JP5099271B2 - 電流センサ及び電流センサの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、コアのギャップ内に磁電変換素子を配置してなる電流センサ及び電流センサの製造方法に関するものである。

従来、例えば特許文献１，２に示されるように、樹脂ケース内に、表面側に磁電変換素子が実装された基板とギャップを有するコアが収容された構造の電流センサが知られている。

特許文献１に示される電流センサでは、合成樹脂製の電流センサ本体（樹脂ケース）の収容部内に、収容部の底面側から、基板、コアの順で収容配置されている。

また、特許文献２に示される電流センサでは、ケース（樹脂ケース）の部品収容室（収容部）内に、収容部の底部側から、コア、基板の順で配置されている。すなわち、基板が表面を対向面としてコア上に配置されており、基板の裏面側（上方）から見て、ギャップに配置されたホール素子（磁電変換素子）が、基板によって覆われた構成となっている。

特開２００２−２９６３０５号公報 特開２００６−１１２９５７号公報

ところで、特許文献１，２に示されるように、樹脂ケースに、別部材としてのコアを収容配置する構成では、一般にエポキシ樹脂などのポッティング材を収容部内に充填し、硬化処理することで、コアの位置ずれなどを抑制する。この場合、ポッティング材を例えば熱硬化させるのに数１０分以上の時間を要することとなる。例えばコアを固定する工程をバッチ式とすると、熱硬化のための高温槽が多数必要となって、電流センサの製造工程を、１つの連続した生産ラインとすることが困難となる。また、熱硬化時間分のラインが入る連続高温炉を用いる場合には、生産ラインが長くなり、設備が大きくなってしまう。また、樹脂ケースに、別部材としてのコアを収容させるとともに、ポッティング材を充填させる空間を必要とするため、樹脂ケース（電流センサ）の体格を小型化するのが困難である。

これに対し、コアを樹脂ケースと一体成形する（インサート成形する）ことで、上記したコアの固定工程を無くして製造工程を簡素化するとともに、電流センサの体格を小型化することも考えられる。この場合、樹脂ケースに一体化されたコアのギャップに磁電変換素子を配置しなければならないため、特許文献２に示される構造のように、基板が表面（磁電変換素子の実装面）を対向面としてコアのギャップ上に配置されることとなる。すなわち、基板の裏面側（上方）から見て、ギャップに配置された磁電変換素子が基板によって覆われた構成となる。したがって、ギャップと磁電変換素子との位置関係をカメラなどの光学的手法によって確認することができず、ギャップを構成するコアの両端面間の中央位置（ギャップの中央位置）に対して磁電変換素子の位置ずれ不良が生じる恐れがある。このように、ギャップの中央位置に対して磁電変換素子が一方の端面側にずれると、そのずれ量が大きいほど、外乱磁界による特性変動が大きいものとなってしまう。この点は、本発明者によっても確認されている。

本発明は上記問題点に鑑み、コアが樹脂ケースと一体成形された構成において、コアのギャップに対する磁電変換素子の位置精度を向上することができる電流センサ及び電流センサの製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成する為に、請求項１に記載の発明は、互いに略平行とされた両端面間に所定幅のギャップを有するリング形状のコアが樹脂ケースと一体成形され、樹脂ケースの収容部内にギャップの少なくとも一部が露出されるとともに、表面側に磁電変換素子が実装された基板が収容部内に収容されてギャップ上に配置され、ギャップ内に磁電変換素子が配置された電流センサであって、磁電変換素子は、磁気センサチップとリードとが電気的に接続され、磁気センサチップ及び該磁気センサチップとリードとの接続部が封止樹脂によって被覆されたモールドＩＣであり、封止樹脂は、基板の厚さ方向において基板から離れるほどギャップの幅方向における厚さが薄くされたテーパ部を有し、テーパ部におけるテーパ状の外面の少なくとも一部が、ギャップの幅方向において、両端面と相対していることを特徴とする。

本発明では、磁電変換素子としてのモールドＩＣを構成する封止樹脂に、テーパ面を設けている。したがって、コアが一体成形された樹脂ケースの収容部内に、磁電変換素子の実装された基板を配置する際、ギャップの幅方向において、磁電変換素子の位置がギャップの略中央に対して一方の端面側にずれていたとしても、磁電変換素子は、封止樹脂のテーパ面を少なくとも一方の端面に接触させつつギャップの奥側へ挿入されるため、磁電変換素子（封止樹脂によって覆われた磁気センサチップ）の位置を、ギャップの略中央とすることができる。このように、磁電変換素子自身が有するテーパ面により、磁電変換素子をギャップの略中央へ導くことができるので、コアが樹脂ケースと一体成形された構成において、コアのギャップに対する磁電変換素子の位置精度を向上し、ひいては外乱磁界による特性変動が低減された電流センサとすることができる。

請求項２に記載のように、ギャップの幅方向において、テーパ部におけるテーパ状の外面は、磁気センサチップを中心とした線対称の形状とされ、両端面における基板側端部と接触された構成としても良い。この場合、対称形状とされたテーパ状の外面が両端面の基板側端部（換言すれば角部）と接することで磁電変換素子の位置が決定されるので、コアのギャップに対する磁電変換素子の位置精度をさらに向上することができる。

また、請求項３に記載の発明は、互いに略平行とされた両端面間に所定幅のギャップを有するリング形状のコアが樹脂ケースと一体成形され、樹脂ケースの収容部内にギャップの少なくとも一部が露出されるとともに、表面側に磁電変換素子が実装された基板が収容部内に収容されてギャップ上に配置され、ギャップ内に磁電変換素子が配置された電流センサであって、磁電変換素子は、磁気センサチップとリードとが電気的に接続され、磁気センサチップ及び該磁気センサチップとリードとの接続部が封止樹脂によって被覆されたモールドＩＣであり、封止樹脂は、ギャップの幅方向において、磁気センサチップの一面上の厚さが、該一面の裏面上の厚さよりも厚い所定厚さとされ、磁電変換素子は、封止樹脂における厚い側の外面を当接面としてコアの端面の一方のみと接触されていることを特徴とする。

本発明では、磁電変換素子としてのモールドＩＣを構成する封止樹脂において、磁気センサチップの一面上の厚さを、該一面の裏面上の厚さよりも厚い所定厚さとしている。そして、磁電変換素子を、封止樹脂における厚い側の外面を当接面として、コアの端面の一方に接触させている。したがって、封止樹脂における磁気センサチップ一面上の厚さを所定厚さとすることで、端面を基準として磁電変換素子の位置をギャップの略中央とすることができる。これにより、コアが樹脂ケースと一体成形された構成において、コアのギャップに対する磁電変換素子の位置精度を向上し、ひいては外乱磁界による特性変動が低減された電流センサとすることができる。

また、請求項４に記載の発明は、磁気センサチップとリードとが電気的に接続され、磁気センサチップ及び該磁気センサチップとリードとの接続部が封止樹脂により被覆されたモールドＩＣを磁電変換素子とし、リードがスルーホールに挿入されて該スルーホール周辺に形成されたランドとはんだ接合されてなる、表面側に磁電変換素子が実装された基板を準備する基板準備工程と、互いに略平行とされた両端面間に所定幅のギャップを有するリング形状のコアが一体成形され、収容部内にギャップの少なくとも一部が露出された樹脂ケースを準備するケース準備工程と、コアのギャップに磁電変換素子の磁気センサチップが位置するように、基板を収容部内におけるコア上に位置決めして配置し、位置決めした状態で基板を樹脂ケースに固定する固定工程と、を備える電流センサの製造方法であって、基板準備工程では、ギャップの幅方向において、磁気センサチップの一面上における封止樹脂の厚さが、該一面の裏面上における封止樹脂の厚さよりも厚くされたモールドＩＣを磁電変換素子として用い、固定工程では、磁電変換素子をギャップ内に配置し、その後、封止樹脂の厚い側の外面を当接面として磁電変換素子がコアの一方の端面に接触することで移動が止まるまで、磁電変換素子が端面に近づくようにギャップの幅方向に基板若しくは樹脂ケースを移動させ、磁電変換素子を位置決めすることを特徴とする。

