JP5124250B2 - Image display device - Google Patents

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本発明は、画像表示装置に関する。   The present invention relates to an image display device.

従来より、電界発光を利用した有機EL(Electroluminescence)素子を備える画像表示装置が知られている。この画像表示装置では、有機EL素子を備えた画素を構成する回路(画素回路)が多数配置されている。   Conventionally, an image display device including an organic EL (Electroluminescence) element using electroluminescence has been known. In this image display apparatus, a large number of circuits (pixel circuits) that constitute a pixel including an organic EL element are arranged.

この画素回路については、有機EL素子のカソード電極が、トランジスタ等の電子回路を介さず、電源に対して電気的に接続されたものが提案されている(例えば、特許文献1、2)。この特許文献1、2で提案された画素回路では、有機EL素子において流れる電流を調整する駆動用のトランジスタ(駆動トランジスタ)のゲート電極とソース電極とがコンデンサを介して電気的に接続されている。   As for this pixel circuit, a device in which the cathode electrode of the organic EL element is electrically connected to a power supply without passing through an electronic circuit such as a transistor has been proposed (for example, Patent Documents 1 and 2). In the pixel circuits proposed in Patent Documents 1 and 2, a gate electrode and a source electrode of a driving transistor (driving transistor) for adjusting a current flowing in an organic EL element are electrically connected via a capacitor. .

但し、駆動トランジスタについては、ドレイン電極とソース電極との間で電流が流れ始めるゲート電圧(ゲート電極とソース電極との間の電位差)Vgsが、複数の画素間で変動する傾向にあり、画像表示装置で表示される画像にムラが生じてしまう。このため、全画素回路について、画像信号に応じた電位Vdをゲート電極に付与する前に、ゲート電圧Vgsを、駆動トランジスタのドレイン電極とソース電極との間で電流が流れ始める電圧(閾値電圧)Vthに調整することが望ましい。つまり、有機EL素子を発光させる際には、Vgs=Vth+Vdとなることが望ましい。   However, for the drive transistor, the gate voltage (potential difference between the gate electrode and the source electrode) Vgs at which current begins to flow between the drain electrode and the source electrode tends to vary among a plurality of pixels, and image display The image displayed on the apparatus is uneven. Therefore, before applying the potential Vd corresponding to the image signal to the gate electrode for all the pixel circuits, the gate voltage Vgs is set to a voltage (threshold voltage) at which current starts to flow between the drain electrode and the source electrode of the driving transistor. It is desirable to adjust to Vth. That is, it is desirable that Vgs = Vth + Vd when the organic EL element emits light.

米国特許第7071932号明細書U.S. Pat. No. 7,071,932 特開2004−295131号公報JP 2004-295131 A

しかしながら、上記特許文献1で提案された画素回路では、仮に、画像信号に応じた電位を付与する前に、ゲート電圧Vgs=Vthに調整されても、ゲート電極に画像信号に応じた電位が付与された瞬間に、駆動トランジスタのドレイン電極とソース電極との間で電流が流れ得る状態となり、ゲート電極とソース電極との間に設けられたコンデンサから電荷が失われてしまう。つまり、Vgs=Vthに調整した効果が失われるため、有機EL素子を発光させる際に、Vgs=Vth+Vdとはならない。   However, in the pixel circuit proposed in Patent Document 1, even if the gate voltage Vgs = Vth is adjusted before applying the potential corresponding to the image signal, the potential corresponding to the image signal is applied to the gate electrode. At the moment, the current can flow between the drain electrode and the source electrode of the driving transistor, and the charge is lost from the capacitor provided between the gate electrode and the source electrode. That is, since the effect adjusted to Vgs = Vth is lost, Vgs = Vth + Vd is not satisfied when the organic EL element emits light.

そこで、有機EL素子及び駆動トランジスタに対して直列に接続され、有機EL素子及び駆動トランジスタに対する電源電圧の印加を制御するためにスイッチング用のトランジスタを設けることが考えられる。しかし、有機EL素子に対して発光のための大きな電源電圧を印加する配線上に、2つのトランジスタを直列に設けると、画素回路の大型化、及び2つのトランジスタによる電気抵抗等に起因した電力の利用効率の低下を招いてしまう。   Therefore, it is conceivable to provide a switching transistor that is connected in series to the organic EL element and the driving transistor and controls application of a power supply voltage to the organic EL element and the driving transistor. However, if two transistors are provided in series on a wiring for applying a large power supply voltage for light emission to the organic EL element, the power of the pixel circuit is increased due to the increase in size of the pixel circuit and the electrical resistance due to the two transistors. Use efficiency will be reduced.

また、上記特許文献2で提案された画素回路では、駆動トランジスタのゲート電極に対して、直接的にスイッチング用のトランジスタが接続されているため、駆動トランジスタのゲート電極に付与される電位が流動的になってしまう虞がある。つまり、有機EL素子を発光させる際に、Vgs=Vth+Vdの関係からずれ易い。   Further, in the pixel circuit proposed in Patent Document 2, a switching transistor is directly connected to the gate electrode of the driving transistor, so that the potential applied to the gate electrode of the driving transistor is fluid. There is a risk of becoming. That is, when the organic EL element is caused to emit light, it is likely to deviate from the relationship of Vgs = Vth + Vd.

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、画素回路の大型化や電力の利用効率の低下を極力招かず、画像におけるムラの発生を抑制可能な画像表示装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide an image display device that can suppress the occurrence of unevenness in an image without causing an increase in the size of a pixel circuit and a decrease in power use efficiency as much as possible. And

上記の課題を解決するために、請求項1の発明は、発光素子と、第1、第2、第3電極を有し、前記第1電極と前記第2電極との間における電流量を、前記第3電極に付与される電位によって調整する第1トランジスタと、第4、第5、第6電極を有し、前記第4電極と前記第5電極との間における電流量を、前記第6電極に付与される電位によって調整する第2トランジスタと、第7、第8、第9電極を有し、前記第7電極と前記第8電極との間における電流量を、前記第9電極に付与される電位によって調整する第3トランジスタと、第10、第11電極を有し、前記第10電極と前記第11電極との間で電気容量を得るように構成された第1コンデンサと、前記発光素子を発光させる際に、前記発光素子の一方電極に対して第1電位を付与する第1付与部と、前記発光素子を発光させる際に、前記発光素子の前記一方電極とは異なる他方電極に対して前記第1電位よりも相対的に低い第2電位を付与する第2付与部とを備え、前記第1電極が、前記第1付与部、及び前記第7電極に対して電気的に接続され、前記第2電極が、前記一方電極に対して電気的に接続されており、前記第1電極と前記第2電極との間における電流量が調整されることで、前記発光素子における電流量が制御され、前記第3電極が、前記第8、第10電極に対して電気的に接続され、前記第4電極が、前記第11電極に対して電気的に接続され、前記第5電極が、前記第2電極及び前記一方電極に対して電気的に接続され、前記第7電極が、前記第1付与部に対して電気的に接続され、前記第8電極が、前記第10電極に対して電気的に接続されることを特徴とする。   In order to solve the above problems, the invention of claim 1 includes a light emitting element and first, second, and third electrodes, and the amount of current between the first electrode and the second electrode is set as follows: A first transistor that is adjusted by a potential applied to the third electrode; and fourth, fifth, and sixth electrodes; and a current amount between the fourth electrode and the fifth electrode A second transistor that is adjusted by a potential applied to the electrode; and seventh, eighth, and ninth electrodes, and a current amount between the seventh electrode and the eighth electrode is applied to the ninth electrode. A first transistor having tenth and eleventh electrodes to be adjusted according to the potential to be applied, and configured to obtain an electric capacity between the tenth electrode and the eleventh electrode; and the light emission When the element emits light, a first potential is applied to one electrode of the light emitting element. A second applying unit that applies a second potential that is relatively lower than the first potential to the other electrode different from the one electrode of the light emitting device when the light emitting device emits light. An application part, wherein the first electrode is electrically connected to the first application part and the seventh electrode, and the second electrode is electrically connected to the one electrode. The amount of current between the first electrode and the second electrode is adjusted to control the amount of current in the light emitting element, and the third electrode is in relation to the eighth and tenth electrodes. Electrically connected, the fourth electrode is electrically connected to the eleventh electrode, the fifth electrode is electrically connected to the second electrode and the one electrode, and 7 electrodes are electrically connected to the first application portion, and the eighth electrode , Characterized in that it is electrically connected to the tenth electrode.

また、請求項2の発明は、請求項1に記載の画像表示装置であって、第12、第13、第14電極を有し、前記第12電極と前記第13電極との間における電流量を、前記第14電極に付与される電位によって調整する第4トランジスタと、第15、第16電極を有し、前記第15電極と前記第16電極との間で電気容量を得るように構成された第2コンデンサと、画素データ信号に応じた電位が供給される画像信号線とを更に備え、前記第12電極が、前記画像信号線に対して電気的に接続され、前記第13電極が、前記第4、第11、第15電極に対して電気的に接続され、前記第15電極が、前記第4、第11電極に対して電気的に接続され、前記第16電極が、前記一方電極、前記第2、第5電極に対して電気的に接続されることを特徴とする。   The invention according to claim 2 is the image display device according to claim 1, further comprising twelfth, thirteenth, and fourteenth electrodes, and a current amount between the twelfth electrode and the thirteenth electrode. Having a fourth transistor that adjusts the voltage according to the potential applied to the fourteenth electrode, and fifteenth and sixteenth electrodes, and is configured to obtain an electric capacity between the fifteenth electrode and the sixteenth electrode. A second capacitor and an image signal line to which a potential corresponding to a pixel data signal is supplied, wherein the twelfth electrode is electrically connected to the image signal line, and the thirteenth electrode is Electrically connected to the fourth, eleventh and fifteenth electrodes, the fifteenth electrode is electrically connected to the fourth and eleventh electrodes, and the sixteenth electrode is the one electrode , Being electrically connected to the second and fifth electrodes. And butterflies.

また、請求項3の発明は、請求項1に記載の画像表示装置であって、第12、第13、第14電極を有し、前記第12電極と前記第13電極との間における電流量を、前記第14電極に付与される電位によって調整する第4トランジスタと、第15、第16電極を有し、前記第15電極と前記第16電極との間で電気容量を得るように構成された第2コンデンサと、画素データ信号に応じた電位が供給される画像信号線とを更に備え、前記第12電極が、前記画像信号線に対して電気的に接続され、前記第13電極が、前記第15電極に対して電気的に接続され、前記第16電極が、前記第4、第11電極に対して電気的に接続されることを特徴とする。   The invention according to claim 3 is the image display device according to claim 1, further comprising twelfth, thirteenth, and fourteenth electrodes, and a current amount between the twelfth electrode and the thirteenth electrode. Having a fourth transistor that adjusts the voltage according to the potential applied to the fourteenth electrode, and fifteenth and sixteenth electrodes, and is configured to obtain an electric capacity between the fifteenth electrode and the sixteenth electrode. A second capacitor and an image signal line to which a potential corresponding to a pixel data signal is supplied, wherein the twelfth electrode is electrically connected to the image signal line, and the thirteenth electrode is The fifteenth electrode is electrically connected, and the sixteenth electrode is electrically connected to the fourth and eleventh electrodes.

<用語に関する記載>
本明細書において、「電気的に接続される」という文言は、一方の部材と他方の部材とが配線などを介して常に導電可能に接続されている態様、及び一方の部材と他方の部材とが、導電性を有する配線等だけでなく、その他の部材によって間接的に接続されている態様の双方を含む意味で用いられる。つまり、「電気的に接続される」という文言は、その他の部材の状態(例えば、トランジスタのソースとドレインとの間で電流が流れ得る導電状態)に応じて、一方の部材と他方の部材とが配線及びその他の部材によって導電可能に接続される態様をも含む意味で用いられる。
<Terminology>
In this specification, the term “electrically connected” means that one member and the other member are always connected in a conductive manner via a wiring or the like, and one member and the other member However, it is used in the meaning including not only the wiring etc. which have electroconductivity but the aspect indirectly connected by the other member. In other words, the term “electrically connected” means that one member and the other member are connected to each other depending on the state of other members (for example, a conductive state in which a current can flow between the source and the drain of the transistor). Is used in the meaning including a mode in which the wiring is conductively connected by wiring and other members.

また、本明細書における「ゲート電圧」とは、トランジスタに関し、ソースの電位を基準としたソースとゲートとの電位差のことを言う。   The “gate voltage” in this specification refers to a potential difference between a source and a gate with respect to the potential of the source with respect to the transistor.

また、本明細書における「トランジスタの閾値電圧」とは、トランジスタがオフ状態(いわゆるドレイン電流が流れない状態)からオン状態(ドレイン電流が流れる状態)に移り変わるときの、境界となるゲート電圧のことを言う。   The “transistor threshold voltage” in this specification refers to a gate voltage that becomes a boundary when a transistor changes from an off state (a state in which a drain current does not flow) to an on state (a state in which a drain current flows). Say.

請求項1に記載の発明によれば、発光素子を発光させるための電圧を発光素子に印加する配線上に2つのトランジスタを配置することなく、第1トランジスタのゲート電圧を所望の電圧に設定することができる。したがって、画素回路の大型化や電力の利用効率の低下を極力招かず、画像におけるムラの発生を抑制することができる。   According to the first aspect of the present invention, the gate voltage of the first transistor is set to a desired voltage without arranging two transistors on the wiring for applying a voltage for causing the light emitting element to emit light to the light emitting element. be able to. Therefore, the occurrence of unevenness in the image can be suppressed without causing an increase in the size of the pixel circuit and a decrease in power use efficiency as much as possible.

また、請求項2に記載の発明によれば、第1トランジスタのゲート電圧の設定において、画像信号の電位を有効利用することができる。   According to the second aspect of the present invention, the potential of the image signal can be used effectively in setting the gate voltage of the first transistor.

また、請求項3に記載の発明によれば、発光素子の発光のための第1トランジスタのゲート電圧の設定に要する時間を短縮することができる。   According to the third aspect of the present invention, the time required for setting the gate voltage of the first transistor for light emission of the light emitting element can be shortened.

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

<第1実施形態>
<画像表示装置の概略構成>
図1は、本発明の実施形態に係る画像表示装置100の概略構成を例示する図である。
<First Embodiment>
<Schematic configuration of image display device>
FIG. 1 is a diagram illustrating a schematic configuration of an image display apparatus 100 according to an embodiment of the present invention.

画像表示装置100は、本体部110と表示部120とを備えた携帯電話機などの携帯可能な電子機器であり、動画や静止画等の各種画像を表示部120で表示する。   The image display device 100 is a portable electronic device such as a mobile phone provided with a main body 110 and a display unit 120, and displays various images such as moving images and still images on the display unit 120.

本体部110は、通信機能、バッテリー等の給電機能、及び操作部等を備えている。   The main body 110 includes a communication function, a power supply function such as a battery, and an operation unit.

表示部120は、例えば、略長方形の輪郭を有する有機ELディスプレイ(organic electroluminescence display)、及び本体部110より供給される各種信号が入力されるドライバ手段を備えている。なお、有機ELディスプレイは、有機材料に電流を流すことで材料自らが発光する自発光型の発光素子を有する自発光型画像表示装置である。   The display unit 120 includes, for example, an organic EL display (organic electroluminescence display) having a substantially rectangular outline, and driver means to which various signals supplied from the main body unit 110 are input. Note that the organic EL display is a self-luminous image display device having a self-luminous light emitting element that emits light by flowing current through the organic material.

