際に、イノシトールが結晶化し、形成された導体パターンは、クラック、損傷が多いものとなってしまう。また、インクによって形成されたパターンを焼結する際に、パターンが形成されたセラミック成形体の熱膨張によって、パターンが断線し、形成される導体パターンは断線が多いものとなってしまう。この結果、信頼性の高い導体パターンを得ることが困難になってしまう。

また、Ｘ（Ａ）およびＸ（Ｂ）は、０．１０≦Ｘ（Ａ）／Ｘ（Ｂ）≦２０の関係を満足することが好ましく、１．５≦Ｘ（Ａ）／Ｘ（Ｂ）≦１０の関係を満足することがより好ましい。これにより、より確実にイノシトールの結晶化を防止しつつ、インクの吐出安定性を特に優れたものとすることができる。また、インクの保水性をより容易に適度なものとしつつ、乾燥後の吸湿性を十分に低いものすることができ、導体パターン形成時におけるクラック、断線等の発生を確実に防止することができる。

導体パターン形成用インクにおけるイノシトールとポリグリセリン化合物との合計の含有量は、２．０〜３５ｗｔ％であることが好ましく、５．０〜３０ｗｔ％であることがより好ましい。これにより、インクの粘度を十分に低くしつつ、インク中の水系分散媒の揮発をより確実に防止することができるため、インクの液滴の吐出安定性が特に優れたものとなる。結果として、形成される導体パターンでの断線、クラック等をより確実に防ぐことができる。また、導体パターン形成用インク中の保水性をより容易に調整することができ、インクによって形成されたパターン（前駆体）の水系分散媒の除去がより容易となると共に、水系分散媒除去後におけるパターンの吸湿をより確実に防止することができる。

［その他の成分］
また、導体パターン形成用インクには、上記成分の他、アセチレングリコール系化合物が含まれていてもよい。アセチレングリコール系化合物は、導体パターン形成用インクとセラミックス成形体との接触角を所定の範囲に調整する機能を有するものである。また、アセチレングリコール系化合物は、少ない添加量で、導体パターン形成用インクとセラミックス成形体との接触角を所定の範囲に調整することができる。また、吐出した液滴内に気泡が混入した場合であっても、速やかに気泡を除去することができる。
このように、導体パターン形成用インクとセラミックス成形体との接触角を所定の範囲に調整することにより、より微細な導体パターンを形成することができる。

上記化合物は、具体的には、導体パターン形成用インクとセラミックス成形体との接触角が４０〜８０°（より好ましくは５０〜８０°）に調整する機能を有するものである。接触角が小さすぎると、微細な線幅の導体パターンを形成するのが困難となる場合がある。一方、接触角が大きすぎると、吐出条件等によっては、均一な線幅の導体パターンを形成するのが困難となる場合がある。また、着弾した液滴とセラミックス成形体との接触面積が小さくなりすぎてしまい、着弾した液滴が着弾位置からずれてしまう場合がある。

アセチレングリコール系化合物としては、例えば、サーフィノール１０４シリーズ（１０４Ｅ、１０４Ｈ、１０４ＰＧ−５０、１０４ＰＡ等）、サーフィノール４００シリーズ（４２０、４６５、４８５等）、オルフィンシリーズ（ＥＸＰ４０３６、ＥＸＰ４００１、Ｅ１０１０等）（「サーフィノール」および「オルフィン」は、日信化学工業株式会社の商品名）等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、インク中には、ＨＬＢ値が異なる２種以上のアセチレングリコール系化合物を含んでいるのが好ましい。導体パターン形成用インクとセラミックス成形体との接触角を所定の範囲により容易に調整することができる。
特に、インク中に含まれる２種以上のアセチレングリコール系化合物のうち、最もＨＬＢ値が高いアセチレングリコール系化合物のＨＬＢ値と、最もＨＬＢ値が低いアセチレングリコール系化合物のＨＬＢ値との差が、４〜１２であるのが好ましく、５〜１０であるのがより好ましい。これにより、より少ないアセチレングリコール系化合物の添加量で、導体パターン形成用インクとセラミックス成形体との接触角を所定の範囲により容易に調整することができる。

インク中に２種以上のアセチレングリコール系化合物を含むものを用いる場合、最もＨＬＢ値の高いアセチレングリコール系化合物のＨＬＢ値は、８〜１６であるのが好ましく、９〜１４であるのがより好ましい。
また、インク中に２種以上のアセチレングリコール系化合物を含むものを用いる場合、最もＨＬＢ値の低いアセチレングリコール系化合物のＨＬＢ値は、２〜７であるのが好ましく、３〜５であるのがより好ましい。
インク中に含まれるアセチレングリコール系化合物の含有量は、０．００１〜１ｗｔ％であるのが好ましく、０．０１〜０．５ｗｔ％であるのがより好ましい。これにより、導体パターン形成用インクとセラミックス成形体との接触角をより効果的に所定の範囲に調整することができる。

また、導体パターン形成用インクには、上記成分の他、１，３−プロパンジオールが含まれていてもよい。これにより、インクジェットヘッドの吐出部付近における水系分散媒の揮発をより効果的に抑制することができるとともに、インクの粘度をより適度なものとすることができ、吐出安定性がさらに向上する。
インク中に１，３−プロパンジオールを含む場合、その含有量は、０．５０〜２０ｗｔ％であるのが好ましく、２．０〜１０ｗｔ％であるのがより好ましい。これにより、インクの吐出安定性をより効果的に向上させることができる。

なお、導体パターン形成用インクの構成成分は、上記成分に限定されず、上記以外の成分を含んでいてもよい。
例えば、導体パターン形成用インクは、エチレングリコール、１，３−ブチレングリコール、１，３−プロパンジオール、プロピレングリコールや、糖のアルデヒド基およびケトン基を還元して得られる糖アルコール等の多価アルコールを含んでいてもよい。
特に、糖アルコールの中でも、導体パターン形成用インクがマルチトール、ラクチトールの少なくともいずれか一方を含む場合、イノシトールが結晶化するのをより確実に防止することができる。