本発明では、磁電変換素子としてのモールドＩＣを構成する封止樹脂を、磁気センサチップの一面上の厚さが、該一面の裏面上の厚さよりも厚い所定厚さとなるようにする。そして、基板を移動させて磁電変換素子をギャップ内に配置する。次に、封止樹脂における厚い側の外面を当接面として、磁電変換素子が一方の端面に接触することで移動が止まるまで、磁電変換素子が端面に近づくようにギャップの幅方向に基板若しくは樹脂ケースを移動させる。すなわち、磁電変換素子を端面に当て止めする。このように２段階の移動によって、磁電変換素子を一方の端面に接触させる。したがって、封止樹脂における磁気センサチップ一面上の厚さを所定厚さとすることで、端面を基準として磁電変換素子の位置をギャップの略中央とすることができる。これにより、コアが樹脂ケースと一体成形された構成において、コアのギャップに対する磁電変換素子の位置精度を向上し、ひいては外乱磁界による特性変動が低減された電流センサとすることができる。

第１実施形態に係る電流センサの概略構成を示す断面図である。 図１に示す電流センサの平面図であり、蓋のない状態を示している。 図１に示す電流センサの平面図であり、蓋及び基板のない状態を示している。 図１に示す電流センサの製造工程のうち、ケース準備工程を示す断面図である。 電流センサの製造工程のうち、基板の位置決め工程を示す断面図である。 電流センサの製造工程のうち、基板の位置決め工程を示す断面図である。 コアのギャップに対する磁電変換素子の位置と外乱磁界との関係を模式的に示した平面図である。 磁電変換素子の位置ずれと外乱磁界により生じる誤差電流との関係を示す図である。 電流センサの変形例の概略構成を示す断面図である。 第２実施形態に係る電流センサにおいて、磁電変換素子が配置される前のガイド部周辺を示す平面図である。 第２実施形態に係る電流センサの概略構成を示す断面図である。 第３実施形態に係る電流センサの概略構成を示す断面図である。 図１２に示す電流センサの製造工程のうち、基板の位置決め工程を示す断面図である。 電流センサの変形例の概略構成を示す断面図である。 第４実施形態に係る電流センサの概略構成を示す断面図である。 図１２に示す電流センサの製造工程のうち、基板の位置決め工程を示す断面図である。 電流センサの変形例の概略構成を示す断面図である。 図１７に示す電流センサの製造工程のうち、基板位置決め工程を示す断面図である。 図１７に示す電流センサの製造工程のうち、基板の位置決め工程を示す断面図である。 第６実施形態に係る電流センサの概略構成を示す断面図である。 図２０に示す電流センサの製造工程のうち、基板位置決め工程を示す断面図である。 図２０に示す電流センサの製造工程のうち、基板の位置決め工程を示す断面図である。

以下、本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。なお、本実施形態に示す電流センサは、自動車に搭載されるバッテリの電流を測定するための電流センサとして好適である。

（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係る電流センサの概略構成を示す断面図である。図２は、図１に示す電流センサの平面図であり、便宜上、蓋を省略して図示している。図３は、図１に示す電流センサの平面図であり、便宜上、基板及び蓋を省略して図示している。なお、以下においては、電流センサにおける基板の厚さ方向及びコアの厚さ方向（積層方向）を垂直方向、基板の表面（裏面）に沿う方向を水平方向、該水平方向のうち、ギャップの幅方向（コアの端面間の距離方向）を幅方向とする。

図１〜図３に示すように、電流センサ１００は、要部として、樹脂ケース１０と、ギャップ２０Ｇを有するコア２０と、磁電変換素子３０と、該磁電変換素子３０が実装された基板４０と、を有している。そして、樹脂ケース１０が、その一部として、後述するガイド部１８を含んでいる。このガイド部１８が、本実施形態に係る電流センサ１００の特徴部分である。

樹脂ケース１０は、コア２０及び基板４０を収容すべく、樹脂材料を所定形状に成形してなり、ギャップ２０Ｇを含むコア２０の少なくとも一部と基板４０とを収容する収容部１１とガイド部１８を少なくとも有するものである。本実施形態では、上記した収容部１１とともに、固定部１２及びコネクタ部１３を有している。

収容部１１は、垂直方向上部の端面１１ａ（以下、上端面１１ａと示す）側が開放された平面略矩形状の箱構造となっており、その箱内部の領域として、基板４０が配置される上部領域１４と、ギャップ２０Ｇの少なくとも一部が露出された下部領域１５を有している。本実施形態では、図１及び図３に示すように、下部領域１５に、ギャップ２０Ｇの一部とコア２０の一部が露出されている。上部領域１４は、上端面１１ａから垂直方向下方へ所定深さまでの領域であり、この上部領域１４の底部１４ａの一部が開口されて、所定深さの下部領域１５が連通されている。したがって、水平方向の大きさは、下部領域１５のほうが上部領域１４よりも小さくなっている。また、上部領域１４は、水平方向における形状が基板４０の外周形状と略一致され、その大きさが基板４０よりも大きくされている。そして、基板４０が上部領域１４に配置された状態で、図１及び図２に示すように、下部領域１５、すなわちギャップ２０Ｇを含むコア２０の露出部位が、基板４０によって被覆されている。また、上部領域１４の底部１４ａには、基板４０を仮位置決めしつつ底部１４ａ上に支持する支持ピン１６が複数設けられている。本実施形態では、支持ピン１６も樹脂ケース１０の一部として構成されており、図３に示すように、底部１４ａ側から所定範囲に拡径部１６ａを有している。そして、基板４０の図示しないスルーホールに挿入された状態で、拡径部１６ａが基板４０の表面４０ａに当接することで、支持ピン１６が基板４０を底部１４ａ上に支持するようになっている。換言すれば、垂直方向において、基板４０が位置決めされるようになっている。

なお、収容部１１は、上部領域１４に基板４０が収容された状態で、図１に示すように、開放面を蓋するように上端面１１ａに蓋５０が固定されて、各領域１４，１５が閉じた領域（空間）となっている。

固定部１２は、被測定電流が流れる被測定部材に電流センサ１００を固定するための部位であり、被測定部材が挿通される貫通孔１２ａを有している。そして、貫通孔１２ａを取り囲むように、リング状（略Ｃ字状）のコア２０の大部分が、固定部１２に内包されている。また、コネクタ部１３は、基板４０に構成された図示しない配線部を介して、磁電変換素子３０と外部機器とを電気的に接続する部位である。このコネクタ部１３には、樹脂ケース１０と一体成形された例えば金属からなる端子１７の一端が露出されている。なお、端子１７の他端は、底部１４ａから突出して垂直方向に延び、収容部１１の上部領域１４内に配置されている。

ガイド部１８は、幅方向において、ギャップ２０Ｇの略中央に磁電変換素子３０を導くための部位であり、図１に示すように、コア２０の両端面２１のうち、一方の端面２１のみと接している。本実施形態では、図１及び図３に示すように、コア２０の両端面２１のうち、一方の端面２１のみとそれぞれ接する一対のガイド部１８を有している。そして、各ガイド部１８は、幅方向において相対する他方の端面２１（接しない側の端面２１）との対向距離が、垂直方向において基板４０から離れるほど短いテーパ面１８ａを有している。

