JP5070061B2 - 可変抵抗流体コントローラ - Google Patents

Description

本出願は、２００５年１月２１日出願の米国仮特許出願第６０／６４５，８０２号の優先権を主張するものである。これらの出願の内容は、参照により本明細書に組み込まれている。

本発明は、一般に分析プロセスにおける流体の制御に関し、より詳細には、ナノスケールクロマトグラフィにおける溶媒勾配の形成などの流体制御に関する。

最近ナノスケールクロマトグラフィ（流量１μＬ／ｍｉｎ未満）における関心から、ＨＰＬＣ機器の製造者はより少ない流量を吐出することができるポンプを開発しようと試みている。分析スケールクロマトグラフィ（０．１〜５ｍｏｌ／ｍｉｎ）に典型的に使用される定流量開ループ分析スケールポンプは、約０．１μＬ／ｍｉｎを超える良好なフロー源ではあるが、これらの流量未満では、溶媒圧縮およびシールフィッティングまたは逆止め弁の漏れによる不正確性のため、それらの流量精度が犠牲になっており、残念なことには、典型的な分析スケールＨＰＬＣポンプ技術は、これらの低流量に対して良好にスケーリングしていない。

ＨＰＬＣには、アイソクラティック分離のため、複数の成分の移動相／溶媒混合物が日常的に使用されており、移動相／溶媒混合物の組成は一定に維持されている。この組成は、ユーザが準備することも、あるいはポンプまたは溶媒デリバリシステムによってオンデマンドで生成することも可能である。しかしながら、勾配分離の場合、分析過程の間、移動相／溶媒混合物の組成が連続的に変化する。この溶媒勾配の生成は、通常、１）移動相成分をポンプの低圧サクション側で予備混合する方法、または２）一連の高圧ポンプを使用して、必要な数の成分を高圧混合物に引き渡す方法の２つの方法のうちのいずれかによって達成される。

低圧勾配の形成は、単一の高圧ポンプおよび一連の安価な溶媒定量弁（低圧溶媒混合の場合）を必要とする点で有利であるが、低圧勾配の形成にはいくつかの欠点がある。残念なことには、溶媒吐出率がマイクロボアスケール、毛管スケールまたはナノスケールクロマトグラフィの場合に典型的な流量（すなわち１００μＬ／ｍｉｎ未満）まで低下すると、高圧ポンプのポンプヘッド体積（通常、５０μＬ未満）が総溶離体積のかなりの部分を占めることになる。これは、勾配分解能が損失する原因になっている。たとえば、１０μＬ／ｍｉｎの流量が使用される典型的な毛管スケールＬＣ勾配分離の場合、ポンプヘッド体積を５０μＬと仮定すると、勾配組成は、良好な勾配ＬＣ分離を達成するために必要なほぼ連続した勾配分解能ではなく、５分毎に変化することになる。したがって、より少ない流量分離を使用したアプリケーションの場合、高圧勾配混合が使用されている。

従来のプランジャ変位ポンピングシステムは、ノーマルスケールおよびマイクロスケールの高性能液体クロマトグラフィ（ＨＰＬＣ）レジームにおいては、安定した、正確な流れの吐出に成功している。ノーマルスケールＨＰＬＣは、約０．１〜５．０ｍＬ／ｍｉｎの移動相流量を使用して実行され、また、マイクロスケールＨＰＬＣは、約１〜１００μＬ／ｍｉｎの移動相流量を使用して実行されるが、ナノスケールＨＰＬＣには、約５０〜５００ｎＬ／ｍｉｎのレンジの移動相流量が必要である。プランジャ変位ポンピングシステムでは、信頼性が高く、かつ、高い精度でナノスケールＨＰＬＣ流量を吐出することはできない。

