JP5082076B2 - サブミクロンのデカール転写リソグラフィ - Google Patents
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Description
Claims (42)
- 第1のシリコン含有エラストマーの第1の表面内に第1のパターンを形成する段階と、
前記第1のパターンの少なくとも一部分を基板に接着する段階と、
前記第1のパターンを露出するために前記第1の表面に対向する、前記第1のシリコン含有エラストマーの第2の表面をエッチングする段階とを含む方法であって、
前記基板に接着された前記第1のパターンの前記部分が、前記エッチングする段階完了後、前記基板に貼り付けられて残る方法。 - 前記第1のパターンを形成する段階が、
第1のエラストマー前駆体をマスター・パターンの上に堆積させる段階と、
前記第1のエラストマー前駆体を前記第1のシリコン含有エラストマーの状態に実質的に凝固させる段階と、
前記第1のシリコン含有エラストマーを前記マスター・パターンから除去する段階とを含む、請求項1に記載の方法。 - 前記第1のシリコン含有エラストマーの第2の表面をエッチングする段階が、反応性イオン・エッチングを用いて、前記第1のシリコン含有エラストマーの前記第2の表面をエッチングする段階をさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記第1のシリコン含有エラストマーの前記第2の表面をエッチングする段階が、前記第1のパターンを露出するために前記第1のシリコン含有エラストマーの前記第2の表面をエッチングする段階後に、前記第1のパターンをマスクとして使用して、前記基板の一部分をエッチングする段階を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記第1のパターンを形成する段階が、前記第1のエラストマー前駆体をマスター・パターン上にスピン成型する段階と、前記第1のエラストマー前駆体を約70℃で硬化させる段階とをさらに含む、請求項2に記載の方法。
- 前記第1のパターンを形成する段階がさらに、
前記マスター・パターンに対向する前記第1のシリコン含有エラストマーの前記第2の表面上にノー・スティック処理を実施する段階と、
前記マスター・パターンに対向する前記第1のシリコン含有エラストマーの前記第2の表面上に第2のエラストマー前駆体を堆積させる段階と、
前記第2のエラストマー前駆体を支持シリコン含有エラストマー層の状態に硬化させる段階とを含む、請求項5に記載の方法。 - 前記第1のパターンの前記部分が前記基板に接着された後、前記支持シリコン含有エラストマー層を除去する段階をさらに含む、請求項6に記載の方法。
- 前記パターンの前記部分を前記基板に接着する段階が、前記第1のパターンの接着された部分及び前記基板が不可逆的に貼り付けられるように、前記第1のパターンの前記部分を前記基板に接着する段階をさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記第1のパターンの前記部分を前記基板に接着する段階が、前記第1のパターンをUV/酸化物にさらす段階をさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記第1のパターンの前記部分を前記基板に接着する段階が、前記第1のパターンの前記部分を前記基板と接触させて設置する段階をさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記第1のパターンの前記部分を前記基板に接着する段階が、選択された時間、選択された温度で前記基板と接触させながら、前記第1のパターンの前記部分を硬化させる段階をさらに含む、請求項10に記載の方法。
- 前記基板がシリコン基板及び少なくとも1つの層を含み、前記第1のパターンの少なくとも一部分を前記基板に接着する段階が、
前記シリコン基板を覆って少なくとも1つの層を堆積させる段階と、
前記第1のパターンの少なくとも一部分を前記少なくとも1つの層に接着する段階とを含む、請求項1に記載の方法。 - 前記少なくとも1つの層を堆積させる段階が、
前記シリコン基板を覆ってアルミニウム層を堆積させる段階と、
前記アルミニウム層を覆って二酸化シリコン層を堆積させる段階とを含む、請求項12に記載の方法。 - 前記第1のパターンの前記部分を前記少なくとも1つの層に接着する段階が、前記第1のパターンの前記部分を前記二酸化シリコン層に接着する段階を含む、請求項13に記載の方法。
- 前記第1のシリコン含有エラストマーの前記第2の表面をエッチングする段階が、反応性イオン・エッチングを用いて前記第1のシリコン含有エラストマーの前記第2の表面をエッチングする段階をさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 反応性イオン・エッチングを用いて前記第1のシリコン含有エラストマーの前記第2の表面をエッチングする段階が、フッ素及び酸素ベースのプラズマを用いて前記第1のシリコン含有エラストマーの前記第2の表面をエッチングする段階をさらに含む、請求項15に記載の方法。