また、有機ELディスプレイは、画像信号線と、走査信号線とを備えている。画像信号線は、発光輝度に対応する画像信号(例えば、画素毎では、画素データ信号)に応じた電位を各画素に供給する。また、走査信号線は、画像信号線に対して略直交するように設けられ、各画素に走査信号を供給する。なお、走査信号は、画像信号線を介して画素データ信号に応じた電荷を各画素に蓄積させるタイミングを制御する信号である。   The organic EL display includes an image signal line and a scanning signal line. The image signal line supplies each pixel with a potential corresponding to an image signal corresponding to the light emission luminance (for example, pixel data signal for each pixel). The scanning signal line is provided so as to be substantially orthogonal to the image signal line, and supplies a scanning signal to each pixel. The scanning signal is a signal that controls the timing at which charges corresponding to the pixel data signal are accumulated in each pixel via the image signal line.

そして、ドライバ手段は、Xドライバ(画像信号線駆動回路)と、専用ドライバとを備えている。Xドライバは、画像信号線に対して電気的に接続され、画素データ信号に応じた電位を画像信号線に供給するタイミングを制御する。また、専用ドライバは、走査信号線に対して電気的に接続され、走査信号を走査信号線に供給するタイミングを制御する。例えば、画像表示装置100では、Xドライバは有機ELディスプレイの短辺に沿って配置され、専用ドライバは有機ELディスプレイの長辺に沿って配置されている。   The driver means includes an X driver (image signal line driving circuit) and a dedicated driver. The X driver is electrically connected to the image signal line, and controls the timing of supplying a potential corresponding to the pixel data signal to the image signal line. The dedicated driver is electrically connected to the scanning signal line and controls the timing of supplying the scanning signal to the scanning signal line. For example, in the image display apparatus 100, the X driver is disposed along the short side of the organic EL display, and the dedicated driver is disposed along the long side of the organic EL display.

<画像表示装置の機能構成>
図2は、画像表示装置100の機能構成を例示するブロック図である。
<Functional configuration of image display device>
FIG. 2 is a block diagram illustrating a functional configuration of the image display apparatus 100.

画像表示装置100は、制御部111、操作部112、XドライバXd、専用ドライバSd、及び表示パネル121を備える。   The image display apparatus 100 includes a control unit 111, an operation unit 112, an X driver Xd, a dedicated driver Sd, and a display panel 121.

制御部111は、画像表示装置100の動作を統括制御する。この制御部111は、CPU、RAM、及びROM等を備えて構成され、例えば、ROM等に格納されたプログラムをCPUが読み込んで実行することで、各種動作や制御を実現する。なお、制御部111は、XドライバXd、及び専用ドライバSdからの信号の送出を制御する機能も有している。   The control unit 111 performs overall control of the operation of the image display apparatus 100. The control unit 111 includes a CPU, a RAM, a ROM, and the like. For example, the CPU 111 reads and executes a program stored in the ROM or the like, thereby realizing various operations and controls. Note that the control unit 111 also has a function of controlling transmission of signals from the X driver Xd and the dedicated driver Sd.

操作部112は、いわゆるテンキー等の各種ボタンを備え、該各種ボタンが押下されることで、制御部111に対して各種信号を送出する。   The operation unit 112 includes various buttons such as a so-called numeric keypad, and sends various signals to the control unit 111 when the various buttons are pressed.

表示パネル121は、多数の画素回路1Aが格子状に配列されて構成されている。ここで、画素回路1Aの回路構成について説明する。   The display panel 121 includes a large number of pixel circuits 1A arranged in a lattice pattern. Here, the circuit configuration of the pixel circuit 1A will be described.

図3は、画素回路1Aの回路構成を例示する図である。   FIG. 3 is a diagram illustrating a circuit configuration of the pixel circuit 1A.

画素回路1Aは、有機EL素子OLED、第1〜第4トランジスタQ1〜Q4、及び第1,2コンデンサC1,C2を備えている。   The pixel circuit 1A includes an organic EL element OLED, first to fourth transistors Q1 to Q4, and first and second capacitors C1 and C2.

有機EL素子OLEDは、有機物等で構成された発光層を有し、該発光層を流れる電流の量(電流量)によって発光輝度が変化する発光素子である。この有機EL素子OLEDは、アノード電極(本発明の「一方電極」に相当する)Eaとカソード電極(本発明の「他方電極」に相当する)Ecとを有している。そして、アノード電極Eaは、有機EL素子OLEDの発光時に相対的に高い第1電位を付与する第1電源線(本発明の「第1付与部」に相当する)Lvdに対して電気的に接続される。一方、カソード電極Ecは、有機EL素子OLEDの発光時に第1電位より相対的に低い第2電位を付与する第2電源線(本発明の「第2付与部」に相当する)Lvsに対して電気的に接続される。   The organic EL element OLED is a light-emitting element that has a light-emitting layer made of an organic material or the like, and whose emission luminance varies depending on the amount of current (current amount) flowing through the light-emitting layer. This organic EL element OLED has an anode electrode (corresponding to “one electrode” in the present invention) Ea and a cathode electrode (corresponding to “the other electrode” in the present invention) Ec. The anode electrode Ea is electrically connected to a first power supply line (corresponding to a “first applying unit” of the present invention) Lvd that applies a relatively high first potential when the organic EL element OLED emits light. Is done. On the other hand, the cathode electrode Ec is applied to a second power supply line (corresponding to a “second applying unit” of the present invention) Lvs that applies a second potential that is relatively lower than the first potential when the organic EL element OLED emits light. Electrically connected.

第1〜4トランジスタQ1〜Q4は、キャリアが電子であるタイプ(n型)のMIS(Metal Insulator Semiconductor)構造を採用した電界効果トランジスタ(FET:Field Effect Transistor)の一種である薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)、すなわちn−MISFETTFTによって構成されている。   The first to fourth transistors Q1 to Q4 are thin film transistors (TFT: Thin) which are a type of field effect transistor (FET) that employs a type (n-type) MIS (Metal Insulator Semiconductor) structure in which carriers are electrons. Film Transistor), that is, an n-MISFET TFT.

第1トランジスタ(適宜「駆動トランジスタ」と称する)Q1は、第1〜3電極E1〜E3を有している。詳細には、第1電極E1は、第1電源線Lvd、及び第3トランジスタの第7電極E7に対して電気的に接続される。この第1電極E1は、有機EL素子OLEDが発光する際、すなわち有機EL素子OLEDに対して順方向の電流が流れる際にドレイン電極(以下「ドレイン」と略称する)として機能する。また、第2電極E2は、有機EL素子OLEDのアノード電極Eaに対して電気的に接続され、有機EL素子OLEDに対して順方向の電流が流れる際にソース電極(以下「ソース」と略称する)として機能する。また、第3電極E3は、いわゆるゲート電極(以下「ゲート」と略称する)として機能し、第3トランジスタQ3の第8電極E8と第1コンデンサC1の第10電極E10とを電気的に接続する配線に対して導電可能に接続される。つまり、第3電極E3は、第8電極E8、及び第10電極E10に対して電気的に接続される。   The first transistor (referred to as “driving transistor” as appropriate) Q1 has first to third electrodes E1 to E3. Specifically, the first electrode E1 is electrically connected to the first power supply line Lvd and the seventh electrode E7 of the third transistor. The first electrode E1 functions as a drain electrode (hereinafter abbreviated as “drain”) when the organic EL element OLED emits light, that is, when a forward current flows through the organic EL element OLED. The second electrode E2 is electrically connected to the anode electrode Ea of the organic EL element OLED, and when a forward current flows through the organic EL element OLED, the second electrode E2 is abbreviated as a source electrode (hereinafter abbreviated as “source”). ). The third electrode E3 functions as a so-called gate electrode (hereinafter abbreviated as “gate”), and electrically connects the eighth electrode E8 of the third transistor Q3 and the tenth electrode E10 of the first capacitor C1. The wiring is conductively connected. That is, the third electrode E3 is electrically connected to the eighth electrode E8 and the tenth electrode E10.

また、第1トランジスタQ1では、第3電極E3に付与される電位、より詳細には第2電極E2と第3電極E3との間(すなわちソースとゲートとの間)に印加される電圧値が調整されることで、第1電極E1と第2電極E2との間(以下「第1−2電極間」とも称する)において流れる電流の量が調整される。そして、第1−2電極間における電流量の調整に伴い、有機EL素子OLEDにおける電流量が制御される。また、第3電極(ゲート)E3に付与される電位により、第1トランジスタQ1は、第1−2電極間(すなわちドレインとソースとの間)において電流が流れ得る状態(導通状態)と、電流が流れ得ない状態(非導通状態)とに選択的に設定される。   In the first transistor Q1, the potential applied to the third electrode E3, more specifically, the voltage value applied between the second electrode E2 and the third electrode E3 (that is, between the source and the gate) is By adjusting, the amount of current flowing between the first electrode E1 and the second electrode E2 (hereinafter also referred to as “between the first and second electrodes”) is adjusted. And with the adjustment of the amount of current between the first and second electrodes, the amount of current in the organic EL element OLED is controlled. Further, the potential applied to the third electrode (gate) E3 causes the first transistor Q1 to have a state in which a current can flow between the first and second electrodes (that is, between the drain and the source) (conducting state), Is selectively set to a state in which the current cannot flow (non-conducting state).

また、第1トランジスタQ1には、導通状態となる場合のゲート電圧(具体的には、第2電極E2の電位を基準とした第2電極E2と第3電極E3との間の電位差)の下限値(トランジスタQ1の閾値電圧)Vthが存在する。   The lower limit of the gate voltage (specifically, the potential difference between the second electrode E2 and the third electrode E3 with respect to the potential of the second electrode E2) when the first transistor Q1 is in a conductive state. The value (threshold voltage of transistor Q1) Vth exists.

第2トランジスタ(適宜「Vth補償用トランジスタ」と称する)Q2は、第4〜6電極E4〜E6を有している。詳細には、第4電極E4は、第1コンデンサC1の第11電極E11と第4トランジスタの第13電極E13及び第2コンデンサC2の第15電極とを電気的に接続する配線に対して導電可能に接続される。つまり、第4電極E4は、第11電極E11、第13電極E13、及び第15電極E15に対して電気的に接続される。また、第5電極E5は、第2電極E2と有機EL素子OLEDのアノード電極Eaとを電気的に接続する配線に対して導電可能に接続される。つまり、第5電極E5は、第2電極E2、及びアノード電極Eaに対して電気的に接続される。また、第6電極E6は、センス線Lsnに対して電気的に接続され、いわゆるゲート電極として機能する。なお、センス線Lsnは、後述するVth補償処理等を行うタイミングを制御する電位を第6電極E6に対して付与する。   The second transistor (referred to as “Vth compensation transistor” as appropriate) Q2 has fourth to sixth electrodes E4 to E6. Specifically, the fourth electrode E4 can be electrically conductive to the wiring that electrically connects the eleventh electrode E11 of the first capacitor C1, the thirteenth electrode E13 of the fourth transistor, and the fifteenth electrode of the second capacitor C2. Connected to. That is, the fourth electrode E4 is electrically connected to the eleventh electrode E11, the thirteenth electrode E13, and the fifteenth electrode E15. In addition, the fifth electrode E5 is conductively connected to a wiring that electrically connects the second electrode E2 and the anode electrode Ea of the organic EL element OLED. That is, the fifth electrode E5 is electrically connected to the second electrode E2 and the anode electrode Ea. The sixth electrode E6 is electrically connected to the sense line Lsn and functions as a so-called gate electrode. Note that the sense line Lsn applies a potential to the sixth electrode E6 for controlling the timing of performing a Vth compensation process and the like described later.

また、第2トランジスタQ2では、第6電極E6に付与される電位、より詳細には第5電極E5と第6電極E6との間(すなわちソースとゲートとの間)に印加される電圧値が調整されることで、第4電極E4と第5電極E5との間(以下「第4−5電極間」とも称する)において流れる電流の量が調整される。また、第6電極(ゲート)E6に付与される電位により、第2トランジスタQ2は、第4−5電極間(すなわちドレインとソースとの間)において電流が流れ得る状態(導通状態)と、電流が流れ得ない状態(非導通状態)とに選択的に設定される。   In the second transistor Q2, a potential applied to the sixth electrode E6, more specifically, a voltage value applied between the fifth electrode E5 and the sixth electrode E6 (that is, between the source and the gate). By adjusting, the amount of current flowing between the fourth electrode E4 and the fifth electrode E5 (hereinafter also referred to as “between the fourth and fifth electrodes”) is adjusted. In addition, the second transistor Q2 has a state in which a current can flow between the fourth and fifth electrodes (that is, between the drain and the source) due to the potential applied to the sixth electrode (gate) E6, and the current Is selectively set to a state in which the current cannot flow (non-conducting state).

ここで、有機EL素子OLEDは、電流値によって発光輝度が制御されるため、発光時における第1トランジスタQ1のゲート電圧Vgsのゆらぎに対して、発光輝度が敏感に変動する。特に、第1トランジスタQ1がアモルファスシリコンを用いて構成されている場合には、第1トランジスタQ1毎に閾値電圧Vthが異なる傾向にある。よって、画素毎に異なる閾値電圧Vthを補償する機能(Vth補償機能)を持たせないと、所望の発光輝度と実際の発光輝度との間に若干の乖離が生じ、結果として画素間で発光輝度のムラが生じてしまう。   Here, since the light emission luminance of the organic EL element OLED is controlled by the current value, the light emission luminance fluctuates sensitively to fluctuations in the gate voltage Vgs of the first transistor Q1 during light emission. In particular, when the first transistor Q1 is configured using amorphous silicon, the threshold voltage Vth tends to be different for each first transistor Q1. Therefore, if a function for compensating a different threshold voltage Vth for each pixel (Vth compensation function) is not provided, there is a slight difference between the desired light emission luminance and the actual light emission luminance, and as a result, light emission luminance between the pixels. Cause unevenness.

そこで、画像表示装置100では、発光前に各画素において第1トランジスタQ1のゲート電圧Vgsを閾値電圧Vthに応じた値とすることで、第1トランジスタQ1における閾値電圧Vthのばらつきを補償する処理(Vth補償処理)を実現するために第2トランジスタQ2が設けられている。より具体的には、第2トランジスタQ2は、第1トランジスタQ1のゲート電圧Vgsを、第1トランジスタQ1の閾値電圧Vthに応じた分だけシフトさせることで、第1トランジスタQ1の閾値電圧Vthを補償する。   Therefore, in the image display device 100, the process of compensating for variations in the threshold voltage Vth in the first transistor Q1 by setting the gate voltage Vgs of the first transistor Q1 to a value corresponding to the threshold voltage Vth in each pixel before light emission ( The second transistor Q2 is provided to realize (Vth compensation processing). More specifically, the second transistor Q2 compensates for the threshold voltage Vth of the first transistor Q1 by shifting the gate voltage Vgs of the first transistor Q1 by an amount corresponding to the threshold voltage Vth of the first transistor Q1. To do.