また、ポリエチレングリコール、ポリビニルアルコール等の水溶性高分子を含んでいてもよい。ポリエチレングリコールとしては、例えば、ポリエチレングリコール＃２００（重量平均分子量：２００）、ポリエチレングリコール＃３００（重量平均分子量：３００）、ポリエチレングリコール＃４００（平均分子量：４００）、ポリエチレングリコール＃６００（重量平均分子量：６００）、ポリエチレングリコール＃１０００（重量平均分子量：１０００）、ポリエチレングリコール＃１５００（重量平均分子量：１５００）、ポリエチレングリコール＃１５４０（重量平均分子量：１５４０）、ポリエチレングリコール＃２０００（重量平均分子量：２０００）等が挙げられる。また、ポリビニルアルコールとしてはポリビニルアルコールとしては、例えば、ポリビニルアルコール＃２００（重量平均分子量：２００）、ポリビニルアルコール＃３００（重量平均分子量：３００）、ポリビニルアルコール＃４００（平均分子量：４００）、ポリビニルアルコール＃６００（重量平均分子量：６００）、ポリビニルアルコール＃１０００（重量平均分子量：１０００）、ポリビニルアルコール＃１５００（重量平均分子量：１５００）、ポリビニルアルコール＃１５４０（重量平均分子量：１５４０）、ポリビニルアルコール＃２０００（重量平均分子量：２０００）等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

《導体パターン形成用インクの製造方法》
次に、上述したような導体パターン形成用インクの製造方法の一例について説明する。
本実施形態では導体パターン形成用インクは、銀コロイド粒子が水系分散媒中に分散したコロイド液であるとして説明する。
本実施形態のインクを製造する際には、まず、上記分散剤と、還元剤とを溶解した水溶液を調製する。
分散剤の配合量としては、出発物質である硝酸銀のような銀塩中の銀と分散剤とのモル比が１：１〜１：１００程度となるように配合することが好ましい。銀塩に対する分散剤のモル比が大きくなると、銀粒子の粒径が小さくなって導体パターン形成後の粒子同士の接触点が増えるため、体積抵抗値の低い被膜を得ることができる。

還元剤は、出発物質である硝酸銀（Ａｇ^＋ＮＯ^３−）のような銀塩中のＡｇ^＋イオンを還元して銀粒子を生成するという働きを有する。
還元剤としては、特に限定されず、例えば、ヒドラジン、ジメチルアミノエタノール、メチルジエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアミン系；水酸化ホウ素ナトリウム、水素ガス、ヨウ化水素等の水素化合物系；一酸化炭素、亜硫酸次亜リン酸等の酸化物系、Ｆｅ（II）化合物、Ｓｎ（II）化合物等の低原子価金属塩系、Ｄ−グルコースのような糖類、ホルムアルデヒド等の有機化合物系、あるいは上記の分散剤として挙げたヒドロキシ酸であるクエン酸、りんご酸や、ヒドロキシ酸塩であるクエン酸三ナトリウム、クエン酸三カリウム、クエン酸三リチウム、クエン酸三アンモニウム、りんご酸二ナトリウムやタンニン酸等が挙げられる。中でも、タンニン酸や、ヒドロキシ酸は還元剤として機能すると同時に分散剤としての効果を発揮するため好適に用いることができる。あるいは、金属表面で安定した結合を形成する分散剤として上記に挙げたメルカプト酸であるメルカプト酢酸、メルカプトプロピオン酸、チオジプロピオン酸、メルカプトコハク酸、チオ酢酸やメルカプト酸塩であるメルカプト酢酸ナトリウム、メルカプトプロピオン酸ナトリウム、チオジプロピオン酸ナトリウム、メルカプトコハク酸ナトリウム、メルカプト酢酸カリウム、メルカプトプロピオン酸カリウム、チオジプロピオン酸カリウム、メルカプトコハク酸カリウム等を好適に用いることができる。これらの分散剤や還元剤は単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。これらの化合物を使用する際には、光や熱を加えて還元反応を促進させてもよい。
また、還元剤の配合量としては、上記出発物質である銀塩を完全に還元できる量が必要であるが、過剰な還元剤は不純物として銀コロイド液中に残存してしまい、成膜後の導電性を悪化させる等の原因となるため、必要最小限の量が好ましい。具体的な配合量としては、上記銀塩と還元剤とのモル比が１：１〜１：３程度である。

本実施形態において、分散剤と還元剤とを溶解して水溶液を調製した後、この水溶液のｐＨを６〜１２に調整することが好ましい。
これは、以下のような理由による。例えば、分散剤であるクエン酸三ナトリウムと還元剤である硫酸第一鉄とを混合した場合、全体の濃度にもよるがｐＨは大体４〜５程度と、上記したｐＨ６を下回る。このとき存在する水素イオンは、下記反応式（１）で表される反応の平衡を右辺に移動させ、ＣＯＯＨの量が多くなる。したがって、その後、銀塩溶液を滴下して得られる銀粒子表面の電気的反発力が減少し、銀粒子（コロイド粒子）の分散性が低下してしまう。
−ＣＯＯ⁻＋Ｈ^＋ → −ＣＯＯＨ…（１）

そこで、分散剤と還元剤とを溶解して水溶液を調製した後、この水溶液にアルカリ性の化合物を添加し、水素イオン濃度を低下させる。
添加するアルカリ性の化合物としては、特に限定されず、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、アンモニア水等を用いることができる。これらの中では、少量で容易にｐＨを調整できる水酸化ナトリウムが好ましい。
なお、アルカリ性の化合物の添加量が多すぎて、ｐＨが１０を超えると、鉄イオンのような残存している還元剤のイオンの水酸化物の沈殿が起こりやすくなる。

次に、本実施形態のインクの製造工程では、調製した分散剤と還元剤とが溶解した水溶液に銀塩を含む水溶液を滴下する。
銀塩としては、特に限定されず、例えば、酢酸銀、炭酸銀、酸化銀、硫酸銀、亜硝酸銀、塩素酸銀、硫化銀、クロム酸銀、硝酸銀、二クロム酸銀等を用いることができる。これらの中では、水への溶解度が大きい硝酸銀が好ましい。
また、銀塩の量は、目的とするコロイド粒子の含有量、および、還元剤により還元される割合を考慮して定められるが、例えば、硝酸銀の場合、水溶液１００重量部に対して１５〜７０重量部程度とするのが好ましい。

