JP5076201B2

JP5076201B2 - 抵抗装置

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Publication number: JP5076201B2
Application number: JP2009519792A
Authority: JP
Inventors: イーレ，ヤン; カール，ベルナー; ポルツル，ヘルムート
Original assignee: Epcos AG
Current assignee: TDK Electronics AG
Priority date: 2006-07-20
Filing date: 2007-07-19
Publication date: 2012-11-21
Anticipated expiration: 2027-07-19
Also published as: WO2008009282A3; US20090179731A1; JP2009544123A; EP2044599A2; WO2008009282A2; DE102006033710B4; US7876194B2; DE102006033710A1; EP2044599B1

Description

特許文献たるドイツ公開第３１０７２９０号［ＤＥ３１０７２９０Ａ１］公報明細書から、結合剤中に分散されたＰＴＣ材料粒子を有するヒータが公知である。ドイツ登録実用新案第８３０９０２３号［ＤＥ８３０９０２３Ｕ１］明細書から、バンド型の柔軟なヒータが公知である。

本発明が解決しようとする課題は、湾曲面への効果的な放熱または湾曲表面を有する物体の物理量の検出に適した抵抗装置を提案することである。

第１の好ましい実施形態において、それぞれ第１と第２の電極を有する抵抗素子を含んでなる抵抗装置が提案される。前記抵抗素子の前記第１の電極は、互いに隣接する２個の前記抵抗素子間に位置する区域において撓みが反転変化する少なくとも単一の柔軟な可撓式の第１の電気接続手段によって互いに導電接続されている。

前記抵抗素子の前記第２の電極は好ましくは、互いに隣接する２個の前記抵抗素子間に位置する区域において撓みが反転変化する柔軟な可撓式の第２の電気接続手段によって互いに導電接続されている。前記接続手段は以下において給電線とも称される。

隣接する２個の前記抵抗素子間の前記それぞれの電気接続手段の長さはこれらの抵抗素子間の最小間隔を上回っている。これにより、前記抵抗装置に曲げ荷重がかかる際に前記電気接続手段に機械的応力が発生することを防止することができる。

前記抵抗素子は好ましくは第１の柔軟な支持フィルムと固定結合されている。これらの抵抗素子はさらに第２の柔軟な支持フィルムと固定結合されていてよい。前記抵抗素子は好ましくは前記柔軟な支持フィルムの間に配置されている。以下において一方の柔軟な支持フィルムに関連して挙げられる特徴は、好ましい実施態様において、前記双方の支持フィルムに当てはまる。

前記柔軟な支持フィルムは金属フィルムであってよい。ただし、前記柔軟な支持フィルムはまた、可撓式導体経路の形をとるそれぞれの電気接続手段が埋め込まれた柔軟な材料からなっていてもよい。

前記柔軟な電気接続手段の間には、横方向において前記抵抗素子間に形成された中間スペースを少なくとも部分的に満たす柔軟な絶縁層が配置されていてよい。

前記抵抗素子と前記柔軟な電気接続手段とは有利な実施態様において柔軟な基板に埋設されており、この場合、前記両者は基板中に好ましくは流し込み成形によって埋設されている。好ましくはゴム状の前記基板はシリコンゴムを含んでいてよい。その他のゴム状の、好ましくは電気絶縁材料も前記基板の材料として思料可能である。特に、高い熱伝導率を有する材料がこれに適している。

高い熱伝導率を達成するため、柔軟なゴム状材料には、前記柔軟なゴム状材料よりも高い熱伝導率を有する充填材が加えられてよい。好ましくは、そのため、不導電または不良導電物質たとえばＳｉＣ，ＭｇＯ，セラミックまたは金属酸化化合物が使用される。