第3トランジスタ(適宜「リセット用トランジスタ」と称する)Q3は、第7〜9電極E7〜E9を有している。詳細には、第7電極E7は、第1電極E1と第1電源線Lvdとを導電可能に接続する配線に対して電気的に接続される。つまり、第7電極E7は、第1電源線Lvd、及び第1トランジスタの第1電極E1に対して電気的に接続される。また、第8電極E8は、第3電極E3と第1コンデンサC1の第10電極E10とを電気的に接続する配線に対して電気的に接続される。つまり、第8電極E8は、第3電極E3、及び第10電極E10に対して電気的に接続される。また、第9電極E9は、リセット線Lrsに対して電気的に接続され、いわゆるゲート電極として機能する。なお、リセット線Lrsは、後述するリセット処理、及びVth補償処理を行うタイミングを制御する電位を第9電極E9に対して付与する。   The third transistor (referred to as “reset transistor” as appropriate) Q3 has seventh to ninth electrodes E7 to E9. Specifically, the seventh electrode E7 is electrically connected to a wiring that connects the first electrode E1 and the first power supply line Lvd in a conductive manner. That is, the seventh electrode E7 is electrically connected to the first power supply line Lvd and the first electrode E1 of the first transistor. The eighth electrode E8 is electrically connected to a wiring that electrically connects the third electrode E3 and the tenth electrode E10 of the first capacitor C1. That is, the eighth electrode E8 is electrically connected to the third electrode E3 and the tenth electrode E10. The ninth electrode E9 is electrically connected to the reset line Lrs and functions as a so-called gate electrode. Note that the reset line Lrs applies a potential for controlling the timing of performing a reset process and a Vth compensation process, which will be described later, to the ninth electrode E9.

また、第3トランジスタQ3では、第9電極E9に付与される電位、より詳細には第7電極E7又は第8電極E8と第9電極E9との間(すなわちソースとゲートとの間)に印加される電圧値が調整されることで、第7電極E7と第8電極E8との間(以下「第7−8電極間」とも称する)において流れる電流の量が調整される。また、第9電極(ゲート)E9に付与される電位により、第3トランジスタQ3は、第7−8電極間(すなわちドレインとソースとの間)において電流が流れ得る状態(導通状態)と、電流が流れ得ない状態(非導通状態)とに選択的に設定される。   In the third transistor Q3, a potential applied to the ninth electrode E9, more specifically, applied between the seventh electrode E7 or the eighth electrode E8 and the ninth electrode E9 (that is, between the source and the gate). By adjusting the voltage value, the amount of current flowing between the seventh electrode E7 and the eighth electrode E8 (hereinafter also referred to as “between the seventh and eighth electrodes”) is adjusted. Further, the third transistor Q3 has a state in which a current can flow between the seventh and eighth electrodes (that is, between the drain and the source) due to the potential applied to the ninth electrode (gate) E9, and the current Is selectively set to a state in which the current cannot flow (non-conducting state).

第1コンデンサC1は、第10,11電極E10,E11を有し、第10電極E10と第11電極E11との間で電気容量を得るように構成されている。詳細には、第10電極E10は、第3電極E3と第8電極E8とを導電可能に接続する配線に対して接続される。つまり、第10電極E10は、第3電極E3と第8電極E8とに対して電気的に接続される。また、第11電極E11は、第4電極E4と第13電極E13と第15電極E15とを相互に導電可能に接続する配線に対して接続される。つまり、第11電極E11は、第4電極E4と第13電極E13と第15電極E15とに対して電気的に接続される。なお、第1コンデンサC1の保持容量は所定値(例えば、1pF)に設定されている。   The first capacitor C1 includes tenth and eleventh electrodes E10 and E11, and is configured to obtain an electric capacity between the tenth electrode E10 and the eleventh electrode E11. Specifically, the tenth electrode E10 is connected to a wiring that connects the third electrode E3 and the eighth electrode E8 in a conductive manner. That is, the tenth electrode E10 is electrically connected to the third electrode E3 and the eighth electrode E8. The eleventh electrode E11 is connected to a wiring that connects the fourth electrode E4, the thirteenth electrode E13, and the fifteenth electrode E15 so that they can conduct each other. That is, the eleventh electrode E11 is electrically connected to the fourth electrode E4, the thirteenth electrode E13, and the fifteenth electrode E15. Note that the holding capacity of the first capacitor C1 is set to a predetermined value (for example, 1 pF).

第4トランジスタ(適宜「走査用トランジスタ」と称する)Q4は、第12〜14電極E12〜E14を有している。詳細には、第12電極E12は、画像信号線Ldataに対して電気的に接続される。また、第13電極E13は、第4電極E4と第11電極E11と第15電極E15とを導電可能に接続する配線に対して電気的に接続される。つまり、第13電極E13は、第4電極E4と第11電極E11と第15電極E15とに対して電気的に接続される。また、第14電極E14は、走査信号線Lslに対して電気的に接続され、いわゆるゲート電極として機能する。   The fourth transistor (referred to as “scanning transistor” as appropriate) Q4 has twelfth to fourteenth electrodes E12 to E14. Specifically, the twelfth electrode E12 is electrically connected to the image signal line Ldata. The thirteenth electrode E13 is electrically connected to the wiring that connects the fourth electrode E4, the eleventh electrode E11, and the fifteenth electrode E15 in a conductive manner. That is, the thirteenth electrode E13 is electrically connected to the fourth electrode E4, the eleventh electrode E11, and the fifteenth electrode E15. The fourteenth electrode E14 is electrically connected to the scanning signal line Lsl and functions as a so-called gate electrode.

また、第4トランジスタQ4では、第14電極E14に付与される電位、より詳細には第12電極E12又は第13電極E13と第14電極E14との間(すなわちソースとゲートとの間)に印加される電圧値が調整されることで、第12電極E12と第13電極E13との間(以下「第12−13電極間」とも称する)において流れる電流の量が調整される。また、第14電極(ゲート)E14に付与される電位により、第4トランジスタQ4は、第12−13電極間(すなわちドレインとソースとの間)において電流が流れ得る状態(導通状態)と、電流が流れ得ない状態(非導通状態)とに選択的に設定される。   In the fourth transistor Q4, the potential applied to the fourteenth electrode E14, more specifically, applied between the twelfth electrode E12 or the thirteenth electrode E13 and the fourteenth electrode E14 (that is, between the source and the gate). By adjusting the voltage value to be adjusted, the amount of current flowing between the twelfth electrode E12 and the thirteenth electrode E13 (hereinafter also referred to as “between the twelfth and thirteenth electrodes”) is adjusted. Further, the fourth transistor Q4 has a state in which a current can flow between the twelfth and thirteenth and thirteenth electrodes (that is, between the drain and the source) due to the potential applied to the fourteenth electrode (gate) E14, and the current Is selectively set to a state in which the current cannot flow (non-conducting state).

第2コンデンサC2は、第15,16電極E15,E16を有し、第15電極E15と第16電極E16との間で電気容量を得るように構成されている。詳細には、第15電極E15は、第4電極E4と第11電極E11と第13電極E13とを導電可能に接続する配線に対して接続される。つまり、第15電極E15は、第4電極E4と第11電極E11と第13電極E13とに対して電気的に接続される。また、第16電極E16は、アノード電極Eaと第2電極E2と第5電極E5とを相互に導電可能に接続する配線に対して接続される。つまり、第16電極E16は、アノード電極Eaと第2電極E2と第5電極E5とに対して電気的に接続される。なお、第2コンデンサC2の保持容量は所定値(例えば、1pF)に設定されている。   The second capacitor C2 has fifteenth and sixteenth electrodes E15 and E16, and is configured to obtain an electric capacity between the fifteenth electrode E15 and the sixteenth electrode E16. Specifically, the fifteenth electrode E15 is connected to a wiring that connects the fourth electrode E4, the eleventh electrode E11, and the thirteenth electrode E13 in a conductive manner. That is, the fifteenth electrode E15 is electrically connected to the fourth electrode E4, the eleventh electrode E11, and the thirteenth electrode E13. The sixteenth electrode E16 is connected to a wiring that connects the anode electrode Ea, the second electrode E2, and the fifth electrode E5 so as to be conductive to each other. That is, the sixteenth electrode E16 is electrically connected to the anode electrode Ea, the second electrode E2, and the fifth electrode E5. Note that the holding capacity of the second capacitor C2 is set to a predetermined value (for example, 1 pF).

このような画素回路を有する表示パネル121では、図2で示すように、列方向(図2中の上下方向)に沿って並ぶ複数の画素回路1Aに対して共通の画像信号線Ldataが電気的に接続され、行方向(図2中の左右方向)に沿って並ぶ複数の画素回路1Aに対して共通の走査信号線Lslが電気的に接続される。   In the display panel 121 having such a pixel circuit, as shown in FIG. 2, the common image signal line Ldata is electrically connected to the plurality of pixel circuits 1A arranged in the column direction (vertical direction in FIG. 2). The common scanning signal line Lsl is electrically connected to the plurality of pixel circuits 1A arranged in the row direction (left and right direction in FIG. 2).

XドライバXdは、制御部111からの信号に応答して、画像信号線Ldataに対して画素データ信号に応じた電位(以下「画像信号線電位」とも称する)Vdtを供給する。なお、制御部111は、例えば、外部から送信されてくる画像データに同期させて、XドライバXdから各画像信号線Ldataに対する画素データ信号に応じた電位の供給タイミングを制御する信号をXドライバXdに対して送出する。また、有機EL素子OLEDを発光させるための電位の調整段階では、XドライバXdは、制御部111からの信号に応答して、画像信号線Ldataに対して所定の基準電位GNDと所定の高電位Vvhとを選択的に付与する。   In response to a signal from the control unit 111, the X driver Xd supplies a potential (hereinafter, also referred to as “image signal line potential”) Vdt corresponding to the pixel data signal to the image signal line Ldata. Note that the control unit 111 synchronizes with, for example, image data transmitted from the outside, and outputs a signal for controlling the potential supply timing according to the pixel data signal from the X driver Xd to each image signal line Ldata. Is sent to. In addition, in the potential adjustment stage for causing the organic EL element OLED to emit light, the X driver Xd responds to a signal from the control unit 111 and has a predetermined reference potential GND and a predetermined high potential with respect to the image signal line Ldata. Vvh is selectively given.

専用ドライバSdは、制御部111からの制御信号に応じた波形で、走査信号線Lsl、第1電源線Lvd、第2電源線Lvs、センス線Lsn、及びリセット線Lrsに対して電位を付与する。   The dedicated driver Sd gives a potential to the scanning signal line Lsl, the first power supply line Lvd, the second power supply line Lvs, the sense line Lsn, and the reset line Lrs with a waveform corresponding to the control signal from the control unit 111. .

この専用ドライバSdは、第1〜5シフトレジスタを備えて構成され、具体的には、第1〜5シフトレジスタに格納されたデータに基づいて走査信号線Lsl、第1電源線Lvd、第2電源線Lvs、センス線Lsn、及びリセット線Lrsに対して電位を付与する機能を有する。   The dedicated driver Sd is configured to include first to fifth shift registers, and specifically, based on data stored in the first to fifth shift registers, the scanning signal line Lsl, the first power supply line Lvd, the second It has a function of applying a potential to the power supply line Lvs, the sense line Lsn, and the reset line Lrs.

例えば、第1シフトレジスタは、走査信号線Lslに付与すべき電位(以下「走査線電位」とも称する)Vslのデータを保持する。ここでは、走査線電位Vslとして、電位Vh,Vlの2値が適宜採用される。また、第2シフトレジスタは、第1電源線Lvdに付与すべき電位(以下「第1電源線電位」とも称する)Vddのデータを保持する。ここでは、第1電源線電位Vddとして、所定の高電位の値Vp(例えば、10V)と所定の基準電位GND(すなわち0V)の2値が適宜採用される。また、第3シフトレジスタは、第2電源線Lvsに付与すべき電位(以下「第2電源線電位」とも称する)Vssのデータを保持する。ここでは、第2電源線電位Vssとして、所定の高電位の値Vp(例えば、10V)と所定の基準電位GND(すなわち0V)の2値が適宜採用される。また、第4シフトレジスタは、センス線Lsnに付与すべき電位(以下「センス線電位」とも称する)Vsnのデータを保持する。ここでは、センス線電位Vsnとして、電位Vh,Vlの2値が適宜採用される。第5シフトレジスタは、リセット線Lrsに付与すべき電位(以下「リセット線電位」とも称する)Vrsのデータを保持する。ここでは、リセット線電位Vrsとして、電位Vh,Vlの2値が適宜採用される。   For example, the first shift register holds data of a potential (hereinafter also referred to as “scanning line potential”) Vsl to be applied to the scanning signal line Lsl. Here, as the scanning line potential Vsl, two values of the potentials Vh and Vl are appropriately adopted. The second shift register holds data of a potential Vdd (hereinafter also referred to as “first power line potential”) to be applied to the first power line Lvd. Here, as the first power supply line potential Vdd, two values of a predetermined high potential value Vp (for example, 10 V) and a predetermined reference potential GND (that is, 0 V) are appropriately adopted. The third shift register holds data of a potential (hereinafter also referred to as “second power supply line potential”) Vss to be applied to the second power supply line Lvs. Here, as the second power supply line potential Vss, two values of a predetermined high potential value Vp (for example, 10 V) and a predetermined reference potential GND (that is, 0 V) are appropriately employed. The fourth shift register holds data of a potential Vsn (hereinafter also referred to as “sense line potential”) to be applied to the sense line Lsn. Here, as the sense line potential Vsn, two values of potentials Vh and Vl are appropriately adopted. The fifth shift register holds data of a potential (hereinafter also referred to as “reset line potential”) Vrs to be applied to the reset line Lrs. Here, as the reset line potential Vrs, two values of potentials Vh and Vl are appropriately adopted.

そして、第1〜5シフトレジスタで制御される走査線電位Vsl、第1及び第2電源線電位Vdd,Vss、センス線電位Vsn、及びリセット線電位Vrsは、制御部111からの制御信号に応じた波形をそれぞれ示す。   The scanning line potential Vsl, the first and second power supply line potentials Vdd and Vss, the sense line potential Vsn, and the reset line potential Vrs controlled by the first to fifth shift registers are in accordance with a control signal from the control unit 111. Each waveform is shown.

<画像表示装置の駆動>
図4は、有機EL素子OLEDを発光させる際の信号波形(駆動波形)を示すタイミングチャートであり、図5〜図7は、画素回路1Aの動作フローを示すフローチャートである。図4〜図7は、表示パネル121に含まれる1つの画素回路1Aを1回発光させる駆動に着目したものであり、画像表示装置100で動画等を構成する複数フレームを時間的に連続して表示する場合には、図4で示す駆動波形、及び図5〜図7で示す動作フローがフレーム数に応じた回数分、時間順次に繰り返される。なお、図4で示す駆動波形、及び図5〜図7で示す動作フローは、制御部111の制御下で実現される。
<Driving of image display device>
FIG. 4 is a timing chart showing signal waveforms (driving waveforms) when the organic EL element OLED emits light, and FIGS. 5 to 7 are flowcharts showing an operation flow of the pixel circuit 1A. 4 to 7 focus on driving for causing one pixel circuit 1A included in the display panel 121 to emit light once, and a plurality of frames constituting a moving image or the like in the image display device 100 are sequentially continuous. In the case of display, the driving waveform shown in FIG. 4 and the operation flow shown in FIGS. 5 to 7 are repeated in time sequence for the number of times corresponding to the number of frames. 4 and the operation flow shown in FIGS. 5 to 7 are realized under the control of the control unit 111.

