JP5094668B2 - Ni−W系合金微粒子の製造方法並びにNi−W合金微粒子の製造方法 - Google Patents
Ni−W系合金微粒子の製造方法並びにNi−W合金微粒子の製造方法 Download PDFInfo
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これは、Niの融点は1728Kであるのに対して、Wの融点は3655K(いずれも共立出版:化学大辞典による)と高温であるためであり、上述の特許文献1に開示されている技術では、Ni:W=80:20の合金をターゲットとして用いて、スパッタリング法によりこのターゲットと同比率の合金薄膜を得ている。
すなわち、特許文献1に開示されている技術では、ターゲットとして、メッキ法,蒸着法等によって作成される合金を用いているが、この方法では、Ni−W合金微粒子中におけるWの含有量を所望の値に調整するには、大変な手間が掛かるという問題がある。つまり、薄膜製造用の合金微粒子を製造する前に、ターゲットを作製する手間が掛かりすぎるという問題がある。
より具体的には、例えば積層セラミックコンデンサの内部電極層を構成する導電材の融点を上昇させるために有効な、NiとWとの合金を用いる導電材の融点を所望の値にすることが可能であるNi−W系合金微粒子の製造方法並びにNi−W合金微粒子の製造方法を提供することにある。
以下、まず、本実施形態に用いる微粒子製造装置10について説明する。
外管172の外挿固定された端部と反対の端部は、その形状が円錐台形状であり、その内部にも円錐台形状の空間である粉体分散室174を有する。また、その端部には分散部170で分散された粉末材料を搬送する搬送管182が接続される。
上述のコンプレッサ28cと気体供給源28dは、管28eを介してチャンバ16の天板17に接続されている。
また、本発明に係る合金微粒子の製造方法においては、使用するサイクロンの個数は、1つに限定されず、2つ以上でもよい。
また、気体供給装置28によって、チャンバ16内に供給される気体としては、アルゴンを使用した。このときのチャンバ内流速は5m/secで、供給量は、1m3/minとした。
なお、サイクロン19内の圧力は50kPaとし、また、チャンバ16からサイクロン19への合金微粒子の供給速度は、10m/s(平均値)とした。
図7に示す例では、合金微粒子製造用材料としてのNi粒子とWO3粒子との供給質量比率をNi:WO3=80:25.2(これは、Ni:W=80:20に相当する)とした場合(a)に、結果として回収されたもの(b)には酸化物が含まれず、全ての粒子がNi−W合金になっていることを示しているものである。また、回収されたNi−W合金微粒子中におけるNiとWとの存在質量比率は、Ni:W=85:15であった。
以下に、上記実施形態に対する比較例を説明する。
つまり、原料に金属Wを用いた場合には、Ni−W合金微粒子中におけるWの含有量を増やすことは、この製造方法では困難であるということを示すものである。
図8からも明らかなように、本実施例に示されるような方法によれば、Ni−W合金微粒子中におけるWの存在比率を広範囲に変更することが可能であり、Wの存在質量比率が30%と高い場合でも、全ての粒子をNi−W合金にすることができる。これを用いて、Ni−W合金微粒子の融点を任意の値に調整することが可能になり、積層セラミックコンデンサの内部電極層を構成する導電材の特性を所望の値に調製することが可能になる。
図9に示すのは、Ni−W合金微粒子製造用材料としてのW源として、金属Wを用いた場合と、その酸化物であるWO3を用いた場合における、原料中のW濃度とこれらから製造されたNi−W合金中のW濃度との関係の一例を示すものである。
このようにNi−W合金微粒子中に存在させる(含有させる)Wの量を増加させることにより、Ni−W合金の融点を上げることが可能になり、積層セラミックコンデンサの内部電極を形成する際などに極めて有効な効果が得られる。
また、気体供給装置28によってチャンバ16内に供給される気体としては、アルゴンを使用した。このときのチャンバ内流速は5m/secで、供給量は、1m3/minとした。
なお、サイクロン19内の圧力は50kPaとし、また、チャンバ16からサイクロン19への合金微粒子の供給速度は、10m/s(平均値)とした。
図10に示す例では、合金微粒子製造用材料としてのNi粒子,WO3粒子およびCu粒子の供給質量比率をNi:WO3:Cu=80:18.9:5とした場合に、結果として回収されたものには、Ni−Wの場合と同様に酸化物が含まれず、全ての粒子がNi−W−Cu合金になっていることを示しているものである。また、回収されたNi−W−Cu合金微粒子中におけるNiとWおよびCuとの存在質量比率は、Ni:W:Cu=81:16:3であった。
