JP5067127B2 - コンタクトプローブおよびその製造方法 - Google Patents
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Description
また、上記ロジウム積層体は、基板上にロジウム層を電解めっきにより形成する第1工程と、該ロジウム層上に金属層を電解めっきにより形成する第2工程と、該金属層上にさらにロジウム層を電解めっきにより形成する第3工程とを少なくとも含む製造方法により形成することができる。また、上記第3工程により形成されたロジウム層上に、さらに前記第2工程および前記第3工程を繰り返して金属層およびロジウム層を各1層ずつ交互に形成してロジウム積層体を製造することが好ましい。
本発明のロジウム積層体は、少なくとも2層のロジウム層と少なくとも1層の金属層とを有し、上記ロジウム層と上記金属層とが各1層ずつ交互に積層されてなる積層体である。すなわち、本発明のロジウム積層体は、ロジウム層間に金属層が挟まれた構造を少なくとも1つ有するものである。このような構造とすることで、合計厚みが同じロジウム単層の被膜の場合に比べて、積層体に含まれる各ロジウム層の内部応力を低減することが可能となる。また、ロジウム層間に金属層を設けることによって応力の緩和の効果が得られ、ロジウムの特性を損なわずに、高強度で高ばね性を有する積層体とすることができる。
本発明におけるロジウム層は、少なくとも1層が積層体の表面を形成するものであり、ロジウムと不可避不純物からなり、その純度は通常99.9%〜99.9%であることが好ましい。
本発明における金属層は、金、銀および銅からなる群より選択される少なくとも1種の元素により構成される。これらの元素は、1種のみを用いることが好ましいが、2種以上を混合して用いることもできる。上記金属層を構成する元素のなかでも、軟らかく、応力緩和の効果が大きい点から金が好ましい。また、ロジウム積層体の層数が4以上の場合(金属層が2層以上の場合)、各金属層は同一であってもよく互いに異なる金属層であってもよいが、製造工程が簡略である点から各金属層は同一の元素からなることが好ましい。
本発明のロジウム積層体は、スパッタ法などのPVD法やCVD法や電解または無電解めっき法など公知の方法により形成させることが可能であるが、微細な結晶粒により構成されることで強度が高い層が形成され、また製造工程において不純物の混入が極めて少ない点から、各金属膜層が電解めっき法により形成されることが好ましい。
本発明のロジウム積層体は、後述のように微細構造を付与することによって、コンタクトプローブとして好適に使用することができる。
<前処理>
ニッケル板(基板、100×100×0.2mm、(株)ニラコ製)の片面全面を、PTFEテープ(厚み0.09mm、型番5490、住友スリーエム(株)製)を用いて覆った。上記基板のもう一方の面は、その中央部50mm四方を残して、その他の部分を上記PTFEテープで覆った。なお、基板の端部(側面)は導線の接点とするために被覆していない。
上記前処理を行なった基板に対して、表1に示す条件でロジウムめっきを25分間施した後、水洗した(工程A)。基板はめっき浴の液面にPTFEテープ被覆面が垂直になるように設置した。次いで、表1に示す条件で金属層として金めっきを30秒間施した後、水洗した(工程B)。このように工程AおよびBを、交互に5回繰り返し、さらに工程Aによりロジウムめっきを施し、合計層数が11で、その厚みがおよそ30μmであるロジウム積層体(ロジウム―金積層体)を得た。ロジウム積層体の厚みは、レーザ顕微鏡((株)キーエンス製、VK8500)を用いて測定した。なお、ロジウムめっき液としては、表1記載のローデックス([Rh3+]=5g/l、硫酸50g/L、日本エレクトロプレイティング・エンジニヤース(株)製)を用いた。また、金めっき液としては、表1記載のニュートロネクスストライク([Au2+]=0.2〜1g/l、pH8.5、日本エレクトロプレイティング・エンジニヤース(株)製)を用いた。
得られたロジウム積層体(ロジウム―金積層体)を目視により観測したところ、基板からの剥離やクラックなどが全くなく、良好なめっき被膜が形成されていた。
表2の条件に従い金属層として銀めっきからなる層を形成させた以外は実施例1と同様にして、ロジウム積層体(ロジウム―銀積層体)を得た。なお、銀めっき液のpHは、12であった。
表3の条件に従い金属層として銅めっきからなる層を形成させた以外は実施例1と同様にして、ロジウム積層体(ロジウム―銅積層体)を得た。なお、銅めっき液のpHは、0.5であった。
被膜の厚みが理論上実施例1と同様に30μmとなるように、ロジウムめっきを50分間行ない、ロジウム単層のめっき被膜を形成させた以外は実施例1と同様にして、ロジウムめっきからなる層を得た。
図1に示すように、ステンレスの基板1の表面に厚み50μmのX線レジスト膜2を形成した。つぎに、コンタクトプローブのパターンを有するマスク3を介して、X線4で露光し、パターンをX線レジスト膜2に転写した。コンタクトプローブのパターンを有するマスク3は、図6に示すような形状を有し、L 1000μm、W 2000μm、T1 50μm、T2 50μmであった。その後、X線レジスト膜2のうち露光箇所2aを現像液により除去し、図2に示すような樹脂からなるめっき用母型2bを得た。つづいて、図3に示すように、めっき用母型2bにロジウム積層体5を形成した。ロジウム積層体5の形成は実施例1と同一の電解めっきの条件により行なった。
Claims (4)
- 少なくとも2層のロジウム層と、少なくとも1層の金属層とを含み、
前記金属層は、金、銀および銅からなる群より選択される少なくとも1種の元素により構成され、
前記ロジウム層の各層の厚みは、0.5〜10μmであり、前記金属層の各層の厚みは0.01〜1μmであり、
前記ロジウム層と前記金属層とが各1層ずつ交互に積層されてなるロジウム積層体を備える、コンタクトプローブ。 - 前記ロジウム層および前記金属層は、電解めっきにより形成される層である請求項1に記載のコンタクトプローブ。
- 基板上にロジウム層を電解めっきにより形成する第1工程と、
前記ロジウム層上に金属層を電解めっきにより形成する第2工程と、
前記金属層上にロジウム層を電解めっきにより形成する第3工程とを少なくとも含む請求項1または2に記載のコンタクトプローブの製造方法。 - 前記第3工程により形成されたロジウム層上に、さらに前記第2工程および前記第3工程を繰り返して金属層およびロジウム層を各1層ずつ交互に形成する請求項3に記載のコンタクトプローブの製造方法。
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