JP5095562B2 - ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその作製方法 - Google Patents
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- 239000010432 diamond Substances 0.000 title claims description 93
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 title claims description 93
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 238000002353 field-effect transistor method Methods 0.000 title 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 63
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 30
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 25
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 23
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 22
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 15
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 claims description 12
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 12
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 10
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 10
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 9
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 8
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 claims description 6
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 claims description 6
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 4
- YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N Protium Chemical compound [1H] YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N 0.000 claims 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- KNCYXPMJDCCGSJ-UHFFFAOYSA-N piperidine-2,6-dione Chemical compound O=C1CCCC(=O)N1 KNCYXPMJDCCGSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- GZPBVLUEICLBOA-UHFFFAOYSA-N 4-(dimethylamino)-3,5-dimethylphenol Chemical compound CN(C)C1=C(C)C=C(O)C=C1C GZPBVLUEICLBOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XKTYXVDYIKIYJP-UHFFFAOYSA-N 3h-dioxole Chemical compound C1OOC=C1 XKTYXVDYIKIYJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910016569 AlF 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910020156 CeF Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- YUJCWMGBRDBPDL-UHFFFAOYSA-N 4,4-dimethylpiperidine-2,6-dione Chemical compound CC1(C)CC(=O)NC(=O)C1 YUJCWMGBRDBPDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 229920001774 Perfluoroether Polymers 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 229920013653 perfluoroalkoxyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Description
図1(a)〜(e)に、本発明の実施形態1に係るダイヤモンドFETの作製工程を示す。マイクロ波プラズマCVD装置などで結晶成長したダイヤモンド結晶1を用意し、マイクロ波CVD装置のリアクター内で水素プラズマ(Hで表す)を照射し、水素を含む表面層2を形成する(図1(a))。マイクロ波プラズマCVD装置で、水素プラズマ雰囲気内で結晶成長したダイヤモンド結晶1表面は、既に水素を含む第1の表面層2を形成しているので、第1の表面層2が十分形成されている場合、改めて水素プラズマ照射処理をしなくても良い。
図2に、本発明の実施形態2に係るダイヤモンドFETの構造を示す。実施形態2では、実施形態1の図1(a)〜(d)までの工程を行い、図1(e)の工程を行わない。
図3に、本発明の実施形態3に係るダイヤモンドFETの構成を示す。実施形態3では、実施形態1の図1(a)〜(c)、(e)の工程を行い、図1(d)の工程を行わない。
図4に、本発明の実施形態4に係るダイヤモンドFETの作製工程を示す。実施形態4と実施形態1との差異は、電極設置前に第2の表面層5を形成する点にある。
図5に、本発明の実施形態5に係るダイヤモンドFETの構造を示す。実施形態5では、実施形態4の図4(a)〜(d)までの工程を行い、図4(e)の工程を行わない。
2 水素を含む第1の表面層
31 ソース電極(Au)
32 ドレイン電極(Au)
4 ゲート電極(Al)
5 NO2を含む第2の表面層
55 CO2、H2Oを含む第2の表面層
6 ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)を含む保護層
Claims (10)
- ダイヤモンド結晶基板と、
前記ダイヤモンド結晶基板上に水素原子で終端された第1の表面層と、
前記ダイヤモンド結晶基板の第1の表面層上に形成された、窒素と酸素、硫黄と酸素、及び酸素のみのいずれかから成る第2の表面層と、
前記第2の表面層上に互いに離間して形成されたソース電極、ゲート電極、ドレイン電極からなる電極部と、
を備えたことを特徴とするダイヤモンド電界効果トランジスタ。 - ダイヤモンド結晶基板と、
前記ダイヤモンド結晶基板上に水素原子で終端された第1の表面層と、
