JP5071035B2 - Piezoelectric device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、圧電振動子と電子部品を備えた圧電デバイスに関する。 The present invention relates to a piezoelectric device including a piezoelectric vibrator and an electronic component.
従来から、水晶発振器などを代表とする圧電デバイスが様々な電子機器に用いられている。圧電デバイスは水晶振動子などの圧電振動子とICチップなどの電子部品から構成されている。近年、電子機器の小型化が広範囲に進み、それに用いられる圧電デバイスも小型・薄型化の要求がなされている。
例えば、小型化された圧電デバイスとして、特許文献1に示すように、積層基板に電子部品を実装して樹脂でモールドし、その上方に圧電振動子を搭載する構造の圧電デバイスが知られている。この圧電デバイスの積層基板は、小型化によって各配線が近接するため、積層した複数の基板の間に配線を設けてショートの防止をしている。
Conventionally, piezoelectric devices such as crystal oscillators have been used in various electronic devices. A piezoelectric device is composed of a piezoelectric vibrator such as a crystal vibrator and an electronic component such as an IC chip. In recent years, downsizing of electronic equipment has progressed in a wide range, and piezoelectric devices used therefor have been required to be downsized and thinned.
For example, as a miniaturized piezoelectric device, as shown in Patent Document 1, there is known a piezoelectric device having a structure in which an electronic component is mounted on a laminated substrate, molded with resin, and a piezoelectric vibrator is mounted thereon. . In the laminated substrate of this piezoelectric device, since the wirings are close to each other due to the miniaturization, wiring is provided between the plurality of laminated substrates to prevent a short circuit.
積層基板における基板の1枚辺りの厚みは50〜60μm程度であり、上記の圧電デバイスのように複数の基板を用いることで、基板厚みが厚くなり、圧電デバイスの薄型化において不利である。
そこで、圧電デバイスの小型・薄型化を図る構造として、1層の基板で構成した圧電デバイスとして、図9に示す構造の圧電デバイスを考えた。図9(a)は圧電デバイスの構成を説明する模式断面図であり、図9(b)は、この圧電デバイスに用いられている基板を示す概略平面図である。
The thickness of one substrate in the multilayer substrate is about 50 to 60 μm, and using a plurality of substrates like the above-described piezoelectric device increases the substrate thickness, which is disadvantageous in reducing the thickness of the piezoelectric device.
Therefore, as a structure for reducing the size and thickness of the piezoelectric device, a piezoelectric device having the structure shown in FIG. 9 was considered as a piezoelectric device composed of a single layer substrate. FIG. 9A is a schematic cross-sectional view for explaining the configuration of the piezoelectric device, and FIG. 9B is a schematic plan view showing a substrate used in the piezoelectric device.
図9(a)に示すように、圧電デバイスとしての水晶発振器101は、セラミックパッケージ111内部に水晶振動片112が収容された水晶振動子110、ICチップ120、樹脂基板130、樹脂基板130とその上方に位置する水晶振動子110とを接続する接続部材140を備えている。
樹脂基板130には配線131が形成され、この配線131の上にはレジストなどの絶縁膜138が形成されている。絶縁膜138の上にはICチップ120がフィルム状の接合材141にて固着され、金属ワイヤ122によって樹脂基板130に接続されている。
また、樹脂基板130には接続部材配置用電極135が形成され、この接続部材配置用電極135と水晶振動子110の外部端子115とが接続部材140を介して接続されている。そして、水晶振動子110と樹脂基板130の間をモールド樹脂142にてモールドされている。
As shown in FIG. 9A, a
A
Further, a connection
このように構成した水晶発振器101では、例えば図9(b)に示すような樹脂基板130の配線パターンが採用されている。なお、図9(b)では基板表面を覆う絶縁膜138を除去した状態の平面図を示している。
樹脂基板130には、配線131、ワイヤボンディング用電極132、接続部材配置用電極135、シールド電極136が配設されている。そして、ワイヤボンディング用電極132、接続部材配置用電極135を除き、配線131、シールド電極136を覆うようにして絶縁膜(図示せず)が形成されている。この絶縁膜は薄いため、その表面は配線131やシールド電極136を形成した面に倣った凹凸状態となっている。
樹脂基板130の中央部にはICチップ120が配置されるIC配置領域139が備えられている。このIC配置領域139では配線131の隙間を埋めるように広い面積を有してシールド電極136が形成されている。
In the
On the
An
そして、上記の樹脂基板130の絶縁膜138の上にICチップ120がフィルム状の接合材141を用いて固着される。
このとき、シールド電極136が形成された上方の絶縁膜とICチップ120の間に気泡(ボイド)が入り易い。これは、シールド電極136の上の絶縁膜138とICチップ120の配置面とが、広い面積で面と面を受けるためである。
このような気泡が残った場合、樹脂基板130とICチップ120の密着性を低下させる。また、製造工程において、この気泡が加わる熱により膨張することによる電子部品のはがれ、破損などの不具合が生ずる。さらに、製品では温度の変化に対応して気泡が膨張または収縮することで、圧電デバイスの特性を変化させ信頼性低下の原因となる。
Then, the
At this time, bubbles (voids) easily enter between the upper insulating film on which the
When such bubbles remain, the adhesion between the
本発明は上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。 SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.