しかしながら、約２００ｎＬ／ｍｉｎの流量が典型的に使用されるナノスケールＬＣの場合、使用される高圧ポンプの各々は、９５％／５％ないし５％／９５％の二進組成勾配を得るためには、１０ｎＬ／ｍｉｎ（つまり合計２００ｎＬ／ｍｉｎの流量の５％）と少なく吐出することができなければならない。現在のポンピング技術は、プランジャの変位を測定することによって吐出流量を計量しているため、これを達成することは極端に困難である。プランジャの変位を測定することによる流量の計量は、１μＬ／ｍｉｎを超えるレジームでは可能であるが（シール／フィッティングの漏えい率は、バルク流量より数桁未満であると考えられるため）、数１０ｎＬ／ｍｉｎのポンピングの場合は不可能である（場合によっては漏えい率がポンプの流量と同程度の大きさになることがあるため）。また、従来のプランジャ／シールポンピングシステムは、十分に小形化されていないため、現在のポンプヘッド設計の流体キャパシタンスには、変化するポンプ圧が存在することによって生成される流量の予測をさらに困難にする傾向がある。したがって、現在利用可能なフローセンサは、数１０ｎＬ／ｍｉｎスケールの液体クロマトグラフィアプリケーションで使用するためには、その信頼性、正確性および精度は不適切である。

本発明の装置によれば、有利には、任意の様々なＬＣ流量レジームで使用することができる可変制限器を有する溶媒ラインを使用した新規な流体および勾配コントローラを提供することにより、変位計量高圧ポンプが抱えている問題が解決される。並列溶媒ライン構成により、有利には、高圧ポンプによって吐出される最終流量を制御することにより、ポンプヘッド内における溶媒圧縮および／またはポンプヘッドの漏れにもかかわらず、ナノスケールＬＣレジームで傾斜流を生成する能力が提供される。

本発明によれば、流体勾配制御装置は、ポンプ流体を貯蔵し、かつ、ポンプ供給するためのポンプ流体リザーバを備えている。ポンプ流体を受け取るためのポンプ流体リザーバには、ポンプデバイスが接続されている。第１の実例実施形態では、ポンプデバイスは、第１の溶媒ラインと流体連絡しており、第２の溶媒ラインが並列に接続されている。並列溶媒ラインの各々には、可変制限デバイスおよび溶媒リザーバが提供されている。ポンプデバイスは、ポンプ流体が対応する並列溶媒ラインを通って流れ、溶媒ラインの各々の可変制限デバイスによって提供される対応する抵抗を受けるように動作している。ポンプ流体によって、対応する個々の溶媒リザーバ内の溶媒が、対応する制限デバイスによって提供される抵抗の関数として溶媒リザーバからポンプ供給される。ポンプ供給された溶媒によって、混合ティーを介してクロマトグラフィシステムに引き渡される勾配組成が形成される。

他の実例実施形態では、並列溶媒ライン内のインライン制限器エレメントを介して液体クロマトグラフィ（ＬＣ）システム内で流体傾斜流を実施するための方法が提供される。ＬＣシステムは、ポンプ流体を貯蔵したポンプ流体リザーバを有する流体勾配コントローラ装置と、ポンプデバイスと、可変制限デバイスと、個々の並列溶媒ライン内の溶媒リザーバとを備えている。混合ティーによって、形成された溶媒勾配が分析コラムに引き渡される。この方法には、ポンプ流体が可変制限デバイスを通って流れるよう、ポンピングデバイスを動作させるステップと、ポンプ流体が可変制限デバイスに応答して流れるよう、少なくとも１つの可変制限デバイスを制御するステップが含まれている。溶媒流体勾配は、溶媒リザーバ内の対応する溶媒をポンプ流体が変位させることによって生成され、それにより、混合ティーを介してクロマトグラフィシステムに引き渡される溶媒勾配が形成される。

本発明の実施形態によれば、有利には、ポンプヘッド内における溶媒圧縮の問題を解決する機構を実施することにより、ナノスケールレジームにおける勾配制御が提供される。ポンプヘッドからの漏えいの問題は、勾配システムの高圧側で解決される。

