JP5124215B2 - レジスト組成物、該レジスト組成物に用いられる樹脂、該樹脂の合成に用いられる化合物及び該レジスト組成物を用いたパターン形成方法 - Google Patents

レジスト組成物、該レジスト組成物に用いられる樹脂、該樹脂の合成に用いられる化合物及び該レジスト組成物を用いたパターン形成方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5124215B2
JP5124215B2 JP2007239148A JP2007239148A JP5124215B2 JP 5124215 B2 JP5124215 B2 JP 5124215B2 JP 2007239148 A JP2007239148 A JP 2007239148A JP 2007239148 A JP2007239148 A JP 2007239148A JP 5124215 B2 JP5124215 B2 JP 5124215B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
resin
resist composition
repeating unit
alkyl group
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2007239148A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2008107806A (ja
JP2008107806A5 (enExample
Inventor
浩 三枝
健二 和田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Corp
Original Assignee
Fujifilm Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujifilm Corp filed Critical Fujifilm Corp
Priority to JP2007239148A priority Critical patent/JP5124215B2/ja
Publication of JP2008107806A publication Critical patent/JP2008107806A/ja
Publication of JP2008107806A5 publication Critical patent/JP2008107806A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5124215B2 publication Critical patent/JP5124215B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
JP2007239148A 2006-09-25 2007-09-14 レジスト組成物、該レジスト組成物に用いられる樹脂、該樹脂の合成に用いられる化合物及び該レジスト組成物を用いたパターン形成方法 Active JP5124215B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007239148A JP5124215B2 (ja) 2006-09-25 2007-09-14 レジスト組成物、該レジスト組成物に用いられる樹脂、該樹脂の合成に用いられる化合物及び該レジスト組成物を用いたパターン形成方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006259549 2006-09-25
JP2006259549 2006-09-25
JP2007239148A JP5124215B2 (ja) 2006-09-25 2007-09-14 レジスト組成物、該レジスト組成物に用いられる樹脂、該樹脂の合成に用いられる化合物及び該レジスト組成物を用いたパターン形成方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2008107806A JP2008107806A (ja) 2008-05-08
JP2008107806A5 JP2008107806A5 (enExample) 2010-04-02
JP5124215B2 true JP5124215B2 (ja) 2013-01-23

Family

ID=39441148

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007239148A Active JP5124215B2 (ja) 2006-09-25 2007-09-14 レジスト組成物、該レジスト組成物に用いられる樹脂、該樹脂の合成に用いられる化合物及び該レジスト組成物を用いたパターン形成方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5124215B2 (enExample)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5064759B2 (ja) * 2006-10-19 2012-10-31 株式会社ダイセル フォトレジスト用高分子化合物及びその製造方法
WO2008053697A1 (fr) 2006-10-31 2008-05-08 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Composition à résistance positive et procédé de formation de modèle de résistance
JP5165227B2 (ja) 2006-10-31 2013-03-21 東京応化工業株式会社 化合物および高分子化合物
JP4818882B2 (ja) * 2006-10-31 2011-11-16 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP4771974B2 (ja) * 2007-02-19 2011-09-14 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
JP4621754B2 (ja) 2007-03-28 2011-01-26 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物およびパターン形成方法
JP5277128B2 (ja) 2008-09-26 2013-08-28 富士フイルム株式会社 液浸露光用ポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法
JP4666190B2 (ja) * 2008-10-30 2011-04-06 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP5282621B2 (ja) * 2009-03-26 2013-09-04 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物及びレジストパターン形成方法
JP5586294B2 (ja) 2009-03-31 2014-09-10 富士フイルム株式会社 感活性光線性または感放射線性樹脂組成物、及び該組成物を用いたパターン形成方法
EP2280308A1 (en) * 2009-06-08 2011-02-02 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Processes for photolithography
JP5728884B2 (ja) * 2010-10-20 2015-06-03 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物及びその製造方法
JP5728883B2 (ja) * 2010-10-20 2015-06-03 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物
WO2013146532A1 (ja) * 2012-03-28 2013-10-03 Jsr株式会社 液浸露光用感放射線性樹脂組成物及びレジストパターン形成方法
TWI602015B (zh) 2012-07-18 2017-10-11 住友化學股份有限公司 光阻組成物及光阻圖案之產生方法
JP6695147B2 (ja) * 2015-01-07 2020-05-20 住友化学株式会社 レジスト組成物の製造方法、レジストパターンの製造方法及び樹脂の製造方法
TWI709576B (zh) * 2016-02-23 2020-11-11 日商迪愛生股份有限公司 彩色阻劑組成物、濾色器及彩色阻劑組成物之製造方法
WO2025205559A1 (ja) * 2024-03-29 2025-10-02 富士フイルム株式会社 樹脂の製造方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の製造方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法
WO2025205553A1 (ja) * 2024-03-29 2025-10-02 富士フイルム株式会社 樹脂の製造方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004271630A (ja) * 2003-03-05 2004-09-30 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型レジスト組成物
JP2004361579A (ja) * 2003-06-03 2004-12-24 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型レジスト組成物
JP5114022B2 (ja) * 2006-01-23 2013-01-09 富士フイルム株式会社 パターン形成方法
JP5114021B2 (ja) * 2006-01-23 2013-01-09 富士フイルム株式会社 パターン形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008107806A (ja) 2008-05-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5124215B2 (ja) レジスト組成物、該レジスト組成物に用いられる樹脂、該樹脂の合成に用いられる化合物及び該レジスト組成物を用いたパターン形成方法
TWI422972B (zh) 光阻組成物、用於光阻組成物之樹脂、用於合成該樹脂之化合物、及使用該光阻組成物之圖案形成方法
JP5222679B2 (ja) レジスト組成物、及び該レジスト組成物を用いたパターン形成方法
JP4861767B2 (ja) ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法
JP5401046B2 (ja) レジスト表面疎水化用樹脂の製造方法、その製造方法及び該樹脂を含有するポジ型レジスト組成物の調整方法、レジスト膜の形成方法、及び、パターン形成方法
EP1795960B1 (en) Positive resist composition, pattern forming method using the positive resist composition, use of the positive resit composition
JP4691442B2 (ja) ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法
JP5140329B2 (ja) レジスト組成物及び該レジスト組成物を用いたパターン形成方法
JP5358107B2 (ja) ポジ型レジスト組成物およびパターン形成方法
JP4839253B2 (ja) ポジ型レジスト組成物およびパターン形成方法
JP5171491B2 (ja) ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP4871715B2 (ja) ポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物に用いられる樹脂、該樹脂の合成に用いられる化合物及び該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法
JP4774302B2 (ja) 液浸露光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP4866688B2 (ja) ポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジスト組成物に用いられる樹脂、該樹脂の合成に用いられる化合物及び該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法
JP5075976B2 (ja) ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP4961312B2 (ja) レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP4961374B2 (ja) ポジ型レジスト組成物およびパターン形成方法
JP2009075430A (ja) ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP5222981B2 (ja) ポジ型レジスト組成物およびパターン形成方法
JP5075977B2 (ja) ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP4796811B2 (ja) ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法
JP5572643B2 (ja) レジスト組成物及び該レジスト組成物を用いたパターン形成方法
JP2007093728A (ja) ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100217

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100217

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20111216

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120207

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20120213

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120406

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20120914

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20121002

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20121029

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151102

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 5124215

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250