前記抵抗素子は２枚の柔軟な基板の間に配置されていてよく、この場合、前記基板は好ましくは上述した支持フィルムに等置することができる。

有利な実施態様において、前記抵抗素子と、前記柔軟な電気接続手段と、前記支持フィルムとは柔軟な基板に埋設され、好ましくは流し込み成形によって埋設されている。

前記それぞれの電気接続手段は基板に組み込まれていてよい。前記接続手段は好ましくは柔軟な基板に埋め込まれた可撓式導体経路として実現されている。前記接続手段はたとえば金属編組線からなっていてよい。前記それぞれの電気接続手段は別法として、前記それぞれの柔軟な支持フィルムの表面に配置された金属コート層として実現されていてよい。前記それぞれの支持フィルムはたとえば銅コートされたポリイミド・フィルムであるかまたは導電性を有するまたは導電層を含んだその他の柔軟なフィルムであってよい。

前記抵抗素子間の区域に位置する前記柔軟な電気接続手段間の最小間隔は前記抵抗素子の高さ以下であってよい。また、こうした区域における前記柔軟な電気接続手段間の間隔は前記抵抗素子の高さ以上であってもよい。

前記抵抗素子の前記第２の電極は、任意の実施態様において、前記抵抗装置に接触するが、ただしこの抵抗装置の構成要素ではない導電面によって電気的に接続されてよい。

前記それぞれの柔軟な支持フィルムには、抵抗素子を収容するための窪みが形成されていてよい。

前記抵抗装置は好ましくは同等の抵抗素子を含んでなる。前記それぞれの抵抗素子の少なくとも１主面には溝状の窪みが配置されてよい。

第２の好ましい実施形態において、柔軟な接続手段によって互いに接続された抵抗素子を含んでなる抵抗装置が提案される。前記抵抗素子にはそれぞれ少なくとも１主面に溝状の窪みが配置されている。前記溝状の窪みによって、前記抵抗素子の表面積を遥かに大きなものとすることができる。前記溝状の窪みは、有利な実施態様において、弾性材料で好ましくは完全に満たされており、これによって、前記抵抗装置の放熱が改善される。

以下、前記双方の好ましい実施形態に当てはまる有利な実施態様の抵抗装置を説明する。

前記抵抗装置は、少なくとも横方向の長さが好ましくは、厚さよりも遥かに−たとえば少なくとも３倍だけ−大きい面状構造物を表している。前記柔軟な接続手段は好ましくは、前記抵抗素子を担持する、面状に形成された基板である。

前記抵抗素子は好ましくは板状ないしフラットに形成されている。前記抵抗素子は好ましくは、それぞれ好ましくは中実形成されたセラミック剛体からなるセラミック素子である。前記セラミック体の材料は好ましくはＰＴＣ特性を有し、好ましくはＢａＴｉＯ_３を含んでいる。ＰＴＣとはＰｏｓｉｔｉｖｅＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅＣｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ［正温度係数］を表している。

前記セラミック体は好ましくは、第１と第２の電極間に配置された抵抗層として形成されている。前記電極は好ましくは前記抵抗素子の主面に配置されている。前記第２の電極は前記第１の電極から電気的に絶縁されている。前記電極は好ましくは障壁層縮減性を有する。

有利な実施態様において各々の抵抗素子はそれ自体として剛的であるが、抵抗装置は電気的接続手段が変形可能であることによって可撓性を有する。このことは、任意に成形された、可撓性も有する表面に前記抵抗装置を相補密接させることができるという利点を有する。

有利な実施態様において、前記抵抗素子は発熱体として設けられている。前記抵抗装置は好ましくはヒータである。さらに別の実施態様において、前記抵抗素子はセンサ素子として設けられている。これらのセンサ素子は物理量たとえば温度の検出に適している。前記抵抗装置はこの場合、センサ装置である。

前記抵抗装置はたとえば以下の方法で製造可能である。
電極を備えた抵抗素子が用意される。これらの抵抗素子は少なくとも１導電フィルムまたは少なくとも１金属メッシュに固定されることによって互いに接続される。導電フィルムとは金属フィルムまたは、非導電キャリア上に配置された導電層を有するフィルムとして理解される。好ましくは、前記抵抗素子の第１の主面は第１のフィルムと、第２の主面は第２のフィルムと、それぞれたとえばはんだ付けまたは接着によって結合される。