[適用例1]本適用例にかかる圧電デバイスは、配線を備え、一方の面に電子部品配置領域が設けられた基板と、前記基板の前記電子部品配置領域に配置された電子部品と、前記電子部品の上方に位置し、圧電振動片と、前記圧電振動片を内部に収容し外部端子を備えるパッケージと、を備えた圧電振動子と、前記基板と前記圧電振動子との間に配置され、前記圧電振動子の前記外部端子と前記基板とを接続する複数の接続部材と、を有する圧電デバイスであって、前記基板の前記電子部品配置領域において、複数の線状導体が、前記電子部品配置領域内の前記配線間の隙間を埋めるようにお互いに接触せずに配置されていることを特徴とする。 Application Example 1 A piezoelectric device according to this application example includes a substrate provided with wiring and provided with an electronic component placement region on one surface, an electronic component placed in the electronic component placement region of the substrate, Located above the electronic component, disposed between the substrate and the piezoelectric vibrator, a piezoelectric vibrator comprising a piezoelectric vibrator piece, a package containing the piezoelectric vibrator piece inside and having an external terminal. A piezoelectric device having a plurality of connecting members for connecting the external terminals of the piezoelectric vibrator and the substrate, wherein a plurality of linear conductors are arranged in the electronic component placement region of the substrate. It arrange | positions without mutually contacting so that the clearance gap between the said wirings in an arrangement | positioning area | region may be filled.
この構成によれば、基板の電子部品が配置される電子部品配置領域において、複数の線状導体が、電子部品配置領域内の配線間の隙間を埋めるようにお互いに接触せずに配置されている。この電子部品配置領域内の表面は、広い面積の平坦部がなく細かな凹凸を有した表面状態となる。このことから、基板の電子部品配置領域内に電子部品が固定される際に、固着面の表面積が増え、基板と電子部品の安定した密着性を得ることができる。
また、基板の電子部品配置領域内の表面が細かな凹凸状態であることから、基板と電子部品との間に気泡が残ることがなくなり、製造工程において、気泡の存在に起因する電子部品のはがれ、破損などの不具合が生ずることがなくなる。さらに、製品では気泡に起因する圧電デバイスの特性変化がなくなり、信頼性を向上させることができる。
According to this configuration, in the electronic component placement region where the electronic components on the board are placed, the plurality of linear conductors are placed without contacting each other so as to fill the gaps between the wirings in the electronic component placement region. Yes. The surface in the electronic component placement region is in a surface state having no flat portions with a large area and fine irregularities. Therefore, when the electronic component is fixed in the electronic component placement region of the substrate, the surface area of the fixing surface is increased, and stable adhesion between the substrate and the electronic component can be obtained.
In addition, since the surface in the electronic component placement region of the substrate is in a fine uneven state, bubbles do not remain between the substrate and the electronic components, and the electronic components are peeled off due to the presence of bubbles in the manufacturing process. This eliminates problems such as damage. Furthermore, in the product, the characteristic change of the piezoelectric device due to bubbles is eliminated, and the reliability can be improved.
[適用例2]上記適用例にかかる圧電デバイスにおいて、少なくとも前記電子部品配置領域に存在する前記配線および前記線状導体を被覆するように絶縁膜が形成されていることが望ましい。 Application Example 2 In the piezoelectric device according to the application example, it is preferable that an insulating film is formed so as to cover at least the wiring and the linear conductor existing in the electronic component placement region.
この構成によれば、基板上の電子部品配置領域内の細かな凹凸を有した表面を、絶縁膜で被覆することにより、絶縁膜の表面が細かな凹凸状態となる。よって、絶縁膜と電子部品との間に気泡が残ることがなくなり、製造工程において、気泡の存在に起因する電子部品のはがれ、破損などの不具合が生ずることがなくなる。さらに、製品では気泡に起因する圧電デバイスの特性変化がなくなり、信頼性を向上させることができる。さらに、電子部品の搭載による基板上の配線間のショートを防止できる。 According to this configuration, the surface of the insulating film is covered with the insulating film in the electronic component placement region on the substrate, so that the surface of the insulating film is in a fine uneven state. Therefore, bubbles do not remain between the insulating film and the electronic component, and problems such as peeling and breakage of the electronic component due to the presence of the bubbles do not occur in the manufacturing process. Furthermore, in the product, the characteristic change of the piezoelectric device due to bubbles is eliminated, and the reliability can be improved. Furthermore, it is possible to prevent a short circuit between wirings on the substrate due to the mounting of electronic components.
[適用例3]上記適用例にかかる圧電デバイスにおいて、前記複数の線状導体は、前記配線の一部から分岐されて延長されていることを特徴とする圧電デバイス。 Application Example 3 In the piezoelectric device according to the application example, the plurality of linear conductors are branched and extended from a part of the wiring.
この構成によれば、配線の一部を所定の電位とするだけで複数の線状導体全てを同じ電位に固定することができる。 According to this configuration, all of the plurality of linear conductors can be fixed at the same potential by simply setting a part of the wiring to a predetermined potential.
[適用例4]上記適用例にかかる圧電デバイスにおいて、前記線状導体と接続された前記配線が、前記電子部品および前記基板のグランド電極に接続されていることが望ましい。 Application Example 4 In the piezoelectric device according to the application example, it is preferable that the wiring connected to the linear conductor is connected to the electronic component and a ground electrode of the substrate.
この構成によれば、配線の一部から分岐されて電子部品配置領域内に延長された複数の線状導体が、シールド電極として機能する。このことから、電子部品から放射される電磁波ノイズや、圧電デバイスの外部から加わる電磁波ノイズによる圧電デバイスの特性に与える影響を無くすことができる。 According to this configuration, the plurality of linear conductors branched from a part of the wiring and extended into the electronic component arrangement region function as shield electrodes. From this, it is possible to eliminate the influence of the electromagnetic wave noise radiated from the electronic component and the electromagnetic wave noise applied from the outside of the piezoelectric device on the characteristics of the piezoelectric device.