このテーパ面１８ａは、垂直方向において基板４０と最も離れた下端部位が、コア２０の端面２１と略平行となっている。また、上記した下端部位が、垂直方向において、基板４０側の端部（上端）から下端部位までの間で、他方の端面２１との対向距離の最も短い部位となっている。すなわち、テーパ面１８ａは、下部領域１５の底面１５ａ側ほど、ギャップ２０Ｇの略中央に近い形状となっている。また、幅方向において、テーパ面１８ａの下端部位におけるガイド部１８の樹脂厚は、対をなすガイド部１８で互いに略等しくなっており、対をなすガイド部１８における下端部位間の対向距離が、磁電変換素子３０における封止樹脂３３の幅よりも広くなっている。

さらに、本実施形態では、図１に示すように、テーパ面１８ａの下端部位に、端面２１と略平行な平行面１８ｂが連結されている。そして、磁電変換素子３０における封止樹脂３３によって被覆された部位（磁気センサチップ３１）が、図１に示すように、幅方向において、対をなすガイド部１８における両テーパ面１８ａ及び両平行面１８ｂの間に配置され、両テーパ面１８ａ及び両平行面１８ｂと相対している。

このように、ギャップ２０Ｇの一部がガイド部１８に占有され、対をなしたガイド部１８の間に、ギャップ２０Ｇよりも幅の狭いギャップが構成されている。そして、このガイド部１８間のギャップ内に磁電変換素子３０の配置されている。すなわち、ギャップ２０Ｇ内に設けられたガイド部１８により、幅方向において、磁電変換素子３０がギャップ２０Ｇの略中央からずれることが可能な範囲（遊び）が狭められている。

なお、本実施形態では、一例として、ガイド部１８が、樹脂ケース１０における他の部位と下部領域１５の底面１５ａのみで連結され、底面１５ａから基板４０側に突出する柱状となっている。また、水平方向であって幅方向とは略垂直な方向におけるガイド部１８の長さが、コア２０の幅と略等しく、基板４０側の上端部位までのガイド部１８の高さが、コア２０の端面２１の上端と略等しくされている。すなわち、端面２１全面がガイド部１８によって被覆されている。また、垂直方向において、上端（基板４０側の端部）から一部の範囲に、垂直方向に対する傾斜角度が４５度以下の角度で一定の直線的な（平面状の）テーパ面１８ａが設けられ、該テーパ面１８ａと連結する平行面１８ｂは、下部領域１５の底面１５ａとも連結されている。すなわち、ガイド部１８において、テーパ面１８ａの下端部位及び平行面１８ｂの部位が、他方の端面２１との対向距離の最も短い部位となっている。さらに、幅方向において、対をなすガイド部１８が、両端面２１間（ギャップ２０Ｇ）の中心線２１ｃ（後述する図４参照）に対して、互いに線対称の関係を満たすように構成されている。

コア２０は、鉄、鉄系合金、パーマロイ等の磁性体材料からなり、互いに略平行とされた端面２１間に、磁電変換素子が配置される所定幅のギャップ２０Ｇが構成されたリング形状の部材である。このようなコア２０としては、上記磁性体材料をせん断加工してなる部材を複数枚積層固定してなるものが一般的である。本実施形態では、略Ｃ字状の積層コアを採用している。このコア２０は、上記したように、樹脂ケース１０と一体成形、すなわち樹脂ケース１０に対してインサート成形されている。そして、略Ｃ字状のコア２０のうち、ギャップ２０Ｇ及び該ギャップ２０Ｇを構成する両端面２１の近傍部位のみが収容部１１内に配置され、ギャップ２０Ｇの一部とコア２０の一部が、下部領域１５内に露出されている。

磁電変換素子３０は、被測定部材に流れる被測定電流によって生じる磁界の磁束を検出し、電流値に比例した信号を出力するものであり、後述する基板４０の表面４０ａ側に実装された状態で樹脂ケース１０の収容部１１内に収容され、コア２０のギャップ２０Ｇ内に配置されている。本実施形態では、磁電変換素子３０として、磁気センサチップ３１（図１に示す破線部位）とリード３２とが電気的に接続され、磁気センサチップ３１及び磁気センサチップ３１とリード３２との接続部が封止樹脂３３によって被覆されたモールドＩＣを採用している。また、幅方向において、磁気センサチップ３１の表面から封止樹脂３３の外面までの幅（換言すれば、磁気センサチップ３１上の封止樹脂３３の厚さ）が、幅方向における磁気センサチップ３１の表面と裏面上とで略等しくなっている。さらには、磁気センサチップ３１として、ホール素子が構成された磁気センサチップを採用しており、電流センサ１００が所謂磁気比例式の電流センサとなっている。なお、ホール素子以外にも、磁気抵抗素子が構成された磁気センサチップを採用することもできる。

上記構成される磁電変換素子３０は、図１に示すように、封止樹脂３３に被覆された部分が、コア２０のギャップ２０Ｇ内及び対をなすガイド部１８によるギャップ内に配置され、磁気センサチップ３１に構成されたホール素子が、コア２０のギャップ２０Ｇ内に配置されている。そして、幅方向において、ギャップ２０Ｇの略中央に磁気センサチップ３１が位置している。また、磁電変換素子３０が、樹脂ケース１０の収容部１１における下部領域１５の底面１５ａと離反されており、これにより、樹脂ケース１０と磁電変換素子３０（例えば封止樹脂３３）との線膨張係数差に基づく応力の発生を抑制するとともに、樹脂ケース１０に印加された外力の磁電変換素子３０への伝達を抑制するようにしている。しかしながら、磁電変換素子３０（封止樹脂３３）の下端を下部領域１５の底面１５ａに接触させた構成を採用することもできる。

基板４０は、樹脂ケース１０に構成されたコネクタ部１３と磁電変換素子３０とを電気的に接続する部位であり、磁電変換素子３０と端子１７とを電気的に接続する図示しない配線部を有している。そして、樹脂ケース１０の収容部１１（上部領域１４）内に収容されて、収容部１１内に露出されたギャップ２０Ｇを含むコア２０の部位を覆うように配置されている。また、本実施形態においては、コア２０と対向する表面４０ａから裏面４０ｂにかけて貫通する２種類のスルーホール４１，４２を有している。第１スルーホール４１は、端子１７における収容部１１内に露出された端部側が挿入される部位であり、水平方向（幅方向）において、基板４０の位置を仮位置決めする機能を果たす。そして、端子１７は、その端部が第１スルーホール４１を表面４０ａ側から裏面４０ｂ側へ挿通した状態で、図示しない配線部のランドとはんだ接合されている。第２スルーホール４２は、磁電変換素子３０におけるリード３２が挿入される部位である。磁電変換素子３０の磁気センサチップ３１は表面４０ａ側に配置され、リード３２が表面４０ａ側から裏面４０ｂ側に挿通された状態で、図示しない配線部のランドとはんだ接合されている。本実施形態では、これら２種類のスルーホール４１，４２において、第１スルーホール４１と端子１７との隙間（クリアランス）のほうが、第２スルーホール４２とリード３２との隙間（クリアランス）よりも大きい構成となっている。

なお、基板４０には、磁電変換素子３０の処理回路が構成されても良い。本実施形態では、図１に示すように、基板４０の裏面４０ｂに、コンデンサやチップサーミスタなどの電子部品４３が実装されている。このように、電子部品４３として、チップサーミスタ等の温度センサ素子が実装された構成とすると、電流計測だけでなく温度計測も可能な、温度センサ付電流センサとすることができる。

次に、上記した電流センサ１００の製造方法について説明する。図４は、図１に示す電流センサの製造工程のうち、ケース準備工程を示す断面図である。図５，６は、電流センサの製造工程のうち、基板の位置決め工程を示す断面図である。