前記抵抗素子の間に位置する中間スペースには少なくとも部分的に、硬化後も引き続き弾性変形可能（柔軟）な電気絶縁材料が充填される。加えてさらに、少なくとも１導電フィルムまたは金属メッシュ上に柔軟な基板を形成するための柔軟な材料からなる層が被着されてよい。好ましくは、前記導電フィルムと前記導電フィルムに固定された前記抵抗素子とを含んでなる集成体は前記柔軟な材料に埋め込まれる。前記柔軟な材料は好ましくは電気絶縁性を有する。

前記導電フィルムは前記柔軟な材料に埋設される前に好ましくは、前記抵抗素子間に位置する前記電気接続手段がこれらの抵抗素子間の最小間隔に比較して長寸法となるように予備成形される。特に、前記電気接続手段は断面形状で見てその高さ位置がパターン化され、なかんずく、撓められていてよい。前記電気接続手段は段を有していてもよく、あるいはループの少なくとも一部を形成していてよい。

可撓式電気接続手段は、前記導電フィルムに窪みが形成されることによって達成可能である。前記窪みはそれぞれ１抵抗素子を収容するために使用可能である。また、前記抵抗素子の間に、前記抵抗装置の撓みに際して前記電気接続手段の機械的応力除去に寄与する溝状の窪みを形成することも可能である。

前記導電フィルムまたは前記金属メッシュは−好ましくは前記柔軟な材料に埋設される前に−外部から到達可能なコネクタとはんだ付けまたは接着接合される。互いに接続された抵抗素子と前記コネクタとを含んでなる集成体は、次いで、型に入れられて、前記電気絶縁材料たとえばシリコンゴムが流し込まれる。空気の封入を回避するため、続いて、排気が行われてよい。

前記柔軟な材料の硬化後に完成した抵抗装置は、今や、型抜きされる。前記抵抗装置は柔軟であり、特に物体の加熱に使用することができ、しかもその際、撓められた表面にも前記抵抗装置を相補密接させることが可能である。

さらに別の方法において、撓められた導線メッシュまたはその他の構造化された導体経路が埋め込まれた、場合により未硬化のキャリア基板（たとえばシリコンフィルム）が用意される。この基板は、まだ個別化されていない抵抗素子を含んだ抵抗基材と結合される。これら両者の結合は、前記可撓式導体経路が抵抗素子として設けられた区域において前
記抵抗基材の主面と接触するようにして行われる。

前記キャリア基板の材料の硬化後に、前記抵抗基材は切断または鋸引きによって複数の抵抗素子に分離されることができる。前記分離は、前記抵抗基材のみが切り分けられて、前記キャリア基板はその中に埋め込まれた前記導体経路が損なわれないように切り目が入れられるにすぎないようにして行われる。これは硬い支持台座を使用して実施することができる。

こうして、片面側で互いに電気的に接続されていると共に互いに機械式結合された抵抗素子を含んでなる複合体が生ずる。前記抵抗素子を両面側で電気的に接続すると共に機械式結合することも可能である。その場合、まだ基板と結合されていない前記複合体主面が同様な方法で第２のキャリア基板と結合されるが、その際、前記第２のキャリア基板は好ましくは前記第１のキャリア基板と同じ特性を有している。

前記第１と第２のキャリア基板間には、前記キャリア基板間の短絡を防止する空隙が設けられていてよい。ただし、前記キャリア基板と前記抵抗素子との間に位置する前記中間スペースには、導電性を有し、柔軟かつ熱伝導率の優れた材料たとえばシリコンゴムが充填されてもよい。そのため、前記抵抗素子間に形成された前記中間スペースは、好ましくは前記複合体と前記第２のキャリア基板との結合前に、前記材料で埋められる。