[適用例5]上記適用例にかかる圧電デバイスは、前記基板の前記電子部品配置領域において、少なくとも前記電子部品の配置面の対角に位置する2つの角部と平面視で重なる、前記配線の一部より延長された平面部を有することが望ましい。 Application Example 5 In the piezoelectric device according to the application example, in the electronic component placement region of the substrate, at least two corner portions positioned at the diagonal of the placement surface of the electronic component overlap in plan view. It is desirable to have a flat portion that extends from a portion.
この構成によれば、配線の一部より延長された平面部の上の平坦な絶縁膜表面にて電子部品の角部を受けることができるため、電子部品を基板に固定する際に、電子部品の傾きを抑制することができ、基板とほぼ平行に電子部品を固定することができる。 According to this configuration, since the corner portion of the electronic component can be received on the flat insulating film surface on the flat portion extended from a part of the wiring, when the electronic component is fixed to the substrate, the electronic component The electronic component can be fixed substantially parallel to the substrate.
[適用例6]本適用例にかかる圧電デバイスにおいて、配線を備え、一方の面に電子部品配置領域と圧電振動子配置領域とが設けられた基板と、前記基板の前記電子部品配置領域に配置された電子部品と、圧電振動片と、前記圧電振動片を内部に収容し外部端子を備えるパッケージと、を備え前記圧電振動子配置領域に配置された圧電振動子と、を有する圧電デバイスであって、前記基板の前記電子部品配置領域において、複数の線状導体が、前記電子部品配置領域内の前記配線間の隙間を埋めるようにお互いに接触せずに配置されていることを特徴とする。 Application Example 6 In the piezoelectric device according to this application example, a substrate provided with wiring and provided with an electronic component placement region and a piezoelectric vibrator placement region on one surface, and placed in the electronic component placement region of the substrate And a piezoelectric vibrator disposed in the piezoelectric vibrator placement region. The piezoelectric device comprises: an electronic component, a piezoelectric vibrator piece; and a package containing the piezoelectric vibrator piece therein and having an external terminal. In the electronic component placement region of the substrate, a plurality of linear conductors are disposed without contacting each other so as to fill a gap between the wirings in the electronic component placement region. .
この構成によれば、基板の電子部品が配置される電子部品配置領域において、複数の線状導体が、電子部品配置領域内の配線間の隙間を埋めるようにお互いに接触せずに配置されている。この電子部品配置領域内の表面は、広い面積の平坦部がなく細かな凹凸を有した表面状態となる。このことから、基板の電子部品配置領域内に電子部品が固定される際に、固着面の表面積が増え、基板と電子部品の安定した密着性を得ることができる。
また、基板の電子部品配置領域内の表面が細かな凹凸状態であることから、基板と電子部品との間に気泡が残ることがなくなり、製造工程において、気泡の存在に起因する電子部品のはがれ、破損などの不具合が生ずることがなくなる。さらに、製品では気泡に起因する圧電デバイスの特性変化がなくなり、信頼性を向上させることができる。
According to this configuration, in the electronic component placement region where the electronic components on the board are placed, the plurality of linear conductors are placed without contacting each other so as to fill the gaps between the wirings in the electronic component placement region. Yes. The surface in the electronic component placement region is in a surface state having no flat portions with a large area and fine irregularities. Therefore, when the electronic component is fixed in the electronic component placement region of the substrate, the surface area of the fixing surface is increased, and stable adhesion between the substrate and the electronic component can be obtained.
In addition, since the surface in the electronic component placement region of the substrate is in a fine uneven state, bubbles do not remain between the substrate and the electronic components, and the electronic components are peeled off due to the presence of bubbles in the manufacturing process. This eliminates problems such as damage. Furthermore, in the product, the characteristic change of the piezoelectric device due to bubbles is eliminated, and the reliability can be improved.
[適用例7]上記適用例にかかる圧電デバイスにおいて、少なくとも前記電子部品配置領域に存在する前記配線および前記線状導体を被覆するように絶縁膜が形成されていることが望ましい。 Application Example 7 In the piezoelectric device according to the application example described above, it is preferable that an insulating film is formed so as to cover at least the wiring and the linear conductor existing in the electronic component placement region.
この構成によれば、基板上の電子部品配置領域内の細かな凹凸を有した表面を、絶縁膜で被覆することにより、絶縁膜の表面が細かな凹凸状態となる。よって、絶縁膜と電子部品との間に気泡が残ることがなくなり、製造工程において、気泡の存在に起因する電子部品のはがれ、破損などの不具合が生ずることがなくなる。さらに、製品では気泡に起因する圧電デバイスの特性変化がなくなり、信頼性を向上させることができる。さらに、電子部品の搭載による基板上の配線間のショートを防止できる。 According to this configuration, the surface of the insulating film is covered with the insulating film in the electronic component placement region on the substrate, so that the surface of the insulating film is in a fine uneven state. Therefore, bubbles do not remain between the insulating film and the electronic component, and problems such as peeling and breakage of the electronic component due to the presence of the bubbles do not occur in the manufacturing process. Furthermore, in the product, the characteristic change of the piezoelectric device due to bubbles is eliminated, and the reliability can be improved. Furthermore, it is possible to prevent a short circuit between wirings on the substrate due to the mounting of electronic components.
