JP5065826B2 - Substrate liquid processing apparatus and liquid processing method - Google Patents

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Description

本発明は、ガラス板等の基板に対して、回路パターンの現像等の液処理を行うための基板の液処理装置及び液処理方法に関するものである。 The present invention is to provide a substrate such as a glass plate, it relates to a liquid processing apparatus and liquid processing how the substrate for performing a liquid processing such as development of the circuit pattern.

フラットディスプレイ装置を構成する液晶パネル,プラズマディスプレイパネル,有機ELパネル等のパネルにおいて、例えば液晶パネルは、共にガラス基板からなるTFT基板とカラーフィルタとの2枚の基板から構成され、これら両基板の間に液晶が封入されている。フラットディスプレイ装置用のパネル基板の製造工程では、TFT基板についてはガラス板の表面に回路パターンが形成され、またカラーフィルタはブラックマトリックス及び色材膜が形成されるが、これらは、成膜、レジスト膜の塗布、露光、現像、エッチングからなる工程を経ることにより形成される。   In a panel such as a liquid crystal panel, a plasma display panel, and an organic EL panel constituting a flat display device, for example, the liquid crystal panel is composed of two substrates, a TFT substrate made of a glass substrate and a color filter. Liquid crystal is sealed between them. In the process of manufacturing a panel substrate for a flat display device, a circuit pattern is formed on the surface of a glass plate for a TFT substrate, and a black matrix and a color material film are formed for a color filter. It is formed through a process consisting of film coating, exposure, development, and etching.

これらの各工程のうち、現像工程は、表面に塗布されたレジスト膜を露光した後の基板が搬入されて、この基板を現像液に浸漬させるが、インラインで現像を行うために、基板をコンベアにより水平搬送する間に現像液をシャワリングさせることにより行うのが一般的である。そして、基板は、現像液に所定時間接触させた後に現像を停止するが、現像時間を正確に制御するために、通常、水置換を行うことにより現像を停止させることになる。つまり、コンベアによって基板を所定の速度で搬送する間に、現像液のシャワーを設けた現像ステージで所定の時間にわたって現像を行い、その後に水洗用のシャワーを設けた水置換ステージに移行させて、水洗を行うことによって、現像液を除去して水と置換することにより現像を停止する。   Among these processes, the development process is such that the substrate after exposure of the resist film applied on the surface is carried in, and the substrate is immersed in the developer. In general, it is carried out by showering the developer during horizontal transport. The substrate stops development after being brought into contact with the developer for a predetermined time. However, in order to accurately control the development time, the development is usually stopped by performing water replacement. In other words, while the substrate is transported at a predetermined speed by the conveyor, development is performed for a predetermined time on the development stage provided with the developer shower, and then the water replacement stage is provided with a shower for washing, The development is stopped by removing the developer by replacing it with water by washing with water.

ここで、現像ステージでは、基板に対してシャワリングした現像液を回収しこれを循環させて再使用するようになし、もって現像液の消費の抑制を図るようにしている。しかしながら、基板はコンベアで搬送されることから、現像ステージでは、その表面全体にわたって多量の現像液が滞留することになる。特に大型の基板の場合には現像液の滞留量も膨大な量になることがある。これをそのまま水置換ステージに移行させると、大量の現像液が持ち出される。この水置換ステージでは基板を水洗することから、基板に滞留している現像液を水置換ステージまで移行させると、現像液は水と混合して再使用できない状態になってしまう。   Here, at the developing stage, the developing solution showered on the substrate is collected and circulated for reuse, thereby suppressing consumption of the developing solution. However, since the substrate is conveyed by the conveyor, a large amount of developer stays on the entire surface of the developing stage. In particular, in the case of a large substrate, the retention amount of the developer may be enormous. If this is transferred to the water replacement stage as it is, a large amount of developer is taken out. In this water replacement stage, the substrate is washed with water. Therefore, when the developer staying on the substrate is transferred to the water replacement stage, the developer is mixed with water and cannot be reused.