前記抵抗素子はそれらの主面に配置された好ましくは溝状の窪みを有していてよい。これらの窪みは好ましくは前記抵抗素子の少なくとも１主面に配置されている。電極層はこれらの窪みの表面も覆っている。

以下、上記提案になる抵抗装置ならびにその製造方法を、正確な縮尺ではない概略的な図面を参照して説明する。

１例としての抵抗素子の断面図である。金属コートされた支持フィルム上に配置された抵抗素子の断面図である。金属コートされた支持フィルム上に配置された抵抗素子の断面図である。基板に埋設された図１Ｃに示した装置の断面図である。弾性変形可能な基板に部分的に埋設された図１Ａに示した抵抗素子を含んでなる抵抗装置を示す図である。弾性変形可能な２枚の基板の間に配置された図１Ａに示した抵抗素子を含んでなる抵抗装置を示す図である。抵抗素子の第１の電極同士および第２の電極同士を接触させるための電気接続手段が基板に埋設された抵抗装置の断面図である。湾曲表面に適合された図２に示した抵抗装置の断面図である。図５に示した抵抗装置の断面図である。面状抵抗装置の平面図である。溝付き抵抗素子と弾性変形可能な２枚の基板とを含んでなる抵抗装置を示す図である。互いに電気的に接続された溝付き抵抗素子を示す図である。基板に埋設された互いに電気的に接続された溝付き抵抗素子を含んでなる抵抗装置を示す図である。

図１Ａには、剛体２０を有し、剛体主面に電極２０１，２０２が配置された、１例としての抵抗素子２１が示されている。爾後の図面に示した抵抗素子２１，２２，２３は好ま
しくはすべて等しく形成されている。

抵抗素子２１，２２，２３は、たとえばポリイミドからなる支持フィルム１１で形成された基板１上に固定されている。基板１は、支持フィルム上に被着された、抵抗素子に対向する金属コート−金属層１２−を有している（図１Ｂ）。上記固定ははんだ付けまたは接着によって行うことができる。

金属コートされた支持フィルム１１は好ましくは、図１Ｃに示したように予備成形されて、抵抗素子２１，２２，２３を収容するための窪みを有している。これらの窪みにより、金属層１２には、互いに隣接する２個の抵抗素子の間に位置する撓み区域４１が生ずることになる。これらの撓み区域を有する金属層１２によって、可撓式の柔軟な電気接続手段が実現されている。

撓み区域４１の長さはこれらの抵抗素子間の最小間隔よりも大きい。金属コートされた支持フィルム１１の上記予備成形は抵抗素子２１，２２，２３の取り付け前または取り付け後に行うことができる。

図１Ｂ，１Ｃに示した金属コートされた支持フィルム１１は、基板と導電層との複合体によって置換されてもよい。金属層１２，１４はそれぞれ金属メッシュによって置換されてよい。重要なことは、常に、抵抗装置の撓み時に曲げ荷重下で生ずる機械的応力の発生を防止し得ることである。これは、撓みに際して、構造化された、それゆえ相対的に長い電線は真っ直ぐな電線に比較して、大幅な機械的応力除去が可能であるために、達成可能である。

図１Ｄには、電気絶縁基層１ａと絶縁層１０との間に部分的に埋設された、図１Ｃに示した装置が表されている。好ましくは、層１ａ，１０は同一の材料からなっている。これらは貼り合せ、接着されているかまたは流し込み法によって製造されていてよい。

基層１ａは設けられなくてもよい。図１Ｅ参照。図１Ｃに示した装置では、抵抗素子間に配置された中間スペースは部分的に絶縁材料で満たされている。抵抗素子２１，２２，２３が部分的に埋設された弾性変形可能な基板１は、この場合、層１０，１１によって形成されている。