図示しないが、先ず、表面４０ａ側に磁電変換素子３０が実装された基板４０を準備する基板準備工程を実施する。本実施形態では、上記した２種類のスルーホール４１，４２や図示しない配線部が形成され、磁電変換素子３０とは別の電子部品４３が実装された基板４０を準備する。なお、磁電変換素子３０は、リード３２が第２スルーホール４２に挿通されて実装されている。また、第１スルーホール４１と端子１７との隙間（クリアランス）のほうが、第２スルーホール４２とリード３２との隙間（クリアランス）よりも大きくなるように、２種類のスルーホール４１，４２をそれぞれ形成する。なお、磁電変換素子３０は、基板４０の表面４０ａから磁電変換素子３０が延びる方向が、垂直方向と略一致するように、磁電変換素子３０が基板４０に実装されている。

また、図４に示すように、ギャップ２０Ｇを有するリング形状のコア２０が一体成形（インサート成形）され、収容部１１（下部領域１５）内にコア２０のギャップ２０Ｇが露出されるとともに、上記した構造のガイド部１８を有する樹脂ケース１０を準備するケース準備工程を実施する。すなわち、このケース準備工程では、コア２０をインサート部品とし、その一部としてガイド部１８を有する樹脂ケース１０を、射出成形によって形成する。この工程により、コア２０は、ギャップ２０Ｇの一部を含む一部位のみが、樹脂ケース１０の収容部１１内に露出（上部領域１４の底部１４ａを介して上部領域１４側に露出）され、それ以外の部位はその周囲を樹脂ケース１０によって包まれて位置決め保持される。本実施形態では、上記した収容部１１、固定部１２、コネクタ部１３、及びガイド部１８を有する樹脂ケース１０を形成する。また、コア２０とともに、導電材料からなる端子１７も一体成形する。そして、端子１７は、一端がコネクタ部１３に露出され、他端が収容部１１（上部領域１４）に露出された状態で樹脂ケース１０に保持される。

次に、図５に示すように、コア２０のギャップ２０Ｇに磁電変換素子３０が位置し、露出されたコア２０を基板４０が覆うように、基板４０を樹脂ケース１０の収容部１１内に位置決め配置する位置決め工程を実施する。本実施形態では、表面４０ａがコア２０と対向し、第１スルーホール４１を端子１７が挿通し、図示しないスルーホールを支持ピン１６（図２，３参照）が挿通するように、垂直方向におけるコア２０に近づく方向（図５の白抜き矢印で示す方向、以下単に下方と示す）に基板４０を移動させる。このとき、第１スルーホール４１と端子１７との隙間（クリアランス）と、スルーホールと支持ピン１６との隙間（クリアランス）は同程度となっており、これら端子１７と支持ピン１６により、水平方向（幅方向）において、基板４０の位置が仮位置決めされる（基板４０の大まかな位置が決定される）。換言すれば、後述する寸法ばらつきや位置ずれなどが生じても、磁電変換素子３０（封止樹脂３３によって被覆された磁気センサチップ３１）が、ガイド部１８のテーパ面１８ａに接するように、端子１７と支持ピン１６の対応するスルーホールとのクリアランスが決定されている。また、基板４０は、表面４０ａが複数の支持ピン１６の拡径部１６ａ（図３参照）に当接し、これにより、垂直方向において、基板４０の位置が決定される。

ここで、電流センサ１００にて被測定電流を精度良く検出するためには、幅方向における磁電変換素子３０（磁気センサチップ３１）の位置を、ギャップ２０Ｇを構成するコア２０の両端面２１間の略中央、すなわち両端面２１間（ギャップ２０Ｇ）の中心線２１ｃにできる限り一致させることが好ましい。しかしながら、樹脂ケース１０、コア２０、基板４０、磁電変換素子３０の寸法ばらつき、第１スルーホール４１や第２スルーホール４２の寸法や形成位置のばらつき、インサート成形時の樹脂ケース１０に対するコア２０や端子１７の位置ずれ（位置ばらつき）、基板４０に実装される磁電変換素子３０の位置ばらつきなどの要因により、磁電変換素子３０の位置が両端面２１間の略中央とはならず、例えば図５に示すように、一方の端面２１側にずれた配置となることも考えられる。

これに対し、本実施形態では、樹脂ケース１０の一部として、上記した構造のテーパ面１８ａを有するガイド部１８を、ギャップ２０Ｇを構成するコア２０の両端面２１にそれぞれ接触させて設けている。したがって、幅方向において、磁電変換素子３０（磁気センサチップ３１）の位置がギャップ２０Ｇの略中央（中心線２１ｃ）に対して一方の端面２１側にずれていたとしても、第１スルーホール４１を端子１７が挿通し、図示しないスルーホールを支持ピン１６が挿通するように基板４０を下方に移動させることで、図５に示すように、一方のガイド部１８におけるテーパ面１８ａに磁電変換素子３０（封止樹脂３３）を接触させることができる。また、上記したように、支持ピン１６が挿通されたスルーホールと、端子１７が挿通された第１スルーホール４１が、支持ピン１６及び端子１７との間で所定のクリアランスを有しているので、基板４０をテーパ面１８ａに接触した状態でさらに下方に移動させることで、テーパ面１８ａに沿って磁電変換素子３０を移動させ、幅方向における磁電変換素子３０（磁気センサチップ３１）の位置を、ギャップ２０Ｇの略中央（中心線２１ｃ）に近づけることができる。そして、基板４０の表面４０ａが複数の支持ピン１６の拡径部１６ａに当接した状態で、磁電変換素子３０の位置を、ギャップ２０Ｇの略中央とすることができる。

なお、コア２０の両端面２１に接してガイド部１８をそれぞれ設けているので、図５と反対側の端面２１側に磁電変換素子３０がずれていても、同様にギャップ２０Ｇの略中央とすることができる。本実施形態では、幅方向において、ギャップ２０Ｇの幅が３ｍｍ程度、磁電変換素子３０（封止樹脂３３）の幅が１．５ｍｍ程度、ガイド部１８におけるテーパ面１８ａの下端部位及び平行面１８ｂの部位の厚さが０．６５ｍｍ程度、磁気センサチップ３１がギャップ２０Ｇの略中央（中心線２１ｃ）と略一致した状態で、両ガイド部１８における平行面１８ｂ及びテーパ面１８ａの下端部位と磁電変換素子３０（封止樹脂３３）のクリアランスが、ともに０．１ｍｍ程度となっている。したがって、磁電変換素子３０をギャップ２０Ｇに挿入する際に、磁気センサチップ３１がギャップ２０Ｇの略中央（中心線２１ｃ）と略一致している場合には、いずれのガイド部１８（テーパ面１８ａ）とも接触させずに、磁電変換素子３０の位置を、ギャップ２０Ｇの略中央とすることができる。

そして、樹脂ケース１０（コア２０）に対し、基板４０の位置が決定された状態で、基板４０を樹脂ケース１０に固定する。本実施形態では、第１スルーホール４１を挿通する複数の端子１７と、対応するランドとをはんだ接合することで、端子１７を介して基板４０を樹脂ケース１０に固定する。これにより、ギャップ２０Ｇの略中央（中心線２１ｃ）に、磁電変換素子３０（磁気センサチップ３１）が位置決め固定された状態となる。そして、図示しない蓋５０を、樹脂ケース１０の収容部１１の上端面１１ａ上に載置し、接着や溶着などにより固定することにより、図１に示した電流センサ１００を得ることができる。

