JP5100045B2 - 多層直接変換式コンピュータ断層検出器モジュール - Google Patents
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- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
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Description
12 線源
14 コリメータ
16 放射線ストリーム
18 対象/患者
20 放射線の一部
22 検出器
24 システム制御装置
26 回転サブシステム
28 直線的位置決めサブシステム
30 X線制御装置
32 モータ制御装置
34 データ収集システム
36 コンピュータ
38 メモリ
40 オペレータ・ワークステーション
42 ディスプレイ
44 プリンタ
46 画像蓄積伝送システム
48 リモートシステム
50 CTスキャン・システム
52 フレーム
54 ガントリ
56 開口
58 患者テーブル
62 焦点
64 画像スライス
66 フィーチャ
68 多層式直接変換検出器モジュールの例示的実施形態
70 サブストレート
72 複数の検出器層
74 個々の検出器層
76 画素分解陽極接点
78 共通陰極接点
80 放射線の方向
82 検出器層の高さ
84 検出器層の長さ
86 検出器層の厚さ
88 Z方向に延びる相互電気接続層
90 コネクタ
92 サブストレートとでJ字型の接点をつくる相互電気接続層
94 Y方向に延びる相互電気接続層
96 コネクタ
98 検出器層上の1つの縦列
100 制御格子構造を伴わない検出器層の前面像
102 制御格子構造を伴わない検出器層の側面像
104 リング状の制御格子構造を伴った検出器層の前面像
106 陽極画素領域
108 画素分解陽極接点
110 リング状制御格子構造
112 リング状制御格子構造を伴った検出器層の側面像
114 フィンガ形状制御格子構造を伴った検出器層の前面像
116 フィンガ形状制御格子構造
118 オフセットさせた陽極接点を伴った検出器層の前面像
120 陽極接点のオフセット
122 多層式直接変換検出器モジュールの例示的な実施形態
124 サブストレート
126 複数の検出器層
128 個々の検出器層
130 小さい画素分解陽極接点
132 大きい画素分解陽極接点
134 共通陰極接点
136 放射線の方向
138 検出器層の高さ
140 検出器層の長さ
142 検出器層の厚さ
144 Z方向に延びる相互電気接続層
146 コネクタ
148 サブストレートとでJ字型の接点をつくる相互電気接続層
150 Y方向に延びる相互電気接続層
152 コネクタ
154 検出器層上の1つの縦列
156 制御格子構造を伴わない検出器層の前面像
158 リング状制御格子構造を伴った検出器層の前面像
160 小さい画素分解陽極接点
162 大きい画素分解陽極接点
164 陽極接点電極
166 リング状制御格子構造
168 フィンガ形状制御格子構造を伴った検出器層の前面像
170 フィンガ形状制御格子構造
172 オフセットさせた陽極接点を伴った検出器層の前面像
174 陽極接点のオフセット
176 多層式直接変換検出器モジュールの例示的実施形態
178 サブストレート
180 複数の検出器層
182 個々の検出器層
184 小さい画素分解陽極接点
186 大きい画素分解陽極接点
188 共通陰極接点
190 放射線の方向
192 検出器層向きの角度
194 検出器層の高さ
196 検出器層の長さ
198 検出器層の厚さ
200 Z方向に延びる相互電気接続層
202 コネクタ
204 サブストレートとでJ字型の接点をつくる相互電気接続層
206 Y方向に延びる相互電気接続層
208 コネクタ
210 傾斜した検出器層の側面像
212 例示的な検出器層の前面像
214 放射線の方向
216 例示的な検出器層
218 サイズを様々とした画素分解陽極接点
Claims (7)
- 上側側面及び底側側面を有し、XZ平面に沿って配置されたサブストレート(70)と、