基板が現像ステージから水置換ステージに移行する前に、現像液を現像ステージ内に戻すようにすれば、現像液の消費低減を図ることができる。このためには、現像ステージの出口部の直近位置に液切り手段を設けて、基板がこの出口部を通過する際に、基板上の現像液の液切りを行う。この液切りの際に、現像液に不純物が混入しないようにするために、基板表面にクリーンエアを吹き付ける。その結果、エアの風圧により基板から現像液を取り除くことができて、基板から排除された現像液は、再使用可能な状態で現像ステージに回収される。従って、液切り手段としては、周知のエアナイフノズルを用いることができる。   If the developer is returned to the developing stage before the substrate moves from the developing stage to the water replacement stage, the consumption of the developing solution can be reduced. For this purpose, a liquid draining means is provided in a position immediately adjacent to the outlet portion of the developing stage, and the developer on the substrate is drained when the substrate passes through the outlet portion. When the liquid is drained, clean air is blown onto the substrate surface in order to prevent impurities from being mixed into the developer. As a result, the developer can be removed from the substrate by the wind pressure of the air, and the developer removed from the substrate is collected on the development stage in a reusable state. Therefore, a well-known air knife nozzle can be used as the liquid draining means.

以上の液切りを行うために使用可能なエアナイフノズルとして、例えば特許文献1に示されているものが知られている。この特許文献1によるエアナイフノズルは、ノズル本体にエア吹き出し口を設けたものから構成され、エア吹き出し口は乾燥させる基板の搬送方向の斜め後方側に向けて開口させることによって、エアは斜め上方から基板表面に突入することになる。そして、このエア吹き出し口において、基板の搬送方向における後方側の壁面は湾曲した曲面形状となり、この曲面形状の部位のさらに後方側は基板と平行な方向を向いた平坦面部となっている。また、エア吹き出し口より基板の搬送方向の前方側の部位も、この基板と平行な面が設けられており、この面は後方側の平坦面部より基板に近接した位置にあり、従って基板の搬送方向と平行な面はエア吹き出し口の前後で段差を有する構成となっている。   As an air knife nozzle that can be used to perform the above liquid drainage, for example, the one shown in Patent Document 1 is known. The air knife nozzle according to Patent Document 1 is configured by providing an air blowing port in a nozzle body, and the air blowing port is opened obliquely rearward in the transport direction of the substrate to be dried, so that the air is obliquely upward. It will rush into the substrate surface. In this air outlet, the rear wall surface in the substrate transport direction has a curved surface shape, and the further rear side of the curved surface portion is a flat surface portion facing in a direction parallel to the substrate. In addition, the front side of the substrate transfer direction from the air outlet is also provided with a surface parallel to the substrate, and this surface is located closer to the substrate than the flat surface portion on the rear side. The plane parallel to the direction has a step difference before and after the air outlet.

このように構成することによって、エア吹き出し口からエアを噴出させたときに、ノズル本体の段差によって、エア吹き出し口の前後で、基板との間隔に差が生じ、基板の搬送方向の前方側の間隔が狭くなる。このために、エア吹き出し口から吹き出したエアは、基板の移動方向とは反対側に向けて確実に流れることになり、前方に向けてエアの流れが阻止されて、少量のエアで効率的に基板を乾燥させることができる。
特開2007−144314号公報
With this configuration, when air is ejected from the air blowing port, a difference in the distance from the substrate occurs before and after the air blowing port due to the level difference of the nozzle body, and the front side in the substrate transport direction is The interval is narrowed. For this reason, the air blown out from the air blowout port will surely flow in the direction opposite to the moving direction of the substrate, and the air flow is prevented from moving forward, so that a small amount of air is used efficiently. The substrate can be dried.
JP 2007-144314 A

ところで、現像液の液切り手段として、特許文献1に示されたエアナイフノズルを用いる構成とした場合、このエアナイフノズルにより現像液を完全に排除できれば良いが、エアナイフノズルだけでは、現像液を全く残さず排除するのは極めて困難である。そして、現像液が基板に付着していると、たとえ付着量が僅かなものであっても、なお現像が進行する。従って、基板の一部では水置換の開始直前まで現像が行われるが、現像液が取り除かれた部位は現像がそれ以上進行しないことから、基板の部位により現像時間に差が生じることになり、そのために現像にむらが生じることになってしまう。   By the way, when the air knife nozzle shown in Patent Document 1 is used as the developer draining means, it is sufficient that the developer can be completely removed by the air knife nozzle. However, the air knife nozzle alone leaves no developer. It is extremely difficult to eliminate. When the developer is attached to the substrate, the development proceeds even if the amount of the developer is small. Therefore, development is performed on a part of the substrate until just before the start of water replacement, but development does not proceed any further at the site where the developer is removed, and therefore a difference occurs in development time depending on the part of the substrate. As a result, uneven development occurs.