前記第1の表面層上に互いに離間して形成されたソース電極、ゲート電極、ドレイン電極からなる電極部と、
前記ダイヤモンド結晶基板の第1の表面層上に形成された、窒素と酸素、硫黄と酸素、及び酸素のみのいずれかから成る第2の表面層と、
を備えたことを特徴とするダイヤモンド電界効果トランジスタ。 - 前記第2の表面層上に形成されたフッ素を含む化合物からなる保護層をさらに備えたことを特徴とする請求項1又は2に記載のダイヤモンド電界効果トランジスタ。
- 前記第2の表面層は、NO又はNO2からなることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載のダイヤモンド電界効果トランジスタ。
- 前記保護層は、アモルファスフロロポリマー、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン及びフッ素を含むポリジメチルグルタルイミドのいずれかからなることを特徴とする請求項3乃至4のいずれかに記載のダイヤモンド電界効果トランジスタ。
- ダイヤモンド結晶基板表面に水素ラジカルを吸着させる第1の工程と、
前記水素ラジカルが吸着した表面に窒素と酸素、硫黄と酸素、及び酸素のみのいずれかを含む第1の化合物原料を吸着させる第2の工程と、
前記窒素と酸素、硫黄と酸素、及び酸素のみのいずれかを含む第1の化合物原料を吸着した表面に互いに離間して形成されたソース電極、ゲート電極、ドレイン電極からなる電極部を形成する第3の工程と
を含むことを特徴とするダイヤモンド電界効果トランジスタ作製方法。 - ダイヤモンド結晶基板表面に水素ラジカルを吸着させる第1の工程と、
前記水素ラジカルが吸着した表面に互いに離間して形成されたソース電極、ゲート電極、ドレイン電極からなる電極部を形成する第2の工程と、
前記水素ラジカルが吸着した表面に窒素と酸素、硫黄と酸素、及び酸素のみのいずれかを含む第1の化合物原料を吸着させる第3の工程と
を含むことを特徴とするダイヤモンド電界効果トランジスタ作製方法。 - 前記第1の化合物原料が吸着した表面にフッ素を含む第2の化合物原料を堆積させる第4の工程をさらに含むことを特徴とする請求項6又は7に記載のダイヤモンド電界効果トランジスタ作製方法。
- 前記第1の化合物原料は、NO又はNO2であることを特徴とする請求項6乃至8のいずれかに記載のダイヤモンド電界効果トランジスタ作製方法。
- 前記第2の化合物原料は、アモルファスフロロポリマー、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン及びフッ素を含むポリジメチルグルタルイミドのいずれかであることを特徴とする請求項8又は9に記載のダイヤモンド電界効果トランジスタ作製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008228654A JP5095562B2 (ja) | 2008-09-05 | 2008-09-05 | ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008228654A JP5095562B2 (ja) | 2008-09-05 | 2008-09-05 | ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその作製方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010062457A JP2010062457A (ja) | 2010-03-18 |
JP5095562B2 true JP5095562B2 (ja) | 2012-12-12 |
Family
ID=42188913
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008228654A Expired - Fee Related JP5095562B2 (ja) | 2008-09-05 | 2008-09-05 | ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその作製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5095562B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107146756A (zh) * | 2017-06-27 | 2017-09-08 | 中国科学院微电子研究所 | 一种金刚石基底场效应晶体管制备方法 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6311963B2 (ja) * | 2011-10-24 | 2018-04-18 | 株式会社ユーテック | 成膜方法及び磁気記録媒体の製造方法 |
JP5759398B2 (ja) * | 2012-02-21 | 2015-08-05 | 日本電信電話株式会社 | ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその作成方法 |
JP6941346B2 (ja) * | 2017-04-13 | 2021-09-29 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | Mis型半導体装置およびその製造方法 |
CN107331701A (zh) * | 2017-06-27 | 2017-11-07 | 中国科学院微电子研究所 | 一种金刚石材料沟道导电特性优化方法 |
CN107331602A (zh) * | 2017-06-27 | 2017-11-07 | 中国科学院微电子研究所 | 一种金刚石材料表面空穴浓度提高方法 |
JP2018048410A (ja) * | 2017-12-04 | 2018-03-29 | 株式会社ユーテック | CxNyHz膜、成膜方法、磁気記録媒体およびその製造方法 |
CN110416290B (zh) * | 2019-07-30 | 2022-11-15 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 金刚石晶体管制备方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3308755B2 (ja) * | 1994-09-16 | 2002-07-29 | 東京瓦斯株式会社 | 素子分離された水素終端ダイヤモンド半導体素子の製造方法 |
JPH09257736A (ja) * | 1996-03-25 | 1997-10-03 | Tokai Univ | ガスセンサおよびガス検出装置 |
JP3364119B2 (ja) * | 1996-09-02 | 2003-01-08 | 東京瓦斯株式会社 | 水素終端ダイヤモンドmisfetおよびその製造方法 |
JP4425194B2 (ja) * | 2005-08-18 | 2010-03-03 | 株式会社神戸製鋼所 | 成膜方法 |
-
2008
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107146756A (zh) * | 2017-06-27 | 2017-09-08 | 中国科学院微电子研究所 | 一种金刚石基底场效应晶体管制备方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010062457A (ja) | 2010-03-18 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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