図4では、横軸が時刻を示し、上から順に、(a)第1電源線Lvdに付与される第1電源線電位(以下、単に「電位」と称する)Vdd、(b)第2電源線Lvsに付与される第2電源線電位(以下、単に「電位」と称する)Vss、(c)リセット線Lrsに付与されるリセット線電位(以下、単に「電位」と称する)Vrs、(d)センス線Lsnに付与されるセンス線電位(以下、単に「電位」と称する)Vsn、(e)画像信号線Ldataに付与される画像信号線電位(以下、単に「電位」と称する)Vdt、(f)走査信号線Lslに付与される走査信号線電位(以下、単に「電位」と称する)Vslの波形が示されている。   In FIG. 4, the horizontal axis indicates time, and in order from the top, (a) a first power supply line potential (hereinafter simply referred to as “potential”) Vdd applied to the first power supply line Lvd, (b) a second power supply. Second power supply line potential (hereinafter simply referred to as “potential”) Vss applied to the line Lvs, (c) Reset line potential applied to the reset line Lrs (hereinafter simply referred to as “potential”) Vrs, (d ) Sense line potential applied to the sense line Lsn (hereinafter simply referred to as “potential”) Vsn, (e) image signal line potential applied to the image signal line Ldata (hereinafter simply referred to as “potential”) Vdt, (F) A waveform of a scanning signal line potential (hereinafter simply referred to as “potential”) Vsl applied to the scanning signal line Lsl is shown.

なお、1回の発光に係る期間は、発光輝度を調整するための準備期間Pp(時刻t1〜t22)と、有機EL素子OLEDが実際に発光する発光期間Pe(〜時刻t1,時刻t22〜)とを備えて構成される。   Note that the period related to one light emission includes a preparation period Pp (time t1 to t22) for adjusting the light emission luminance and a light emission period Pe (to time t1, time t22 to) in which the organic EL element OLED actually emits light. And is configured.

以下、図4を参照しつつ、図5〜図7で示す画素回路1Aの動作フローについて説明する。   Hereinafter, an operation flow of the pixel circuit 1 </ b> A illustrated in FIGS. 5 to 7 will be described with reference to FIG. 4.

まず、ステップS1では、第1電源線Lvdに付与される電位Vddが、所定の高電位Vpから所定の基準電位GNDに設定される(時刻t1)。このとき、第2電源線Lvsに付与される電位Vssが、所定の基準電位GNDに設定されている。このため、有機EL素子OLEDの両電極Ea,Ec間には、大きな電位差が生じず、両電極Ea,Ec間に電流が流れない状態となり、前回の発光が終了される。なお、発光が1回目の場合には、単に準備期間Ppが開始される。   First, in step S1, the potential Vdd applied to the first power supply line Lvd is set from the predetermined high potential Vp to the predetermined reference potential GND (time t1). At this time, the potential Vss applied to the second power supply line Lvs is set to a predetermined reference potential GND. For this reason, a large potential difference does not occur between the electrodes Ea and Ec of the organic EL element OLED, and no current flows between the electrodes Ea and Ec, and the previous light emission ends. In the case of the first light emission, the preparation period Pp is simply started.

ステップS2では、第2電源線Lvsに付与される電位Vssが、所定の基準電位GNDから所定の高電位Vpに設定される(時刻t2)。   In step S2, the potential Vss applied to the second power supply line Lvs is set from the predetermined reference potential GND to the predetermined high potential Vp (time t2).

ステップS3では、リセット線Lrsに付与される電位Vrsが、所定の低電位Vlから所定の高電位Vhに設定される(時刻t3)。このとき、第3トランジスタQ3が導通状態となり、第1コンデンサC1の第10電極E10に付与される電位が所定の基準電位GNDとなる。   In step S3, the potential Vrs applied to the reset line Lrs is set from the predetermined low potential Vl to the predetermined high potential Vh (time t3). At this time, the third transistor Q3 becomes conductive, and the potential applied to the tenth electrode E10 of the first capacitor C1 becomes the predetermined reference potential GND.

ステップS4では、走査信号線Lslに付与される電位Vslが、所定の低電位Vlから所定の高電位Vhに設定される(時刻t4)。このとき、第4トランジスタQ4が導通状態となり、画像信号線Ldataに付与される電位Vdtが所定の基準電位GNDが設定されている。このため、第1コンデンサC1の第11電極E11に付与される電位が所定の基準電位GNDとなる。したがって、第1コンデンサC1の両電極E10,E11にそれぞれ所定の基準電位GNDが付与された状態となり、第1コンデンサC1の両電極E10,E11に蓄積される電荷をリセットする処理(以下「リセット処理」とも称する)が開始される。   In step S4, the potential Vsl applied to the scanning signal line Lsl is set from the predetermined low potential Vl to the predetermined high potential Vh (time t4). At this time, the fourth transistor Q4 becomes conductive, and the potential Vdt applied to the image signal line Ldata is set to a predetermined reference potential GND. For this reason, the potential applied to the eleventh electrode E11 of the first capacitor C1 becomes the predetermined reference potential GND. Therefore, the predetermined reference potential GND is applied to both the electrodes E10 and E11 of the first capacitor C1, and the process of resetting the charges accumulated in the both electrodes E10 and E11 of the first capacitor C1 (hereinafter referred to as “reset process”). Is also started).

ステップS5では、リセット線Lrsに付与される電位Vrsが、所定の高電位Vhから所定の低電位Vlに設定される(時刻t5)。このとき、第3トランジスタQ3が非導通状態となり、リセット処理が終了される。   In step S5, the potential Vrs applied to the reset line Lrs is set from the predetermined high potential Vh to the predetermined low potential Vl (time t5). At this time, the third transistor Q3 is turned off and the reset process is terminated.

ステップS6では、画像信号線Ldataに付与される電位Vdtが、所定の基準電位GNDから所定の高電位Vvhに設定される(時刻t6)。このとき、第4トランジスタQ4が導通状態にあるため、電位Vdtの所定の高電位Vvhが、第1コンデンサC1の第11電極E11に付与される。このため、第1コンデンサC1を介して、第1トランジスタQ1のゲートである第3電極E3に対して高電位Vvhが作用し、第1トランジスタQ1が導通状態となる。したがって、有機EL素子OLEDのアノード電極Eaに対して、所定の基準電位GNDが付与され、有機EL素子OLEDのカソード電極Ecに対して、所定の高電位Vpが付与される。つまり、有機EL素子OLEDの両電極Ea,Ecの間に、所定の高電位Vpに対応する電荷が蓄積される処理(以下「チャージ処理」とも称する)が開始される。   In step S6, the potential Vdt applied to the image signal line Ldata is set from the predetermined reference potential GND to the predetermined high potential Vvh (time t6). At this time, since the fourth transistor Q4 is in a conductive state, a predetermined high potential Vvh of the potential Vdt is applied to the eleventh electrode E11 of the first capacitor C1. For this reason, the high potential Vvh acts on the third electrode E3 that is the gate of the first transistor Q1 via the first capacitor C1, and the first transistor Q1 becomes conductive. Therefore, a predetermined reference potential GND is applied to the anode electrode Ea of the organic EL element OLED, and a predetermined high potential Vp is applied to the cathode electrode Ec of the organic EL element OLED. That is, a process for accumulating charges corresponding to a predetermined high potential Vp (hereinafter also referred to as “charge process”) is started between both electrodes Ea and Ec of the organic EL element OLED.

ステップS7では、画像信号線Ldataに付与される電位Vdtが、所定の高電位Vvhから所定の基準電位GNDに設定される(時刻t7)。このとき、第1トランジスタQ1が非導通状態となり、チャージ処理が終了され、有機EL素子OLEDの両電極Ea,Ecの間に所定の高電位Vpに対応する電荷が蓄積された状態となる。   In step S7, the potential Vdt applied to the image signal line Ldata is set from the predetermined high potential Vvh to the predetermined reference potential GND (time t7). At this time, the first transistor Q1 is turned off, the charge process is terminated, and a charge corresponding to a predetermined high potential Vp is accumulated between both electrodes Ea and Ec of the organic EL element OLED.

ステップS8では、走査信号線Lslに付与される電位Vslが、所定の高電位Vhから所定の低電位Vlに設定される(時刻t8)。このとき、第4トランジスタQ4が非導通状態となる。   In step S8, the potential Vsl applied to the scanning signal line Lsl is set from the predetermined high potential Vh to the predetermined low potential Vl (time t8). At this time, the fourth transistor Q4 is turned off.

ステップS9では、リセット線Lrsに付与される電位Vrsが、所定の低電位Vlから所定の高電位Vhに設定される(時刻t9)。このとき、第3トランジスタQ3が導通状態となり、第3電極E3に、第1電源線Lvdの所定の基準電位GNDが付与される。   In step S9, the potential Vrs applied to the reset line Lrs is set from the predetermined low potential Vl to the predetermined high potential Vh (time t9). At this time, the third transistor Q3 becomes conductive, and the predetermined reference potential GND of the first power supply line Lvd is applied to the third electrode E3.

ステップS10では、センス線Lsnに付与される電位Vsnが、所定の低電位Vlから所定の高電位Vhに設定される(時刻t10)。このとき、第2トランジスタQ2が導通状態となる。   In step S10, the potential Vsn applied to the sense line Lsn is set from the predetermined low potential Vl to the predetermined high potential Vh (time t10). At this time, the second transistor Q2 becomes conductive.

図6のステップS11では、第2電源線Lvsに付与される電位Vssが、所定の高電位Vpから所定の基準電位GNDに設定される(時刻t11)。このとき、有機EL素子OLEDの両極Ea,Ec間に蓄積された電荷が、第2及び第11電極E2,E11に作用し、第1トランジスタQ1のゲート電圧Vgsが、有機EL素子OLEDの両電極Ea,Ecの間に蓄積された所定の高電位Vpに対応する電荷に応じた電圧となる。よって、第1トランジスタQ1が導通状態となり、第3トランジスタQ3も導通状態にある。このため、時刻t11〜t12では、第1,2,7,8電極E1,E2,E7,E8を介した電荷の移動により、第1トランジスタQ1のゲート電圧VgsがVthに到達すると、第1トランジスタQ1が自動的に非導通状態に至る処理(以下「Vth補償処理」とも称する)が行われる。   In step S11 of FIG. 6, the potential Vss applied to the second power supply line Lvs is set from the predetermined high potential Vp to the predetermined reference potential GND (time t11). At this time, the electric charge accumulated between the two electrodes Ea and Ec of the organic EL element OLED acts on the second and eleventh electrodes E2 and E11, and the gate voltage Vgs of the first transistor Q1 becomes the both electrodes of the organic EL element OLED. The voltage corresponds to the electric charge corresponding to a predetermined high potential Vp accumulated between Ea and Ec. Therefore, the first transistor Q1 is turned on, and the third transistor Q3 is also turned on. Therefore, at time t11 to t12, when the gate voltage Vgs of the first transistor Q1 reaches Vth due to the movement of charges through the first, second, eighth, and eighth electrodes E1, E2, E7, and E8, the first transistor Processing (hereinafter also referred to as “Vth compensation processing”) in which Q1 is automatically turned off is performed.

ステップS12では、リセット線Lrsに付与される電位Vrsが、所定の高電位Vhから所定の低電位Vlに設定される(時刻t12)。このとき、第3トランジスタQ3が非導通状態となる。   In step S12, the potential Vrs applied to the reset line Lrs is set from the predetermined high potential Vh to the predetermined low potential Vl (time t12). At this time, the third transistor Q3 is turned off.

ステップS13では、センス線Lsnに付与される電位Vsnが、所定の高電位Vhから所定の低電位Vlに設定される(時刻t13)。このとき、第2トランジスタQ2が非導通状態となり、第1コンデンサC1では、第11電極E11の電位に対して第10電極E10の電位の方が閾値電圧Vth分だけ高い状態に保持される。   In step S13, the potential Vsn applied to the sense line Lsn is set from the predetermined high potential Vh to the predetermined low potential Vl (time t13). At this time, the second transistor Q2 is turned off, and the first capacitor C1 holds the potential of the tenth electrode E10 higher than the potential of the eleventh electrode E11 by the threshold voltage Vth.

ステップS14では、走査信号線Lslに付与される電位Vslが、所定の低電位Vlから所定の高電位Vhに設定される(時刻t14)。このとき、第4トランジスタQ4が導通状態となり、第1コンデンサC1の第11電極E11に対して、画像信号線Ldataの所定の基準電位GNDが付与され、第1トランジスタQ1の第3電極E3に付与された電位がVthとなる。   In step S14, the potential Vsl applied to the scanning signal line Lsl is set from the predetermined low potential Vl to the predetermined high potential Vh (time t14). At this time, the fourth transistor Q4 becomes conductive, the predetermined reference potential GND of the image signal line Ldata is applied to the eleventh electrode E11 of the first capacitor C1, and is applied to the third electrode E3 of the first transistor Q1. The applied potential becomes Vth.

ステップS15では、画像信号線Ldataに付与される電位Vdtが、所定の基準電位GNDから所定の高電位Vvhに設定される(時刻t15)。このとき、第1コンデンサC1を介して、第1トランジスタQ1の第3電極E3に付与される電位がVthよりも高くなり、第1トランジスタQ1が導通状態となる。また、第1及び第2電源線Lvd,Lvsの電位Vdd,Vssがそれぞれ所定の基準電位GNDに設定されているため、有機EL素子OLEDの両電極Ea,Ecの間に残留する電荷がリセットされる処理(以下「素子初期化処理」とも称する)が開始される。   In step S15, the potential Vdt applied to the image signal line Ldata is set from the predetermined reference potential GND to the predetermined high potential Vvh (time t15). At this time, the potential applied to the third electrode E3 of the first transistor Q1 via the first capacitor C1 becomes higher than Vth, and the first transistor Q1 becomes conductive. Further, since the potentials Vdd and Vss of the first and second power supply lines Lvd and Lvs are respectively set to the predetermined reference potential GND, the electric charge remaining between both electrodes Ea and Ec of the organic EL element OLED is reset. Process (hereinafter also referred to as “element initialization process”) is started.

ステップS16では、画像信号線Ldataに付与される電位Vdtが、所定の高電位Vvhから所定の基準電位GNDに設定される(時刻t16)。このとき、第1コンデンサC1を介して、第1トランジスタQ1の第3電極E3に付与された電位がVthに戻り、第1トランジスタQ1が非導通状態となる。このため、素子初期化処理が終了される。なお、このとき、第1トランジスタQ1のゲート電圧VgsがVthとなっている。   In step S16, the potential Vdt applied to the image signal line Ldata is set from the predetermined high potential Vvh to the predetermined reference potential GND (time t16). At this time, the potential applied to the third electrode E3 of the first transistor Q1 returns to Vth via the first capacitor C1, and the first transistor Q1 becomes non-conductive. For this reason, the element initialization process is completed. At this time, the gate voltage Vgs of the first transistor Q1 is Vth.