[適用例8]上記適用例にかかる圧電デバイスにおいて、前記複数の線状導体は、前記配線の一部から分岐されて延長されていることが望ましい。 Application Example 8 In the piezoelectric device according to the application example, it is preferable that the plurality of linear conductors are branched and extended from a part of the wiring.
この構成によれば、配線の一部を所定の電位とするだけで複数の線状導体全てを同じ電位に固定することができる。 According to this configuration, all of the plurality of linear conductors can be fixed at the same potential by simply setting a part of the wiring to a predetermined potential.
[適用例9]上記適用例にかかる圧電デバイスにおいて、前記線状導体と接続された前記配線が、前記電子部品および前記基板のグランド電極に接続されていることが望ましい。 Application Example 9 In the piezoelectric device according to the application example described above, it is preferable that the wiring connected to the linear conductor is connected to the electronic component and a ground electrode of the substrate.
この構成によれば、配線の一部から分岐されて電子部品配置領域内に延長された複数の線状導体が、シールド電極として機能する。このことから、電子部品から放射される電磁波ノイズや、圧電デバイスの外部から加わる電磁波ノイズによる圧電デバイスの特性に与える影響を無くすことができる。 According to this configuration, the plurality of linear conductors branched from a part of the wiring and extended into the electronic component arrangement region function as shield electrodes. From this, it is possible to eliminate the influence of the electromagnetic wave noise radiated from the electronic component and the electromagnetic wave noise applied from the outside of the piezoelectric device on the characteristics of the piezoelectric device.
[適用例10]上記適用例にかかる圧電デバイスにおいて、前記基板の前記電子部品配置領域において、少なくとも前記電子部品の配置面の対角に位置する2つの角部と平面視で重なる、前記配線の一部より延長された平面部を有することが望ましい。 Application Example 10 In the piezoelectric device according to the application example described above, in the electronic component placement region of the substrate, at least two corner portions positioned at the diagonal of the placement surface of the electronic component overlap in plan view. It is desirable to have a flat portion that extends from a portion.
この構成によれば、配線の一部より延長された平面部の上の平坦な絶縁膜表面にて電子部品の角部を受けることができるため、電子部品を基板に固定する際に、電子部品の傾きを抑制することができ、基板とほぼ平行に電子部品を固定することができる。 According to this configuration, since the corner portion of the electronic component can be received on the flat insulating film surface on the flat portion extended from a part of the wiring, when the electronic component is fixed to the substrate, the electronic component The electronic component can be fixed substantially parallel to the substrate.
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。以下の実施形態では、圧電デバイスとして代表的な水晶発振器を例にとり説明する。
(第1の実施形態)
DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, a typical crystal oscillator will be described as an example of a piezoelectric device.
(First embodiment)
図1は本実施形態の水晶発振器の構成を示す説明図であり、図1(a)は概略平面図、図1(b)は同図(a)のA−A断線に沿う概略断面図、図1(c)は同図(a)のB−B断線に沿う概略断面図である。 1A and 1B are explanatory views showing the configuration of the crystal oscillator of the present embodiment, FIG. 1A is a schematic plan view, and FIG. 1B is a schematic cross-sectional view taken along the line AA in FIG. FIG.1 (c) is a schematic sectional drawing in alignment with the BB disconnection of the figure (a).
水晶発振器1は、水晶振動子10、ICチップ20、樹脂基板30、接続部材40、モールド樹脂42とを備えている。この水晶発振器1は樹脂基板30にICチップ20が固着され、その上方に水晶振動子10が接続部材40を介して樹脂基板30に接続され、さらに水晶振動子10と樹脂基板30との間にモールド樹脂42が充填された構造となっている。
水晶振動子10は、セラミックパッケージ11に水晶振動片12が収容され、蓋体13によりセラミックパッケージ11内を気密に封止されている。水晶振動片12にはATカットの水晶片が用いられ、図示しないがその対向する面に励振電極が形成されている。水晶振動片12はセラミックパッケージ11内の接続端子14と導電性接着剤16を介して固着され、水晶振動片12の励振電極とセラミックパッケージ11の外面に形成された外部端子15とが導通する構造となっている。
The crystal oscillator 1 includes a
In the
樹脂基板30は、ガラスエポキシまたはポリイミドなどの平板に10〜20μm程度の銅箔を接着した基板が用いられ、銅箔をエッチングして所望の配線31のパターンが形成されている。そして、樹脂基板30の一方の面には、接続に用いられる端子を除き、配線31のパターン表面にレジストなどで形成された絶縁膜38が形成されている。
ICチップ20は、水晶振動子10を励振させる発振回路、温度補償回路などを含んで構成されている。ICチップ20は、樹脂基板30の絶縁膜38の上にダイアタッチフィルム(DAF)接着剤などの接合材41を用いて固着されている。そして、ICチップ20のパッド21と樹脂基板30のワイヤボンディング用電極32とが、Au線などの金属ワイヤ22で接続されている。このワイヤボンディングでは、ファーストのボンディングを樹脂基板30側とし、セカンドのボンディングをICチップ20側として、金属ワイヤ22のループ高さを低くできるように構成している。
As the
The
接続部材40は銅などの金属ボールをコアとし、その表面に半田層を形成している。この接続部材40の半田層を溶融させて、樹脂基板30の四隅に形成された接続部材配置用電極35と水晶振動子10の外部端子15とが、接続部材40を介して接続される。また、この接続部材40は金属ボールをコアとすることで、水晶振動子10と樹脂基板30との間隔を一定に保つことができ、この間の寸法(厚み)を確実に管理することができる。
モールド樹脂42は、エポキシ樹脂などが用いられ、水晶振動子10と樹脂基板30との間、および水晶振動子10の側面にかけて樹脂モールドされている。なお、モールド樹脂42は水晶振動子10と樹脂基板30との間のみに充填されていても良い。
The connecting
The
次に樹脂基板の構成について詳細に説明する。
図2は本実施形態の樹脂基板の構成を示す概略平面図である。図3は樹脂基板とICチップの取り付け状態を説明する説明図であり、図3(a)は概略平面図、図3(b)は同図(a)のC−C断線に沿う概略断面図である。なお、図2、図3の平面図において、樹脂基板の表面を覆う絶縁膜は除去して示してある。
Next, the configuration of the resin substrate will be described in detail.
