JP5098592B2 - レジストパターン形状制御材料、半導体装置の製造方法、及び磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
レジストパターン形状制御材料、半導体装置の製造方法、及び磁気ヘッドの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5098592B2 JP5098592B2 JP2007300352A JP2007300352A JP5098592B2 JP 5098592 B2 JP5098592 B2 JP 5098592B2 JP 2007300352 A JP2007300352 A JP 2007300352A JP 2007300352 A JP2007300352 A JP 2007300352A JP 5098592 B2 JP5098592 B2 JP 5098592B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- resist pattern
- resist
- shape control
- pattern shape
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Description
即ち、本発明は、解像性を損なうことなく、レジストパターン形状が逆テーパ形状となることを回避可能なレジストパターン形状制御材料、半導体装置の製造方法、及び磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。
本発明のレジストパターン形状制御材料は、スルホン基を有する基材樹脂、光酸発生剤、及び溶剤を含むことを特徴とする。
本発明のレジストパターン形状制御材料は、スルホン基を有する基材樹脂、光酸発生剤、及び溶剤を含み、更に必要に応じて適宜選択した、その他の成分を含む。
前記基材樹脂としては、スルホン基を有するものであれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記スルホン基を有する基材樹脂としては、酸性雰囲気中で加熱することによりスルホン酸が遊離しやすい、ベンゼンスルホン酸からなるモノマー単位を含むポリマーが好ましい。ベンゼンスルホン酸からなるモノマー単位を含むポリマーの例としては、スルホン置換基を有するポリスチレン樹脂、スルホン置換基を有するフェノール樹脂等が挙げられる。
また、前記レジストパターン形状制御材料は、硫黄含有量で1重量%以上のスルホン基を有することが好ましい。
前記スルホン基を有する基材樹脂の含有量としては、レジスト上への塗布性を考慮すると、全固形分に対して0.1〜50質量%であることが好ましい。
前記光酸発生剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
本発明に用いられる、光酸発生剤としては、下記「化1」に示すようなヨードニウム塩のグループ、下記「化2」に示すようなスルホニウム塩のグループ、下記「化3」及び「化4」に示すようなハロゲン化合物のグループ、下記「化5」に示すようなスルホン酸エステル化合物(例えば、トリフェニルスルフォニウムノナワルオロブタンスルホネート)のグループ、下記「化6」に示すようなイミド化合物のグループ、下記「化7」に示すようなカルボニル化合物のグループ、下記「化8」に示すようなジスルフォン、下記「化9」に示すようなα,α−ビスアリルスルフォニルジアゾメタンのグループ、下記「化10」に示すようなジアゾニウム塩のグループを用いることができる。
前記溶剤としては、レジストパターン形状制御材料の各成分を溶解可能で、かつ適当な乾燥速度を有し、該有機溶剤が蒸発した後に均一で平滑な塗膜を形成可能であれば、特に制限はなく、当該技術分野で通常用いられているものを使用することができる。
また、その他の成分として、本発明の効果を害しない限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、公知の各種添加剤が挙げられ、例えば、前記組成物の溶解性や塗布性の向上を目的とした場合には、イソプロピルアルコール、界面活性剤などを添加することができる。
本発明の半導体装置の製造方法(レジストパターン形状制御膜形成方法)は、レジスト膜形成工程と、レジストパターン形状制御膜形成工程と、加熱工程とを少なくとも含み、更に必要に応じて適宜選択した、その他の工程を含む。
前記レジスト膜形成工程は、基板上にレジスト膜を形成する工程である。
前記レジスト膜としては、スルホン酸の作用により反応が生じる化学増幅型ポジレジストが好ましい。
前記レジストパターン形状制御膜形成工程は、前記形成されたレジスト膜上に前記レジストパターン形状制御膜を形成する工程である。
前記レジストパターン形状制御膜は、公知の方法、例えば塗布等により形成することができる。該塗布の方法としては、特に制限はなく、目的に応じて公知の塗布方法の中から適宜選択することができ、例えば、スピンコート法などが好適に挙げられる。該スピンコート法の場合、その条件としては、例えば、回転数が100〜10,000rpm程度であり、800〜5,000rpmが好ましく、時間が1秒〜10分間程度であり、1秒〜90秒間が好ましい。
前記塗布の際の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記加熱工程は、前記基板を加熱する工程である。