抵抗素子が部分的に埋設されて、電気接続手段（金属層１２）が組み込まれている基板１は、図Ｄに示した実施態様において、基層１ａ、支持フィルム１１および絶縁層１０によって形成されている。基板１はさらに、図１Ｆと２に示した実施態様におけると同様に、第２の支持フィルム１３を含んでいてよい。支持フィルム１３は好ましくは、支持フィルム１１と同じ特性を有している。

図１Ｅに示した装置の上面は、図１Ｆに示唆されているように、場合により予備成形され、金属コートされた支持フィルム１３と結合されていてよい。図１Ｆに示した実施態様において、基板１は支持フィルム１１，１３および絶縁層１０によって形成されている。金属コートされた支持フィルム１１，１３は、その間に抵抗素子が配置された２枚の弾性変形可能な基板と見なすことができる。

すべての実施形態において、金属コートされた支持フィルム１１，１３に代えて、導電性弾性材料からなるフィルムを使用することが可能である。

基板１はさらに、図２に示した実施態様と同様に、被覆層１ｂを含んでいてよい。
図２に示した実施態様において、抵抗素子のすべての第２の電極を相互に導電接続する
第２の電気接続手段は第２の金属層１４によって実現されている。第２の金属層１４は好ましくは第２の支持フィルム１３の金属コートとして形成されている。この支持フィルムの金属コートつまり金属層１４は内側に被着されており、したがって、抵抗素子に対向している。金属層１４は抵抗素子の第２の電極を互いに接続している。

第１の金属層１２は抵抗装置の第１のコネクタ３１に接続され、第２の金属層１４は抵抗装置の第２のコネクタ３２に接続されている。コネクタ３１，３２は外部から到達可能であり、たとえばプラグ継手に接続可能である。支持フィルム１１および金属層１２に関連した上記記載は図２，３に示した第２の支持フィルム１３およびそれに被着された金属層１４にも当てはまる。

抵抗素子２１，２２，２３とこれらの素子の電気的接続とによって形成された装置は図２において完全に基板１内に埋設されている。電位の異なる金属層１２と１４とが互いに接触しないように、これらの金属層の間には絶縁層１０が配置されている。

図３には、図３に不図示の湾曲表面に適合された、図２に示したヒータが示されている。

図４において、抵抗素子２１，２２，２３は導電接続手段たとえば予備成形された金属フィルムまたは金属編組線によって互いに導電接続されている。この場合、抵抗素子２１，２２，２３とこれらの素子の電気的接続とによって形成された装置は基板１内に埋設されている。

基板１の少なくとも１主面はフラットであれば有利である。好ましくは、基板１の両側主面はフラットに形成されている。

図１Ａ〜４に示した抵抗装置は、抵抗素子２１，２２，２３が一次元配置された柔軟なバンド型であってよい。

図５には、面状抵抗装置、つまり、抵抗素子が二次元配置された抵抗装置が示されている。この種の装置は、さしあたり個別化されていない抵抗素子２１，２２，２３を含んだ抵抗基材を切り分けた後に生ずるが、この場合、キャリア基板１は切り離されない。

上記説明した図中に示した抵抗素子は図６〜８と同様に形成されていてよい。
図６には、主面に配置された窪み２２１，２２２を有する抵抗素子を含んでなる抵抗装置が示されている。第１の窪み２２１は抵抗素子の第１の主面（上面）に配置され、第２の窪み２２２は抵抗素子の第２の主面（下面）に配置されている。電極層２０１，２０２はこれらの窪みの表面も覆っている。

窪み２２１，２２２は好ましくは、抵抗素子のセラミック体よりも優れた熱伝導率を有する充填材８で満たされている。２個の抵抗素子の間の中間スペース７は好ましくはまた、弾性変形可能な充填材で満たされている。