現像ステージと水置換ステージとの間の間隔を短くするか、現像ステージを通過した後には、基板を迅速に水置換させるようにすれば、現像時間にタイムラグが発生するのをある程度は抑制できる。しかしながら、現像ステージに近接した位置で水置換を行うと、この現像ステージに水置換の際の水が流入することになり、またコンベアによる基板の搬送速度を変化させるのは、工程管理の上から望ましいものではない。しかも、たとえ僅かであっても、現像時間に差が生じると、やはり現像むらが発生することになる。   If the interval between the development stage and the water replacement stage is shortened or the substrate is rapidly replaced with water after passing through the development stage, the occurrence of a time lag in the development time can be suppressed to some extent. However, if water replacement is performed at a position close to the development stage, water at the time of water replacement flows into the development stage, and the change in the substrate transport speed by the conveyor is from the viewpoint of process control. It is not desirable. Moreover, even if there is a slight difference, if a difference occurs in the development time, uneven development will still occur.

ところで、水置換は、通常、現像の停止を行うためのものであり、この現像の停止の直前まで基板表面に現像液が付着していても、それが基板の全面にわたってのものであれば、現像むらの発生という事態は生じない。ただし、現像液の節約の観点から、基板上に残存する現像液をできるだけ少なくしなければならない。現像ステージから搬出される際に、基板表面が濡れている状態、つまり僅かな液膜が基板の全面にわたって形成するのが理想的である。従って、本発明の目的は、液処理ステージからの処理液の持ち出しを最小限のものとし、かつ基板に対する処理のむらが発生するのを確実に防止することにある。   By the way, water substitution is usually for stopping development, and even if the developer is attached to the substrate surface until just before this development stop, if it is over the entire surface of the substrate, There is no occurrence of uneven development. However, from the viewpoint of saving developer, the developer remaining on the substrate should be reduced as much as possible. Ideally, the substrate surface is wet when it is unloaded from the development stage, that is, a slight liquid film is formed over the entire surface of the substrate. Accordingly, an object of the present invention is to minimize the removal of the processing liquid from the liquid processing stage and to surely prevent the processing from being unevenly performed on the substrate.

前述した目的を達成するために、本発明に係る液処理装置の構成は、基板を搬送する間に、この基板の表面に処理液を供給して所定の液処理を行う液処理ステージと、この処理液による処理を終了させる処理停止ステージとを備えた基板の液処理装置であって、前記液処理ステージで前記基板の表面に滞留している処理液のうち、この基板の全面が濡れた状態を保つ液膜を残して余剰の処理液を前記液処理ステージに戻すために、基板搬送方向の後方側に向けて、この基板表面に対して平行な液回収用の空気流を形成する処理液回収手段を前記液処理ステージに設け、前記処理液回収手段は、基板搬送方向と直交する方向の全長に及ぶように配置した排液ノズルから構成され、この排液ノズルは基板搬送方向の後方側に向けて斜め上方から加圧空気を噴射させる噴射通路を備え、前記噴射通路を形成した位置より基板搬送方向の後方側の位置に、この基板の表面と平行な整流化面を形成して、前記噴射通路の基板搬送方向の前方側には、前記噴射通路から噴射された空気の流れを前記整流化面に沿う方向にガイドするために、前記噴射通路の前記基板の表面への傾斜角より小さい角度となった空気呼び込み壁を設ける構成としたことをその特徴とするものである。 In order to achieve the above-described object, the configuration of the liquid processing apparatus according to the present invention includes a liquid processing stage for supplying a processing liquid to the surface of the substrate and carrying out a predetermined liquid processing while the substrate is being transported. A substrate liquid processing apparatus comprising a processing stop stage for ending processing with a processing liquid , wherein the entire surface of the substrate is wet among the processing liquid remaining on the surface of the substrate at the liquid processing stage. Processing liquid that forms an air flow for liquid recovery parallel to the substrate surface toward the rear side in the substrate transport direction in order to return the surplus processing liquid to the liquid processing stage while leaving a liquid film to maintain A recovery means is provided in the liquid processing stage, and the processing liquid recovery means is constituted by a drain nozzle arranged so as to cover the entire length in a direction perpendicular to the substrate transport direction, and the drain nozzle is located on the rear side in the substrate transport direction. Add diagonally from above An injection passage for injecting air is provided, and a rectifying surface parallel to the surface of the substrate is formed at a position on the rear side in the substrate conveyance direction from the position where the injection passage is formed, and the injection passage in the substrate conveyance direction is formed. On the front side, in order to guide the flow of air injected from the injection passage in a direction along the rectifying surface, an air inlet wall having an angle smaller than an inclination angle of the injection passage to the surface of the substrate This is characterized in that a configuration is provided .