前記塗布の際乃至その後で、塗布した前記レジスト組成物に対して溶剤を乾燥させる上で加熱を行うことが好ましく、その条件、方法などとしては、前記レジストパターン形状制御膜を軟化、光酸発生剤を分解させない限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、その温度としては、50〜180℃程度が好ましく、80〜160℃がより好ましく、また、その時間としては、10秒間〜5分間程度が好ましく、30秒間〜90秒間がより好ましい。
前記その他の工程としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
本発明の半導体装置の製造方法(レジストパターン形成方法)は、膜形成工程と、露光工程と、レジストパターン形状制御膜除去工程と、レジストパターン形成工程とを少なくとも含み、更に必要に応じて適宜選択した、その他の工程を含む。
前記膜形成工程は、前記レジストパターン形状制御膜形成方法により、前記レジスト膜及び前記レジストパターン形状制御膜を形成する工程である。
前記露光工程は、前記形成されたレジスト膜及びレジストパターン形状制御膜に対し露光光を照射する工程である。
前記露光は、公知の露光装置により好適に行うことができ、前記レジスト膜及び前記レジストパターン形状制御膜に対し前記露光光が照射されることにより行われる。該露光光の照射により、露光領域における前記レジスト膜及び前記レジストパターン形状制御膜の組成物中の光酸発生剤が分解されて酸を発生することにより、パターン潜像が形成される。
前記露光光の照射は、前記レジスト膜の一部の領域に対して行われることにより、該一部の領域において、前記該一部の領域の極性が変化し、後述の現像工程において、該極性変化させた一部の領域以外の未反応領域が残存(ポジレジストの場合)されてレジストパターンが形成される。
前記露光光としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、電離放射線(電子線、収束イオンビーム、陽電子線、α線、β線、μ粒子線、π粒子線、陽子線、重陽子線、及び重イオン線から選択される少なくとも1種の電荷粒子線)を用いることが好ましく、X線、電子線、収束イオンビーム等の活性エネルギー線を用いることがさらに好ましい。
また、露光後に第二の加熱工程を行うことが、前記露光領域での前記レジスト膜及び前記レジストパターン形状制御膜の極性変化反応を促進させる上で好ましい。
前記レジストパターン形状制御膜除去工程は、前記レジストパターン形状制御膜を除去する工程であるが、前記レジスト膜を溶解せず、前記レジストパターン形状制御膜のみを溶解するものであれば、方法、材料に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。また、後述するレジストパターン形成工程において、レジストの現像とレジストパターン形状制御膜の溶解とを現像液にて同時に達成することがより好ましい。
前記アルカリとしては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、ケイ酸ナトリウム、アンモニアなどの無機アルカリ;エチルアミン、プロピルアミンなどの第一級アミン;ジエチルアミン、ジプロピルアミンなどの第二級アミン;トリメチルアミン、トリエチルアミンなどの第三級アミン;ジエチルエタノールアミン、トリエタノールアミンなどのアルコールアミン;テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、トリエチルヒドロキシメチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシエチルアンモニウムなどの第四級アンモニウムヒドロキシド;などが挙げられる。
また必要に応じて、前記アルカリ水溶液には、メチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、エチレングリコールなどの水溶性有機溶剤、界面活性剤、樹脂の溶解抑止剤、などを添加することができる。
前記界面活性剤としては、本発明の前記レジストパターン形状制御材料で述べたものを用いることができる。
前記レジストパターン形成工程は、前記露光されたパターンを現像してレジストパターンを形成する工程である。
前記現像は、未硬化領域を除去することにより行われるものである。前記未硬化領域の除去方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記現像液を用いて除去する方法などが挙げられる。
前記その他の工程としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記半導体装置は、前記レジストパターン形状制御膜形成方法によりレジストパターン形状制御膜が形成され、前記レジストパターン形成方法によりレジストパターンが形成される。
前記磁気ヘッドは、前記レジストパターン形状制御膜形成方法によりレジストパターン形状制御膜が形成され、前記レジストパターン形成方法によりレジストパターンが形成される。
前記マスクは、前記レジストパターン形成方法により形成されたレジストパターンである。
下記組成のレジスト(化学増幅型ポジレジスト)材料を調製し、調製したものをレジスト1とした。