第２の窪み２２２は第１の窪み２２１に対して横方向に変位させられている。窪みの深さはセラミック体の厚さの約半分であるかまたは半分以上である。

抵抗素子は弾性変形可能な基板８１，８２によって互いに機械式結合されている。基板８１，８２はいずれも絶縁層８１１，８２１を有している。さらに、基板８１，８２はいずれも、絶縁層８１１，８２１上にたとえば金属コートとして被着されて抵抗素子に対向した導電層８１２，８２２を有している。抵抗素子の第１の電極層２０１は導電層８１２
によって互いに導電接続され、抵抗素子の第２の電極層２０２は導電層８２２によって互いに導電接続されている。これらの層８１２，８２２は、好ましくは金属層１２，１４と同様に柔軟かつ可撓式に形成された電気接続手段である。これらの層８１２，８２２は好ましくは予備成形された金属メッシュまたは金属フィルムであってよい。

図７Ａは、第１の電極層２０１が電気接続手段９１によって、第２の電極層２０２が電気接続手段９２によってそれぞれ互いに電気的に接続された抵抗素子からなる装置を示している。

接続手段９１，９２は、好ましくは、これら接続手段の長さが互いに接続されるべき抵抗素子間の間隔よりも長寸法に予備成形された金属メッシュまたは金属フィルムであってよい。第１の電極層２０１は外部から到達可能なコネクタ３１に導電接続されている。第２の電極層２０２は同じく外部から到達可能なコネクタ３２に導電接続されている。図７Ｂには、基板８１に埋設された、図７Ａに示したヒータが紹介されている。

１，８１柔軟な基板
１ａ基層
１ｂ被覆層
１０絶縁層
１１，１３支持フィルム
１２，１４金属層
２０本体
２０１，２０２抵抗素子の電極
２１，２２，２３抵抗素子
２２１，２２２窪み
３１，３２コネクタ
４１金属層１２の撓み区域
７中間スペース
８充填コンパウンド
８１，８２弾性変形可能な基板
８１２，８２２導電層
８１１，８２１絶縁層
９１，９２電気接続手段