ステップS17では、走査信号線Lslに付与される電位Vslが、所定の高電位Vhから所定の低電位Vlに設定される(時刻t17)。このとき、第4トランジスタQ4が非導通状態となる。   In step S17, the potential Vsl applied to the scanning signal line Lsl is set from the predetermined high potential Vh to the predetermined low potential Vl (time t17). At this time, the fourth transistor Q4 is turned off.

図7のステップS18では、画像信号線Ldataに付与される電位Vdtが、画素データ信号に応じた電位Vdataに設定される(時刻t18)。なお、図4では、電位Vdataが任意の値であるため、電位Vdataが取り得る範囲が斜線のハッチングで示されている。   In step S18 of FIG. 7, the potential Vdt applied to the image signal line Ldata is set to the potential Vdata corresponding to the pixel data signal (time t18). In FIG. 4, since the potential Vdata is an arbitrary value, the range that the potential Vdata can take is indicated by hatching.

ステップS19では、走査信号線Lslに付与される電位Vslが、所定の低電位Vlから所定の高電位Vhに設定される(時刻t19)。このとき、第4トランジスタQ4が導通状態となり、電位Vdataが、第1コンデンサC1の第11電極E11に作用して、第1トランジスタQ1のゲート電圧Vgsが、Vth+Vdataに設定される処理(以下「電位設定処理」とも称する)が行われる。   In step S19, the potential Vsl applied to the scanning signal line Lsl is set from the predetermined low potential Vl to the predetermined high potential Vh (time t19). At this time, the fourth transistor Q4 becomes conductive, the potential Vdata acts on the eleventh electrode E11 of the first capacitor C1, and the gate voltage Vgs of the first transistor Q1 is set to Vth + Vdata (hereinafter “potential” Also referred to as “setting process”.

ステップS20では、走査信号線Lslに付与される電位Vslが、所定の高電位Vhから所定の低電位Vlに設定される(時刻t20)。このとき、第2〜4トランジスタQ2〜Q4が何れも非導通状態となり、第1トランジスタQ1のゲート電圧Vgsが、Vth+Vdataの状態で保持されることになる。   In step S20, the potential Vsl applied to the scanning signal line Lsl is set from the predetermined high potential Vh to the predetermined low potential Vl (time t20). At this time, the second to fourth transistors Q2 to Q4 are all in a non-conductive state, and the gate voltage Vgs of the first transistor Q1 is held in a state of Vth + Vdata.

ステップS21では、画像信号線Ldataに付与される電位Vdtが、所定の基準電位GNDに設定される(時刻t21)。   In step S21, the potential Vdt applied to the image signal line Ldata is set to a predetermined reference potential GND (time t21).

ステップS22では、第1電源線Lvdに付与される電位Vddが、所定の高電位Vpに設定される(時刻t22)。このとき、第1トランジスタQ1のゲート電圧VgsがVth+Vdataに設定されている。このため、第1トランジスタQ1の第1−2電極間で、画素データ信号に応じた電流が流れる。従って、画素データ信号に応じた電流が有機EL素子OLEDに流れ、有機EL素子OLEDが、画素データ信号に応じた輝度で発光する。なお、この発光時には、多大な電流の流れにより、第2電極E2の電位が上昇することがあるが、第1,2コンデンサC1,C2を介して、第2電極E2の電位の上昇分がそのまま第3電極E3の電位を上昇させる。つまり、有機EL素子の発光時では、第1トランジスタQ1のゲート電圧VgsがVth+Vdataのまま保持される。   In step S22, the potential Vdd applied to the first power supply line Lvd is set to a predetermined high potential Vp (time t22). At this time, the gate voltage Vgs of the first transistor Q1 is set to Vth + Vdata. Therefore, a current corresponding to the pixel data signal flows between the first and second electrodes of the first transistor Q1. Accordingly, a current corresponding to the pixel data signal flows through the organic EL element OLED, and the organic EL element OLED emits light with a luminance corresponding to the pixel data signal. During this light emission, the potential of the second electrode E2 may increase due to a large current flow, but the increase in the potential of the second electrode E2 remains as it is via the first and second capacitors C1 and C2. The potential of the third electrode E3 is increased. That is, when the organic EL element emits light, the gate voltage Vgs of the first transistor Q1 is held as Vth + Vdata.

このようなステップS1〜S22の処理により、有機EL素子OLEDにおける1フレーム分の発光が実現され、ステップS1〜S22の処理が順次繰り返されることで、複数フレーム分の発光が行われる。   By the processing in steps S1 to S22, light emission for one frame is realized in the organic EL element OLED, and light emission for a plurality of frames is performed by sequentially repeating the processing in steps S1 to S22.

なお、上記では、表示パネル121に含まれる1つの画素回路1Aの駆動に着目して説明したが、表示パネル121に含まれる複数の画素回路1Aについても同様な駆動が行われる。そして、例えば、全画素回路1Aにおいて、準備期間PpのうちのVth補償処理までが同時に行われた後に、電位設定処理が順次に行われた時点で、第1電源線Lvdに付与される電位Vddが、所定の高電位Vpに設定されることにより、全画素回路1Aにおいて同時に有機EL素子OLEDの発光が行われる。   In the above, the description has been given focusing on the driving of one pixel circuit 1A included in the display panel 121, but the same driving is also performed on the plurality of pixel circuits 1A included in the display panel 121. For example, in all the pixel circuits 1A, the potential Vdd applied to the first power supply line Lvd at the time when the potential setting processing is sequentially performed after the Vth compensation processing in the preparation period Pp is performed simultaneously. However, the organic EL element OLED emits light simultaneously in all the pixel circuits 1A by being set to a predetermined high potential Vp.

以上のように、第1実施形態に係る画像表示装置100では、有機EL素子OLEDを発光させるための電圧を有機EL素子OLEDに印加する配線上に、2つのトランジスタを配置することなく、第1トランジスタQ1のゲート電圧Vgsを所望の電圧(例えば、Vth+Vdata)に設定することができる。したがって、画素回路の大型化や電力の利用効率の低下を招くことなく、画像におけるムラの発生を抑制することができる。   As described above, in the image display apparatus 100 according to the first embodiment, the first transistor is not disposed on the wiring that applies the voltage for causing the organic EL element OLED to emit light to the organic EL element OLED. The gate voltage Vgs of the transistor Q1 can be set to a desired voltage (for example, Vth + Vdata). Therefore, it is possible to suppress the occurrence of unevenness in the image without causing an increase in the size of the pixel circuit and a decrease in power use efficiency.

また、有機EL素子OLEDのカソード電極Ecが第2電源線Lvsに対して直接的に導電可能に接続されている。そして、全て(又は複数)の画素回路1Aについて準備期間PpのうちのVth補償処理までを同時に行うことも可能であるため、表示パネル121に配列される全て(又は複数)の画素回路1Aに係る第2電源線Lvsを共通化することができる。したがって、表示パネル121に配列される全て(又は複数)の画素回路1Aのカソード電極Ecを共通のものとすることができる。その結果、表示パネル121におけるカソード電極の構造を簡略化することが可能となり、製造工程の簡略化による歩留まりの向上、生産効率の向上、製造設備の簡略化、及びコスト低減等といった種々のメリットが得られる。   Further, the cathode electrode Ec of the organic EL element OLED is connected to the second power supply line Lvs so as to be directly conductive. Since all (or a plurality of) pixel circuits 1A can be simultaneously performed up to the Vth compensation process in the preparation period Pp, all (or a plurality) of pixel circuits 1A arranged on the display panel 121 are related. The second power supply line Lvs can be shared. Therefore, the cathode electrodes Ec of all (or a plurality) of pixel circuits 1A arranged on the display panel 121 can be made common. As a result, it becomes possible to simplify the structure of the cathode electrode in the display panel 121, and there are various merits such as improvement in yield, improvement in production efficiency, simplification of manufacturing equipment, and cost reduction due to simplification of the manufacturing process. can get.

<第2実施形態>
上記第1実施形態に係る画像表示装置100では、画素回路1Aが、画素データ信号に応じた電位Vdataを第1トランジスタQ1に付与する回路構成として、第2コンデンサC2、及び第4トランジスタQ4を備えていた。これに対して、第2実施形態に係る画像表示装置100Aでは、画素データ信号に応じた電位を第1トランジスタQ1に付与する回路構成が異なる画素回路1Bを含む表示パネル121Aが採用されている。
Second Embodiment
In the image display device 100 according to the first embodiment, the pixel circuit 1A includes the second capacitor C2 and the fourth transistor Q4 as a circuit configuration that applies the potential Vdata corresponding to the pixel data signal to the first transistor Q1. It was. On the other hand, in the image display device 100A according to the second embodiment, the display panel 121A including the pixel circuit 1B having a different circuit configuration for applying a potential corresponding to the pixel data signal to the first transistor Q1 is employed.

第2実施形態に係る画像表示装置100Aは、第1実施形態に係る画像表示装置100と比較して、画素回路の構成、及び画素回路の駆動が異なっている以外は、同様な構成を有している。また、画素回路の構成についても、第1及び第2電源線Lvd,Lvs、第1〜3トランジスタQ1〜Q3、及び第1コンデンサC1の電気的な接続関係については同様なものとなっている。但し、画素回路の駆動が異なっているため、第2実施形態に係る画像表示装置100Aでは、第1実施形態に係る画像表示装置100に含まれる制御部111が、構成は同様であるが、異なる制御を可能とする制御部111Aに置換されている。   The image display device 100A according to the second embodiment has the same configuration as the image display device 100 according to the first embodiment except that the configuration of the pixel circuit and the drive of the pixel circuit are different. ing. In addition, the configuration of the pixel circuit is the same as the electrical connection relationship between the first and second power supply lines Lvd and Lvs, the first to third transistors Q1 to Q3, and the first capacitor C1. However, since the driving of the pixel circuits is different, in the image display device 100A according to the second embodiment, the control unit 111 included in the image display device 100 according to the first embodiment has the same configuration but is different. It is replaced with a control unit 111A that enables control.

以下、第2実施形態に係る画像表示装置100Aのうち、第1実施形態に係る画像表示装置100と異なる画素回路1Bの構成ならびに駆動について主に説明する。   Hereinafter, the configuration and driving of the pixel circuit 1B different from the image display device 100 according to the first embodiment in the image display device 100A according to the second embodiment will be mainly described.

図8は、第2実施形態に係る画素回路1Bの回路構成を例示する図である。ここでは、第1実施形態に係る画像表示装置100と同様な構成については、同じ符号を付して説明を省略する。   FIG. 8 is a diagram illustrating a circuit configuration of the pixel circuit 1B according to the second embodiment. Here, about the structure similar to the image display apparatus 100 which concerns on 1st Embodiment, the same code | symbol is attached | subjected and description is abbreviate | omitted.

画素回路1Bでは、第1実施形態に係る画素回路1Aの第4トランジスタQ4、及び第2コンデンサC2が、第4AトランジスタQ4A、及び第2AコンデンサC2Aに置換されている。なお、第4AトランジスタQ4Aは、第1〜3トランジスタQ3と同様に、n−MISFETTFTによって構成されている。   In the pixel circuit 1B, the fourth transistor Q4 and the second capacitor C2 of the pixel circuit 1A according to the first embodiment are replaced with a fourth A transistor Q4A and a second A capacitor C2A. Note that the fourth A transistor Q4A is configured by an n-MISFET TFT, similarly to the first to third transistors Q3.

第4Aトランジスタ(適宜「走査用トランジスタ」と称する)Q4Aは、第12A〜14A電極E12A〜E14Aを有している。詳細には、第12A電極E12Aは、画像信号線Ldataに対して電気的に接続される。また、第13A電極E13Aは、第2AコンデンサC2Aの第15A電極E15Aに対して電気的に接続される。また第14A電極E14Aは、走査信号線Lslに対して電気的に接続され、いわゆるゲート電極として機能する。   The 4A transistor (referred to as “scanning transistor” as appropriate) Q4A includes 12A to 14A electrodes E12A to E14A. Specifically, the twelfth A electrode E12A is electrically connected to the image signal line Ldata. The 13A electrode E13A is electrically connected to the 15A electrode E15A of the 2A capacitor C2A. The 14A electrode E14A is electrically connected to the scanning signal line Lsl and functions as a so-called gate electrode.

また、第4AトランジスタQ4Aでは、第1実施形態に係る第4トランジスタQ4と同様に、第14A電極E14Aに付与される電位、より詳細には第12A電極E12A又は第13A電極E13Aと第14A電極E14Aとの間(すなわちソースとゲートとの間)に印加される電圧値が調整されることで、第12A電極E12Aと第13A電極E13Aとの間(以下「第12A−13A電極間」とも称する)において流れる電流の量が調整される。また、第14A電極(ゲート)E14Aに付与される電位により、第4AトランジスタQ4Aは、第12A−13A電極間(すなわちドレインとソースとの間)において電流が流れ得る状態(導通状態)と、電流が流れ得ない状態(非導通状態)とに選択的に設定される。   Further, in the fourth A transistor Q4A, similarly to the fourth transistor Q4 according to the first embodiment, the potential applied to the 14A electrode E14A, more specifically, the 12A electrode E12A or the 13A electrode E13A and the 14A electrode E14A. By adjusting the voltage value applied between the two electrodes (that is, between the source and the gate), the voltage between the twelfth A electrode E12A and the thirteenth electrode A13A (hereinafter also referred to as “between the twelfth electrode A-13A electrodes”). The amount of current flowing in is adjusted. Further, the potential applied to the 14A electrode (gate) E14A causes the 4A transistor Q4A to have a state in which current can flow between the 12A-13A electrodes (that is, between the drain and source) (conducting state), Is selectively set to a state in which the current cannot flow (non-conducting state).

第2AコンデンサC2Aは、第15A,16A電極E15A,E16Aを有し、第15A電極E15Aと第16A電極E16Aとの間で電気容量を得るように構成されている。詳細には、第15A電極E15Aは、第13A電極E13Aに対して電気的に接続される。また、第16A電極E16Aは、第4電極E4と第11電極E11とを導電可能に接続する配線に対して接続される。つまり、第16A電極E16Aは、第4電極E4と第11電極E11とに対して電気的に接続される。なお、第2AコンデンサC2Aの保持容量は所定値(例えば、1pF)に設定されている。   The second A capacitor C2A includes 15A and 16A electrodes E15A and E16A, and is configured to obtain an electric capacity between the 15A electrode E15A and the 16A electrode E16A. Specifically, the 15A electrode E15A is electrically connected to the 13A electrode E13A. The 16A electrode E16A is connected to the wiring that connects the fourth electrode E4 and the eleventh electrode E11 in a conductive manner. That is, the 16A electrode E16A is electrically connected to the 4th electrode E4 and the 11th electrode E11. The holding capacity of the second A capacitor C2A is set to a predetermined value (for example, 1 pF).