次に、本実施形態に係る電流センサ１００及びその製造方法の特徴部分の効果について説明する。先ず、樹脂ケース１０の一部として、テーパ面１８ａを有するガイド部１８を、ギャップ２０Ｇを構成するコア２０の両端面２１にそれぞれ接して設けている。したがって、コア２０が一体成形された樹脂ケース１０の収容部１１内に、磁電変換素子３０の実装された基板４０を配置する際、幅方向において、磁電変換素子３０（磁気センサチップ３１）の位置がギャップ２０Ｇの略中央（中心線２１ｃ）に対して、いずれか一方の端面２１側にずれていたとしても、磁電変換素子３０（封止樹脂３３）が少なくとも一方のテーパ面１８ａに接しつつギャップ２０Ｇの奥側へ挿入されるため、磁電変換素子３０の位置を、ギャップ２０Ｇの略中央とすることができる。このように、テーパ面１８ａを有するガイド部１８によって磁電変換素子３０をギャップ２０Ｇの略中央へ導くことができるので、コア２０が樹脂ケース１０と一体成形された構成において、コア２０のギャップ２０Ｇに対する磁電変換素子３０（磁気センサチップ３１）の位置精度を向上し、ひいては外乱磁界による特性変動が低減された電流センサ１００とすることができる。

なお、本発明者は、ギャップ２０Ｇに対する磁電変換素子３０（磁気センサチップ３１）の位置と、外乱磁界（外乱ノイズ）による特性変動との関係について確認している。図７は、コアのギャップに対する磁電変換素子の位置と外乱磁界との関係を模式的に示した平面図である。図８は、磁電変換素子の位置ずれと外乱磁界により生じる誤差電流との関係を示す図である。なお、図７に示すように、水平方向に沿い、且つ、幅方向（端面２１間に作用する磁束の向き）に対して略垂直な方向に、２．０ｍＴの外乱磁界が作用するものとした。その結果、図８から、磁電変換素子３０（磁気センサチップ３１）がコア２０の両端面２１の中央位置（中心線２１ｃ）からずれるほど、誤差電流が大きくなる、すなわち特性変動が大きくなることが明らかである。これに対し、本実施形態によれば、コア２０のギャップ２０Ｇに対して磁電変換素子３０が精度良く位置決めするので、外乱磁界による特性変動が低減された電流センサ１００を得ることができる。

また、本実施形態では、樹脂ケース１０の一部としてガイド部１８を設けるので、製造工程を簡素化することができる。さらに、ガイド部１８を樹脂ケース１０とは別部材のガイド部を樹脂ケース１０に固定する構成に比べて、ギャップ２０Ｇ内におけるガイド部１８の位置精度を向上することができる。

また、本実施形態では、対をなすガイド部１８が、テーパ面１８ａに連結された平行面１８ｂを有し、幅方向において、各ガイド部１８におけるテーパ面１８ａの下端部位間（平行面１８ｂ間）の対向距離が磁電変換素子３０（封止樹脂３３）の幅よりも広くされている。したがって、基板４０を樹脂ケース１０に位置決め配置し、固定した組み付け状態で、幅方向において磁電変換素子３０が両ガイド部１８によって拘束されていないため、樹脂ケース１０と磁電変換素子３０とを構成する材料の線膨張係数差に基づく応力を抑制することができる。また、樹脂ケース１０に印加された外力の、磁電変換素子３０への作用も抑制することができる。

しかしながら、幅方向において、対をなすガイド部１８におけるテーパ面１８ａが、ギャップ２０Ｇの略中央（中心線２１ｃ）に対して線対称の形状とされ、テーパ面１８ａにおける下端部位間の対向距離が、磁電変換素子３０（封止樹脂３３）の幅よりも狭くされ、磁電変換素子３０が、両ガイド部１８におけるテーパ面１８ａと接触された構成としても良い。図９に示す例では、各端面２１を被覆するガイド部１８が、その上端から下部領域１５の底面１５ａまでテーパ面１８ａを有しており、垂直方向において、両テーパ面１８ａにおける下端部位よりも上方（基板４０側）の位置に、磁電変換素子３０が接触されている。この場合、対称形状とされた両テーパ面１８ａに磁電変換素子３０が接することで磁電変換素子３０の位置が決定されるので、コア２０のギャップ２０Ｇに対する磁電変換素子３０の位置精度をさらに向上することができる。この場合、支持ピン１６の拡径部１６ａに基板４０の表面４０ａが接触するとともに、両テーパ面１８ａに磁電変換素子３０が接するように、基板４０からの磁電変換素子３０（封止樹脂３３）の位置やガイド部１８（テーパ面１８ａ）の形状を決定しておく。図９は、電流センサの変形例の概略構成を示す断面図である。

なお、本実施形態では、対をなすガイド部１８の形状を、中心線２１ｃに対して線対称とする例を示した。しかしながら、位置決め状態で、磁電変換素子３０を両ガイド部１８と接触させない構成（ガイド部１８間に構成されるギャップにおける磁電変換素子３０と対向する部分のうち、最も狭い部位の幅のほうが、磁電変換素子３０の幅よりも広い構成）の場合、上記した最も狭い部位における樹脂厚が互いに略等しい関係を満たす範囲で、ガイド部１８の形状を非対称とすることもできる。例えば、対をなすガイド部１８で、テーパ面１８ａの角度を異なる角度とすることもできる。さらには、垂直方向において、対をなすガイド部１８で、テーパ面１８ａの形成範囲を異ならせた構成とすることもできる。また、本実施形態では、テーパ面１８ａを平面とする例を示したが、曲面を採用することも可能である。

（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態を、図１０及び図１１に基づいて説明する。図１０は、第２実施形態に係る電流センサにおいて、磁電変換素子が配置される前のガイド部周辺を示す平面図である。図１１は、第２実施形態に係る電流センサの概略構成を示す断面図である。なお、図１０においては、便宜上磁電変換素子を破線で示し、基板及びガイド部を除く樹脂ケースの部位を省略して図示している。

第２実施形態に係る電流センサ及びその製造方法は、第１実施形態に示した電流センサ及びその製造方法と共通するところが多いので、以下、共通部分については詳しい説明は省略し、異なる部分を重点的に説明する。なお、第１実施形態に示した要素と同一の要素には、同一の符号を付与するものとする。

第１実施形態では、その変形例（図９参照）として、磁電変換素子３０を、両端面２１上に設けたガイド部１８のテーパ面１８ａに接触させる例を示した。しかしながら、この場合、支持ピン１６の拡径部１６ａに基板４０の表面４０ａが接触するとともに、両テーパ面１８ａに磁電変換素子３０が接するようにしなければならない。

これに対し、本実施形態においては、図１０に示すように、両ガイド部１８におけるテーパ面１８ａの下端部位間の対向距離が、磁電変換素子３０が配置されない状態で、磁電変換素子３０の幅よりも狭くされている。そして、磁電変換素子３０は、弾性変形されたガイド部１８と接触され、図１１に示すように、ギャップ２０Ｇ内に圧入配置されている。

具体的には、図１０に示すように、対向する２組（計４つ）のガイド部１８が、水平方向に沿い、且つ、幅方向に略垂直な方向（以下、単に幅方向に垂直な方向と示す）において、対応する端面２１の一部のみと接し、垂直方向において、下部領域１５の底面１５ａから端面２１の上端まで設けられている。また、４つのガイド部１８は、対応する端面２１から離反するほど幅方向に垂直な方向の長さが短い平面三角形となっており、互いに形状及び大きさが同じとなっている。すなわち、各ガイド部１８は、弾性変形可能な三角柱状となっている。このように、水平方向に沿う平面形状を三角形とすると、幅方向の樹脂厚及び水平方向であって幅方向に略垂直な方向における端面２１との接触部位での樹脂厚を同じとする矩形よりもばね定数が小さくなるので、ギャップ２０Ｇ内に磁電変換素子３０を挿入しやすくすることができる。そして、三角柱状の各ガイド部１８において、端面２１の上端と略一致する上端部位から一部範囲にテーパ面１８ａが設けられている。また、幅方向において、対応する端面２１から離反した三角形の頂点部位（以下、単に頂点と示す）の間の対向距離が、図１０に示すように、磁電変換素子３０の幅よりも狭くなっている。