本発明の上記および他の特徴ならびに利点は、添付の図面に照らして行う実例実施形態についての以下の詳細な説明からより深く理解されよう。

本発明は、その説明用として、単純な電子回路を使用してモデル化することができる。図１を参照すると、本発明による勾配コントローラ装置の基本構造が、単純な抵抗電子回路８０によって示されている。システムモデルは、接地電位に接続されたＤＣ電源８２および第１の共通接続点８４を備えている。実例実施形態の中で追って説明するように、ＤＣ電源８２を使用して、ポンプ流体リザーバとポンプの組合せがモデル化されていることを理解されたい。第１の共通接続点８４は、さらに、並列に接続され、かつ、第２の共通接続点８６に接続された第１の抵抗Ｒ１および第２の抵抗Ｒ２に接続されている。以下で説明するように、第１の抵抗Ｒ１を使用して、第１の可変制限器と第１の溶媒リザーバの組合せがモデル化され、また、第２の抵抗Ｒ２を使用して、第２の可変制限器と第２の溶媒リザーバの組合せがモデル化されていることを理解されたい。第２の共通接続点８６を使用して、勾配システムの混合ティーがモデル化されている。第２の共通接続点８６は、第３の抵抗Ｒ３に接続されている。第３の抵抗Ｒ３は、さらに、接地電位２２６に接続されており、それにより回路を完成している。また、第３の抵抗Ｒ３を使用して分析コラム１１６がモデル化されていることを理解されたい。

実例モデルでは、抵抗電子回路８０が完成すると、ＤＣ電源８２から総電流Ｉ_Ｔが流れる（従来から知られているように）。総電流Ｉ_Ｔは、図に示すように、ＤＣ電源８２から第１の共通接続点８４に流入し、そこで第１の抵抗電流Ｉ_ＲＩと第２の抵抗電流Ｉ_Ｒ２に分割される。第１の抵抗の電流Ｉ_ＲＩは、図に示すように、第１の抵抗Ｒ１を通って流れ、第２の共通接続点８６に流入している。同様に、第２の抵抗電流Ｉ_Ｒ２は、図に示すように、第２の抵抗Ｒ２を通って流れ、第２の共通接続点８６に流入している。第２の共通接続点８６で第２の抵抗電流Ｉ_Ｒ２と第１の抵抗電流Ｉ_Ｒ１が結合し、第３の抵抗電流Ｉ_Ｒ３が生成される。第３の抵抗電流Ｉ_Ｒ３は、第３の抵抗Ｒ３を通って接地へ流れる。

実例モデルでは、総電流Ｉ_Ｔが抵抗電子回路全体を通して一定の電流に維持される場合、第１の抵抗電流Ｉ_Ｒ１および第２の抵抗電流Ｉ_Ｒ２は、単純に、それぞれ第１の抵抗Ｒ１および第２の抵抗Ｒ２の値を調整することによって変化させることができる。第１の抵抗電流Ｉ_Ｒ１および第２の抵抗電流Ｉ_Ｒ２は、総電流Ｉ_Ｔに影響を及ぼすことなく、独立して制御することができる。同様に、電力の範囲が制限されている電源が使用される場合、第１の抵抗Ｒ１および第２の抵抗Ｒ２の値が第３の抵抗Ｒ３の値よりはるかに小さいか、あるいは式、１／（１／Ｒ１＋１／Ｒ２）の値が一定の値に維持される場合、第１の抵抗Ｒ１および第２の抵抗Ｒ２を通って流れる電流は、総電流Ｉｘを大きく変化させることなく操作することができる。この実例モデルの原理は、以下で説明する勾配コントローラシステムの実例実施態様にも適用することができる。

次に図２を参照すると、本発明による勾配コントローラ装置１００が示されている。第１の実例実施形態では、並列流体抵抗回路網１０２は、ポンプ流体リザーバ１０４、ポンプ１０６、第１の可変制限器１０８を有する第１の溶媒ライン、および第２の可変制限器１１０を有する第２の溶媒ラインを備えている。この実例実施形態では、第１および第２の可変制限器１０８、１１０は、ポンプ供給する流体の粘性（すなわち抵抗）を変化させるための温度変化を提供するために使用されるペルチエデバイスなどの温度制御された可変制限器である。実例ペルチエデバイスには、Ｍｅｌｃｏｒ Ｐｅｌｔｉｅｒ ＣＰ １．４−７１−０４５Ｌなどが含まれている。本発明の範囲には、当分野で知られている他の可変制限器エレメント、たとえばニードル弁制限器等を使用することができることが企図されている。