銀塩水溶液は、上記銀塩を純水に溶かすことにより調製し、調製した銀塩の水溶液を徐々に前述した分散剤と還元剤とが溶解した水溶液中に滴下する。
この工程において、銀塩は還元剤により銀粒子に還元され、さらに、該銀粒子の表面に分散剤が吸着して銀コロイド粒子が形成される。これにより、銀コロイド粒子が水溶液中にコロイド状に分散した水溶液が得られる。

得られた溶液中には、コロイド粒子のほかに、還元剤の残留物や分散剤が存在しており、液全体のイオン濃度が高くなっている。このような状態の液は、凝析が起こり、沈殿しやすい。そこで、このような水溶液中の余分なイオンを取り除いてイオン濃度を低下させるために、洗浄を行うことが望ましい。
洗浄の方法としては、例えば、得られたコロイド粒子を含む水溶液を一定期間静置し、生じた上澄み液を取り除いた上で、純水を加えて再度攪拌し、さらに一定期間静置して生じた上澄み液を取り除く工程を幾度が繰り返す方法、上記静置の代わりに遠心分離を行う方法、限外濾過等でイオンを取り除く方法等を挙げることができる。

あるいは、次のような方法で洗浄を行ってもよい。溶液を製造した後に溶液のｐＨを５以下の酸性の領域に調整し、上記反応式（１）の反応の平衡を右辺に移動させることで銀粒子表面の電気的反発力を減少させ、積極的に金属コロイド粒子を凝集させた状態で洗浄を行い、塩類や溶媒を除去することができる。メルカプト酸のような低分子量の硫黄化合物を分散剤として粒子表面に有する金属コロイド粒子であれば金属表面で安定した結合を形成するため、凝集した金属コロイド粒子は、溶液のｐＨを６以上のアルカリ性の領域に再調整することにより、容易に再分散し、分散安定性に優れた金属コロイド液を得ることができる。

本実施形態のインクの製造過程では、上記工程の後、必要により銀コロイド粒子が分散した水溶液に水酸化アルカリ金属水溶液を添加し、最終的なｐＨを６〜１１に調整することが好ましい。
これは、還元後に洗浄を行ったため、電解質イオンであるナトリウム濃度が減少している場合があり、このような状態の溶液では、下記反応式（２）で表される反応の平衡が右辺へ移動する。このままでは、銀コロイドの電気的反発力が減少して銀粒子の分散性が低下するため、適当量の水酸化アルカリを添加することにより、反応式（２）の平衡を左辺に移動させ、銀コロイドを安定化させるのである。
−ＣＯＯ⁻Ｎａ^＋＋Ｈ_２Ｏ → −ＣＯＯＨ＋Ｎａ^＋＋ＯＨ⁻…（２）

このときに使用する上記水酸化アルカリ金属としては、例えば、最初にｐＨを調整する際に用いた化合物と同様の化合物を挙げることができる。
ｐＨが６未満では、反応式（２）の平衡が右辺に移動するため、コロイド粒子が不安定化し、一方、ｐＨが１１を超えると、鉄イオンのような残存しているイオンの水酸化塩の沈殿が起こりやすくなるため好ましくない。ただし、予め鉄イオン等を取り除いておけば、ｐＨが１１を超えても大きな問題はない。
なお、ナトリウムイオン等の陽イオンは水酸化物の形で加えるのが好ましい。これは、水の自己プロトリシスを利用できるため最も効果的にナトリウムイオン等の陽イオンを水溶液中に加えることができるからである。

以上のようにして得られた銀コロイド粒子が分散した水溶液に、前述したような乾燥抑制剤等の他の成分を添加することにより、導体パターン形成用インク（本発明の導体パターン形成用インク）を得る。
なお、イノシトール、ポリグリセリン化合物等の他の成分の添加時期は、特に限定されず、銀コロイド粒子の形成後ならいつでもよい。

《導体パターン》
次に、本実施形態の導体パターンについて説明する。
この導体パターンは、上記インクをセラミックス成形体上に塗布した後、加熱することにより形成される薄膜状の導体パターンであって、銀粒子が相互に結合されてなり、少なくとも導体パターン表面において前記銀粒子同士が隙間なく結合している。
特に、当該導体パターンは、本発明の導体パターン形成用インクを用いて形成されるので、吐出不良による断線や隣接する導体パターン同士の接触等が防止されるとともに、クラック、断線等がなく、均質なものとなり、特に信頼性が高いものとなる。

本実施形態の導体パターンは、上記インクを液滴吐出法によりセラミックス成形体上に付与し、パターン（前駆体）を形成した後、乾燥（脱水系分散媒）させ、その後、焼結することにより形成される。
乾燥条件としては、例えば、４０〜１００℃で行うのが好ましく、５０〜７０℃で行うのがより好ましい。このような条件とすることにより、乾燥した際に、クラックが発生するのをより効果的に防止することができる。また、焼結は、１６０℃以上で２０分以上加熱すればよい。なお、このパターンの焼結は、セラミックス成形体の脱脂、焼結とともに行うことができる。

導体パターンの比抵抗は、２０μΩｃｍ未満であることが好ましく、１５μΩｃｍ以下であることがより好ましい。このときの比抵抗は、インクの付与後、１６０℃で加熱、乾燥した後の比抵抗をいう。上記比抵抗が２０μΩｃｍ以上になると、導電性が要求される用途、すなわち回路基板上に形成する電極等に用いることが困難となる。
また、本実施形態の導体パターンを形成する際には、液滴吐出方法によりインクを付与してから予備加熱して水等の分散媒を蒸発させ、予備加熱後の膜の上に再度インクを付与する、といった工程を繰り返し行うことで、厚膜の導体パターンを形成することもできる。

水等の分散媒を蒸発させた後のインクには、上述したようなポリグリセリン化合物と銀コロイド粒子が残存しているので、形成されたパターンが完全に乾燥しない状態でもパターンが流失してしまうおそれがない。従って、一旦、インクを付与して乾燥してから長時間放置し、その後、再度インクを付与することが可能になる。
また、上述したようなポリグリセリン化合物は、化学的、物理的に安定な化合物であるので、インクを付与して乾燥してから長時間放置してもインクが変質するおそれがなく、再度インクを付与することが可能になり、均質なパターンを形成できる。これにより、導体パターン自体が多層構造になるおそれがなく、層間同士の間の比抵抗が上昇して導体パターン全体の比抵抗が増大するおそれがない。