この場合、第１実施形態にて示したように、幅方向において、磁電変換素子３０（磁気センサチップ３１）の位置がギャップ２０Ｇの略中央（中心線２１ｃ）に対して一方の端面２１側にずれていたとしても、磁電変換素子３０がいずれか一方のテーパ面１８ａに接した状態でさらに基板４０を下方に移動させるので、磁電変換素子３０の位置を、ギャップ２０Ｇの略中央とすることができる。そして、さらに基板４０を下方に移動させることで、テーパ面１８ａにより、ギャップ２０Ｇの略中央に位置された磁電変換素子３０が、対をなすガイド部１８を弾性変形させながら、ギャップ２０Ｇの奥側へ挿入（圧入）される。詳しくは、平面三角形の各ガイド部１８における頂点付近を潰しながら、ギャップ２０Ｇの奥側へ挿入（圧入）される。したがって、支持ピン１６の拡径部１６ａに基板４０の表面４０ａが接触した状態で、磁電変換素子３０の位置を、ギャップ２０Ｇの略中央とすることができる。また、磁電変換素子３０を、弾性変形可能な対をなすガイド部１８によって保持することができる。

このように、本実施形態では、ギャップ２０Ｇを構成する両端面２１上に設けた弾性変形可能なガイド部１８によって磁電変換素子３０（磁気センサチップ３１）をギャップ２０Ｇの略中央へ導くことができる。したがって、コア２０が樹脂ケース１０と一体成形された構成において、コア２０のギャップ２０Ｇに対する磁電変換素子３０の位置精度を向上し、ひいては外乱磁界による特性変動が低減された電流センサ１００とすることができる。さらには、本実施形態においても、樹脂ケース１０の一部としてガイド部１８を設けるので、製造工程を簡素化するとともに、ガイド部１８の位置精度を向上することができる。

また、ギャップ２０Ｇ内に磁電変換素子３０を挿入配置するにあたり、ガイド部１８が弾性変形するので、ガイド部１８に接触することで受ける磁電変換素子３０の応力を低減することができる。

なお、本実施形態では、ガイド部１８の平面形状を三角形とする例をしめしたが、平面形状は上記例に限定されるものではない。

（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態を、図１２及び図１３に基づいて説明する。図１２は、第３実施形態に係る電流センサの概略構成を示す断面図である。図１３は、図１２に示す電流センサの製造工程のうち、基板の位置決め工程を示す断面図である。

第３実施形態に係る電流センサ及びその製造方法は、上記各実施形態に示した電流センサ及びその製造方法と共通するところが多いので、以下、共通部分については詳しい説明は省略し、異なる部分を重点的に説明する。なお、上記実施形態に示した要素と同一の要素には、同一の符号を付与するものとする。

上記した各実施形態では、樹脂ケース１０の一部として設けたガイド部１８により、幅方向における磁電変換素子３０（磁気センサチップ３１）の位置を、ギャップ２０Ｇの略中央（中心線２１ｃ）とする例を示した。これに対し、本実施形態では、磁電変換素子３０を構成する封止樹脂３３にテーパ部３３ａを設けることで、幅方向における磁電変換素子３０（磁気センサチップ３１）の位置を、ギャップ２０Ｇの略中央（中心線２１ｃ）とする点を特徴とする。

図１２に示すように、本実施形態においても、磁電変換素子３０として、磁気センサチップ３１とリード３２とが電気的に接続され、磁気センサチップ３１及び該磁気センサチップ３１とリード３２との接続部が封止樹脂３３によって被覆されたモールドＩＣを採用している。そして、封止樹脂３３には、垂直方向において基板４０から離れるほど幅方向における厚さが薄くされたテーパ部３３ａが設けられ、テーパ部３３ａにおけるテーパ状の外面の少なくとも一部が、両端面２１と相対している。一例として、本実施形態では、図１２に示すように、垂直方向において基板４０から最も離れた部位から所定範囲に、すなわち磁電変換素子３０のギャップ２０Ｇへの挿入先端にテーパ部３３ａが設けられている。また、テーパ部３３ａにおいて、幅方向の樹脂厚が最も厚い部位（テーパ部３３ａにおける基板４０に最も近い部位）の樹脂厚が、ギャップ２０Ｇの幅より薄くなっており、テーパ部３３ａ全体がギャップ２０Ｇ内に挿入配置されている。そして、テーパ部３３ａにおけるテーパ状の外面全体が、両端面２１と相対している。

このようにテーパ部３３ａを有する磁電変換素子３０を用いると、幅方向において、磁電変換素子３０（磁気センサチップ３１）の位置がギャップ２０Ｇの略中央（中心線２１ｃ）に対して一方の端面２１側にずれていたとしても、磁電変換素子３０は、封止樹脂３３におけるテーパ部３３ａのテーパ面をいずれか一方の端面２１における上端、すなわち端面２１とコア２０の上面（基板４０との対向面）の角部２２に接触させつつギャップ２０Ｇの奥側へ挿入される。したがって、磁電変換素子３０（磁気センサチップ３１）の位置を、ギャップＧの略中央とすることができる。これにより、コア２０が樹脂ケース１０と一体成形された構成において、コア２０のギャップ２０Ｇに対する磁電変換素子３０の位置精度を向上し、ひいては外乱磁界による特性変動が低減された電流センサ１００とすることができる。

本実施形態では、幅方向において、ギャップ２０Ｇの幅が３ｍｍ程度、磁電変換素子３０におけるテーパ部３３ａの最も厚い部位の樹脂厚が２．８ｍｍ程度となっている。したがって、磁電変換素子３０をギャップ２０Ｇに挿入する際に、磁気センサチップ３１がギャップ２０Ｇの略中央（中心線２１ｃ）と略一致している場合には、いずれの角部２２とも接触させずに、磁電変換素子３０の位置を、ギャップ２０Ｇの略中央とすることができる。

なお、本実施形態では、封止樹脂３３のテーパ部３３ａ全体が、ギャップ２０Ｇ内に配置される例を示した。しかしながら、例えば図１４に示すように、幅方向において、テーパ部３３ａにおけるテーパ状の外面が、磁気センサチップ３１の厚さ方向の中心を中心線とした線対称の形状とし、テーパ部３３ａが両角部２２に接触する構成としても良い。なお、図１４に示す例では、垂直方向において、封止樹脂３３全体がテーパ部３３ａとなっている。この場合、対称形状とされたテーパ部３３ａの外面が両角部２２と接することで磁電変換素子３０（磁気センサチップ３１）の位置が決定されるので、コア２０のギャップ２０Ｇに対する磁電変換素子３０の位置精度をさらに向上することができる。図１４は、電流センサの変形の概略構成を示す断面図である。

（第４実施形態）
次に、本発明の第４実施形態を、図１５及び図１６に基づいて説明する。図１５は、第４実施形態に係る電流センサの概略構成を示す断面図である。図１６は、図１２に示す電流センサの製造工程のうち、基板の位置決め工程を示す断面図である。

第４実施形態に係る電流センサ及びその製造方法は、上記各実施形態に示した電流センサ及びその製造方法と共通するところが多いので、以下、共通部分については詳しい説明は省略し、異なる部分を重点的に説明する。なお、上記実施形態に示した要素と同一の要素には、同一の符号を付与するものとする。