- 前記第1のシリコン含有エラストマーの前記第2の表面をエッチングする段階が、少なくとも1つの高アスペクト比の形状を形成する段階を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記エッチングされた第1のシリコン含有エラストマーを洗浄する段階をさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記第1のエッチングされたシリコン含有エラストマーを洗浄する段階が、アセトン、イソプロピルアルコール、及び脱イオン水のうちの少なくとも1つを用いて、前記エッチングされたシリコン含有エラストマーを洗浄する段階をさらに含む、請求項18に記載の方法。
- 前記第1のエッチングされたシリコン含有エラストマーを窒素ガスで乾燥する段階をさらに含む、請求項18に記載の方法。
- 前記基板の上及び前記第1のパターンの下に金属層を堆積させる段階と、
前記金属層の上及び前記第1のパターンの下に接着層を堆積させる段階とをさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 前記金属層を堆積させる段階がアルミニウム層を堆積させる段階をさらに含み、前記接着層を堆積させる段階が二酸化シリコン層を堆積させる段階をさらに含む、請求項21に記載の方法。
- 前記基板の上及び前記第1のパターンの下に平坦化層を形成する段階をさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記エッチングされた第1のシリコン含有エラストマーを通して前記平坦化層の一部分をエッチングする段階をさらに含む、請求項23に記載の方法。
- 前記エッチングされた平坦化層を通して前記基板の一部分をエッチングする段階をさらに含む、請求項24に記載の方法。
- 前記第1のシリコン含有エラストマーの表面内に前記第1のパターンを形成する段階が、ポリジメチルシロキサンを含む前記第1のシリコン含有エラストマーの表面内に前記第1のパターンを形成する段階をさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記露出された第1のパターンをマスクとして使用して、前記露出された第1のパターンを通して前記基板の一部分をエッチングする段階を更に含む、請求項1に記載の方法。
- 前記第1のパターンを形成する段階が、
第1のエラストマー前駆体をマスター・パターンの上に堆積させる段階と、
前記第1のエラストマー前駆体を前記第1のシリコン含有エラストマーの状態に実質的に凝固させる段階と、
前記第1のシリコン含有エラストマーを前記マスター・パターンから除去する段階とを含む、請求項27に記載の方法。 - 前記基板の上及び前記第1のパターンの下に平坦化層を形成する段階をさらに含む、請求項27に記載の方法。
- 前記平坦化層の上及び前記第1のパターンの下に接着層を堆積させる段階をさらに含む、請求項29に記載の方法。
- 前記接着層を堆積させる段階が、二酸化シリコン層を堆積させる段階をさらに含む、請求項30に記載の方法。
- 前記第1のパターンの前記部分を前記基板に接着する段階が、前記第1のパターンの接着された部分及び前記基板が不可逆的に貼り付けられるように、前記第1のパターンの前記部分を前記基板に接着する段階をさらに含む、請求項27に記載の方法。
- 前記パターンの少なくとも一部分を前記基板に接着する段階が、前記パターンをUV/酸化物にさらす段階をさらに含む、請求項27に記載の方法。
- 機械的凝集破壊を用いて前記第1のシリコン含有エラストマーの一部分を除去する段階をさらに含む、請求項27に記載の方法。
- 前記露出された第1のパターンを通して前記接着層の一部分をエッチングする段階をさらに含む、請求項30に記載の方法。
- 前記接着層の前記一部分をエッチングする段階が、反応性イオン・エッチングを用いて前記接着層の前記一部分をエッチングする段階をさらに含む、請求項35に記載の方法。
- 前記エッチングされた接着層の一部分を通して前記平坦化層の一部分をエッチングする段階をさらに含む、請求項35に記載の方法。
- 前記平坦化層の前記一部分をエッチングする段階が、反応性イオン・エッチングを用いて前記平坦化層の前記一部分をエッチングする段階をさらに含む、請求項37に記載の方法。
- 前記エッチングされた平坦化層を洗浄する段階をさらに含む、請求項37に記載の方法。
- 前記エッチングされた平坦化層を洗浄する段階が、リン酸、酢酸、硝酸、及び水の混合物を用いて、前記エッチングされた平坦化層を洗浄する段階をさらに含む、請求項39に記載の方法。
- 第2のシリコン含有エラストマーの表面内に第2のパターンを形成する段階と、
前記第2のパターンの少なくとも一部分を前記第1のパターンの少なくとも一部分に接着する段階とをさらに含む、請求項27に記載の方法。 - 前記基板の前記一部分をエッチングする段階が、前記第1及び第2のパターンに対応する前記第1及び第2のシリコン含有エラストマーの一部分を通して前記基板の一部分をエッチングする段階を含む、請求項41に記載の方法。
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