上記の工程を経ることによって、本実施形態の導体パターンは、従来のインクによって形成された導体パターンに比べて厚く形成することができる。より具体的には５μｍ以上の厚みのものを形成することができる。本実施形態の導体パターンは上記インクにより形成されるものであるので、５μｍ以上の厚膜に形成してもクラックの発生が少なく、低比抵抗の導体パターンを構成することができる。なお、厚みの上限については特に規定する必要はないが、過剰に厚くなると分散媒やポリグリセリン化合物の除去が難しくなって比抵抗が増大するおそれがあるので、１００μｍ以下程度にするのが良い。

更に、本実施形態の導体パターンは、上述したような基板に対する密着性が良好である。
なお、上記のような導体パターンは、携帯電話やＰＤＡ等の移動通話機器の高周波モジュール、インターポーザー、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）、加速度センサー、弾性表面波素子、アンテナや櫛歯電極等の異形電極、その他各種計測装置等の電子部品等に適用することができる。

《配線基板およびその製造方法》
次に、本発明の導体パターン形成用インクによって形成された導体パターンを有する配線基板（セラミックス回路基板）およびその製造方法の一例について説明する。
本発明に係る配線基板は、各種の電子機器に用いられる電子部品となるもので、各種配線や電極等からなる回路パターン、積層セラミックスコンデンサ、積層インダクター、ＬＣフィルタ、複合高周波部品等を基板に形成してなるものである。

図１は、本発明の配線基板（セラミックス回路基板）の一例を示す縦断面図、図２は、図１に示す配線基板（セラミックス回路基板）の製造方法の、概略の工程を示す説明図、図３は、図１の配線基板（セラミックス回路基板）の、製造工程説明図、図４は、インクジェット装置（液滴吐出装置）の概略構成を示す斜視図、図５は、インクジェットヘッド（液滴吐出ヘッド）の概略構成を説明するための模式図である。

図１に示すように、セラミックス回路基板（配線基板）１は、セラミックス基板２が多数（例えば１０枚から２０枚程度）積層されてなる積層基板３と、この積層基板３の最外層、すなわち一方の側の表面に形成された、微細配線等からなる回路４とを有して形成されたものである。
積層基板３は、積層されたセラミックス基板２、２間に、本発明の導体パターン形成用インク（以下、単にインクと記す）により形成された回路（導体パターン）５を備えている。
また、これら回路５には、これに接続するコンタクト（ビア）６が形成されている。このような構成によって回路５は、上下に配置された回路５、５間が、コンタクト６によって導通したものとなっている。なお、回路４も、回路５と同様に、本発明の導体パターン形成用インクにより形成されたものとなっている。

次に、セラミックス回路基板１の製造方法を、図２の概略工程図を参照して説明する。
まず、原料粉体として、平均粒径が１〜２μｍ程度のアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）や酸化チタン（ＴｉＯ_２）等からなるセラミックス粉末と、平均粒径が１〜２μｍ程度のホウ珪酸ガラス等からなるガラス粉末とを用意し、これらを適宜な混合比、例えば１：１の重量比で混合する。

次に、得られた混合粉末に適宜なバインダー（結合剤）や可塑剤、有機溶剤（分散剤）等を加え、混合・撹拌することにより、スラリーを得る。ここで、バインダーとしては、ポリビニルブチラールが好適に用いられるが、これは水に不溶であり、かつ、いわゆる油系の有機溶媒に溶解しあるいは膨潤し易いものである。
次に、得られたスラリーを、ドクターブレード、リバースコーター等を用いてＰＥＴフィルム上にシート状に形成し、製品の製造条件に応じて数μｍ〜数百μｍ厚のシートに成形し、その後、ロールに巻き取る。
続いて、製品の用途に合わせて切断し、さらに所定寸法のシートに裁断する。本実施形態では、例えば１辺の長さを２００ｍｍとする正方形状に裁断する。

次に、必要に応じて所定の位置に、ＣＯ_２レーザー、ＹＡＧレーザー、機械式パンチ等によって孔開けを行うことでスルーホールを形成する。
そして、このスルーホールに、金属粒子が分散した厚膜導電ペーストを充填することにより、コンタクト６となるべき部位を形成する。さらに、厚膜導電ペーストをスクリーン印刷によって所定の位置に端子部（図示せず）を形成する。このようにしてコンタクト、端子部までを形成することにより、セラミックグリーンシート（セラミックス成形体）７を得る。なお、厚膜導電ペーストとしては、本発明の導体パターン形成用インクを用いることができる。

以上のようにして得られたセラミックスグリーンシート７の一方の側の表面に、本発明における導体パターンとなる回路５の前駆体を、前記コンタクトに連続した状態に形成する。すなわち、図３（ａ）に示すようにセラミックスグリーンシート７上に、前述したような導体パターン形成用インク（以下単にインクともいう）１０を液滴吐出（インクジェット）法により付与し、前記回路５となる前駆体１１を形成する。

本実施形態において、導体パターン形成用インクの吐出は、例えば図４に示すインクジェット装置（液滴吐出装置）５０、および、図５に示すインクジェットヘッド（液滴吐出ヘッド）７０を用いることにより行うことができる。以下に、インクジェット装置５０およびインクジェットヘッド７０について説明する。
図４は、インクジェット装置５０の斜視図である。図４において、Ｘ方向はベース５２の左右方向であり、Ｙ方向は前後方向であり、Ｚ方向は上下方向である。

インクジェット装置５０は、インクジェットヘッド（以下、単にヘッドと呼ぶ）７０と、基材Ｓ（本実施形態ではセラミックスグリーンシート７）を載置するテーブル４６とを有している。なお、インクジェット装置５０の動作は、制御装置５３により制御されるようになっている。
基材Ｓを載置するテーブル４６は、第１移動手段５４によりＹ方向に移動および位置決め可能とされ、モータ４４によりθｚ方向に揺動および位置決め可能とされている。