第１の溶媒ラインでは、第１の可変制限器１０８は、第１の溶媒リザーバ１１２と流体連絡している。第２の溶媒ラインでは、第２の可変制限器１１０は、第２の溶媒リザーバ１１４と流体連絡している。動作中、ポンピング流体を貯蔵しているポンプ流体リザーバ１０４は、第１の溶媒ラインおよび第２の溶媒ラインにポンピング流体を引き渡すために、流体ティー１１８すなわちフロースプリッタと流体連絡しているポンプ１０６すなわち圧力源に接続される。流体ティー１１８は、第１の可変制限器１０８および第２の可変制限器１１０と流体連絡している第１の溶媒ライン１０１および第２の溶媒ライン１０３と流体連絡している。第１の可変制限器１０８は、第１の溶媒リザーバ１１２と流体連絡しており、第２の可変制限器１１０は、第２の溶媒リザーバ１１４と流体連絡している。第１の溶媒リザーバ１１２および第２の溶媒リザーバ１１４は、混合ティー１２０と流体連絡している。混合ティー１２０は、勾配溶媒ラインを介して分析コラム１１６と流体連絡している。勾配溶媒ラインは、任意選択で、システムコントローラ１３０と連絡している組成センサ１１８を備えることができる。第１および第２の可変制限器１０８、１１０は、プリセット制限を有することができ、あるいはシステムコントローラ１３０と連絡して、流量制限を選択的に制御し、かつ、変更することができる。

本発明によれば、ポンプ１０６が一定の流体の流れを並列流体抵抗回路網１０２に引き渡す場合（つまりフローセンサを使用して、あるいは他の手段によって、閉ループフィードバック内のプランジャの変位または圧力源を測定することによって一定の流体の流れを引き渡している場合）、並列流体抵抗回路網１０２を形成している第１および第２の溶媒ラインを通る流体の流れは、第１の可変制限器１０６および第２の可変制限器１０８の大きさを変更することによって制御することができる。移動相／溶媒成分の流量は、並列流体抵抗回路網１０２の操作に応じて変化するため、流量の変化は、有利には、流量の変化自体が、それぞれ溶媒リザーバ１１２、１１４から引き渡される移動相／溶媒混合物中の組成変化であることを示している。したがって、この実例構成によれば、移動相／溶媒流の組成を制御し、ナノスケールＬＣレジームで流れを傾斜させることができる。

図３を参照すると、説明用として、本発明による並列流体抵抗回路網１０２を有するデバイスの動作から得られたデータが示されている。しかしながら、この実例実施例では、第１の溶媒リザーバ１１２および第２の溶媒リザーバ１１４の代わりにＳｅｎｓｉｒｉｏｎ（登録商標）フローセンサ（ＳＬＧ１ ４３０−０ １５）を使用して、第１の可変制限器１０６および第２の可変制限器１０８を通って流れる流体が測定されている。この実施例に使用された流体は水であり、％Ｂエレメントは、第２の可変制限器１０８を通る流体の流れを第１の可変制限器１０６および第２の可変制限器１０８を通る流体の流れの合計で割った値として定義されている（つまり％Ｂ＝Ｗ（Ｉ_Ｒ１＋Ｉ_Ｒ２））。この実例実施例では、第１の可変制限器１０６および第２の可変制限器１０８は、温度を制御するための熱電コントローラＭｉｃｒｏｓｅｍｉ ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ ＥＶＢ２８１６を備えた温度制御制限エレメントである。この実例実施形態では、第１の可変制限器１０６および／または第２の可変制限器１０８の温度を制御することにより、有利には、第１の可変制限器１０６および／または第２の可変制限器１０８を通って流れるポンプ供給流体の粘性を操作して可変流体抵抗を達成することができる。

図３から分かるように、第１の可変制限器１０６および第２の可変制限器１０８を通って流れる流体の組成制御は、約１０−９５Ｃの制限器温度を使用して、約１０−９０％の範囲で調整することができる。したがって、１０％Ｂ未満の勾配を得るためには、より高い制限器温度極限を使用するか、あるいは温度による粘性の変化がより大きいポンプ流体を使用することができることが分かる（たとえば温度による粘性の変化がはるかに大きい適切な重合体溶液を選択することができる）。本発明の範囲には、ポンプ流体は、必ずしも勾配コントローラから流出させる必要はないことが企図されている。その場合、溶媒リザーバ内のポンプ流体とＬＣ移動相成分の間に機械的境界または拡散境界を配置することができ、また、ポンプ流体をポンプ流体リザーバ１０４に向けて方向転換し、かつ、貯蔵するためのポンピングを提供することができる。