図9は、有機EL素子OLEDを発光させる際の信号波形(駆動波形)を示すタイミングチャートであり、図10及び図11は、画素回路1Bの動作フローを示すフローチャートである。図9〜図11は、表示パネル121に含まれる1つの画素回路1Bを1回発光させる駆動に着目したものであり、画像表示装置100Aで動画等を構成する複数フレームを時間的に連続して表示する場合には、図9で示す駆動波形と、図10及び図11で示す動作フローとがフレーム数に応じた回数分、時間順次に繰り返される。なお、図9で示す駆動波形と、図10及び図11で示す動作フローとは、制御部111Aの制御下で実現される。   FIG. 9 is a timing chart showing a signal waveform (driving waveform) when the organic EL element OLED emits light, and FIGS. 10 and 11 are flowcharts showing an operation flow of the pixel circuit 1B. 9 to 11 focus on driving for causing one pixel circuit 1B included in the display panel 121 to emit light once, and a plurality of frames constituting a moving image or the like in the image display device 100A are temporally continuous. In the case of display, the drive waveform shown in FIG. 9 and the operation flow shown in FIGS. 10 and 11 are repeated in time sequence as many times as the number of frames. Note that the drive waveforms shown in FIG. 9 and the operation flows shown in FIGS. 10 and 11 are realized under the control of the control unit 111A.

図9では、図4と同様に、横軸が時刻を示し、上から順に、(a)第1電源線Lvdに付与される電位Vdd、(b)第2電源線Lvsに付与される電位Vss、(c)リセット線Lrsに付与される電位Vrs、(d)センス線Lsnに付与される電位Vsn、(e)画像信号線Ldataに付与される電位Vdt、(f)走査信号線Lslに付与される電位Vslの波形が示されている。   In FIG. 9, as in FIG. 4, the horizontal axis indicates time, and in order from the top, (a) the potential Vdd applied to the first power supply line Lvd, (b) the potential Vss applied to the second power supply line Lvs. (C) potential Vrs applied to the reset line Lrs, (d) potential Vsn applied to the sense line Lsn, (e) potential Vdt applied to the image signal line Ldata, (f) applied to the scanning signal line Lsl. The waveform of the applied potential Vsl is shown.

なお、1回の発光に係る期間は、発光輝度を調整するための準備期間PpA(時刻T1〜T14)と、有機EL素子OLEDが実際に発光する発光期間PeA(〜時刻T1,時刻T14〜)とを備えて構成される。   In addition, in the period concerning one light emission, the preparation period PpA (time T1-T14) for adjusting light emission luminance, and the light emission period PeA (-time T1, time T14-) where the organic EL element OLED actually emits light. And is configured.

以下、図9を参照しつつ、図10及び図11で示す画素回路1Bの動作フローについて説明する。   Hereinafter, the operation flow of the pixel circuit 1B shown in FIGS. 10 and 11 will be described with reference to FIG.

まず、ステップST1では、第1電源線Lvdに付与される電位Vddが、所定の高電位Vpから所定の基準電位GNDに設定される(時刻T1)。このとき、第2電源線Lvsに付与される電位Vssが、所定の基準電位GNDに設定されている。このため、有機EL素子OLEDの両電極Ea,Ec間には、大きな電位差が生じず、両電極Ea,Ec間に電流が流れない状態となり、前回の発光が終了される。なお、発光が1回目の場合には、単に準備期間PpAが開始される。また、このとき、第1トランジスタQ1のゲート電圧Vgsが、前回の発光等のために、閾値電圧Vthよりも大きな値に設定されており、第1トランジスタQ1は導通状態にある。更に、センス線Lsnに付与される電位Vsnが、所定の高電位Vhに設定されており、第2トランジスタQ2が導通状態にある。このため、第11電極E11の電位が所定の基準電位GNDとなる。   First, in step ST1, the potential Vdd applied to the first power supply line Lvd is set from the predetermined high potential Vp to the predetermined reference potential GND (time T1). At this time, the potential Vss applied to the second power supply line Lvs is set to a predetermined reference potential GND. For this reason, a large potential difference does not occur between the electrodes Ea and Ec of the organic EL element OLED, and no current flows between the electrodes Ea and Ec, and the previous light emission ends. In the case of the first light emission, the preparation period PpA is simply started. At this time, the gate voltage Vgs of the first transistor Q1 is set to a value larger than the threshold voltage Vth due to the previous light emission or the like, and the first transistor Q1 is in a conductive state. Furthermore, the potential Vsn applied to the sense line Lsn is set to a predetermined high potential Vh, and the second transistor Q2 is in a conductive state. For this reason, the potential of the eleventh electrode E11 becomes the predetermined reference potential GND.

ステップST2では、第2電源線Lvsに付与される電位Vssが、所定の基準電位GNDから所定の高電位Vpに設定される(時刻T2)。このとき、第1トランジスタQ1のゲート電圧Vgsが、前回の発光等のために、閾値電圧Vthよりも大きな値に設定されており、第1トランジスタQ1は導通状態にある。このため、有機EL素子OLEDのアノード電極Eaに対して、所定の基準電位GNDが付与され、有機EL素子OLEDのカソード電極Ecに対して、所定の高電位Vpが付与される。つまり、有機EL素子OLEDの両電極Ea,Ecの間に、所定の高電位Vpに対応する電荷が蓄積されるチャージ処理が開始される。   In step ST2, the potential Vss applied to the second power supply line Lvs is set from the predetermined reference potential GND to the predetermined high potential Vp (time T2). At this time, the gate voltage Vgs of the first transistor Q1 is set to a value larger than the threshold voltage Vth due to the previous light emission or the like, and the first transistor Q1 is in a conductive state. Therefore, a predetermined reference potential GND is applied to the anode electrode Ea of the organic EL element OLED, and a predetermined high potential Vp is applied to the cathode electrode Ec of the organic EL element OLED. That is, a charge process is started in which charges corresponding to a predetermined high potential Vp are accumulated between both electrodes Ea and Ec of the organic EL element OLED.

ステップST3では、走査信号線Lslに付与される電位Vslが、所定の低電位Vlから所定の高電位Vhに設定される(時刻T3)。このとき、第4AトランジスタQ4Aが導通状態となり、画像信号線Ldataに所定の基準電位GNDが付与されているため、第2AコンデンサC2Aの第15A電極E15Aに付与される電位が所定の基準電位GNDとなる。   In step ST3, the potential Vsl applied to the scanning signal line Lsl is set from the predetermined low potential Vl to the predetermined high potential Vh (time T3). At this time, since the fourth A transistor Q4A is in a conductive state and the predetermined reference potential GND is applied to the image signal line Ldata, the potential applied to the 15A electrode E15A of the second A capacitor C2A is equal to the predetermined reference potential GND. Become.

ステップST4では、リセット線Lrsに付与される電位Vrsが、所定の低電位Vlから所定の高電位Vhに設定される(時刻T4)。このとき、第3トランジスタQ3が導通状態となる。そして、第1電源線Lvdに所定の基準電位GNDが付与されている。このため、第1コンデンサC1の第10電極E10に付与される電位が所定の基準電位GNDとなる。また、第11電極E11に付与される電位も所定の基準電位GNDであるため、第1コンデンサC1の両電極E10,E11間に蓄積される電荷がリセットされるリセット処理が開始される。   In step ST4, the potential Vrs applied to the reset line Lrs is set from the predetermined low potential Vl to the predetermined high potential Vh (time T4). At this time, the third transistor Q3 becomes conductive. A predetermined reference potential GND is applied to the first power supply line Lvd. For this reason, the potential applied to the tenth electrode E10 of the first capacitor C1 becomes the predetermined reference potential GND. Further, since the potential applied to the eleventh electrode E11 is also the predetermined reference potential GND, a reset process for resetting the charge accumulated between both electrodes E10 and E11 of the first capacitor C1 is started.

ステップST5では、第2電源線Lvsに付与される電位Vssが、所定の基準電位GNDに設定される(時刻T5)。このとき、チャージ処理が終了される。また、このとき、第2,3トランジスタQ2,Q3がそれぞれ導通状態であるため、リセット処理が終了されるとともに、Vth補償処理が開始される。   In step ST5, the potential Vss applied to the second power supply line Lvs is set to a predetermined reference potential GND (time T5). At this time, the charging process is terminated. At this time, since the second and third transistors Q2 and Q3 are in the conductive state, the reset process is ended and the Vth compensation process is started.

具体的には、有機EL素子OLEDの両極Ea,Ec間に蓄積された電荷が、第2及び第11電極E2,E11に作用し、第1トランジスタQ1のゲート電圧Vgsが、有機EL素子OLEDの両電極Ea,Ecの間に蓄積された所定の高電位Vpに対応する電荷に応じた電圧となる。よって、第1トランジスタQ1は導通状態にある。このため、時刻T5〜T7では、第1,2,7,8電極E1,E2,E7,E8を介した電荷の移動により、第1トランジスタQ1のゲート電圧VgsがVthに到達すると、第1トランジスタQ1が自動的に非導通状態に至るVth補償処理が行われる。   Specifically, the electric charge accumulated between the two electrodes Ea and Ec of the organic EL element OLED acts on the second and eleventh electrodes E2 and E11, and the gate voltage Vgs of the first transistor Q1 is changed to that of the organic EL element OLED. The voltage corresponds to the electric charge corresponding to the predetermined high potential Vp accumulated between the electrodes Ea and Ec. Therefore, the first transistor Q1 is in a conductive state. Therefore, at time T5 to T7, when the gate voltage Vgs of the first transistor Q1 reaches Vth due to the movement of charges through the first, second, eighth and eighth electrodes E1, E2, E7, E8, the first transistor A Vth compensation process for automatically bringing Q1 into a non-conductive state is performed.

ステップST6では、走査信号線Lslに付与される電位Vslが、所定の高電位Vhから所定の低電位Vlに設定される(時刻T6)。このとき、第4AトランジスタQ4Aが非導通状態となる。   In step ST6, the potential Vsl applied to the scanning signal line Lsl is set from the predetermined high potential Vh to the predetermined low potential Vl (time T6). At this time, the fourth A transistor Q4A is turned off.

ステップST7では、センス線Lsnに付与される電位Vsnが、所定の高電位Vhから所定の低電位Vlに設定される(時刻T7)。このとき、第2トランジスタQ2が非導通状態となり、Vth補償処理が終了され、第11電極E11の電位に対して第10電極E10の電位の方が閾値電圧Vth分だけ高い状態に保持される。   In step ST7, the potential Vsn applied to the sense line Lsn is set from the predetermined high potential Vh to the predetermined low potential Vl (time T7). At this time, the second transistor Q2 is turned off, the Vth compensation process is terminated, and the potential of the tenth electrode E10 is held higher than the potential of the eleventh electrode E11 by the threshold voltage Vth.

ステップST8では、画像信号線Ldataに付与される電位Vdtが、画素データ信号に応じた電位−Vdataに設定される(時刻T8)。なお、図9では、電位−Vdataが任意の値であるため、電位−Vdataが取り得る範囲が斜線のハッチングで示されている。   In step ST8, the potential Vdt applied to the image signal line Ldata is set to the potential −Vdata corresponding to the pixel data signal (time T8). In FIG. 9, since the potential −Vdata is an arbitrary value, the range that the potential −Vdata can take is indicated by hatching.

ステップST9では、走査信号線Lslに付与される電位Vslが、所定の低電位Vlから所定の高電位Vhに設定される(時刻T9)。このとき、第4AトランジスタQ4Aが導通状態となり、更に、第3トランジスタQ3が導通状態であり、且つ第1電源線Lvsに付与される電位Vddが所定の基準電位GNDに設定されている。このため、電位−Vdataが、第2AコンデンサC2Aを介して、第1コンデンサC1の第11電極E11に作用する一方で、第1コンデンサC1の第10電極E10が所定の基準電位GNDに設定される。つまり、第10電極E10と第11電極E11との間には、電位−Vdataに応じた電荷が蓄積される。但し、この蓄積される電荷の量は、電位−Vdataに対して第1コンデンサC1の容量(例えば、1pf)と第2AコンデンサC2Aの容量(例えば、1pf)とによって求まる比率α(例えば、1/(1+1)=1/2)を乗じた電位−Vdata×α(例えば、−Vdata/2)に応じたものとなる。つまり、第10電極E10の電位が、第11電極E11の電位よりもVdata×αだけ高くなる。   In step ST9, the potential Vsl applied to the scanning signal line Lsl is set from the predetermined low potential Vl to the predetermined high potential Vh (time T9). At this time, the fourth A transistor Q4A is turned on, the third transistor Q3 is turned on, and the potential Vdd applied to the first power supply line Lvs is set to a predetermined reference potential GND. For this reason, the potential -Vdata acts on the eleventh electrode E11 of the first capacitor C1 via the second A capacitor C2A, while the tenth electrode E10 of the first capacitor C1 is set to the predetermined reference potential GND. . That is, charges corresponding to the potential −Vdata are accumulated between the tenth electrode E10 and the eleventh electrode E11. However, the amount of accumulated electric charge is a ratio α (for example, 1 / pf) determined by the capacitance of the first capacitor C1 (for example, 1 pf) and the capacitance of the second A capacitor C2A (for example, 1 pf) with respect to the potential −Vdata. (1 + 1) = 1/2), which corresponds to a potential −Vdata × α (for example, −Vdata / 2). That is, the potential of the tenth electrode E10 is higher than the potential of the eleventh electrode E11 by Vdata × α.

ステップST10では、走査信号線Lslに付与される電位Vslが、所定の高電位Vhから所定の低電位Vlに設定される(時刻T10)。このとき、第4AトランジスタQ4Aが非導通状態となり、第10電極E10の電位が、第11電極E11の電位よりもVdata×αだけ高い状態で保持されることになる。すなわち、時刻T9〜T10では、第1トランジスタQ1のゲート電圧Vgsが、Vth+Vdata×αとなる電位設定処理が行われる。   In step ST10, the potential Vsl applied to the scanning signal line Lsl is set from the predetermined high potential Vh to the predetermined low potential Vl (time T10). At this time, the fourth A transistor Q4A becomes non-conductive, and the potential of the tenth electrode E10 is held in a state higher by Vdata × α than the potential of the eleventh electrode E11. That is, from time T9 to T10, a potential setting process is performed in which the gate voltage Vgs of the first transistor Q1 becomes Vth + Vdata × α.

図11のステップST11では、画像信号線Ldataに付与される電位Vdtが、所定の基準電位GNDに設定される(時刻T11)。   In step ST11 of FIG. 11, the potential Vdt applied to the image signal line Ldata is set to a predetermined reference potential GND (time T11).

ステップST12では、リセット線Lrsに付与される電位Vrsが、所定の高電位Vhから所定の低電位Vlに設定される(時刻T12)。このとき、第3トランジスタQ3が非導通状態となる。   In step ST12, the potential Vrs applied to the reset line Lrs is set from the predetermined high potential Vh to the predetermined low potential Vl (time T12). At this time, the third transistor Q3 is turned off.

ステップST13では、センス線Lsnに付与される電位Vsnが、所定の低電位Vlから所定の高電位Vhに設定される(時刻T13)。このとき、第2トランジスタQ2が導通状態となり、第2電極E2の電位と、第11電極E11との電位とが等価に保持されることになる。このため、第1トランジスタQ1のゲート電圧Vgsが、Vth+Vdata×αに保持されることになる。   In step ST13, the potential Vsn applied to the sense line Lsn is set from the predetermined low potential Vl to the predetermined high potential Vh (time T13). At this time, the second transistor Q2 becomes conductive, and the potential of the second electrode E2 and the potential of the eleventh electrode E11 are held equivalently. Therefore, the gate voltage Vgs of the first transistor Q1 is held at Vth + Vdata × α.