基板は処理対象面を上側に向けて水平搬送するのが望ましい。また、傾斜状態にして搬送させても良いが、例えば現像を行う場合には、処理液が基板の表面とできるだけ長い時間接触させる必要がある。従って、処理の種類や態様によっては、基板表面に対して処理液が作用した後に、速やかに排出させることが望ましい場合には傾斜搬送となし、処理液との接触状態をできるだけ保つ必要のある場合には水平搬送とすれば良い。基板を液処理ステージから処理停止ステージに移行する際に、基板の表面に滞留する処理液を回収する必要があるのは、主に基板を水平搬送状態にしたときであるが、傾斜搬送の場合であっても、処理液回収手段による処理液の回収を行うことも、処理液の消費低減の観点から有利になる。   The substrate is preferably transported horizontally with the surface to be processed facing upward. Further, the film may be transported in an inclined state. However, for example, when developing, the processing liquid needs to be in contact with the surface of the substrate for as long as possible. Therefore, depending on the type and mode of processing, when it is desirable to discharge immediately after the processing liquid has acted on the substrate surface, it is necessary to maintain the contact state with the processing liquid as much as possible. For this, horizontal conveyance may be used. When the substrate is transferred from the liquid processing stage to the processing stop stage, the processing liquid that stays on the surface of the substrate needs to be collected mainly when the substrate is in a horizontal transfer state, but in the case of inclined transfer. Even so, it is also advantageous to collect the processing liquid by the processing liquid recovery means from the viewpoint of reducing the consumption of the processing liquid.

処理液回収手段は液処理ステージにおいて、処理停止ステージへの移行部近傍に設けるのが望ましく、基板搬送方向と直交する方向の全長に及ぶように配置した排液ノズルから構成することができる。この排液ノズルは基板搬送方向の後方側に向けて斜め上方から加圧空気を噴射させる噴射通路を備えたものとする。この加圧空気の噴射角は、好ましくは基板の表面に対して45度以下の角度とし、しかもできるだけ浅い角度とする方が基板表面に対して平行な空気流を形成する上で望ましい。ただし、加圧空気の噴射角を極端に浅くしようとすれば、排液ノズルが大型化する等の問題点がある。従って、加圧空気の噴射角は45度〜30度程度とするのが望ましい。そして、噴射通路を形成した位置より基板搬送方向の後方側に、この基板の表面と平行な整流化面を形成することによって、噴射通路から噴射させた空気をこの整流化面に沿って基板と平行な方向に流すことができるようになる。また、噴射通路の基板搬送方向の前方側に噴射通路から噴射された空気の流れを整流化面に沿う方向にガイドするために、噴射通路の基板の表面への傾斜角より小さい角度傾斜した空気呼び込み壁を設ける構成とすることによって、より確実に、しかも迅速かつ円滑に基板と平行な空気流を形成できる。   The processing liquid recovery means is preferably provided in the vicinity of the transition portion to the processing stop stage in the liquid processing stage, and can be constituted by a drain nozzle arranged to cover the entire length in the direction orthogonal to the substrate transport direction. The drain nozzle is provided with an injection passage for injecting pressurized air obliquely from above toward the rear side in the substrate transport direction. The injection angle of the pressurized air is preferably set to an angle of 45 degrees or less with respect to the substrate surface, and is preferably as shallow as possible in order to form an air flow parallel to the substrate surface. However, if the injection angle of the pressurized air is made extremely shallow, there is a problem that the drain nozzle is enlarged. Therefore, it is desirable that the injection angle of the pressurized air be about 45 to 30 degrees. Then, by forming a rectifying surface parallel to the surface of the substrate on the rear side in the substrate transport direction from the position where the injection passage is formed, air injected from the injection passage is connected to the substrate along the rectifying surface. It becomes possible to flow in the parallel direction. Further, in order to guide the flow of air injected from the injection passage to the front side of the injection passage in the substrate transport direction in the direction along the rectifying surface, the air inclined at an angle smaller than the inclination angle to the substrate surface of the injection passage. By adopting the structure in which the intake wall is provided, an air flow parallel to the substrate can be formed more reliably, quickly and smoothly.