一方、ヘッド７０は、第２移動手段（図示せず）によりＸ方向に移動および位置決め可能とされ、リニアモータ６２によりＺ方向に移動および位置決め可能とされている。また、ヘッド７０は、モータ６４，６６，６８により、それぞれα，β，γ方向に揺動および位置決め可能とされている。このような構成のもとにインクジェット装置５０は、ヘッド７０のインク吐出面７０Ｐと、テーブル４６上の基材Ｓとの相対的な位置および姿勢を、正確にコントロールできるようになっている。
また、テーブル４６の裏面には、ラバーヒータ（図示せず）が配設されている。テーブル４６上に載置されたセラミックスグリーンシート７は、その上面全体がラバーヒータにて所定の温度に加熱されるようになっている。

セラミックスグリーンシート７に着弾したインク１０は、その表面側から水系分散媒の少なくとも一部が蒸発する。このとき、セラミックスグリーンシート７は加熱されているので、水系分散媒の蒸発が促進される。そして、セラミックスグリーンシート７に着弾したインク１０は、乾燥とともにその表面の外縁から増粘し、つまり、中央部に比べて外周部における固形分（粒子）濃度が速く飽和濃度に達することから表面の外縁から増粘していく。外縁の増粘したインク１０は、セラミックスグリーンシート７の面方向に沿う自身の濡れ広がりを停止するため、着弾径しいては線幅の制御が容易になる。
この加熱温度は、前述した乾燥条件と同様となっている。

ヘッド７０は、図５に示すように、インクジェット方式（液滴吐出方式）によってインク１０をノズル（突出部）９１から吐出するものである。
液滴吐出方式として、圧電体素子としてのピエゾ素子を用いてインクを吐出させるピエゾ方式や、インクを加熱して発生した泡（バブル）によりインクを吐出させる方式など、公知の種々の技術を適用することができる。このうちピエゾ方式は、インクに熱を加えないため、材料の組成に影響を与えないなどの利点を有する。そこで、図５に示すヘッド７０には、前述したピエゾ方式が採用されている。

ヘッド７０のヘッド本体９０には、リザーバ９５およびリザーバ９５から分岐された複数のインク室９３が形成されている。リザーバ９５は、各インク室９３にインク１０を供給するための流路になっている。
また、ヘッド本体９０の下端面には、インク吐出面を構成するノズルプレート（図示せず）が装着されている。このノズルプレートには、インク１０を吐出する複数のノズル９１が、各インク室９３に対応して開口されている。そして、各インク室９３から対応するノズル９１に向かって、インク流路が形成されている。一方、ヘッド本体９０の上端面には、振動板９４が装着されている。この振動板９４は、各インク室９３の壁面を構成している。その振動板９４の外側には、各インク室９３に対応してピエゾ素子９２が設けられている。ピエゾ素子９２は、水晶等の圧電材料を一対の電極（不図示）で挟持したものである。その一対の電極は、駆動回路９９に接続されている。

そして、駆動回路９９からピエゾ素子９２に電気信号を入力すると、ピエゾ素子９２が膨張変形または収縮変形する。ピエゾ素子９２が収縮変形すると、インク室９３の圧力が低下して、リザーバ９５からインク室９３にインク１０が流入する。また、ピエゾ素子９２が膨張変形すると、インク室９３の圧力が増加して、ノズル９１からインク１０が吐出される。なお、印加電圧を変化させることにより、ピエゾ素子９２の変形量を制御することができる。また、印加電圧の周波数を変化させることにより、ピエゾ素子９２の変形速度を制御することができる。すなわち、ピエゾ素子９２への印加電圧を制御することにより、インク１０の吐出条件を制御し得るようになっている。

したがって、このようなヘッド７０を備えたインクジェット装置５０を用いることにより、インク１０を、セラミックスグリーンシート７上の所望する場所に所望の量、精度良く吐出し、配することができる。さらに、インク１０は、本発明の導体パターン形成用インクであるので、ヘッド７０内におけるインク１０の乾燥が抑制され、金属粒子の析出が防止されている。よって、図３（ａ）に示したように前駆体１１を、精度良くしかも容易に形成することができる。
このようにして前駆体１１を形成したら、同様の工程により、前駆体１１を形成したセラミックスグリーンシート７を必要枚数、例えば１０枚から２０枚程度作製する。

次いで、これらセラミックスグリーンシート７からＰＥＴフィルムを剥がし、図２に示すようにこれらを積層する。このとき、積層するセラミックスグリーンシート７については、上下に重ねられるセラミックスグリーンシート７間で、それぞれの前駆体１１が必要に応じてコンタクト６を介して接続するように配置する。その後、セラミックスグリーンシート７を構成するバインダーのガラス転移点以上に加熱しつつ、各セラミックスグリーンシート７同士を圧着する。これにより、積層体１２を得る。

このようにして積層体１２を形成したら、例えば、ベルト炉などによって加熱処理する。これにより、各セラミックスグリーンシート７は焼結されることで、図３（ｂ）に示すようにセラミックス基板２（本発明の配線基板）となり、また、前駆体１１は、これを構成する銀コロイド粒子が焼結して配線パターンや電極パターンからなる回路（導体パターン）５となる。そして、このように積層体１２が加熱処理されることで、この積層体１２は図１に示した積層基板３となる。

ここで、積層体１２の加熱温度としては、セラミックスグリーンシート７中に含まれるガラスの軟化点以上とするのが好ましく、具体的には、６００℃以上９００℃以下とするのが好ましい。また、加熱条件としては、適宜な速度で温度を上昇させ、かつ下降させるようにし、さらに、最大加熱温度、すなわち前記の６００℃以上９００℃以下の温度では、その温度に応じて適宜な時間保持するようにする。

このようにガラスの軟化点以上の温度、すなわち前記温度範囲にまで加熱温度を上げることにより、得られるセラミックス基板２のガラス成分を軟化させることができる。したがって、その後常温にまで冷却し、ガラス成分を硬化させることにより、積層基板３を構成する各セラミックス基板２と回路（導体パターン）５との間がより強固に固着するようになる。
また、このような温度範囲で加熱することにより、得られるセラミックス基板２は、９００°以下の温度で焼結されて形成された、低温焼結セラミックス（ＬＴＣＣ）となる。