(1)基材樹脂 :30%t−ブトキシカルボニル(t−Boc)化ポリp−ヒドロキシスチレン(丸善石油化学(株)製、Mw=11,000)/100重量部
(2)光酸発生剤:ジフェニルヨードニウムノナフルオロブタンスルホネート(みどり化学(株)製)/5重量部
(3)溶剤 :プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(関東化学(株)製)/600重量部
(4)添加剤 :ヘキシルアミン(関東化学(株)製)/0.2重量部
下記組成のレジストパターン形状制御材料を調製した。
(1)基材樹脂 :ポリスチレンスルホン酸 (シグマアルドリッチジャパン(株)製、Mw=10,000)/100重量部
(2)光酸発生剤:トリフェニルスルフォニウムノナフルオロブタンスルホネート(みどり化学(株))/5重量部
(3)溶剤 :イソプロピルアルコール(関東化学(株))/100重量部、水/700重量部
−レジストパターンの形成−
前記調製例1で調製されたレジスト材料(前記レジスト1)をSi基板上にスピンコート法(条件:2500rpm、60秒間)により塗布し、塗布されたレジスト1に対して、120℃で90秒間ベークした(レジスト膜形成工程)。
前記レジスト材料をスピンコートした基板上に前記調製例2で調製されたレジストパターン形状制御材料をスピンコート法(条件:2500rpm、60秒間)により塗布し、120℃で90秒間ベークした(レジストパターン形状制御膜形成工程)。
−レジストパターンの形成−
レジストパターン形状制御膜形成工程において、前記調製例2で調製されたレジストパターン形状制御材料を用いる代わりに、前記調製例2における光酸発生剤の基材樹脂に対する質量%を0.5%としたレジストパターン形状制御材料を用いた以外は、実施例1と同様にしてレジストパターンの形成を形成した。
−レジストパターンの形成−
レジストパターン形状制御膜形成工程において、前記調製例2で調製されたレジストパターン形状制御材料を用いる代わりに、前記調製例2における光酸発生剤の基材樹脂に対する質量%を1%としたレジストパターン形状制御材料を用いた以外は、実施例1と同様にしてレジストパターンの形成を形成した。
−レジストパターンの形成−
レジストパターン形状制御膜形成工程において、前記調製例2で調製されたレジストパターン形状制御材料を用いる代わりに、前記調製例2における光酸発生剤の基材樹脂に対する質量%を30%としたレジストパターン形状制御材料を用いた以外は、実施例1と同様にしてレジストパターンの形成を形成した。
−レジストパターンの形成−
レジストパターン形状制御膜形成工程において、前記調製例2で調製されたレジストパターン形状制御材料を用いる代わりに、前記調製例2における基材樹脂のレジストパターン形状制御材料の全固形分に対する質量%を0.1%としたレジストパターン形状制御材料を用いた以外は、実施例1と同様にしてレジストパターンの形成を形成した。
−レジストパターンの形成−
レジストパターン形状制御膜形成工程において、前記調製例2で調製されたレジストパターン形状制御材料を用いる代わりに、前記調製例2における基材樹脂のレジストパターン形状制御材料の全固形分に対する質量%を50%としたレジストパターン形状制御材料を用いた以外は、実施例1と同様にしてレジストパターンの形成を形成した。
−レジストパターンの形成−
レジストパターン形状制御膜形成工程を行わない以外は、実施例1と同様にしてレジストパターンの形成を形成した。
−レジストパターンの形成−
レジストパターン形状制御膜形成工程において、前記調製例2で調製されたレジストパターン形状制御材料を用いる代わりに、前記調製例2における光酸発生剤を添加しないレジストパターン形状制御材料を用いた以外は、実施例1と同様にしてレジストパターンの形成を形成した。
−レジストパターンの形成−
レジストパターン形状制御膜形成工程において、前記調製例2で調製されたレジストパターン形状制御材料を用いる代わりに、前記調製例2における基材樹脂(ポリスチレンスルホン酸)をポリアクリル酸(シグマアルドリッチジャパン(株)、Mw=450,000)にレジストパターン形状制御材料を用いた以外は、実施例1と同様にしてレジストパターンの形成を形成した。
また、光酸発生剤の含有量が基材樹脂に対して1〜30質量%であると、テーパー角を90°以上にする(順テーパ形状にする)ことができることが分かった。
なお、レジストパターン形状制御材料の基材樹脂をカルボキシル基含有樹脂(ポリアクリル酸)に変更した場合(比較例3)は形状改善の効果がみられなかった。
−フラッシュメモリ及びその製造−
実施例7は、本発明のレジストパターン形状制御材料を用いた本発明の半導体装置及びその製造方法の一例である。なお、この実施例7では、以下のレジスト膜26、27、29及び32が、実施例1〜6で用いたレジスト組成物を用いて、実施例1〜6と同様の方法で形成されたものである。
以上により、図13に示すように、半導体装置としてFLASH EPROMを製造した。
以上により、図16に示すように、半導体装置としてFLASH EPROMを製造した。
なお、図15において、44aは第1ゲート部を示し、44bは第2ゲート部を示す。さらに、図16において、45a、45b、46a、46bはS/D(ソース・ドレイン)領域層を示し、47は層間絶縁膜を示し、48a、48b、49a、49bはコンタクトホールを示し、50a、50b、51a、51bはS/D(ソース・ドレイン)電極を示す。