Claims

それぞれ第１の電極（２０１）と第２の電極（２０２）とを有する抵抗素子（２１，２２，２３）を含んでなり、前記第１の電極（２０１）は柔軟な第１の電気接続手段（１２，８１２，９１）によって互いに導電接続され、
前記第１の電気接続手段（１２，９１）は、前記抵抗素子（２１，２２，２３）が直線的な配置の場合、隣接した２個の抵抗素子（２１，２２，２３）間の可撓部（４１）を有し、
前記可撓部（４１）の長さは、前記隣接した２つの抵抗素子（２１，２２，２３）間の距離よりも大きい、抵抗装置。
前記抵抗素子（２１，２２，２３）は第１の柔軟な支持フィルム（１１）に固定結合されている、請求項１記載の抵抗装置。
前記第２の電極（２０２）は柔軟な第２の電気接続手段（１４，８２２，９２）によって互いに導電接続され、
前記第２の電気接続手段（１４，９２）は、前記抵抗素子（２１，２２，２３）が直線的な配置の場合、隣接した２個の抵抗素子（２１，２２，２３）間の可撓部（４２）を有し、
前記可撓部（４２）の長さは、前記隣接した２つの抵抗素子（２１，２２，２３）間の距離よりも大きい、請求項１または２記載の抵抗装置。
前記柔軟な電気接続手段（１２，１４，８１２，８２２，９１，９２）の間に柔軟な絶縁層（１０）が配置されている、請求項３記載の抵抗装置。
前記抵抗素子（２１，２２，２３）は第２の柔軟な支持フィルム（１３）に固定結合されている、請求項３または４記載の抵抗装置。
前記柔軟な電気接続手段（１２，１４，８１２，８２２，９１，９２）は柔軟な基板（１，８１）に埋設され、前記抵抗素子（２１，２２，２３）は少なくとも部分的に前記柔軟な基板（１，８１）に埋設されている、請求項３〜５のいずれか１項記載の抵抗装置。
前記抵抗素子（２１，２２，２３）と、前記柔軟な電気接続手段（１２，１４，８１２，８２２，９１，９２）と、前記支持フィルム（１１，１３）とは柔軟な基板（１，８１）に埋設されている、請求項５記載の抵抗装置。
前記抵抗素子（２１，２２，２３）間の区域に位置する前記柔軟な電気接続手段（１２，１４，８１２，８２２，９１，９２）間の間隔は前記抵抗素子（２１，２２，２３）の高さよりも小さい、請求項３〜７のいずれか１項記載の抵抗装置。
前記抵抗素子（２１，２２，２３）間の区域に位置する前記柔軟な電気接続手段（１２，１４，８１２，８２２，９１，９２）間の間隔は前記抵抗素子（２１，２２，２３）の高さよりも大きい、請求項３〜７のいずれか１項記載の抵抗装置。
前記第１の柔軟な支持フィルム（１１）上にコートされた金属層が配置され、前記金属層により前記第１の柔軟な電気接続手段（１２，８１２，９１）が形成されている、請求項２〜９のいずれか１項記載の抵抗装置。
前記第１の柔軟な支持フィルム（１１）に抵抗素子（２１，２２，２３）を収容するための窪みが形成されている、請求項２〜１０のいずれか１項記載の抵抗装置。
前記第２の柔軟な支持フィルム（１３）上にコートされた金属層が配置され、前記金属層により前記第２の柔軟な電気接続手段（１４，８２２，９２）が形成されている、請求項５〜１１のいずれか１項記載の抵抗装置。
前記第１の柔軟な電気接続手段（１２，８１２，９１）は金属編組線からなる、請求項１〜９のいずれか１項記載の抵抗装置。
前記第２の柔軟な電気接続手段（１４，８２２，９２）は金属編組線からなる、請求項５〜９のいずれか１項記載の抵抗装置。
前記柔軟な電気接続手段（１２，１４，８１２，８２２，９１，９２）はそれぞれ前記柔軟な基板（１）に埋め込まれた可撓式導体経路として実現されている、請求項６〜９のいずれか１項記載の抵抗装置。
前記それぞれの抵抗素子（２１，２２，２３）の少なくとも１主面には溝状の窪み（２２１，２２２）が配置されている、請求項１〜１５のいずれか１項記載の抵抗装置。
前記溝状の窪み（２２１，２２２）は前記抵抗素子の熱伝導率を上回る熱伝導率を有する充填材（８）で満たされている、請求項１６に記載の抵抗装置。
前記溝状の窪み（２２１，２２２）は、前記抵抗素子（２１，２２，２３）の２つの対向する主面上に配置される、請求項１７に記載の抵抗装置。
前記対向する溝状の窪み（２２１，２２２）は、互いに横方向にオフセットしている、請求項１８に記載の抵抗装置。
電極層は、前記溝状の窪み（２２１，２２２）を覆う、請求項１７に記載の抵抗装置。
以下のステップつまり、
Ａ）まだ個別化されていない抵抗素子を含んだ抵抗基材が可撓式導体経路の埋め込まれた柔軟な材料からなる層と、しかも前記可撓式導体経路が抵抗素子として設けられた区域において前記抵抗基材の主面と接触するようにして、結合されるステップと、
Ｂ）前記ステップＡ）で生じた複合体に切り込みが入れられて前記抵抗基材のみが切り分けられて、前記柔軟な材料からなる層によって互いに機械式結合されていると共に前記可撓式導体経路によって互いに電気的に接続された複数の抵抗素子が生ずるステップとを含んでなる、抵抗装置製造方法。
以下のステップつまり、
Ａ）抵抗素子の少なくとも片側面が柔軟な導電性フィルムと固定結合されて複合体が形成されるステップと、
Ｂ）前記抵抗素子間に配置される電気接続素子が、前記電気接続素子の各々が可撓部を含む手法で、これらの抵抗素子間の最小距離に対して長くされるように、前記導電性フィルムが予備成形されるステップと、
Ｃ）前記複合体が柔軟な材料中に少なくとも部分的に埋設されるステップとを含んでなる、抵抗装置製造方法。