第１実施形態及び第２実施形態では、コア２０の両端面２１に対をなすガイド部１８を設ける例を示した。これに対し、本実施形態では、例えば図１５に示すように、樹脂ケース１０の一部として、コア２０の両端面２１のうちの一方のみに所定厚さのガイド部１８が設けられている。そして、磁電変換素子３０が、幅方向において、ガイド部１８における端面２１との接触面の裏面と接触されている点を特徴とする。

図１５に示す例では、ガイド部１８を設けた側の端面２１及びその近傍部位が樹脂ケース１０によって被覆されている。そして、ガイド部１８は、角部２２を含み、コア２０の上面から端面２１にかけて形成されている。なお、幅方向におけるテーパ面１８ａの長さは、第１実施形態で示した磁電変換素子３０の幅方向における位置ばらつきの要因が生じても、基板４０の位置決め時において磁電変換素子３０（封止樹脂３３）が接触するように所定の長さに設定されている。また、本実施形態においても、テーパ面１８ａに平行面１８ｂが連結されており、幅方向において、ガイド部１８における平行面１８ｂを表面とする部位の樹脂厚が、該樹脂厚と、磁電変換素子３０における磁気センサチップ３１の中心から封止樹脂３３の表面までの厚さの和が、端面２１から中心線２１ｃまでの距離と略一致するように設定されている。そして、ガイド部１８における平行面１８ｂに磁電変換素子３０の封止樹脂３３が接触されている。

このような電流センサ１００は、例えば以下に示す製造方法により形成することができる。先ず、コア２０が一体成形され、コア２０の端面２１の一方に接する上記した構成のガイド部１８を備えた樹脂ケース１０を準備する。また、図１６に示すように、リード３２が、基板４０の表面４０ａ側における折曲部３２ａにて、リード３２が垂直方向に対して折曲され、封止樹脂３３によって被覆された磁電変換素子３０における平板状の部位（換言すれば磁気センサチップ３１）が、垂直方向に対してガイド部１８を設けた側に所定角度傾いた状態とされた基板４０を準備する。このような基板４０は、磁電変換素子３０を基板４０に実装する前にリード３２を折曲するか、若しくは、基板４０に実装された状態で、リード３２を折曲することで形成することで得ることができる。なお、磁電変換素子３０における平板状の部位（磁気センサチップ３１）の、垂直方向に対してなす角度（傾き角度）は、磁電変換素子３０の幅方向における位置ばらつきの要因が生じても、上記したテーパ面１８ａに磁電変換素子３０が接触するように設定される。

そして、準備した基板４０と樹脂ケース１０を用い、樹脂ケース１０に基板４０を位置決め固定する。本実施形態では、第１スルーホール４１を端子１７が挿通し、図示しないスルーホールを支持ピン１６が挿通するように、下方に基板４０を移動させる。このとき、上記した傾き角度とテーパ面１８ａの設定により、磁電変換素子３０はガイド部１８のテーパ面１８ａに接触する。そして、さらに基板４０を下方に移動させると、折曲部３２ａにて折曲されたリード３２にばね性が付与されているので、磁電変換素子３０は、テーパ面１８ａに接触しつつギャップ２０Ｇの奥側へ挿入され、ガイド部１８における平行面１８ｂに接触される。また、リード３２は、磁電変換素子３０がギャップ２０Ｇの略中央に近づくにつれて折曲を解消する方向に変形し、これにより、磁電変換素子３０における平板状の部位が平行面１８ｂに接触される。ガイド部１８における平行面１８ｂを表面とする部位の樹脂厚は、上記した所定厚さとなっており、この接触状態で、磁電変換素子３０（磁気センサチップ３１）の位置を、ギャップ２０Ｇの略中央（中心線２１ｃ）とすることができる。

このように本実施形態によれば、樹脂ケース１０の一部として、所定厚さのガイド部１８を、ギャップ２０Ｇを構成するコア２０の両端面２１のうち、一方の端面２１のみに接して設けている。そして、磁電変換素子３０を、ガイド部１８の平行面１８ｂに接触させている。すなわち、幅方向において、所定厚さのガイド部１８を介して、磁電変換素子３０がガイド部１８を設けた端面２１に接触されている。したがって、ガイド部１８を設けた端面２１を基準として、磁電変換素子３０（磁気センサチップ３１）の位置をギャップ２０Ｇの略中央（中心線２１ｃ）とすることができる。これにより、コア２０が樹脂ケース１０と一体成形された構成において、コア２０のギャップ２０Ｇに対する磁電変換素子３０の位置精度を向上し、ひいては外乱磁界による特性変動が低減された電流センサ１００とすることができる。

また、このような電流センサ１００を、基板４０を下方に移動させることのみよって得ることができる。さらには、樹脂ケース１０の一部としてガイド部１８を設けるので、製造工程を簡素化するとともに、ガイド部１８の位置精度を向上することができる。

なお、上記した電流センサ１００と基本構成が同じ電流センサ１００を別の製造方法により形成することもできる。例えば図１７に示す電流センサ１００は、図１５に示した電流センサ１００と、ほぼ同じ構成となっている。異なる点は、ガイド部１８がコア２０における端面２１のみを被覆する柱状とされ、端面２１の上端と略一致するガイド部１８の上端から所定範囲がテーパ面１８ａとなっている。

図１７に示す電流センサ１００を形成するには、上記同様、コア２０が一体成形され、コア２０の端面２１の一方に接するガイド部１８を備えた樹脂ケース１０を準備する。また、図１８に示すようにリード３２の折曲されていない基板４０を準備する。そして、図１８に示すように、第１スルーホール４１を端子１７が挿通し、図示しないスルーホールを支持ピン１６が挿通するように、例えば基板４０を少なくとも下方に移動させて、磁電変換素子３０（封止樹脂３３）をギャップ２０Ｇ内におけるガイド部１８を除く領域に配置する。この時点で、基板４０の表面４０ａが支持ピン１６の拡径部１６ａに接触された状態となる。次に、図１９に示すように、磁電変換素子３０（封止樹脂３３）がガイド部１８の平行面１８ｂに接触することで移動が止まるまで、磁電変換素子３０がガイド部１８に近づくように幅方向に例えば基板４０を移動させ、磁電変換素子３０を位置決めする。すなわち、磁電変換素子３０をガイド部１８に当て止めする。上記同様、ガイド部１８における平行面１８ｂを表面とする部位の樹脂厚は所定厚さとなっており、この接触状態で、磁電変換素子３０（磁気センサチップ３１）の位置を、ギャップ２０Ｇの略中央（中心線２１ｃ）とすることができる。

このように２段階の移動によって、磁電変換素子を、ガイド部における端面との接触面の裏面に接触させることによっても、図１５や図１７に示す電流センサ１００を形成することができる。この場合、リード３２の折曲を不要とすることができる。また、２段階の移動を用いた製造方法によれば、テーパ面１８ａを有さないガイド部１８を採用することもできる。しかしながら、ギャップ２０Ｇ内にガイド部１８を設けるので、ガイド部１８の基板側上部に磁電変換素子３０が接触することも考えると、テーパ面１８ａを有する構成とすることが好ましい。図１７は、電流センサの変形例の概略構成を示す断面図である。図１８及び図１９は、図１７に示す電流センサの製造工程のうち、基板位置決め工程を示す断面図である。

（第５実施形態）
次に、本発明の第５実施形態を、図２０〜図２２に基づいて説明する。図２０は、第５実施形態に係る電流センサの概略構成を示す断面図である。図２１及び図２２は、図２０に示す電流センサの製造工程のうち、基板の位置決め工程を示す断面図である。

第５実施形態に係る電流センサ及びその製造方法は、上記各実施形態に示した電流センサ及びその製造方法と共通するところが多いので、以下、共通部分については詳しい説明は省略し、異なる部分を重点的に説明する。なお、上記実施形態に示した要素と同一の要素には、同一の符号を付与するものとする。