ここで、セラミックスグリーンシート７上に配されたインク１０中の金属は、加熱処理によって互いに融着し、連続することによって導電性を示すようになる。
このような加熱処理によって回路５は、セラミックス基板２中のコンタクト６に直接接続させられ、導通させられて形成されたものとなる。ここで、この回路５が単にセラミックス基板２上に載っているだけでは、セラミックス基板２に対する機械的な接続強度が確保されず、したがって衝撃等によって破損してしまうおそれがある。しかしながら、本実施形態では、前述したようにセラミックスグリーンシート７中のガラスを一旦軟化させ、その後硬化させることにより、回路５をセラミックス基板２に対し強固に固着させている。したがって、形成された回路５は、機械的にも高い強度を有するものとなる。
なお、このような加熱処理により、回路４についても前記回路５と同時に形成することができ、これによってセラミックス回路基板１を得ることができる。

このようなセラミックス回路基板１の製造方法にあっては、特に積層基板３を構成する各セラミックス基板２の製造に際して、前述したようなインク１０（本発明の導体パターン形成用インク）をセラミックスグリーンシート７に対して配しているので、この導体パターン形成用インク１０をセラミックスグリーンシート７上に所望のパターン状で良好に配置することができ、したがって高精度の導体パターン（回路）５を形成することができる。

以上、本発明について、好適な実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
例えば、前述した実施形態では、金属粒子を溶媒に分散してなる分散液として、コロイド液を用いる場合について説明したが、コロイド液でなくてもよい。
また、前述した実施形態では、導体パターン形成用インクは、銀粒子が分散したものとして説明したが、銀以外のものであってもよい。金属粒子に含まれる金属としては、例えば、銀、銅、パラジウム、白金、金、または、これらの合金等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。金属粒子が合金である場合、前記金属が主とするもので、多の金属を含む合金であってもよい。また、上記金属同士が任意の割合で混ざった合金であってもよい。また、混合粒子（例えば、銀粒子と銅粒子とパラジウム粒子とが任意の比率で存在するもの）が液中に分散したものであってもよい。これら金属は、抵抗率が小さく、かつ、加熱処理によって酸化されない安定なものであるから、これらの金属を用いることにより、低抵抗で安定な導体パターンを形成することが可能になる。

例えば、前述した実施形態では、セラミックス成形体に導体パターン形成用インクを付与し、焼結することにより、セラミックス基板と導体パターンを形成するものとして説明したが、これら以外の基板を用いてもよい。導体パターンの形成に用いられる基板としては、基板としては特に限定されず、例えば、セラミックス焼結体、アルミナ焼結体、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ガラスエポキシ樹脂、ガラス等からなる基板等が挙げられる。また、セラミックス基板に直接導体パターン形成用インクを付与するものであってもよい。

以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない。
［１］導体パターン形成用インクの調製
各実施例および各比較例における導体パターン形成用インクは、以下のようにして製造した。

（実施例１〜１１）
１０Ｎ−ＮａＯＨ水溶液を３ｍＬ添加してアルカリ性にした水５０ｍＬに、クエン酸３ナトリウム２水和物１７ｇ、タンニン酸０．３６ｇを溶解した。得られた溶液に対して３．８７ｍｏｌ／Ｌ硝酸銀水溶液３ｍＬを添加し、２時間攪拌を行い銀コロイド液を得た。得られた銀コロイド液に対し、導電率が３０μＳ／ｃｍ以下になるまで透析することで脱塩を行った。透析後、３０００ｒｐｍ、１０分の条件で遠心分離を行うことで、粗大金属コロイド粒子を除去した。

この銀コロイド液に、イノシトールと、表１に示すポリグリセリン化合物と、アセチレングリコール系化合物としてのサーフィノール１０４ＰＧ５０（日信化学工業社製）およびオルフィンＥＸＰ４０３６（日信化学工業社製）とを添加した。このときの銀コロイド液のｐＨが６〜１１の範囲にないときは、１Ｎ−ＮａＯＨ水溶液を用いて銀コロイド液のｐＨを６〜１１に調整した。さらに濃度調整用のイオン交換水を添加して調整し、導体パターン形成用インクとした。

（実施例１２）
５０ｍｍｏｌ／Ｌの濃度の硝酸銀水溶液：１０００ｍＬを撹拌しながら、低分子量の硫黄化合物としてメルカプト酢酸：３．０ｇを添加した後、２６ｗｔ％アンモニア水にて水溶液のｐＨを１０．０に調整した。室温下、この水溶液に還元剤として４００ｍｍｏｌ／Ｌの濃度の水素化ホウ素ナトリウム水溶液：５０ｍＬを急速に添加することにより還元反応を行いメルカプト酢酸を粒子表面に有する銀コロイド粒子を溶液中で生成させた。

こうして得られたコロイド溶液を２０ｗｔ％硝酸を用いてｐＨを３．０に調整し、銀コロイド粒子を沈降させた後、真空濾過器で濾別し、濾液の電気伝導度が１０．０μＳ／ｃｍ以下になるまで水洗して、銀コロイド粒子の湿ケーキを得た。
この銀コロイド粒子の湿ケーキを濃度が１０ｗｔ％になるように水に添加し、撹拌しながら２６ｗｔ％アンモニア水にてｐＨを９．０に調整して再分散させて、さらに濃縮して銀コロイド液を得た。
以下、実施例１と同様にして導体パターン形成用インクを調製した。

（比較例１）
イノシトールを添加しなかった以外は、前記実施例１と同様にして導体パターン形成用インクを製造した。
（比較例２）
ポリグリセリン化合物を添加しなかった以外は、前記実施例１と同様にして導体パターン形成用インクを製造した。

（比較例３、４）
ポリグリセリン化合物と、イノシトールとの含有量を表１に示すように変更した以外は、前記実施例１と同様にして導体パターン形成用インクを製造した。
（比較例５）
イノシトールを添加せず、ポリグリセリン化合物の含有量を表１に示すように変更した以外は、前記実施例１と同様にして導体パターン形成用インクを製造した。
（比較例６）
ポリグリセリン化合物を添加せず、イノシトールの含有量を表１に示すように変更した以外は、前記実施例１と同様にして導体パターン形成用インクを製造した。