図４を参照すると、液体クロマトグラフィ（ＬＣ）システム内の流体傾斜流を制御するための方法２００が示されている。この方法２００には、ブロック２０２で示すように、流体勾配コントローラ装置１００を構成するステップが含まれている。流体勾配コントローラ装置１００は、上で説明したように配置され、ポンプ供給流体を貯蔵したポンプ流体リザーバ１０４を有している。流体勾配コントローラ装置１００は、さらに、ポンピングデバイス１０６、第１の可変制限器１０８、第２の可変制限器１１０、第１の溶媒リザーバ１１２、第２の溶媒リザーバ１１４および分析コラム１１６を備えている。ポンピングデバイス１０６は、ブロック２０４で示すように、ポンプ流体がポンプ流体リザーバ１０４から複数の可変制限器を通って流れるように動作する。上で説明したように、ポンプ流体は、ポンピングデバイス１０６から第１のティー１１８に流入し、そこでポンプ流体の流れが第１および第２の溶媒ラインへ分割される。第１の溶媒ラインは、ポンプ流体を第１の可変制限器１０８へ導き、また、第２の溶媒ラインは、ポンプ流体を第２の可変制限器１１０へ導く。ポンプ流体は、第１および第２のフロー溶媒ラインに沿って流れるため、第１の可変制限器１０８および第２の可変制限器１１０は、ブロック２０６で示すように、ポンプ流体が第１の可変制限器１０８および第２の可変制限器１１０に応じた方法で流れるように制御される。

一実例実施形態によれば、第１の可変制限器１０８および第２の可変制限器１１０は、温度制御された制限エレメントであるため、温度を制御することによってポンプ流体の流れを制御することができ、延いてはポンプ流体の粘性を制御することができる。ポンプ流体の温度が低くなると、ポンプ流体の粘性が高くなり、ポンプ流体の流れが遅くなる。第１の可変制限器１０８を通って流れるポンプ流体は、第２の可変制限器１１０に無関係に制御することができることを理解されたい。

ポンプ流体が第１の可変制限器１０８および第２の可変制限器１１０を通って流れると、ブロック２０８で示すように、ポンプ流体によって溶媒がそれぞれ第１の溶媒リザーバ１１２および第２の溶媒リザーバ１１４から変位し、それにより、それぞれ第１および第２の可変制限を関数として流体勾配が生成される。変位した溶媒は、対応する制限エレメントによる制限に比例して、第１の流路および第２の流路から流れる。変位した溶媒は、第２の混合ティー１２０を介して混合され、流体勾配が形成される。この流体勾配は、次に、ブロック２１０で示すように、分析コラム１１６に導入される。本発明の範囲には、任意のクロマトグラフィシステムに流体勾配を導入することができることが企図されている。

第１の可変制限器１０６および第２の可変制限器１０８は、温度制御された制限エレメントであるが、所望する最終目的に適した任意の様々な制限エレメントおよび／または方法を使用することができる。

図４に示す方法の少なくとも一部は、流体勾配コントローラ装置１００の内部または外部に配置されたコントローラによって処理することができる。また、図４に示す方法の少なくとも一部は、コンピュータプログラムに応答して動作するコントローラによって処理することができる。コントローラは、規定された機能および所望の処理ならびにそのための計算を実行するために（たとえば１つまたは複数の制御アルゴリズム、本明細書に記述されている制御プロセスなどを実行するために）、それらに限定されないが、１つまたは複数のプロセッサ、１つまたは複数のコンピュータメモリ、１つまたは複数の記憶レジスタ、１つまたは複数の時限割込み、１つまたは複数の通信インタフェースおよび１つまたは複数の入／出力信号インタフェース、ならびにそれらのうちの少なくとも１つを備えた組合せを備えることができる。