ステップST14では、第1電源線Lvdに付与される電位Vddが、所定の高電位Vpに設定される(時刻T14)。このとき、第1トランジスタQ1のゲート電圧VgsがVth+Vdata×αに設定されている。このため、トランジスタQ1の第1−2電極間で、画素データ信号に応じた電流が流れる。つまり、画素データ信号に応じた電流が有機EL素子OLEDに流れ、有機EL素子OLEDが、画素データ信号に応じた輝度で発光する。なお、この発光時には、多大な電流の流れにより、第2電極E2の電位が上昇することがあるが、第2電極E2と第11電極とが短絡しているため、第2電極E2の電位の上昇分がそのまま第3電極E3の電位を上昇させる。つまり、有機EL素子の発光時では、第1トランジスタQ1のゲート電圧VgsがVth+Vdata×αのまま保持される。   In step ST14, the potential Vdd applied to the first power supply line Lvd is set to a predetermined high potential Vp (time T14). At this time, the gate voltage Vgs of the first transistor Q1 is set to Vth + Vdata × α. Therefore, a current corresponding to the pixel data signal flows between the first and second electrodes of the transistor Q1. That is, a current corresponding to the pixel data signal flows through the organic EL element OLED, and the organic EL element OLED emits light with a luminance corresponding to the pixel data signal. During this light emission, the potential of the second electrode E2 may increase due to the flow of a large amount of current. However, since the second electrode E2 and the eleventh electrode are short-circuited, the potential of the second electrode E2 The increased amount increases the potential of the third electrode E3 as it is. That is, when the organic EL element emits light, the gate voltage Vgs of the first transistor Q1 is held as Vth + Vdata × α.

このようなステップST1〜ST14の処理により、有機EL素子OLEDにおける1フレーム分の発光が実現され、ステップST1〜ST14の処理が順次繰り返されることで、複数フレーム分の発光が行われる。   By the processing in steps ST1 to ST14, light emission for one frame is realized in the organic EL element OLED, and light emission for a plurality of frames is performed by sequentially repeating the processing in steps ST1 to ST14.

なお、上記では、表示パネル121に含まれる1つの画素回路1Bの駆動に着目して説明したが、表示パネル121に含まれる複数の画素回路1Bについても同様な駆動が行われる。そして、例えば、全画素回路1Bにおいて、準備期間PpAのうちのVth補償処理までが同時に行われた後に、電位設定処理が順次に行われた時点で、第1電源線Lvdに付与される電位Vddが、所定の高電位Vpに設定されることにより、全画素回路1Bにおいて同時に有機EL素子OLEDの発光が行われる。   In the above, the description has been given focusing on the driving of one pixel circuit 1B included in the display panel 121, but the same driving is also performed on the plurality of pixel circuits 1B included in the display panel 121. For example, in all the pixel circuits 1B, the potential Vdd applied to the first power supply line Lvd at the time when the potential setting processing is sequentially performed after the Vth compensation processing in the preparation period PpA is performed at the same time. However, by setting the predetermined high potential Vp, the light emission of the organic EL element OLED is simultaneously performed in all the pixel circuits 1B.

以上のように、第2実施形態に係る画像表示装置100Aでは、上記第1実施形態に係る画像表示装置100と同様に電気的に接続された、第1及び第2電源線Lvd,Lvs、第1〜3トランジスタQ1〜Q3、及び第1コンデンサC1を備えた構成が採用されている。このため、有機EL素子OLEDを発光させるための電圧を有機EL素子OLEDに印加する配線上に、2つのトランジスタを配置することなく、第1トランジスタQ1のゲート電圧Vgsを、閾値電圧Vthを考慮した所望の電圧に設定することができる。したがって、上記第1実施形態と同様に、画素回路の大型化や電力の利用効率の低下を招くことなく、画像におけるムラの発生を抑制することができる。   As described above, in the image display device 100A according to the second embodiment, the first and second power supply lines Lvd and Lvs, which are electrically connected in the same manner as the image display device 100 according to the first embodiment, The structure provided with 1-3 transistors Q1-Q3 and the 1st capacitor | condenser C1 is employ | adopted. Therefore, the gate voltage Vgs of the first transistor Q1 is considered in consideration of the threshold voltage Vth without arranging two transistors on the wiring for applying the voltage for causing the organic EL element OLED to emit light to the organic EL element OLED. It can be set to a desired voltage. Therefore, similarly to the first embodiment, it is possible to suppress the occurrence of unevenness in the image without causing an increase in the size of the pixel circuit and a reduction in power use efficiency.

また、上記第1実施形態と同様に、有機EL素子OLEDのカソード電極Ecが第2電源線Lvsに対して直接的に導電可能に接続されている。このため、表示パネル121Aに配列される全て(又は複数)の画素回路1Bに係る第2電源線Lvsを共通化することができる。したがって、表示パネル121Aに配列される全て(又は複数)の画素回路1Bのカソード電極Ecを共通のものとすることができる。その結果、表示パネル121Aにおけるカソード電極の構造を簡略化することが可能となり、製造工程の簡略化による歩留まりの向上、生産効率の向上、製造設備の簡略化、及びコスト低減等といった種々のメリットが得られる。   As in the first embodiment, the cathode electrode Ec of the organic EL element OLED is connected to the second power supply line Lvs so as to be directly conductive. For this reason, the second power supply lines Lvs related to all (or a plurality of) pixel circuits 1B arranged in the display panel 121A can be shared. Therefore, the cathode electrodes Ec of all (or a plurality of) pixel circuits 1B arranged on the display panel 121A can be made common. As a result, it becomes possible to simplify the structure of the cathode electrode in the display panel 121A, and there are various merits such as improvement in yield, improvement in production efficiency, simplification of manufacturing equipment, and cost reduction due to simplification of the manufacturing process. can get.

更に、第2実施形態に係る画像表示装置100Aでは、第1実施形態に係る画像表示装置100と比較して、Vth補償処理が終了した後に、有機EL素子OLEDに蓄積した電荷をリセットする素子初期化処理が不要となる。このため、有機EL素子OLEDを発光させるために第1トランジスタQ1のゲート電圧Vgsを設定する処理に要する時間の短縮化を図ることができる。その結果、準備期間PpAの短縮化が可能となり、いわゆるデューティの向上等を図ることが可能となる。   Furthermore, in the image display device 100A according to the second embodiment, as compared with the image display device 100 according to the first embodiment, after the Vth compensation process is completed, the element initial stage that resets the charge accumulated in the organic EL element OLED is reset. The conversion process becomes unnecessary. For this reason, it is possible to reduce the time required for the process of setting the gate voltage Vgs of the first transistor Q1 in order to cause the organic EL element OLED to emit light. As a result, the preparation period PpA can be shortened, so that so-called duty can be improved.

但し、第2実施形態に係る画素回路1Bでは、画像信号線Ldataと第1トランジスタQ1の第3電極E3とを電気的に接続する配線上に、第1及び第2AコンデンサC1,C2Aが直列して設けられている。このため、電位設定処理において、画像信号線Ldataに付与される電位−Vdataに対して、第1コンデンサC1の容量と第2AコンデンサC2Aの容量とによって求まる比率αを乗じた電位が、閾値電圧Vthに作用することで、ゲート電圧Vgsが設定される。   However, in the pixel circuit 1B according to the second embodiment, the first and second A capacitors C1 and C2A are connected in series on the wiring that electrically connects the image signal line Ldata and the third electrode E3 of the first transistor Q1. Is provided. Therefore, in the potential setting process, the potential obtained by multiplying the potential −Vdata applied to the image signal line Ldata by the ratio α obtained by the capacitance of the first capacitor C1 and the capacitance of the second A capacitor C2A is the threshold voltage Vth. As a result, the gate voltage Vgs is set.

一方、第1実施形態に係る画素回路1Aでは、第2実施形態に係る画素回路1Bと比較して、画像信号線Ldataと第1トランジスタQ1の第3電極E3とを電気的に接続する配線上に設けられているコンデンサの数が少ない。このため、電位設定処理において、画像信号線Ldataに付与される電位Vdataが、閾値電圧Vthに加算されることで、ゲート電圧Vgsが設定される。したがって、第1トランジスタQ1のゲート電圧Vgsを設定する際において、画素データ信号の電位Vdataを有効利用することができる観点から言えば、第1実施形態に係る画素回路1Aの方が好ましい。   On the other hand, in the pixel circuit 1A according to the first embodiment, as compared with the pixel circuit 1B according to the second embodiment, on the wiring that electrically connects the image signal line Ldata and the third electrode E3 of the first transistor Q1. The number of capacitors provided in is small. Therefore, in the potential setting process, the gate voltage Vgs is set by adding the potential Vdata applied to the image signal line Ldata to the threshold voltage Vth. Accordingly, when setting the gate voltage Vgs of the first transistor Q1, the pixel circuit 1A according to the first embodiment is preferable from the viewpoint of effectively using the potential Vdata of the pixel data signal.

以上、この発明の実施形態について説明したが、この発明は上記説明した内容のものに限定されるものではない。   As mentioned above, although embodiment of this invention was described, this invention is not limited to the thing of the content demonstrated above.

<変形例>
◎例えば、上記実施形態では、画像表示装置の一例として、携帯電話機を例示して説明したが、これに限られない。例えば、ノート型パソコンや家庭用の薄型テレビ装置等といったその他の画像表示装置を含む画像表示装置一般に本発明を適用しても、上記実施形態と同様な効果を得ることができる。
<Modification>
For example, in the above embodiment, a mobile phone has been described as an example of an image display device, but the present invention is not limited to this. For example, even when the present invention is generally applied to an image display device including other image display devices such as a notebook personal computer and a home-use thin television device, the same effects as those in the above embodiment can be obtained.

◎また、上記実施形態では、有機ELディスプレイを用いた画像表示装置を挙げて説明したが、本発明の適用対象はこれに限られない。例えば、無機材料によって構成されたEL素子など、電流量によって発光輝度が調整されるタイプ(電流制御型)の発光素子が配列された画像表示装置一般に本発明を適用することができる。   In the above embodiment, the image display device using the organic EL display has been described, but the application target of the present invention is not limited to this. For example, the present invention can be generally applied to an image display device in which light-emitting elements of a type whose light emission luminance is adjusted by a current amount (current control type) such as an EL element made of an inorganic material are arranged.

第1実施形態に係る画像表示装置の概略構成を例示する図である。It is a figure which illustrates schematic structure of the image display apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る画像表示装置の機能構成を例示するブロック図である。It is a block diagram which illustrates functional composition of an image display device concerning a 1st embodiment. 第1実施形態に係る画素回路の回路構成を例示する図である。FIG. 3 is a diagram illustrating a circuit configuration of a pixel circuit according to the first embodiment. 第1実施形態に係る信号波形を示すタイミングチャートである。It is a timing chart which shows the signal waveform concerning a 1st embodiment. 第1実施形態に係る画素回路の動作フローを示すフローチャートである。3 is a flowchart illustrating an operation flow of the pixel circuit according to the first embodiment. 第1実施形態に係る画素回路の動作フローを示すフローチャートである。3 is a flowchart illustrating an operation flow of the pixel circuit according to the first embodiment. 第1実施形態に係る画素回路の動作フローを示すフローチャートである。3 is a flowchart illustrating an operation flow of the pixel circuit according to the first embodiment. 第2実施形態に係る画素回路の回路構成を例示する図である。It is a figure which illustrates the circuit structure of the pixel circuit which concerns on 2nd Embodiment. 第2実施形態に係る信号波形を示すタイミングチャートである。It is a timing chart which shows the signal waveform concerning a 2nd embodiment. 第2実施形態に係る画素回路の動作フローを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the operation | movement flow of the pixel circuit which concerns on 2nd Embodiment. 第2実施形態に係る画素回路の動作フローを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the operation | movement flow of the pixel circuit which concerns on 2nd Embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

1A,1B 画素回路
100,100A 画像表示装置
110 本体部
111,111A 制御部
120 表示部
121,121A 表示パネル
C1 第1コンデンサ
C2 第2コンデンサ
C2A 第2Aコンデンサ
Ldata 画像信号線
Lrs リセット線
Lsl 走査信号線
Lsn センス線
Lvd 第1電源線
Lvs 第2電源線
Q1 第1トランジスタ
Q2 第2トランジスタ
Q3 第3トランジスタ
Q4 第4トランジスタ
Q4A 第4Aトランジスタ
1A, 1B Pixel Circuit 100, 100A Image Display Device 110 Main Body 111, 111A Control Unit 120 Display Unit 121, 121A Display Panel C1 First Capacitor C2 Second Capacitor C2A Second A Capacitor Ldata Image Signal Line Lrs Reset Line Lsl Scanning Signal Line Lsn Sense line Lvd First power line Lvs Second power line Q1 First transistor Q2 Second transistor Q3 Third transistor Q4 Fourth transistor Q4A Fourth A transistor

Claims (2)