表１に各実施例および各比較例の導体パターン形成用インクの組成を示す。なお、表中、各材料の含有量は、導体パターン形成用インク中における含有量を示し、Ｘ（Ａ）［ｗｔ％］、Ｘ（Ｂ）［ｗｔ％］は、それぞれ、ポリグリセリン化合物、イノシトールの含有量を示す。また、「Ｈ」は、前記式（Ｉ）に示されるＨを示し、ＯＨ（Ａ）、ＯＨ（Ｂ）は、それぞれポリグリセリン化合物、イノシトール：１分子中の水酸基の個数、Ｍｗ（Ａ）、Ｍｗ（Ｂ）は、それぞれポリグリセリン化合物の平均重量分子量、イノシトールの分子量を示す。また、表中、「Ａ」は、ポリグリセリン＃５００（平均重量分子量：４６２）、「Ｂ」は、ポリグリセリン＃３００（平均重量分子量：３１２）、「Ｃ」は、ポリグリセリン＃４００（平均重量分子量：３７０）、「Ｄ」は、ポリグリセリン＃８００（平均重量分子量：７５９）、「Ｅ」は、ポリグリセリン＃３０００（平均重量分子量：３０００）をそれぞれ示す。

［２］セラミックスグリーンシートの作製
まず、以下のようにしてセラミックスグリーンシート（セラミックス成形体）を用意した。
平均粒径が１〜２μｍ程度のアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）と酸化チタン（ＴｉＯ_２）等からなるセラミックス粉末と、平均粒径が１〜２μｍ程度のホウ珪酸ガラス等からなるガラス粉末とを１：１の重量比で混合し、バインダー（結合剤）としてポリビニルブチラール、可塑剤としてジブチルフタレートを加え、混合・撹拌することにより得たスラリーを、ドクターブレードでＰＥＴフィルム上にシート状に形成したものをセラミックスグリーンシートとし、１辺の長さを２００ｍｍとする正方形状に裁断したものを使用した。

［３］インクの保存性評価
各実施例および各比較例で得られた導体パターン形成用インクを製造直後にガラス基板上にそれぞれ、一滴ずつ滴下し、温度：３０℃、湿度：５５％の雰囲気下に放置した。放置後、滴下した導体パターン形成用インクに対してガラス棒を挿し、導体パターン形成用インクが液状を保っているか否かを確認した。インクが放置されてから液状が保てなくなるまでの日数を各導体パターン形成用インクの液状保持期間として、下記の４段階の基準に従い評価した。
Ａ：液状保持期間が、２５日以上。
Ｂ：液状保持期間が、１０日以上、２５日未満。
Ｃ：液状保持期間が、５日以上、１０日未満。
Ｄ：液状保持期間が、５日未満。

［４］液滴吐出安定性評価
各実施例および比較例で得られた導体パターン形成用インクを製造直後にそれぞれ図４、５に示すようなインクジェット装置に投入した。まず、上記導体パターン形成用インクを搭載した上記インクジェット装置を用いて描画を行い、インクが安定して吐出されることを確認した。次に、インクジェット装置を、インクジェットヘッドを描画位置から外した待機状態で室温：２５℃、相対湿度：５５％、クラス１００のクリーンルーム環境下に２週間放置した。次に、インクジェット装置の電源を入れて、上記のようにして得られたセラミックスグリーンシート２０枚に対してベタパターンの描画を行った。インクの吐出が不安定になった場合は、インクジェット装置に搭載されている所定のクリーニング機能を用い、吐出の安定した状態に復帰させた。以上の操作を行い、下記評価基準により吐出安定性を評価した。

Ａ：描画中にノズルの目詰まりが発生せず、インクが安定して吐出される。（吐出安定性良好。）
Ｂ：描画中に目詰まりが発生し、インクの吐出が安定するまでに２回以内のクリーニング動作を要する。（実用上問題なし。）
Ｃ：描画中に目詰まりが発生し、インクの吐出が安定するまでに３回以上のクリーニング動作を要する。（実用可能。）
Ｄ：描画中に目詰まりが発生し、クリーニング動作によっても回復しない。（実用不可。）
さらに、待機状態の期間を３０日間として、上記と同様の操作を行い、上記と同様の評価を行った。

［５］配線基板の作製および評価
各実施例および比較例で得られた導体パターン形成用インクを、それぞれ図４、５に示すような液滴吐出装置に投入した。
次に、上記セラミックスグリーンシートを６０℃に昇温保持した。各吐出ノズルからそれぞれ１滴当り１５ｎｇの液滴を順次吐出し、線幅が４０μｍ、厚み１５μｍ、長さが１０．０ｃｍのライン（前駆体）を２０本描画した。各ライン間の距離は、５ｍｍとした。そして、このラインが形成されたセラミックスグリーンシートを乾燥炉に入れ、６０℃で３０分間加熱して乾燥した。

上記のようにして、ラインが形成されたセラミックスグリーンシートを第１のセラミックスグリーンシートとした。この第１のセラミックスグリーンシートを各インクにつき、２０枚ずつ作成した。また、各シートについて、クラックがあるか否かを確認した。この結果を表２に示した。なお、表２には、第１のセラミックスグリーンシートのうち、ラインにクラックの入っていない良品の数を示した。

次に、別のセラミックスグリーンシートに上記の金属配線の両端位置に機械式パンチ等によって孔開けを行うことで計４０箇所に直径１００μｍのスルーホールを形成し、得られた各実施例および比較例の導体パターン形成用インクを充填することでコンタクト（ビア）を形成した。さらに、このコンタクト（ビア）上に２ｍｍ角のパターンを、得られた各実施例および比較例の導体パターン形成用インクを用いて上記液滴吐出装置を用いて端子部を形成した。
この端子部が形成されたセラミックスグリーンシートを第２のセラミックスグリーンシートとした。
次に、第２のセラミックスグリーンシートの下に第１のセラミックスグリーンシートを積層し、さらに無加工のセラミックスグリーンシートを補強層として２枚積層し、生の積層体を得た。この生の積層体を各インクにつき、第１のセラミックスグリーンシート２０枚それぞれに作成し、各インクにつき２０ブロックずつ作成した。

次に、生の積層体を、９５℃の温度において、３００ｋｇ／ｃｍ^２の圧力で６０秒間プレスした後、大気中において、昇温速度：７５℃／時間で約７時間、昇温速度：５℃／時間で約８時間、昇温速度：７５℃／時間で約４時間といった連続的に昇温する昇温過程を経て、最高温度：８９０℃で３０分間保持するといった焼結プロファイルに従って焼結し、セラミックス回路基板を得た。
冷却後、各セラミックス回路基板について、２０本の導体パターン上に形成された端子部間にテスタをあて、それぞれ導通の有無を確認し、導通率が１００％であったものを良品とした。なお、導通率は、各セラミックス回路基板中にある導通のあった導体パターンの数を、形成した導体パターンの数（２０本）で除したものとした。
これらの結果を表２に示す。