本発明は、コンピュータ実施プロセスまたはコントローラ実施プロセスの形態で具体化することができる。また、本発明は、フロッピー（登録商標）ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ハードドライブなどの有形媒体、および／または他の任意のコンピュータ可読媒体の中に具体化された命令を含んだコンピュータプログラムコードの形態で具体化することも可能であり、コンピュータプログラムコードがコンピュータまたはコントローラにロードされ、かつ、実行されると、コンピュータまたはコントローラは、本発明を実践するための装置になる。また、本発明は、たとえば、記憶媒体に記憶されるものであれ、コンピュータまたはコントローラにロードされ、かつ／または実行されるものであれ、あるいは何らかの伝送媒体、たとえば電気配線またはケーブルなどを介して、もしくは光ケーブルまたは電磁放射を介して伝送されるものであれ、コンピュータプログラムコードの形態で具体化することも可能であり、コンピュータプログラムコードがコンピュータまたはコントローラにロードされ、かつ、実行されると、コンピュータまたはコントローラは、本発明を実践するための装置になる。汎用マイクロプロセッサ上で実施される場合、コンピュータプログラムコードセグメントは、特定の論理回路を生成するためのマイクロプロセッサを構成することができる。

本発明による実例実施形態では、勾配を制御するための互いに並列の２つの溶媒ラインが示されているが、本発明は、１つの流体制御通路を有することができ、あるいは複数の成分を有する溶媒勾配を形成することができる多数の溶媒ラインを互いに並列に有することができることを当業者には理解されたい。同様に、本発明による勾配コントローラシステムは、システムが動作している間、１つの溶媒ラインのみを使用して、勾配制御デバイスに取り付けられた分析デバイスをフラッシングすることができることを当業者には理解されたい。混合ティー以外の構造を使用して、勾配組成を達成するための可変制限流路を選択することができることを理解されたい。

本発明による実例実施形態では、ポンプ流体を使用して溶媒リザーバ内の溶媒を変位させているが、ダイヤフラムなどの物理的なコンポーネントによって溶媒リザーバ内の溶媒からポンプ流体を分離することも可能であることを当業者には理解されたい。同様に、可変粘性のポンプ流体を使用して溶媒リザーバ内の溶媒を変位させることも可能であることを当業者には理解されたい。さらに、ポンプ流体は、流体と固体の両方の組合せであってもよいことを理解されたい。

以上、本発明について、実例実施形態を参照して説明したが、様々な変更、省略および／または追加が可能であり、本発明の精神および範囲を逸脱することなく、実質的な等価物を本発明のエレメントの代わりに使用することができることは当業者には理解されよう。また、特定の状況または材料に適合させるために、本発明の範囲を逸脱することなく、多くの改変を本発明の教示に加えることが可能である。したがって、本発明を実行するために開示した特定の実施形態に本発明を限定することではなく、本発明は、特許請求の範囲の範疇に属するあらゆる実施形態を包含することが意図されている。さらに、特に言及されていない限り、第１の、第２のなどの用語の使用は、何らかの順序または重要性を表しているのではなく、単にエレメントを互いに区別するために使用されているにすぎない。

本発明の一例示的実施形態による流体勾配コントローラ装置をモデル化した略線図である。 一例示的実施形態による流体勾配コントローラ装置を示すブロック図である。 本発明の例示的実施形態による流体勾配コントローラ装置をモデル化したデバイスを使用した試験によって得られたサンプルデータを示すグラフである。 液体クロマトグラフィ（ＬＣ）システム内の流体傾斜流を制御するための方法を記述したブロック図である。

Claims (20)