なお、第3の成分を用いる場合における各材料の混合比率に関しては、該当する成分についての相図を参照するのがよい。
なお、コンプレッサ28cと気体供給源28dは、管28eを介してチャンバ16の天板17に接続されている。ここで、熱プラズマ炎の尾部とは、プラズマガス供給口12cと反対側の熱プラズマ炎の端、つまり、熱プラズマ炎の終端部である。
ただし、この供給量は、熱プラズマ炎の安定を妨げることのないように制御されることが好ましい。
12 プラズマトーチ
12a 石英管
12b 高周波発振用コイル
12c プラズマガス供給口
15 1次合金微粒子
16 チャンバ
17 天板
17a 内側部天板部品
17b 外側部天板部品
17c 上部外側部天板部品
17d 通気路
18 微粒子(2次合金微粒子)
19 サイクロン
19a 入口管
19b 外筒
19c 円錐部
19d 粗大粒子回収チャンバ
19e 内管
20 回収部
20a 回収室
20b フィルター
20c 管
22 プラズマガス供給源
24 熱プラズマ炎
26 管
28 気体供給装置
28a 気体射出口
28b 気体射出口
28c コンプレッサ
28d 気体供給源
28e 管
140 材料供給装置
140a 供給管
142 貯蔵槽
144 粉末材料
146 攪拌軸
148 攪拌羽根
150a、150b オイルシール
152a、152b 軸受け
154a、154b モータ
160 スクリューフィーダ
162 スクリュー
164 軸
166 ケーシング
170 分散部
172 外管
174 粉体分散室
176 回転ブラシ
178 気体供給口
180 気体通路
182 搬送管
Claims (3)
- 合金微粒子製造用材料としてのニッケルを主成分とする一種以上の粒子および酸化タングステン粒子を分散させて熱プラズマ炎中に供給し、
前記合金微粒子製造用材料粒子を蒸発させて気相状態の合金を含む混合物とし、
この混合物を冷却して任意に規定される粒径での分級を実施することにより前記混合物中から平均粒径が1〜100nmのニッケル−タングステン系合金微粒子を回収する
ことを特徴とするニッケル−タングステン系合金微粒子の製造方法。 - 前記ニッケルを主成分とする一種以上の粒子は、Ag,Au,Al,Bi,Co,Cr,Cu,Fe,In,Mn,Mo,Nb,Pd,Pt,Sn,Ti,V,Znの各元素から選ばれる元素を含むものである請求項1に記載のニッケル−タングステン系合金微粒子の製造方法。
- 合金微粒子製造用材料としてのニッケル粒子および酸化タングステン粒子を分散させて熱プラズマ炎中に供給し、
前記合金微粒子製造用材料粒子を蒸発させて気相状態の合金を含む混合物とし、
この混合物を冷却して任意に規定される粒径での分級を実施することにより前記混合物中から平均粒径が1〜100nmのニッケル−タングステン合金微粒子を回収する
ことを特徴とするニッケル−タングステン合金微粒子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008254863A JP5094668B2 (ja) | 2008-09-30 | 2008-09-30 | Ni−W系合金微粒子の製造方法並びにNi−W合金微粒子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008254863A JP5094668B2 (ja) | 2008-09-30 | 2008-09-30 | Ni−W系合金微粒子の製造方法並びにNi−W合金微粒子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010084199A JP2010084199A (ja) | 2010-04-15 |
JP5094668B2 true JP5094668B2 (ja) | 2012-12-12 |
Family
ID=42248446
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008254863A Active JP5094668B2 (ja) | 2008-09-30 | 2008-09-30 | Ni−W系合金微粒子の製造方法並びにNi−W合金微粒子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5094668B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB201315036D0 (en) * | 2013-08-22 | 2013-10-02 | Renishaw Plc | Apparatus and method for building objects by selective solidification of powder material |