FIG. 2 is a schematic plan view showing the configuration of the resin substrate of this embodiment. 3A and 3B are explanatory views for explaining a mounting state of the resin substrate and the IC chip. FIG. 3A is a schematic plan view, and FIG. 3B is a schematic cross-sectional view taken along the line CC in FIG. It is. In the plan views of FIGS. 2 and 3, the insulating film covering the surface of the resin substrate is removed.
図2に示すように、樹脂基板30は1層の基板からなり、その一方の面には、配線31、ワイヤボンディング用電極32、導通部34、接続部材配置用電極35が配設され、配線パターンが形成されている。また、樹脂基板30の他方の面には複数の外部端子33が設けられている。
ワイヤボンディング用電極32は配線31を介して導通部34に接続されている。この導通部34は樹脂基板30をビアホールにて貫通して設けられており、樹脂基板30の他方の面に設けられた外部端子33と直接に接続されている。
接続部材配置用電極35は、樹脂基板30上に水晶振動子10を搭載するための接続部材40が配置される電極である。本実施形態では4箇所の接続部材配置用電極35を設け、そのうちの2箇所においてワイヤボンディング用電極32と接続されている。
As shown in FIG. 2, the
The
The connection
また、樹脂基板30の中央部における配線31の間には、配線31の一部から分岐された複数の線状導体36が形成されている。線状導体36は配線31と同様に、樹脂基板30の銅箔をエッチングして得られるパターンであり、配線31間の隙間を埋めるようにお互いに接触せずに配置されている。また、複数の線状導体36は、隣接する線状導体36とほぼ同じ間隔(30μm〜50μm)をあけて配置されている。例えば、線状導体36の幅を30μmのとき、隣接する線状導体36までの幅は30μmとしている。図2の網掛け部で示す部分が線状導体36である。そして、この線状導体36と接続される配線31は一方で導通部34を介してグランド電極として構成される一つの外部端子33に接続され、他方でグランド電極として構成される一つのワイヤボンディング用電極32に接続されている。
そして、樹脂基板30の一方の面はワイヤボンディング用電極32、接続部材配置用電極35を除き、絶縁膜にて被覆されている(図示せず)。
In addition, a plurality of
One surface of the
次に、図3において、ICチップが搭載される位置および状態について説明する。
図3(a)において、二点鎖線で囲んだ領域がIC配置領域39であり、ICチップが搭載される領域である。このIC配置領域39では、前述したように、配線31の一部から分岐されてIC配置領域39内に延長された複数の線状導体36が、IC配置領域39内の配線31間の隙間を埋めるようにお互いに接触せずに配置されている。さらに、このIC配置領域39において、少なくともICチップの配置面の対角に位置する2つの角部と平面視で重なる、配線31の一部より延長された平面部37を有している。なお、この平面部は対角に位置する2つの角部に他のもう一つの角部を追加して設けても良いし、4つの角部に平面部を形成しても良い。
Next, in FIG. 3, the position and state where the IC chip is mounted will be described.
In FIG. 3A, an area surrounded by a two-dot chain line is an
図3(b)はICチップ20を樹脂基板30に搭載した状態を示す概略断面図である。樹脂基板30の表面に形成された絶縁膜38の表面は、絶縁膜38が5〜20μm程度で薄いため、配線31などの凹凸に倣って同様な凹凸状態となっている。ICチップ20と搭載するIC配置領域も、配線31および複数の線状導体36の上に絶縁膜38が形成されることから絶縁膜38の表面は、細かな凹凸状態となっている。この絶縁膜38の表面に、ICチップ20がダイアタッチフィルム(DAF)接着剤などの接合材41を用いて固着される。
このとき、ICチップ20の対角に位置する2つの角部が平面部37上の平坦な絶縁膜38で受けることができるため、ICチップ20の傾きを抑制し、樹脂基板30とほぼ平行にICチップ20を固定することができる。また、IC配置領域の絶縁膜38表面が凹凸表面となるため固着面の表面積が増え、樹脂基板30とICチップ20の安定した密着性を得ることができる。
FIG. 3B is a schematic cross-sectional view showing a state where the
At this time, since the two corners located diagonally to the
樹脂基板30にICチップ20を搭載した後は、図4に示すように、ICチップ20のパッド21と樹脂基板30のワイヤボンディング用電極32とが金属ワイヤ22により接続される。
図5は水晶振動子の底面を示す平面図である。水晶振動子10の底面には外部基板との接続がなされる外部端子15が四隅に設けられている。図4に示すように、この外部端子15に対応した位置に、樹脂基板30の接続部材配置用電極35が形成されている。
そして、図1に示したように樹脂基板30の四隅に形成された接続部材配置用電極35と水晶振動子10の外部端子15とが、接続部材40を介して接続される。
最後に、モールド樹脂42が、水晶振動子10と樹脂基板30との間、および水晶振動子10の側面にかけて充填されて水晶発振器1が製造される。
After the
FIG. 5 is a plan view showing the bottom surface of the crystal resonator.