なお、ここでは、高融点金属膜(第4導電体膜)として高融点金属膜(第4導電体膜)42a及び42bを用いているが、チタンシリサイド(TiSi)膜等の高融点金属シリサイド膜を用いてもよい。
なお、ここでは、第3導電体膜53a又は53bと、高融点金属膜(第4導電体膜)42とをそれぞれ別々に形成しているが、共通の高融点金属膜として同時に形成してもよい。
−磁気ヘッドの製造−
実施例8は、本発明のレジストパターン形成方法によって形成されたレジストパターンの応用例としての磁気ヘッドの製造に関する。なお、この実施例8では、以下のレジストパターンR2Aが、実施例1〜6で用いたレジスト材料を用いて形成したレジスト膜に、電子線を照射して形成したレジストパターンである。
図20を参照するに、まずAl2O3−TiC基板(図示せず)上にAl2O3膜(図示せず)を介してNiFe合金からなる下部磁気シールド層131を電解メッキ法により形成し、Al2O3のギャップスペーサ層131Aを介してスピンバルブ構造膜115Lをスパッタリング法により形成する。
次いで、レジストマスクを除去したのち、Arイオンを用いたイオンミリングを施すことによってメッキベース層の露出部を除去し、次いで、全面にAl2O3保護膜を形成した後、基板を切断し、磁気抵抗効果素子115を含む読出ヘッドと書き込み用の誘導型の薄膜磁気ヘッドとを集積化した磁気ヘッドスライダが得られる。
なお、図27において、132は磁気抵抗効果素子を示す。
−フォトマスクの製造−
得られたレチクルパターン13は、電子線描画パターンに正確に対応するものであった。
図示のように、クロムパターンが石英ガラス基板に被着せしめられてなる目的とするレチクル20が得られた(図28F)。
2 レクチル形成性金属層(クロム層)
3 レジスト層
4 レジストパターン形状制御用材料層
10 フォトプレート
12 レチクルパターン
13 レジストパターン
20 レチクル
22 Si基板(半導体基板)
23 フィールド酸化膜
24a 第1ゲート絶縁膜
24b 第2ゲート絶縁膜
25a 第1閾値制御層
25b 第2閾値制御層
26 レジスト膜
27 レジスト膜
28 第1ポリシリコン層(第1導電体膜)
28a フローティングゲート電極
28b ゲート電極(第1ポリシリコン膜)
28c フローティングゲート電極
29 レジスト膜
30a キャパシタ絶縁膜
30b キャパシタ絶縁膜
30c キャパシタ絶縁膜
30d SiO2膜
31 第2ポリシリコン層(第2導電体膜)
31a コントロールゲート電極
31b 第2ポリシリコン膜
32 レジスト膜
33a 第1ゲート部
33b 第2ゲート部
33c 第2ゲート部
35a S/D(ソース・ドレイン)領域層
35b S/D(ソース・ドレイン)領域層
36a S/D(ソース・ドレイン)領域層
36b S/D(ソース・ドレイン)領域層
37 層間絶縁膜
38a コンタクトホール
38b コンタクトホール
39a コンタクトホール
39b コンタクトホール
40a S/D(ソース・ドレイン)電極
40b S/D(ソース・ドレイン)電極
41a S/D(ソース・ドレイン)電極
41b S/D(ソース・ドレイン)電極
42 高融点金属膜(第4導電体膜)
42a 高融点金属膜(第4導電体膜)
42b 高融点金属膜(第4導電体膜)
44a 第1ゲート部
44b 第2ゲート部
45a S/D(ソース・ドレイン)領域層
45b S/D(ソース・ドレイン)領域層
46a S/D(ソース・ドレイン)領域層
46b S/D(ソース・ドレイン)領域層
47 層間絶縁膜
48a コンタクトホール
48b コンタクトホール
49a コンタクトホール
49b コンタクトホール
50a S/D(ソース・ドレイン)電極
50b S/D(ソース・ドレイン)電極
51a S/D(ソース・ドレイン)電極
51b S/D(ソース・ドレイン)電極
52a 開口部
52b 開口部
53a 高融点金属膜(第3導電体膜)
53b 高融点金属膜(第3導電体膜)
54 絶縁膜
115 磁気抵抗効果素子
115L スピンバルブ構造膜
116 ハードバイアス膜
116A ハードバイアスパターン
116B ハードバイアスパターン
117 有機ポリマー膜
117A 有機ポリマー膜パターン
117B アンダーカット
120 リフトオフマスクパターン
131 下部磁気シールド層
131A ギャップスペーサ層
132 磁気抵抗効果素子
133 読出し電極層
133A 読出し電極パターン
133a Ta膜
133b Au膜
133c Ta膜
133B 読出し電極パターン
134 NiFe合金層
135 書き込みコイル
136A 書き込み電極
136B 書き込み電極
137 上部磁極層
138 書き込み磁極
200 基板
201 レジスト膜
202 レジスト形状制御膜
203 露光部
204 露光光
Claims (6)
- スルホン酸基を有する基材樹脂、光酸発生剤、及び溶剤を含み、
前記スルホン酸基を有する基材樹脂が、スルホン酸基を有するポリスチレン樹脂、及びスルホン酸基を有するフェノール樹脂の少なくともいずれかであり、
前記光酸発生剤が、ヨードニウム塩、スルホニウム塩、スルホン酸エステル化合物、イミド化合物、及びジスルフォンの少なくともいずれかであることを特徴とするレジストパターン形状制御材料。 - 前記基材樹脂が、硫黄含有量で前記基材樹脂に対して1重量%以上のスルホン酸基を有する請求項1に記載のレジストパターン形状制御材料。