前記サブストレート(70)の上側側面上でサブストレート(70)と実質的に直角な方向でYZ平面に沿って配置させた複数の検出器層(72)であって、該複数の検出器層(72)のそれぞれは放射線を吸収するように構成された直接変換材料を備えており、かつ該複数の検出器層(72)のそれぞれは第1の側面及び第2の側面を備えている、複数の検出器層(72)と、
前記複数の検出器層(72)のそれぞれの第1の側面上に配置された複数の画素分解陽極接点(76)と、
前記複数の検出器層(72)のそれぞれの第2の側面上に配置された共通陰極接点(78)と、
前記複数の検出器層(72)の隣接層のそれぞれの間に配置させた相互電気接続層(88)であって、前記相互電気接続層(88)のZ方向の寸法が前記複数の検出器層(72)のZ方向の寸法よりも大きく、前記相互電気接続層(88)が前記複数の検出器層(72)のZ方向の縁を超えてZ方向に延び、前記相互電気接続層(88)は該複数の検出器層(72)のそれぞれの上に配置させた複数の画素分解陽極接点(76)を読み出し電子回路に結合するように構成されているコネクタ(90)を備える、相互電気接続層(88)と、
を備えるコンピュータ断層検出器モジュール(68)。 - 上側側面及び底側側面を有し、XZ平面に沿って配置されたサブストレート(70)と、
前記サブストレート(70)の上側側面上でサブストレート(70)と実質的に直角な方向でYZ平面に沿って配置させた複数の検出器層(72)であって、該複数の検出器層(72)のそれぞれは放射線を吸収するように構成された直接変換材料を備えており、かつ該複数の検出器層(72)のそれぞれは第1の側面及び第2の側面を備えている複数の検出器層(72)と、
前記複数の検出器層(72)のそれぞれの第1の側面上に配置された複数の画素分解陽極接点(108)であって、該複数の画素分解陽極接点(108)は実質的に等しいサイズの陽極接点を備える複数の画素分解陽極接点(108)と、
前記複数の検出器層(72)のそれぞれの第2の側面上に配置された共通陰極接点(78)と、
前記複数の画素分解陽極接点(108)のそれぞれの間に配置された非収集性制御格子構造(110)であって、該制御格子構造(110)は複数の画素分解陽極接点(108)に対する負バイアスが与えられる制御格子構造(110)と、
前記複数の検出器層(72)の隣接層のそれぞれの間に配置され、前記複数の検出器層(72)のそれぞれの上に配置させた複数の画素分解陽極接点(76)を読み出し電子回路に結合するように構成されているJ字型の相互電気接続層(90)を備え、
該相互電気接続層(90)のY方向の寸法が前記複数の検出器層(72)のY方向の寸法よりも大きく、前記相互電気接続層(90)の前記サブストレート(70)側の端部が屈曲して、前記サブストレート(70)と接点を形成する、相互電気接続層(88)と、
を備えるコンピュータ断層検出器モジュール(68)。 - 前記相互電気接続層は、フレキシブル回路を含み、該フレキシブル回路は、ポリイミド薄膜上に形成させた銅(Cu)トレースを含む、請求項1または2に記載の検出器モジュール。
- さらに、前記複数の画素分解陽極接点(108)のそれぞれの間に配置された非収集性制御格子構造(110)であって、該制御格子構造(110)は複数の画素分解陽極接点(108)に対する負バイアスが与えられる非収集性制御格子構造(110)を備える請求項1乃至3のいずれかにに記載の検出器モジュール。
- 前記複数の画素分解陽極接点は1/2画素分のオフセット(120)で配列されている、請求項1乃至4のいずれかに記載の検出器モジュール。
- 前記直接変換材料は前記相互電気接続層上に被着又は、スクリーン印刷されている、請求項1乃至5のいずれかに記載の検出器モジュール。
- 放射線ストリーム(16)を放出するように構成された放射線源(12)と、
請求項1乃至6のいずれかに記載の検出器アセンブリと、
前記放射線源(12)及び検出器アセンブリを回転させ前記複数の検出器(22)からデータ収集システム(34)を介して1組または複数組の投影データを収集するように構成されたシステム制御装置(24)と、
前記放射線源(12)及び検出器アセンブリと動作可能に結合されたコンピュータ・システム(36)であって、前記1組または複数組の投影データを受け取るように構成されているコンピュータ・システム(36)と、
を備えるCTイメージング・システム(10)。
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