As shown in FIG. 1, the connection
Finally, the
以上、本実施形態の水晶発振器1によれば、樹脂基板30のICチップ20が配置されるIC配置領域39において、配線31の一部から分岐されてIC配置領域39内に延長された複数の線状導体36が、IC配置領域39内の配線31間の隙間を埋めるようにお互いに接触せずに配置されている。そして、少なくともIC配置領域39に存在する配線31および線状導体36を被覆するように絶縁膜38が形成されている。このIC配置領域39内の絶縁膜38表面は、広い面積の平坦部がなく細かな凹凸を有した表面状態となる。このことから、樹脂基板30のIC配置領域39内にICチップ20が固定される際に、固着面の表面積が増え、樹脂基板30とICチップ20の安定した密着性を得ることができる。
また、絶縁膜38の表面が細かな凹凸状態であることから、絶縁膜38とICチップ20との間に気泡が残ることがなくなり、製造工程において、気泡の存在に起因するICチップ20のはがれ、破損などの不具合が生ずることがなくなる。さらに、製品では気泡に起因する水晶発振器1の特性変化がなくなり、信頼性を向上させることができる。
また、線状導体36と接続された配線31が、グランド電極に接続されていることから、配線31の一部から分岐されてIC配置領域39内に延長された複数の線状導体36が、シールド電極として機能し、ICチップ20から放射される電磁波ノイズや水晶発振器1の外部から加わる電磁波ノイズの影響をなくすことができる。
さらに、ICチップ20の対角に位置する2つの角部と平面視で重なる、配線31の一部より延長された平面部37を有することから、平面部37の上の絶縁膜38表面にてICチップ20の角部を受けることができる。このため、ICチップ20を樹脂基板30に固定する際に、ICチップ20の傾きを抑制することができ、樹脂基板30とほぼ平行にICチップ20を固定することができる。
(第2の実施形態)
As described above, according to the crystal oscillator 1 of the present embodiment, in the
Further, since the surface of the insulating
Further, since the
Furthermore, since it has a
(Second Embodiment)
次に、水晶発振器における第2の実施形態について説明する。本実施形態では水晶発振器の薄型化を図った態様であり、水晶振動子とICチップを並列に配置した構造である。
図6は第2の実施形態における水晶発振器の構成を示す説明図であり、図6(a)は概略平面図、図6(b)は同図(a)のE−E断線に沿う概略断面図である。なお、第1の実施形態と同様な構成については同符号を付し、説明を省略する。
Next, a second embodiment of the crystal oscillator will be described. In this embodiment, the crystal oscillator is thinned, and a crystal resonator and an IC chip are arranged in parallel.
6A and 6B are explanatory views showing the configuration of the crystal oscillator according to the second embodiment. FIG. 6A is a schematic plan view, and FIG. 6B is a schematic cross section taken along the line EE in FIG. FIG. In addition, about the structure similar to 1st Embodiment, the same code | symbol is attached | subjected and description is abbreviate | omitted.
水晶発振器2は、水晶振動子10、ICチップ20、樹脂基板50、モールド樹脂42とを備えている。
樹脂基板50は、ガラスエポキシまたはポリイミドなどの平板に銅箔を接着した基板が用いられ、銅箔をエッチングして所望の配線のパターンが形成されている。そして、樹脂基板50の一方の面には、接続に用いられる端子を除き、配線のパターン表面にレジストなどで形成された絶縁膜が形成されている。
この水晶発振器2は樹脂基板50にICチップ20が固着され、その横に並列して水晶振動子10が樹脂基板50に接続され、さらに水晶振動子10およびICチップを覆うようにモールド樹脂42が形成された構造となっている。
水晶振動子10の外部端子15は、樹脂基板50の接続端子62と半田43を介して接続され、水晶振動子10が樹脂基板50に固定されている。
また、ICチップ20は、樹脂基板50の表面に被覆された絶縁膜58上にダイアタッチフィルム(DAF)接着剤などの接合材41を用いて固着されている。そして、ICチップ20のパッド21と樹脂基板30のワイヤボンディング用電極とが、Au線などの金属ワイヤ22で接続されている。
The
As the
In this
The
Further, the
次に樹脂基板の構成について詳細に説明する。
図7は本実施形態の樹脂基板の構成を示す概略平面図である。図8は樹脂基板とICチップおよび水晶振動子の取り付け状態を説明する概略平面図である。なお、図7、図8において、樹脂基板の表面を覆う絶縁膜は除去して示してある。
Next, the configuration of the resin substrate will be described in detail.
FIG. 7 is a schematic plan view showing the configuration of the resin substrate of this embodiment. FIG. 8 is a schematic plan view for explaining a mounting state of the resin substrate, the IC chip, and the crystal resonator. 7 and 8, the insulating film covering the surface of the resin substrate is removed.