- 前記光酸発生剤の含有量が、前記基材樹脂に対して1〜30質量%である請求項1乃至2のいずれか1項に記載のレジストパターン形状制御材料。
- 基板上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜上に請求項1乃至3のいずれか1項に記載のレジストパターン形状制御材料からなるレジストパターン形状制御膜を形成する工程と、次いで、前記基板を加熱する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 前記レジスト膜及び前記レジストパターン形状制御膜を形成する工程と、前記レジスト膜及び前記レジストパターン形状制御膜に対し露光光を照射する工程と、前記レジストパターン形状制御膜を除去する工程と、前記露光されたパターンを現像してレジストパターンを形成する工程とを含む請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
- 基板上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜上に請求項1乃至3のいずれか1項に記載のレジストパターン形状制御材料からなるレジストパターン形状制御膜を形成する工程と、次いで、前記基板を加熱する工程とを含むことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007300352A JP5098592B2 (ja) | 2007-11-20 | 2007-11-20 | レジストパターン形状制御材料、半導体装置の製造方法、及び磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007300352A JP5098592B2 (ja) | 2007-11-20 | 2007-11-20 | レジストパターン形状制御材料、半導体装置の製造方法、及び磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009128409A JP2009128409A (ja) | 2009-06-11 |
JP5098592B2 true JP5098592B2 (ja) | 2012-12-12 |
Family
ID=40819438
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007300352A Active JP5098592B2 (ja) | 2007-11-20 | 2007-11-20 | レジストパターン形状制御材料、半導体装置の製造方法、及び磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5098592B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014178542A (ja) * | 2013-03-15 | 2014-09-25 | Fujifilm Corp | パターン形成方法、組成物キット、及びレジスト膜、並びにこれらを用いた電子デバイスの製造方法、及び電子デバイス |
JP7256689B2 (ja) * | 2019-05-31 | 2023-04-12 | 株式会社アルバック | レジストパターンの製造方法及びレジスト膜 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6394234A (ja) * | 1986-10-08 | 1988-04-25 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | コントラスト向上剤 |
JPH05226238A (ja) * | 1991-10-31 | 1993-09-03 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | E−ビームレジスト用の塩基現像可能な放電トップ層 |
JP3281053B2 (ja) * | 1991-12-09 | 2002-05-13 | 株式会社東芝 | パターン形成方法 |
JP3402415B2 (ja) * | 1994-03-03 | 2003-05-06 | 沖電気工業株式会社 | レジストパターン形成方法 |
JP4606136B2 (ja) * | 2004-06-09 | 2011-01-05 | 富士通株式会社 | 多層体、レジストパターン形成方法、微細加工パターンを有する装置の製造方法および電子装置 |
KR100574495B1 (ko) * | 2004-12-15 | 2006-04-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 광산발생제 중합체, 그 제조방법 및 이를 함유하는상부반사방지막 조성물 |
-
2007
- 2007-11-20 JP JP2007300352A patent/JP5098592B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009128409A (ja) | 2009-06-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5293168B2 (ja) | レジスト組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法 | |