1. ポンプ流体を貯蔵するためのポンプ流体リザーバと、
   ポンプ流体リザーバに接続された、ポンプ流体をポンプ供給するためのポンピングデバイスと、
   ポンピングデバイスに接続された少なくとも１つの可変制限デバイスであって、少なくとも１つの可変制限デバイスが温度の変化に応答して制限を変更する温度制御された制限エレメントを備え、ポンピングデバイスが動作すると、ポンピングデバイスによってポンプ流体が少なくとも１つの可変制限デバイスを通って流れる可変制限デバイスと、
   各々が溶媒を含有した溶媒流体を貯蔵するための第１と第２の溶媒流体リザーバを備え、第１と第２の溶媒流体リザーバは少なくとも１つの可変制限デバイスに接続されており、ポンプ流体は、少なくとも１つの可変制限デバイスによって提供される制限との関係で第１と第２の溶媒流体リザーバ内の溶媒流体を変位させる、流体コントローラ装置。
2. ポンピングデバイスが流体ティーを介して少なくとも１つの可変制限デバイスに接続された、請求項１に記載の流体コントローラ装置。
3. 少なくとも１つの可変制限デバイスが、第１の溶媒ラインと結合した第１の可変制限デバイス、および第２の溶媒ラインと結合した第２の可変制限デバイスを備えた、請求項１に記載の流体コントローラ装置。
4. 第１の溶媒流体リザーバが、第１の可変制限デバイスに接続され、第２の溶媒流体リザーバが、第２の可変制限デバイスに接続された、請求項３に記載の流体コントローラ装置。
5. 流体コントローラ装置が、少なくとも１つのクロマトグラフィコラムに溶媒勾配を提供する、請求項４に記載の流体コントローラ装置。
6. 第１の可変制限デバイスおよび第１の溶媒流体リザーバが、第２の可変制限デバイスおよび第２の溶媒流体リザーバに並列に接続された、請求項４に記載の流体コントローラ装置。
7. 第１の可変制限デバイスおよび第２の可変制限デバイスのうちの１つが、機械的な制限エレメントを備える、請求項３に記載の流体コントローラ装置。
8. 液体クロマトグラフィシステム内で流体勾配を形成するための方法であって、
   少なくとも第１の溶媒を貯蔵している第１の溶媒リザーバと連絡している第１の可変制限デバイス、および少なくとも第２の溶媒を貯蔵している第２の溶媒リザーバと連絡している第２の可変制限デバイスを備えた流体勾配コントローラ装置を提供するステップと、
   第１および第２の可変制限デバイスを介して少なくとも１つのポンプ流体をポンプ供給するステップであって、それにより第１および第２の溶媒が変位するステップと、
   変位した第１および第２の溶媒の勾配を調停するために、それぞれ第１の可変制限デバイスおよび第２の可変制限デバイスによって提供される第１の流量制限および第２の流量制限を変更するステップとを含み、第１の流量制限を変更することが、第１の可変制限デバイスにより生じた温度変化に応答して発生する、方法。
9. 第１の可変制限デバイスが、第１の溶媒リザーバから分離され、かつ、第１の溶媒リザーバに接続され、また、第２の可変制限デバイスが、第２の溶媒リザーバから分離され、かつ、第２の溶媒リザーバに接続された、請求項８に記載の流体勾配を制御するための方法。
10. 第１の可変制限デバイスおよび第１の溶媒リザーバが、第２の可変制限デバイスおよび第２の溶媒リザーバに並列に接続された、請求項８に記載の流体勾配を制御するための方法。
11. 変位した第１および第２の溶媒を結合するステップと、結合した溶媒を分析コラムを通して流すステップとをさらに含む、請求項８に記載の流体勾配を制御するための方法。
12. 液体クロマトグラフィ装置であって、
    温度の変化に応答して制限を変更する可変制限要素を含む、第１の流路を変更可能に制限するための手段と、
    第２の流路を変更可能に制限するための手段と、
    第１の流路を変更可能に制限するための手段に応答して第１の溶媒を変位させるための手段と、
    第２の流路を変更可能に制限するための手段に応答して第２の溶媒を変位させるための手段と、
    変位した第１および第２の溶媒を結合するための手段と、
    結合した第１および第２の溶媒をクロマトグラフィコラムに引き渡すための手段と
    を備えた装置。
13. 第１の流路を変更可能に制限するための手段にポンプ流体を引き渡すための手段をさらに備えた、請求項１２に記載の装置。
14. ポンプ流体を引き渡すための手段がポンプを備えた、請求項１３に記載の装置。
15. 第１の溶媒を変位させるための手段が、第１の流路を通って流れるポンプ流体を備えた、請求項１２に記載の装置。
16. 第１の溶媒を変位させるための手段が、少なくとも若干の第１の溶媒を貯蔵したリザーバをさらに備えた、請求項１５に記載の装置。
17. 結合するための手段が混合ティーを備えた、請求項１２に記載の装置。
18. ポンピングデバイスが、ポンプ流体を、１マイクロリットル毎分（μＬ／ｍｉｎ）より低い流量で、ポンプ供給する、請求項１に記載の流体コントローラ装置。
19. ポンプ供給が、１マイクロリットル毎分（μＬ／ｍｉｎ）より低い流量のポンプ流体を生じる、請求項８に記載の流体勾配を制御するための方法。
20. ポンプ流体を引き渡すための手段が、ポンプ流体を、１マイクロリットル毎分（μＬ／ｍｉｎ）より低い流量で、引き渡す、請求項１３に記載の装置。

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