図7に示すように、樹脂基板50は1層の基板からなり、その一方の面には、配線51、ワイヤボンディング用電極52、導通部54、振動子接続用電極55が配設され、配線パターンが形成されている。また、樹脂基板50の他方の面には複数の外部端子(図示せず)が設けられている。樹脂基板50の一方の面には、水晶振動子10が搭載される振動子配置領域45と、ICチップが搭載されるIC配置領域59に区分され、それぞれ横に並んだ形態である。
ワイヤボンディング用電極52は配線51を介して導通部54に接続されている。この導通部54は樹脂基板50をビアホールにて貫通して設けられており、樹脂基板50の他方の面に設けられた外部端子に接続されている。
As shown in FIG. 7, the
The
また、樹脂基板50のIC配置領域59における配線51の間には、配線51の一部から分岐された複数の線状導体56が形成されている。線状導体56は配線51と同様に、樹脂基板50の銅箔をエッチングして得られるパターンであり、配線51間の隙間を埋めるようにお互いに接触せずに配置されている。また、複数の線状導体56は、隣接する線状導体56とほぼ同じ間隔をあけて配置されている。図7の網掛け部で示す部分が線状導体56である。そして、この線状導体56と接続される配線51は一方で導通部54を介してグランド端子として構成される一つの外部端子に接続され、他方でグランド端子として構成される一つのワイヤボンディング用電極52に接続されている。さらに、このIC配置領域59において、少なくともICチップの配置面の対角に位置する2つの角部と平面視で重なる、配線51の一部より延長された平面部57を有している。
そして、樹脂基板50の一方の面はワイヤボンディング用電極52を除き、絶縁膜にて被覆されている(図示せず)。
In addition, a plurality of
One surface of the
次に、ICチップおよび水晶振動子が搭載される位置および状態について、図8を用いて説明する。
樹脂基板50の表面に形成された絶縁膜の表面は、配線51などの凹凸に倣って同様な凹凸状態となっている。ICチップ20を搭載するIC配置領域も、配線51および複数の線状導体56の上に絶縁膜が形成されることから絶縁膜の表面は、細かな凹凸状態となっている。この絶縁膜の表面に、ICチップ20がダイアタッチフィルム(DAF)接着剤などの接合材を用いて固着される。
このとき、ICチップ20の対角に位置する2つの角部が平面部57上の平坦な絶縁膜で受けることができるため、ICチップ20の傾きを抑制し、樹脂基板50とほぼ平行にICチップ20を固定することができる。また、IC配置領域の絶縁膜表面が凹凸表面となるため固着面の表面積が増え、樹脂基板50とICチップ20の安定した密着性を得ることができる。
Next, the position and state where the IC chip and the crystal resonator are mounted will be described with reference to FIG.
The surface of the insulating film formed on the surface of the
At this time, since the two corners located diagonally of the
樹脂基板50にICチップ20を搭載した後は、ICチップ20のパッド21と樹脂基板50のワイヤボンディング用電極52とが金属ワイヤ22により接続される。
そして、樹脂基板50の振動子接続用電極55と水晶振動子10の外部端子とが、半田を介して接続される。
最後に、図6に示すように、モールド樹脂42が、水晶振動子10およびICチップ20を覆うようにモールド樹脂42が形成されて水晶発振器2が製造される。
After the
The
Finally, as shown in FIG. 6, the
以上、本実施形態の水晶発振器2によれば、樹脂基板50のICチップ20が配置されるIC配置領域59において、配線51の一部から分岐されてIC配置領域59内に延長された複数の線状導体56が、IC配置領域59内の配線51間の隙間を埋めるようにお互いに接触せずに配置されている。そして、少なくともIC配置領域59に存在する配線51および線状導体56を被覆するように絶縁膜58が形成されている。このIC配置領域59内の絶縁膜58表面は、広い面積の平坦部がなく細かな凹凸を有した表面状態となる。このことから、樹脂基板50のIC配置領域59内にICチップ20が固定される際に、固着面の表面積が増え、樹脂基板50とICチップ20の安定した密着性を得ることができる。
また、線状導体56と接続された配線51が、グランド電極に接続されていることから、配線51の一部から分岐されてIC配置領域59内に延長された複数の線状導体56が、シールド電極として機能し、ICチップ20から放射される電磁波ノイズや水晶発振器2の外部から加わる電磁波ノイズの影響をなくすことができる。
さらに、ICチップ20の対角に位置する2つの角部と平面視で重なる、配線51の一部より延長された平面部57を有することから、平面部57の上の絶縁膜58表面にてICチップ20の角部を受けることができる。このため、ICチップ20を樹脂基板50に固定する際に、ICチップ20の傾きを抑制することができ、樹脂基板50とほぼ平行にICチップ20を固定することができる。
As described above, according to the
Further, since the
Further, since the
なお、第1実施形態、第2の実施形態では、基板として樹脂基板を用いて説明をしたが、セラミック基板を用いても実施することが可能である。
また、第1実施形態、第2の実施形態では、圧電振動子として水晶振動子を例示したが、他の圧電振動子として振動ジャイロセンサ、SAW共振子などを用いて圧電デバイスを構成することも可能である。
In the first and second embodiments, the resin substrate is used as the substrate. However, the present invention can also be implemented using a ceramic substrate.
In the first embodiment and the second embodiment, the crystal resonator is exemplified as the piezoelectric vibrator. However, a piezoelectric device may be configured using a vibration gyro sensor, a SAW resonator, or the like as another piezoelectric vibrator. Is possible.