発光素子と、
第1、第2、第3電極を有し、前記第1電極と前記第2電極との間における電流量を、前記第3電極に付与される電位によって調整する第1トランジスタと、
第4、第5、第6電極を有し、前記第4電極と前記第5電極との間における電流量を、前記第6電極に付与される電位によって調整する第2トランジスタと、
第7、第8、第9電極を有し、前記第7電極と前記第8電極との間における電流量を、前記第9電極に付与される電位によって調整する第3トランジスタと、
第10、第11電極を有し、前記第10電極と前記第11電極との間で電気容量を得るように構成された第1コンデンサと、
前記発光素子を発光させる際に、前記発光素子の一方電極に対して第1電位(Vdd)を付与する第1付与部と、
前記発光素子を発光させる際に、前記発光素子の前記一方電極とは異なる他方電極に対して前記第1電位よりも相対的に低い第2電位(Vss)を付与する第2付与部と、
第12、第13、第14電極を有し、前記第12電極と前記第13電極との間における電流量を、前記第14電極に付与される電位によって調整する第4トランジスタと、
第15、第16電極を有し、前記第15電極と前記第16電極との間で電気容量を得るように構成された第2コンデンサと、
画素データ信号に応じた電位(Vdt)が供給される画像信号線と、
を備え、
前記第1電極が、前記第1付与部、及び前記第7電極に対して電気的に接続され、
前記第2電極が、前記一方電極に対して電気的に接続されており、前記第1電極と前記第2電極との間における電流量が調整されることで、前記発光素子における電流量が制御され、
前記第3電極が、前記第8、第10電極に対して電気的に接続され、
前記第4電極が、前記第11電極に対して電気的に接続され、
前記第5電極が、前記第2電極及び前記一方電極に対して電気的に接続され、
前記第7電極が、前記第1付与部に対して電気的に接続され、
前記第8電極が、前記第10電極に対して電気的に接続され、
前記第12電極が、前記画像信号線に対して電気的に接続され、
前記第13電極が、前記第4、第11、第15電極に対して電気的に接続され、
前記第15電極が、前記第4、第11電極に対して電気的に接続され、
前記第16電極が、前記一方電極、前記第2、第5電極に対して電気的に接続され、そして、
前記画像表示装置は、前記発光素子の発光輝度を調整するための準備期間(Pp)において、
(1)前記第1電位を基準電位(GND)に設定し、
(2)前記第2電位を第1の高電位(Vp)に設定し、
(3)前記第3トランジスタを導通状態にし、
(4)前記第4トランジスタを導通状態にし、前記第1コンデンサの第10電極及び第11電極に蓄積される電荷がリセットされ、
(5)前記第3トランジスタを非導通状態にし、
(6)前記画像データ信号に応じた電位(Vdt)を第2の高電位(Vvh)に設定し、前記発光素子の一方電極及び他方電極の間に、前記第1の高電位(Vp)に対応する電荷が蓄積され、
(7)前記画像データ信号に応じた電位(Vdt)を前記基準電位(GND)に設定し、
(8)前記第4トランジスタを非導通状態にし、
(9)前記第3トランジスタを導通状態にし、
(10)前記第2トランジスタを導通状態にし、
(11)前記第2電位を前記基準電位(GND)に設定し、前記第1トランジスタのゲート電圧(Vgs)が閾値電位(Vth)に到達すると、前記第1トランジスタが自動的に非導通状態になり、
(12)前記第3トランジスタを非導通状態にし、
(13)前記第2トランジスタを非導通状態にし、
(14)前記第4トランジスタを導通状態にし、
(15)前記画像データ信号に応じた電位(Vdt)を前記第2の高電位(Vvh)に設定し、前記発光素子の一方電極及び他方電極の間に残留する電荷がリセットされ、
(16)前記画像データ信号に応じた電位(Vdt)を前記基準電位(GND)に設定し、
(17)前記第4トランジスタを非導通状態にし、
(18)前記画像データ信号に応じた電位(Vdt)を所定の電位(Vdata)に設定し、
(19)前記第4トランジスタを導通状態にし、前記第1トランジスタのゲート電圧(Vgs)が前記閾値電圧(Vth)と前記所定の電位(Vdata)とを加えた値(Vth+Vdata)に設定され、
(20)前記第4トランジスタを非導通状態にし、
(21)前記画像データ信号に応じた電位(Vdt)を前記基準電位(GND)に設定し、
(22)前記第1電位(Vdd)を前記第1の高電位(Vp)に設定する、
ことを特徴とする液晶表示装置。
A light emitting element;
A first transistor having first, second, and third electrodes, and adjusting an amount of current between the first electrode and the second electrode by a potential applied to the third electrode;
A second transistor having fourth, fifth, and sixth electrodes, and adjusting a current amount between the fourth electrode and the fifth electrode by a potential applied to the sixth electrode;
A third transistor having seventh, eighth, and ninth electrodes, and adjusting an amount of current between the seventh electrode and the eighth electrode by a potential applied to the ninth electrode;
A first capacitor having tenth and eleventh electrodes and configured to obtain a capacitance between the tenth electrode and the eleventh electrode;
A first applying unit that applies a first potential (Vdd) to one electrode of the light emitting element when the light emitting element emits light;
A second applying unit that applies a second potential (Vss) that is relatively lower than the first potential to the other electrode different from the one electrode of the light emitting device when the light emitting device emits light;
A fourth transistor having twelfth, thirteenth and fourteenth electrodes, and adjusting a current amount between the twelfth electrode and the thirteenth electrode by a potential applied to the fourteenth electrode;
A second capacitor having fifteenth and sixteenth electrodes and configured to obtain a capacitance between the fifteenth electrode and the sixteenth electrode;
An image signal line to which a potential (Vdt) corresponding to the pixel data signal is supplied;
With
The first electrode is electrically connected to the first application portion and the seventh electrode;
The second electrode is electrically connected to the one electrode, and a current amount in the light emitting element is controlled by adjusting a current amount between the first electrode and the second electrode. And
The third electrode is electrically connected to the eighth and tenth electrodes;
The fourth electrode is electrically connected to the eleventh electrode;
The fifth electrode is electrically connected to the second electrode and the one electrode;
The seventh electrode is electrically connected to the first application portion;
The eighth electrode is electrically connected to the tenth electrode;
The twelfth electrode is electrically connected to the image signal line;
The thirteenth electrode is electrically connected to the fourth, eleventh and fifteenth electrodes;
The fifteenth electrode is electrically connected to the fourth and eleventh electrodes;
The sixteenth electrode is electrically connected to the one electrode, the second and fifth electrodes, and
In the preparation period (Pp) for adjusting the light emission luminance of the light emitting element, the image display device
(1) setting the first potential to a reference potential (GND);
(2) setting the second potential to a first high potential (Vp);
(3) bringing the third transistor into a conductive state;
(4) The fourth transistor is turned on, and electric charges accumulated in the tenth and eleventh electrodes of the first capacitor are reset,
(5) turning off the third transistor;
(6) A potential (Vdt) corresponding to the image data signal is set to a second high potential (Vvh), and the first high potential (Vp) is set between one electrode and the other electrode of the light emitting element. The corresponding charge is accumulated,
(7) A potential (Vdt) corresponding to the image data signal is set to the reference potential (GND),
(8) turning off the fourth transistor;
(9) bringing the third transistor into a conductive state;
(10) bringing the second transistor into a conductive state;
(11) When the second potential is set to the reference potential (GND) and the gate voltage (Vgs) of the first transistor reaches a threshold potential (Vth), the first transistor is automatically turned off. Become
(12) turning off the third transistor;
(13) turning off the second transistor;
(14) bringing the fourth transistor into a conductive state;
(15) A potential (Vdt) corresponding to the image data signal is set to the second high potential (Vvh), and the charge remaining between the one electrode and the other electrode of the light emitting element is reset,
(16) A potential (Vdt) corresponding to the image data signal is set to the reference potential (GND),
(17) turning off the fourth transistor;
(18) A potential (Vdt) corresponding to the image data signal is set to a predetermined potential (Vdata),
(19) The fourth transistor is turned on, and the gate voltage (Vgs) of the first transistor is set to a value (Vth + Vdata) obtained by adding the threshold voltage (Vth) and the predetermined potential (Vdata).
(20) turning off the fourth transistor;
(21) A potential (Vdt) corresponding to the image data signal is set to the reference potential (GND),
(22) The first potential (Vdd) is set to the first high potential (Vp).
A liquid crystal display device characterized by the above.
発光素子と、
第1、第2、第3電極を有し、前記第1電極と前記第2電極との間における電流量を、前記第3電極に付与される電位によって調整する第1トランジスタと、
第4、第5、第6電極を有し、前記第4電極と前記第5電極との間における電流量を、前記第6電極に付与される電位によって調整する第2トランジスタと、
第7、第8、第9電極を有し、前記第7電極と前記第8電極との間における電流量を、前記第9電極に付与される電位によって調整する第3トランジスタと、
第10、第11電極を有し、前記第10電極と前記第11電極との間で電気容量を得るように構成された第1コンデンサと、
前記発光素子を発光させる際に、前記発光素子の一方電極に対して第1電位(Vdd)を付与する第1付与部と、
前記発光素子を発光させる際に、前記発光素子の前記一方電極とは異なる他方電極に対して前記第1電位よりも相対的に低い第2電位(Vss)を付与する第2付与部と、
第12、第13、第14電極を有し、前記第12電極と前記第13電極との間における電流量を、前記第14電極に付与される電位によって調整する第4トランジスタと、
第15、第16電極を有し、前記第15電極と前記第16電極との間で電気容量を得るように構成された第2コンデンサと、
画素データ信号に応じた電位(Vdt)が供給される画像信号線と、
を備え、
前記第1電極が、前記第1付与部、及び前記第7電極に対して電気的に接続され、
前記第2電極が、前記一方電極に対して電気的に接続されており、前記第1電極と前記第2電極との間における電流量が調整されることで、前記発光素子における電流量が制御され、
前記第3電極が、前記第8、第10電極に対して電気的に接続され、
前記第4電極が、前記第11電極に対して電気的に接続され、
前記第5電極が、前記第2電極及び前記一方電極に対して電気的に接続され、
前記第7電極が、前記第1付与部に対して電気的に接続され、
前記第8電極が、前記第10電極に対して電気的に接続され、
前記第12電極が、前記画像信号線に対して電気的に接続され、
前記第13電極が、前記第15電極に対して電気的に接続され、
前記第16電極が、前記第4、第11電極に対して電気的に接続され、そして、
前記画像表示装置は、前記発光素子の発光輝度を調整するための準備期間(PpA)において、
(1)前記第1電位を基準電位(GND)に設定し、
(2)前記第2電位を第1の高電位(Vp)に設定し、前記発光素子の一方電極及び他方電極の間に、前記第1の高電位(Vp)に対応する電荷が蓄積され、
(3)前記第4トランジスタを導通状態にし、
(4)前記第3トランジスタを導通状態にし、前記第1コンデンサの第10電極及び第11電極間に蓄積される電荷がリセットされ、
(5)前記第2電位(Vss)を前記基準電位(GND)に設定し、前記第1トランジスタのゲート電圧(Vgs)が閾値電位(Vth)に到達すると、前記第1トランジスタが自動的に非導通状態になり、
(6)前記第4トランジスタを非導通状態にし、
(7)前記第2トランジスタを非導通状態にし、
(8)前記画像データ信号に応じた電圧(Vdt)を所定の電位(−Vdata)に設定し、
(9)前記第4トランジスタを導通状態にし、前記第1コンデンサの第10電極及び第11電極との間に、前記所定の電位(−Vdata)に応じた電荷(Vdata x α)が蓄積され、
(10)前記第4トランジスタを非導通状態にし、前記第1トランジスタのゲート電圧(Vgs)が、前記閾値電位(Vth)と前記所定の電位に応じた電荷(Vdata x α)とを加えた値(Vth + Vdata x α)になり、
(11)前記画像データ信号に応じた電圧(Vdt)を前記基準電位(GND)に設定し、
(12)前記第3トランジスタを非導通状態にし、
(13)前記第2トランジスタを導通状態にし、
(14)前記第1電位(Vdd)を前記第1の高電位(Vp)に設定する、
ことを特徴とする液晶表示装置。
A light emitting element;
A first transistor having first, second, and third electrodes, and adjusting an amount of current between the first electrode and the second electrode by a potential applied to the third electrode;
A second transistor having fourth, fifth, and sixth electrodes, and adjusting a current amount between the fourth electrode and the fifth electrode by a potential applied to the sixth electrode;
A third transistor having seventh, eighth, and ninth electrodes, and adjusting an amount of current between the seventh electrode and the eighth electrode by a potential applied to the ninth electrode;
A first capacitor having tenth and eleventh electrodes and configured to obtain a capacitance between the tenth electrode and the eleventh electrode;
A first applying unit that applies a first potential (Vdd) to one electrode of the light emitting element when the light emitting element emits light;
A second applying unit that applies a second potential (Vss) that is relatively lower than the first potential to the other electrode different from the one electrode of the light emitting device when the light emitting device emits light;
A fourth transistor having twelfth, thirteenth and fourteenth electrodes, and adjusting a current amount between the twelfth electrode and the thirteenth electrode by a potential applied to the fourteenth electrode;
A second capacitor having fifteenth and sixteenth electrodes and configured to obtain a capacitance between the fifteenth electrode and the sixteenth electrode;
An image signal line to which a potential (Vdt) corresponding to the pixel data signal is supplied;
With
The first electrode is electrically connected to the first application portion and the seventh electrode;
The second electrode is electrically connected to the one electrode, and a current amount in the light emitting element is controlled by adjusting a current amount between the first electrode and the second electrode. And
The third electrode is electrically connected to the eighth and tenth electrodes;
The fourth electrode is electrically connected to the eleventh electrode;
The fifth electrode is electrically connected to the second electrode and the one electrode;
The seventh electrode is electrically connected to the first application portion;
The eighth electrode is electrically connected to the tenth electrode;
The twelfth electrode is electrically connected to the image signal line;
The thirteenth electrode is electrically connected to the fifteenth electrode;
The sixteenth electrode is electrically connected to the fourth and eleventh electrodes; and
In the preparation period (PpA) for adjusting the light emission luminance of the light emitting element, the image display device
(1) setting the first potential to a reference potential (GND);
(2) The second potential is set to a first high potential (Vp), and a charge corresponding to the first high potential (Vp) is accumulated between one electrode and the other electrode of the light emitting element,
(3) bringing the fourth transistor into a conductive state;
(4) The third transistor is made conductive, and the charge accumulated between the tenth electrode and the eleventh electrode of the first capacitor is reset,
(5) When the second potential (Vss) is set to the reference potential (GND) and the gate voltage (Vgs) of the first transistor reaches the threshold potential (Vth), the first transistor is automatically turned off. Become conductive,
(6) turning off the fourth transistor;
(7) turning off the second transistor;
(8) A voltage (Vdt) corresponding to the image data signal is set to a predetermined potential (−Vdata),
(9) The fourth transistor is turned on, and a charge (Vdata x α) corresponding to the predetermined potential (−Vdata) is accumulated between the tenth electrode and the eleventh electrode of the first capacitor,
(10) The fourth transistor is turned off, and the gate voltage (Vgs) of the first transistor is a value obtained by adding the threshold potential (Vth) and the charge (Vdata x α) corresponding to the predetermined potential. (Vth + Vdata x α)
(11) A voltage (Vdt) corresponding to the image data signal is set to the reference potential (GND),
(12) turning off the third transistor;
(13) bringing the second transistor into a conductive state;
(14) The first potential (Vdd) is set to the first high potential (Vp).
A liquid crystal display device characterized by the above.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5305242B2 (en) * 2009-06-09 2013-10-02 カシオ計算機株式会社 Pixel drive circuit, light emitting device, drive control method thereof, and electronic apparatus
JP5795893B2 (en) * 2011-07-07 2015-10-14 株式会社Joled Display device, display element, and electronic device
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US9454932B2 (en) 2011-11-24 2016-09-27 Joled Inc. Display device and method of controlling the same
US9299290B2 (en) 2011-11-24 2016-03-29 Joled Inc. Display device and control method thereof
JP6300534B2 (en) 2014-01-17 2018-03-28 株式会社ジャパンディスプレイ Display device
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB0301623D0 (en) * 2003-01-24 2003-02-26 Koninkl Philips Electronics Nv Electroluminescent display devices
JP3901105B2 (en) * 2003-02-14 2007-04-04 ソニー株式会社 Pixel circuit, display device, and driving method of pixel circuit
JP4734529B2 (en) * 2003-02-24 2011-07-27 奇美電子股▲ふん▼有限公司 Display device
JP4484451B2 (en) * 2003-05-16 2010-06-16 奇美電子股▲ふん▼有限公司 Image display device
JP4297438B2 (en) * 2003-11-24 2009-07-15 三星モバイルディスプレイ株式會社 Light emitting display device, display panel, and driving method of light emitting display device
JP2007121889A (en) * 2005-10-31 2007-05-17 Sony Corp Pixel circuit, display device, and method of driving pixel circuit
JP2007187779A (en) * 2006-01-12 2007-07-26 Seiko Epson Corp Electronic circuit, electronic apparatus, driving method thereof, and electronic equipment

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