WO2016038965A1 (ja) * | 2014-09-10 | 2016-03-17 | 富士電機株式会社 | 金属材料、及びそれを用いた電子部品 |
TWI683789B (zh) * | 2014-11-21 | 2020-02-01 | 日商日清工程股份有限公司 | 銀微粒子 |
JP6507848B2 (ja) * | 2015-05-25 | 2019-05-08 | 住友金属鉱山株式会社 | スパッタリング用合金ターゲット、及びスパッタリング用合金ターゲットの製造方法 |
CN106623981B (zh) * | 2016-09-30 | 2018-11-06 | 九江波德新材料研究有限公司 | 一种利用等离子分解制备一氧化铌与铌粉混合物的方法 |
CN106694897B (zh) * | 2016-12-27 | 2019-01-25 | 中国兵器科学研究院宁波分院 | 一种制备钨基高密度合金块体材料的方法 |
CN110385442A (zh) * | 2019-09-05 | 2019-10-29 | 宁波广新纳米材料有限公司 | 一种太阳能电池银浆用超细银铋合金粉的生产方法 |
CN112024903B (zh) * | 2020-11-09 | 2021-03-19 | 西安赛隆金属材料有限责任公司 | 一种金属粉末制造设备及其方法 |
CN114029497A (zh) * | 2021-11-09 | 2022-02-11 | 北京工业大学 | 一种元素分布均匀、粒径细小的高比重钨镍钴纳米粉体及合金的制备 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61153208A (ja) * | 1984-12-27 | 1986-07-11 | Toyo Soda Mfg Co Ltd | 高融点金属を媒体とした金属超微粉の製造法 |
JPH01176012A (ja) * | 1987-12-29 | 1989-07-12 | Showa Denko Kk | 粒子分散型複合金属粉末の製造方法 |
JPH04350106A (ja) * | 1991-05-28 | 1992-12-04 | Nisshin Flour Milling Co Ltd | 合金組成の超微粒子製造方法 |
JPH08246010A (ja) * | 1995-03-10 | 1996-09-24 | Namitsukusu Kk | 金属粉末の製造方法 |
JP2002060877A (ja) * | 2000-08-16 | 2002-02-28 | Kawatetsu Mining Co Ltd | 導電ペースト用Ni合金粉 |
JP2002220601A (ja) * | 2001-01-29 | 2002-08-09 | Hitachi Metals Ltd | Dc熱プラズマ処理による低酸素球状金属粉末の製造方法 |
JP2004232084A (ja) * | 2003-01-09 | 2004-08-19 | Hitachi Metals Ltd | 微小金属球の製造方法 |
JP4540364B2 (ja) * | 2004-03-01 | 2010-09-08 | 東邦チタニウム株式会社 | ニッケル粉末、並びにそれを用いた導電ペースト及び積層セラミックコンデンサ |
JP5133065B2 (ja) * | 2005-01-28 | 2013-01-30 | テクナ・プラズマ・システムズ・インコーポレーテッド | ナノ粉末の誘導プラズマ合成 |
JP4921806B2 (ja) * | 2006-02-13 | 2012-04-25 | 住友金属鉱山株式会社 | タングステン超微粉及びその製造方法 |
-
2008
- 2008-09-30 JP JP2008254863A patent/JP5094668B2/ja active Active
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Publication number | Publication date |
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JP2010084199A (ja) | 2010-04-15 |
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