処理液回収手段を構成する排液ノズルは、基板の全面が濡れた状態を保つ液膜を残して、余剰の処理液を現像ステージに回収するために設けられる。従って、搬送される基板に対しては、この基板と平行になった空気流によって、その表面に滞留する余剰の処理液が基板から排除されて、現像ステージに回収されることになる。従って、排液ノズルの整流化面は基板の表面との間には、実質的にスリット状となった狭い通路が形成され、コアンダ効果により空気流は噴射通路の後方側の壁から整流化面に密着する流れとなる。そして、このスリット状の通路を構成する隙間、つまり整流化面と基板表面との間の距離と、噴射通路から噴射される加圧空気の圧力とによって、基板表面に滞留する処理液に対する押圧力が決定される。整流化面を基板に近接させればさせるほど、また空気圧を高くすればするほど、処理液に作用する押圧力が大きくなる。一方、基板の表面状態及び処理液の粘度により、処理液への押圧力に対する抵抗が変化する。   The drain nozzle constituting the processing liquid recovery means is provided for recovering excess processing liquid to the developing stage, leaving a liquid film that keeps the entire surface of the substrate wet. Therefore, with respect to the substrate to be transported, excess processing liquid staying on the surface is removed from the substrate by the air flow parallel to the substrate and is collected on the developing stage. Therefore, a narrow passage having a substantially slit shape is formed between the rectifying surface of the drain nozzle and the surface of the substrate, and the air flow is caused to flow from the rear wall of the injection passage by the Coanda effect. It becomes the flow which adheres to. Then, the pressing force against the processing liquid staying on the substrate surface is determined by the gap forming the slit-shaped passage, that is, the distance between the rectifying surface and the substrate surface and the pressure of the pressurized air injected from the injection passage. Is determined. The closer the rectifying surface is to the substrate and the higher the air pressure, the greater the pressing force acting on the processing liquid. On the other hand, the resistance to the pressing force to the processing liquid changes depending on the surface state of the substrate and the viscosity of the processing liquid.

ここで、噴射通路から噴射される加圧空気は、基板表面を乾燥させるのではなく、基板表面に滞留している処理液の層を減縮して、薄膜化するものである。従って、基板の表面状態,この表面に滞留している処理液の種類や性質等に応じて、整流化面をどの程度まで基板に近接させるか、どの程度の圧力で加圧空気を排液ノズルの噴射通路に流すかを決定する。これによって、基板の表面において、処理液の液膜が切れるがことなく、しかも最大限の処理液を回収することができる。   Here, the pressurized air ejected from the ejection passage does not dry the substrate surface, but reduces the layer of the processing liquid staying on the substrate surface to make it thinner. Therefore, depending on the surface condition of the substrate and the type and nature of the processing liquid staying on this surface, how much the rectifying surface is close to the substrate, and how much pressure is used to discharge the pressurized air Decide whether to flow through the injection passage. As a result, the liquid film of the processing liquid is not cut on the surface of the substrate, and the maximum processing liquid can be recovered.

基板の裏面側には処理液が滞留することはないが、処理液の粘度によっては、かなりの量の処理液が付着していることもある。そこで、基板の裏面側に付着する処理液を排除することも必要になる場合がある。そこで、基板を挟んで排液ノズルと対向するように裏面噴射ノズルを設けて、この裏面噴射ノズルによって処理液を基板搬送方向の後方側に向けて排除するように加圧空気を噴射させる。この裏面噴射ノズルは、裏面側に付着している処理液をできるだけ排除するためのもので、表面側のように液膜を残す必要はない。つまり、裏面噴射ノズルは、実質的に乾燥手段としての機能を持たせるようことができる。   Although the processing liquid does not stay on the back side of the substrate, a considerable amount of the processing liquid may adhere depending on the viscosity of the processing liquid. Therefore, it may be necessary to remove the processing liquid adhering to the back side of the substrate. Therefore, a back surface injection nozzle is provided so as to face the liquid discharge nozzle across the substrate, and pressurized air is injected by the back surface injection nozzle so as to exclude the processing liquid toward the rear side in the substrate transport direction. This back surface injection nozzle is for removing as much as possible the processing liquid adhering to the back surface side, and it is not necessary to leave a liquid film as on the front surface side. That is, the back spray nozzle can substantially have a function as a drying means.