1,2…圧電デバイスとしての水晶発振器、10…圧電振動子としての水晶振動子、11…セラミックパッケージ、12…圧電振動片としての水晶振動片、13…蓋体、14…接続端子、15…外部端子、16…導電性接着剤、20…電子部品としてのICチップ、21…パッド、22…金属ワイヤ、30…樹脂基板、31…配線、32…ワイヤボンディング用電極、33…外部端子、34…導通部、35…接続部材配置用電極、36…線状導体、37…平面部、38…絶縁膜、39…電子部品配置領域としてのIC配置領域、40…接続部材、41…接合材、42…モールド樹脂、43…半田、45…振動子配置領域、50…樹脂基板、51…配線、52…ワイヤボンディング用電極、53…外部端子、54…導通部、55…振動子接続用電極、56…線状導体、57…平面部、58…絶縁膜、59…電子部品配置領域としてのIC配置領域、62…接続端子。
DESCRIPTION OF
Claims (8)
前記電子部品配置領域に配置されている、平面視が四角形の電子部品と、
圧電振動片を内部に収容し、外部端子を備えているパッケージを有し、前記電子部品の上方に位置している圧電振動子と、を備え、
前記電子部品配置領域において、少なくとも前記電子部品の外形における対角に位置する2つの角部と平面視で重なっている位置に、前記配線の一部である平面部を備え、
前記電子部品配置領域に、前記平面部同士を結んでいる仮想上の線分に交差している方向に沿って両端を備え、2つ以上の屈曲部を有して該両端間に延在している複数の線状導体が、互いに接触せずに配置されていることを特徴とする圧電デバイス。 A board provided with wiring and provided with an electronic component placement region on one side;
An electronic component that is arranged in the electronic component arrangement area and has a quadrangular plan view;
A piezoelectric vibrator that houses a piezoelectric vibrating piece and has an external terminal, and a piezoelectric vibrator positioned above the electronic component;
In the electronic component placement area, at least a two corners located diagonally in the outer shape of the electronic component, and a plane portion that is a part of the wiring at a position overlapping in plan view,
The electronic component placement region has both ends along a direction intersecting a virtual line segment connecting the flat portions, and has two or more bent portions and extends between the both ends. A plurality of linear conductors arranged without being in contact with each other.
少なくとも前記電子部品配置領域に存在している前記配線および前記線状導体を被覆するように絶縁膜が形成されていることを特徴とする圧電デバイス。 The piezoelectric device according to claim 1,
An insulating film is formed so as to cover at least the wiring and the linear conductor existing in the electronic component placement region.
前記複数の線状導体の一端が、前記配線に繋がっていることを特徴とする圧電デバイス。 The piezoelectric device according to claim 1 or 2,
One end of the plurality of linear conductors is connected to the wiring.
前記線状導体と繋がっている前記配線が、前記電子部品および前記基板のグランド電極に接続されていることを特徴とする圧電デバイス。 The piezoelectric device according to claim 3,
The piezoelectric device, wherein the wiring connected to the linear conductor is connected to the electronic component and a ground electrode of the substrate.
前記電子部品配置領域に配置されている、平面視が四角形の電子部品と、
圧電振動片を内部に収容し、外部端子を備えているパッケージを有し、前記圧電振動子配置領域に配置された圧電振動子と、を備え、
前記電子部品配置領域において、少なくとも前記電子部品の外形における対角に位置する2つの角部と平面視で重なっている位置に、前記配線の一部である平面部を備え、
前記電子部品配置領域に、前記平面部同士を結んでいる仮想上の線分に交差している方向に沿って両端を備え、2つ以上の屈曲部を有して該両端間に延在している複数の線状導体が、互いに接触せずに配置されていることを特徴とする圧電デバイス。 A substrate provided with wiring and provided with an electronic component placement region and a piezoelectric vibrator placement region on one surface;
An electronic component that is arranged in the electronic component arrangement area and has a quadrangular plan view;
A piezoelectric vibrator that houses a piezoelectric vibrating piece and has a package having external terminals, and a piezoelectric vibrator disposed in the piezoelectric vibrator placement region;
In the electronic component placement area, at least a two corners located diagonally in the outer shape of the electronic component, and a plane portion that is a part of the wiring at a position overlapping in plan view,
The electronic component placement region has both ends along a direction intersecting a virtual line segment connecting the flat portions, and has two or more bent portions and extends between the both ends. A plurality of linear conductors arranged without being in contact with each other.
少なくとも前記電子部品配置領域に存在している前記配線および前記線状導体を被覆するように絶縁膜が形成されていることを特徴とする圧電デバイス。 The piezoelectric device according to claim 5,
An insulating film is formed so as to cover at least the wiring and the linear conductor existing in the electronic component placement region.
前記複数の線状導体の一端が、前記配線に繋がっていることを特徴とする圧電デバイス。 The piezoelectric device according to claim 5 or 6,
One end of the plurality of linear conductors is connected to the wiring.
前記線状導体と繋がっている前記配線が、前記電子部品および前記基板のグランド電極に接続されていることを特徴とする圧電デバイス。 The piezoelectric device according to claim 7,
The piezoelectric device, wherein the wiring connected to the linear conductor is connected to the electronic component and a ground electrode of the substrate.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007272165A JP5071035B2 (en) | 2007-10-19 | 2007-10-19 | Piezoelectric device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007272165A JP5071035B2 (en) | 2007-10-19 | 2007-10-19 | Piezoelectric device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009100398A JP2009100398A (en) | 2009-05-07 |
JP5071035B2 true JP5071035B2 (en) | 2012-11-14 |
Family
ID=40702949
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
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---|---|
JP (1) | JP5071035B2 (en) |
Families Citing this family (2)
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---|---|---|---|---|
JP5337635B2 (en) * | 2009-08-31 | 2013-11-06 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | Electronic devices |
JP2013207686A (en) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | Crystal oscillator |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090717 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
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RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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A521 | Written amendment |
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|
A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120724 |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120806 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150831 Year of fee payment: 3 |
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S531 | Written request for registration of change of domicile |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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