表２に示すように、本発明の導体パターン形成用インクは、いずれも、保存性に優れ、吐出安定性に優れるものであった。
また、表２に示すように、各比較例の導体パターン形成用インクで製造したセラミックス回路基板では、セラミックス回路基板製造の際における描画・乾燥後に、ラインに多くのクラックが発生し、ライン形状自体が崩れやすい状況であった。一方、各実施例の導体パターン形成用インクで製造したセラミックス回路基板では、ラインにほとんどクラックの発生が見られず、明らかに比較例の場合より、ライン形状も崩れることがなかった。

また、表２に示すように、各比較例の導体形成用インクで製造したセラミックス回路基板では、焼結後の導通による断線の確認においても、ライン間の導通はほとんど取れなかった。これに対し、各実施例の導体パターン形成用インクで製造したセラミックス回路基板では、各ラインは、導通のあるラインが非常に多く、極めて良好な金属配線が得られた。この導通不良をＸ線で観察した結果、クラックによるものであることが確認され、焼結時に断線が発生していることが確認された。
また、インク中における銀コロイド粒子の含有量を２０ｗｔ％、３０ｗｔ％に変更したところ、上記と同様の結果が得られた。

本発明の配線基板（セラミックス回路基板）の一例を示す縦断面図である。 図１に示す配線基板（セラミックス回路基板）の製造方法の、概略の工程を示す説明図である。 図１の配線基板（セラミックス回路基板）の、製造工程説明図である。 インクジェット装置の概略構成を示す斜視図である。 インクジェットヘッドの概略構成を説明するための模式図である。

符号の説明

１…セラミックス回路基板（配線基板） ２…セラミックス基板 ３…積層基板 ４、５…回路（導体パターン） ６…コンタクト ７…セラミックスグリーンシート １０…導体パターン形成用インク（インク） １１…前駆体 １２…積層体 ４４…モータ ４６…テーブル ５０…インクジェット装置（液滴吐出装置） ５２…ベース ５３…制御装置 ５４…第１移動手段 ６２…リニアモータ ６４、６６、６８…モータ ７０…インクジェットヘッド（液滴吐出ヘッド、ヘッド） ７０Ｐ…インク吐出面 ９０…ヘッド本体 ９１…ノズル（突出部） ９２…ピエゾ素子 ９３…インク室 ９４…振動板 ９５…リザーバ ９９…駆動回路 Ｓ…基材

Claims (14)

1. 液滴吐出法により、基材上に導体パターンを形成するための導体パターン形成用インクであって、
   金属粒子と、前記金属粒子が分散した水系分散媒と、イノシトールと、ポリグリセリン骨格を有するポリグリセリン化合物とを含み、
   下記式（Ｉ）で示されるＨが０．０５０〜０．７０であることを特徴とする導体パターン形成用インク。
   

   

   （式中、ＯＨ（Ａ）［個］は、前記ポリグリセリン化合物：１分子中の水酸基の平均の個数、Ｍｗ（Ａ）は、前記ポリグリセリン化合物の重量平均分子量、Ｘ（Ａ）［ｗｔ％］は、導体パターン形成用インク中における前記ポリグリセリン化合物の含有量、ＯＨ（Ｂ）［個］は、前記イノシトール：１分子中の水酸基の個数、Ｍｗ（Ｂ）は、前記イノシトールの分子量、Ｘ（Ｂ）［ｗｔ％］は、導体パターン形成用インク中における前記イノシトールの含有量を示す。）
2. 前記Ｘ（Ａ）および前記Ｘ（Ｂ）は、０．１０≦Ｘ（Ａ）／Ｘ（Ｂ）≦２０の関係を満足するものである請求項１に記載の導体パターン形成用インク。
3. 前記Ｘ（Ａ）は、１．０〜２０ｗｔ％である請求項１または２に記載の導体パターン形成用インク。
4. 前記Ｘ（Ｂ）は、１．０〜１５ｗｔ％である請求項１ないし３のいずれかに記載の導体パターン形成用インク。
5. 前記ポリグリセリン化合物は、ポリグリセリンである請求項１ないし４のいずれかに記載の導体パターン形成用インク。
6. 前記Ｍｗ（Ａ）は、３００〜３０００である請求項１ないし５のいずれかに記載の導体パターン形成用インク。
7. 導体パターン形成用インクにおける前記イノシトールと前記ポリグリセリン化合物との合計の含有量は、２．０〜３５ｗｔ％である請求項１ないし６のいずれかに記載の導体パターン形成用インク。
8. 前記基板は、セラミックス粒子と、バインダーとを含む材料で構成されたシート状のセラミックス成形体を脱脂、焼結を施されることにより形成されるものであり、
   導体パターン形成用インクは、液滴吐出法により、前記セラミックス成形体上に付与されるものである請求項１ないし７のいずれかに記載の導体パターン形成用インク。
9. 導体パターン形成用インクは、前記金属粒子と前記金属粒子の表面に付着した分散剤とで構成された金属コロイド粒子が前記水系分散媒に分散したコロイド液である請求項１ないし８のいずれかに記載の導体パターン形成用インク。
10. 前記分散剤は、ＣＯＯＨ基とＯＨ基とを合わせて３個以上有し、かつ、ＣＯＯＨ基の数がＯＨ基の数と同数またはＣＯＯＨ基の数がＯＨ基の数よりも多いヒドロキシ酸またはその塩を含むものである請求項９に記載の導体パターン形成用インク。
11. 前記分散剤は、ＣＯＯＨ基とＳＨ基とを合わせて２個以上有するメルカプト酸またはその塩を含むものである請求項９または１０に記載の導体パターン形成用インク。
12. 前記コロイド液は、ｐＨが６〜１２である請求項９ないし１１のいずれかに記載の導体パターン形成用インク。
13. 請求項１ないし１２のいずれかに記載の導体パターン形成用インクによって形成されたことを特徴とする導体パターン。
14. 請求項１３に記載の導体パターンが備えられてなることを特徴とする配線基板。

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