第４実施形態では、一方の端面２１上に設けた所定厚さのガイド部１８に磁電変換素子３０を接触させることで、磁電変換素子３０（磁気センサチップ３１）の位置が、ギャップ２０Ｇの略中央（中心線２１ｃ）とされている例を示した。これに対し、本実施形態では、例えば図２０に示すように、磁気センサチップ３１を被覆する封止樹脂３３を、幅方向において、磁気センサチップ３１の一面上の厚さが該一面の裏面上の厚さよりも厚い所定厚さとしている。詳しくは、磁気センサチップ３１の一面上に位置する封止樹脂３３の表面から磁気センサチップ３１の中心までの厚さが、端面２１から中心線２１ｃまでの距離と略一致するように設定されている。そして、封止樹脂３３における厚い側の外面を当接面としてコア２０の端面２１の一方に磁電変換素子３０を接触させることで、磁電変換素子３０（磁気センサチップ３１）の位置が、ギャップ２０Ｇの略中央（中心線２１ｃ）とされている点を特徴とする。

このような電流センサ１００は、例えば以下の製造方法によって形成することができる。先ず、コア２０が一体成形された樹脂ケース１０を準備する。また、表面４０ａ側に磁電変換素子３０が実装された基板４０を準備する。このとき、図２０に示すように、幅方向における封止樹脂３３の樹脂厚が、磁気センサチップ３１の一面上とその裏面上とで異なり、一面上の方が厚い所定厚さとされた磁電変換素子３０を用いる。このような磁電変換素子３０は、トランスファーモールド法において用いる金型を調整することで得ることができる。

そして、準備した基板４０と樹脂ケース１０を用い、樹脂ケース１０に基板４０を位置決め固定する。先ず図２１に示すように、第１スルーホール４１を端子１７が挿通し、図示しないスルーホールを支持ピン１６が挿通するように、例えば基板４０を少なくとも下方に移動させて、磁電変換素子３０（封止樹脂３３）をギャップ２０Ｇ内に配置する。この時点で、基板４０の表面４０ａが支持ピン１６の拡径部１６ａに接触された状態となる。次に、図２２に示すように、磁電変換素子３０における封止樹脂３３の厚い側の表面が一方の端面２１に接触することで移動が止まるまで、磁電変換素子３０が端面２１に近づくように幅方向に例えば基板４０を移動させ、磁電変換素子３０を位置決めする。すなわち、磁電変換素子３０を端面２１に当て止めする。上記したように、磁気センサチップ３１の一面上における封止樹脂３３の厚さは所定厚さとなっており、この接触状態で、磁電変換素子３０（磁気センサチップ３１）の位置を、ギャップ２０Ｇの略中央（中心線２１ｃ）とすることができる。

このように本実施形態によれば、磁電変換素子３０としてのモールドＩＣを構成する封止樹脂３３において、磁気センサチップ３１の一面上の厚さを、該一面の裏面上の厚さよりも厚い所定厚さとしている。そして、磁電変換素子３０を、封止樹脂３３における厚い側の外面を当接面として、コア２０の端面２１の一方に接触させている。したがって、端面２１を基準とし、所定厚さの封止樹脂３３を介して、磁気センサチップ３１をギャップ２０Ｇの略中央とすることができる。これにより、コア２０が樹脂ケース１０と一体成形された構成において、コア２０のギャップ２０Ｇに対する磁電変換素子３０の位置精度を向上し、ひいては外乱磁界による特性変動が低減された電流センサ１００とすることができる。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。

１０・・・樹脂ケース
１１・・・収容部
１８・・・ガイド部
１８ａ・・・テーパ面
１８ｂ・・・平行面
２０・・・コア
２０Ｇ・・・ギャップ
２１・・・端面
２１ｃ・・・中心線
３０・・・磁電変換素子
３１・・・磁気センサチップ
３２・・・リード
３３・・・封止樹脂
３３ａ・・・テーパ部
４０・・・基板
４０ａ・・・表面
１００・・・電流センサ

Claims (4)

1. 互いに略平行とされた両端面間に所定幅のギャップを有するリング形状のコアが樹脂ケースと一体成形され、前記樹脂ケースの収容部内に前記ギャップの少なくとも一部が露出されるとともに、表面側に磁電変換素子が実装された基板が前記収容部内に収容されて前記ギャップ上に配置され、前記ギャップ内に前記磁電変換素子が配置された電流センサであって、
   前記磁電変換素子は、磁気センサチップとリードとが電気的に接続され、前記磁気センサチップ及び該磁気センサチップと前記リードとの接続部が封止樹脂によって被覆されたモールドＩＣであり、
   前記封止樹脂は、前記基板の厚さ方向において前記基板から離れるほど前記ギャップの幅方向における厚さが薄くされたテーパ部を有し、
   前記テーパ部におけるテーパ状の外面の少なくとも一部が、前記ギャップの幅方向において、前記両端面と相対していることを特徴とする電流センサ。
2. 前記ギャップの幅方向において、前記テーパ部におけるテーパ状の外面は、前記磁気センサチップを中心とした線対称の形状とされ、前記両端面における基板側端部と接触されていることを特徴とする請求項１に記載の電流センサ。
3. 互いに略平行とされた両端面間に所定幅のギャップを有するリング形状のコアが樹脂ケースと一体成形され、前記樹脂ケースの収容部内に前記ギャップの少なくとも一部が露出されるとともに、表面側に磁電変換素子が実装された基板が前記収容部内に収容されて前記ギャップ上に配置され、前記ギャップ内に前記磁電変換素子が配置された電流センサであって、
   前記磁電変換素子は、磁気センサチップとリードとが電気的に接続され、前記磁気センサチップ及び該磁気センサチップと前記リードとの接続部が封止樹脂によって被覆されたモールドＩＣであり、
   前記封止樹脂は、前記ギャップの幅方向において、前記磁気センサチップの一面上の厚さが、該一面の裏面上の厚さよりも厚い所定厚さとされ、厚い側の外面を当接面として前記コアの端面の一方のみと接触されていることを特徴とする電流センサ。
4. 磁気センサチップとリードとが電気的に接続され、前記磁気センサチップ及び該磁気センサチップと前記リードとの接続部が封止樹脂により被覆されたモールドＩＣを磁電変換素子とし、前記リードがスルーホールに挿入されて該スルーホール周辺に形成されたランドとはんだ接合されてなる、表面側に前記磁電変換素子が実装された基板を準備する基板準備工程と、
   互いに略平行とされた両端面間に所定幅のギャップを有するリング形状のコアが一体成形され、収容部内に前記ギャップの少なくとも一部が露出された樹脂ケースを準備するケース準備工程と、
   前記コアのギャップに前記磁電変換素子の磁気センサチップが位置するように、前記基板を前記収容部内における前記コア上に位置決めして配置し、位置決めした状態で前記基板を前記樹脂ケースに固定する固定工程と、を備える電流センサの製造方法であって、
   前記基板準備工程では、前記ギャップの幅方向において、前記磁気センサチップの一面上における前記封止樹脂の厚さが、該一面の裏面上における前記封止樹脂の厚さよりも厚くされたモールドＩＣを前記磁電変換素子として用い、
   前記固定工程では、前記磁電変換素子を前記ギャップ内に配置し、その後、前記封止樹脂の厚い側の外面を当接面として前記磁電変換素子が前記コアの一方の端面に接触することで移動が止まるまで、前記磁電変換素子が前記端面に近づくように前記ギャップの幅方向に前記基板若しくは前記樹脂ケースを移動させ、前記磁電変換素子を位置決めすることを特徴とする電流センサの製造方法。

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