KR101439394B1 (ko) | 산 확산을 이용하는 더블 패터닝 공정에 의한 반도체소자의 미세 패턴 형성 방법 | |
JP4566862B2 (ja) | レジストパターン厚肉化材料、レジストパターンの形成方法、半導体装置及びその製造方法 | |
US7723016B2 (en) | Method for forming resist pattern and method for manufacturing a semiconductor device | |
JP4676325B2 (ja) | レジストパターン厚肉化材料、レジストパターンの形成方法、半導体装置及びその製造方法 | |
KR100743008B1 (ko) | 레지스트 조성물, 레지스트 패턴의 형성 방법, 반도체 장치및 그 제조 방법 | |
EP2240828B1 (en) | Exposure photolithography methods using photoresist compositions | |
US7364829B2 (en) | Resist pattern thickening material, process for forming resist pattern, and process for manufacturing semiconductor device | |
KR101294510B1 (ko) | 레지스트 증감막 형성용 재료, 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
JP4843710B2 (ja) | 導電性反射防止膜形成用材料、導電性反射防止膜の形成方法、レジストパターン形成方法、半導体装置、及び磁気ヘッド | |
KR100666065B1 (ko) | 레지스트 패턴 후막화 재료, 레지스트 패턴의 형성 방법,및 반도체 장치 및 그의 제조 방법 | |
JP2004061668A (ja) | レジストパターン厚肉化材料、レジストパターン及びその製造方法、並びに、半導体装置及びその製造方法 | |
US8338072B2 (en) | Resist composition, resist pattern forming process, and method for manufacturing semiconductor device | |
US7662539B2 (en) | Resist pattern thickening material, process for forming resist pattern, and process for manufacturing semiconductor device | |
JP2007264118A (ja) | レジスト組成物、レジストパターンの形成方法、半導体装置及びその製造方法 | |
JP2004046060A (ja) | レジストパターン厚肉化材料、レジストパターン及びその製造方法、並びに、半導体装置及びその製造方法 | |
JP5098592B2 (ja) | レジストパターン形状制御材料、半導体装置の製造方法、及び磁気ヘッドの製造方法 | |
JP4409524B2 (ja) | レジストパターン厚肉化材料、レジストパターンの製造方法、及び半導体装置の製造方法 | |
JP4566861B2 (ja) | レジスト組成物、レジストパターンの形成方法、半導体装置及びその製造方法 | |
JP5360062B2 (ja) | 電子線レジスト増感膜形成用材料、並びに半導体装置の製造方法 | |
JP5125444B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及びマスクの製造方法 | |
JP2006060006A (ja) | 半導体装置及びその製造方法、並びに、レジストパターンの形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100616 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111130 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111206 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120117 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120417 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120523 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120828 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120910 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151005 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5098592 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |