JP5101841B2 - 高分子多孔質体の製造方法 - Google Patents
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Description
で表される既知の化合物である。
「Journal of Organic Chemistry」、米国23巻、329〜330頁(1958年)(全文:シロ−イノソースのNaBH4還元及びシロ−イノシトールホウ酸複合体の構造決定)
(式中、nは0〜20、R1は炭素数2〜10のアルケニル基、炭素数2〜10のアルキニル基または下記一般式(2);
(式中、R4〜R6は同一又は異なって、水素原子、炭素数1〜10のアルキル基を示し、R7は水素原子、炭素数1〜10のアルキル基、アルコキシ基を示す。)で表されるフェニル基を示し、R2は保護基を示し、R3は水素原子又は保護基を示し、R2及びR3の保護基は同一又は異なっていてもよい。)で表される化合物が挙げられる。
実施例1
各原料及びその使用量を、表1に示すものとして、実施例1と同様の方法で1−C−p−ビニルフェニル−シロイノシトール/ジビニルベンゼン共重合体(実施例2及び5〜7)、又は1−C−p−ビニルフェニル−シロイノシトール/スチレン/ジビニルベンゼン共重合体(実施例3及び4)を作製した。
各原料及びその使用量を、表1に示すものとして、実施例1と同様の方法でシロイノシトール/ジビニルベンゼン共重合体を作製した。なお、比較例は油溶性希釈剤を使用せず、25℃における粘度が10Pa・sを越える油部とした例である。なお、比較例1のエマルジョンは相分離した不均一な状態となり、重合に適した油中水滴型エマルジョンは作製できなかった。
1−C−p−ビニルフェニル−シロ−イノシトールトリメチルシリル体に代えて、1−C−p−ビニルフェニル−シロ−イノシトールを用いた以外は、実施例1と同様の方法で行った。すなわち、比較例2は保護基のない重合性シロ−イノシトールを使用したものである。なお、比較例2のエマルジョンは相分離した不均一な状態となり、重合に適した油中水滴型エマルジョンは作製できなかった。
実施例1で得られた1−C−p−ビニルフェニル−シロ−イノシトール/ジビニルベンゼン共重合体0.5gを、pH9に調整した78mM濃度のホウ素含有溶液100mlに24時間浸漬してホウ素除去率を求めた。その結果、24時間後のホウ素含有溶液(処理水)のホウ素濃度は23.4mMであり、ホウ素除去率70.0%であった。この結果から、効率的にホウ酸が除去されていることがわかった。また、吸着量からイノシトール1分子あたり1分子以上のホウ酸が吸着されていると推定された。
Claims (5)
- 次式(1);
(式中、nは0〜20、R 1 は炭素数2〜10のアルケニル基、炭素数2〜10のアルキニル基または下記一般式(2);
(式中、R 4 〜R 6 は同一又は異なって、水素原子、炭素数1〜10のアルキル基を示し、R 7 は水素原子、炭素数1〜10のアルキル基、アルコキシ基を示す。)で表されるフェニル基を示し、R 2 は保護基を示し、R 3 は水素原子又は保護基を示し、R 2 及びR 3 の保護基は同一又は異なっていてもよい。)で表される油溶性重合性シロ−イノシトール誘導体及び架橋性モノマーを含有し、25℃における粘度が10Pa・s以下の油部と、水を攪拌混合して、油中水滴型エマルジョンを調製する工程と、油中水滴型エマルジョンを重合する工程とを有することを特徴とする高分子多孔質体の製造方法。 - 該保護基は、トリアルキルシリル基、アシル基、ベンゾイル基、アルキル基、トリフェニルメチル基、アセタール基またはケタール基であって、該油中水滴型エマルジョンを重合する工程後、共重合されたシロ−イノシトール誘導体の該保護基を外す工程を行うことを特徴とする請求項1記載の高分子多孔質体の製造方法。
- 該油部に、油溶性希釈剤を更に含有させることを特徴とする請求項1又は2記載の高分子多孔質体の製造方法。
- 該油溶性希釈剤の配合量は、該油中、85%重量以下であることを特徴とする請求項3記載の高分子多孔質体の製造方法。
- 該高分子多孔質体は、ホウ酸結合能を有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項記載の高分子多孔質体の製造方法。
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