次に、基板処理方法の発明としては、基板を搬送する間に、その表面に処理液を供給して所定の液処理を行う液処理工程と、前記液処理工程において、基板搬送方向より後方側に向けて、前記基板の表面と平行な方向の空気流を形成することによって、前記基板の表面に滞留している処理液を、この基板の全面が濡れた状態を保つ液膜を残し、余剰の処理液を前記液処理工程側に戻す処理液回収工程と、前記基板の表面に残留している処理液を除去して、水と置換することによって、この処理液による処理を終了させる処理停止工程と、を有し、前記処理液回収工程では、前記基板と平行であって、この基板搬送方向の後方側に向けて整流状態で空気を流すようにし、前記基板に対して、基板搬送方向と直交する方向の全長にわたって基板搬送方向の後方側に向けて斜め方向から空気を噴射させて、この搬送基板の表面と平行な空気流を形成し、かつこの噴射空気流による負圧領域に向けて、前記噴射空気流の前記基板への傾斜角より小さい角度で、この負圧領域に向けて空気を呼び込むようにしたことを特徴とするものである。

Next, the invention of the substrate processing method includes a liquid processing step of supplying a processing liquid to the surface of the substrate while the substrate is transported to perform a predetermined liquid processing, and a rear side of the substrate transport direction in the liquid processing step. Toward the surface of the substrate by forming an air flow in a direction parallel to the surface of the substrate, leaving the treatment liquid staying on the surface of the substrate leaving a liquid film that keeps the entire surface of the substrate wet. A processing liquid recovery step for returning the processing liquid to the liquid processing step side, and a processing stop that terminates the processing with the processing liquid by removing the processing liquid remaining on the surface of the substrate and replacing it with water. And in the processing liquid recovery step, air is flowed in a rectified state parallel to the substrate and toward the rear side in the substrate transport direction, and the substrate transport direction with respect to the substrate Substrate over the entire length in the direction perpendicular to The air is jetted from the oblique direction toward the rear side of the direction to form an air flow parallel to the surface of the transport substrate, and the substrate of the jet air flow toward the negative pressure region by the jet air flow This is characterized in that air is drawn into the negative pressure region at an angle smaller than the inclination angle of the air .

処理液回収工程では、基板と平行であって、この基板搬送方向の後方側に向けて整流状態で空気を流すようにする。そして、基板に対して基板の搬送方向と直交する方向の全長にわたって基板搬送方向の後方側に向けて斜め方向から45度以下の角度で空気を噴射させることによって、搬送される基板の表面と概略平行な空気流となし、かつこの噴射空気流により負圧領域に向けて、噴射空気流の前記基板への傾斜角より小さい角度となるようにして、この負圧領域に向けて空気を呼び込むようにするのが望ましい。そして、処理液回収工程では、前記基板の裏面側に対しても、基板搬送方向の後方側に向けて処理液を排除する空気流を形成することができる。   In the treatment liquid recovery step, air is allowed to flow in a rectified state parallel to the substrate and toward the rear side in the substrate transport direction. Then, air is ejected at an angle of 45 degrees or less from the oblique direction toward the rear side of the substrate transport direction over the entire length in the direction orthogonal to the substrate transport direction with respect to the substrate, thereby roughly the surface of the substrate being transported. A parallel air flow is formed, and air is drawn into the negative pressure region by the jet air flow toward the negative pressure region at an angle smaller than an inclination angle of the jet air flow toward the substrate. It is desirable to make it. In the treatment liquid recovery step, an air flow that excludes the treatment liquid can be formed toward the rear side in the substrate transport direction also on the back surface side of the substrate.

前述した基板の液処理装置にしろ、また液処理方法にしろ、液処理ステージ乃至液処理工程では、基板に現像液を供給して現像処理を行うものであり、また処理停止ステージ乃至処理停止工程では、現像液を水置換させる水置換ステージとすることができる。そして、これら液処理装置及び液処理方法により製造される基板はフラットディスプレイ用のパネルであって、このパネルを用いてフラットディスプレイ装置を製造することができる。   Regardless of the substrate liquid processing apparatus or the liquid processing method described above, in the liquid processing stage or the liquid processing step, a developing solution is supplied to the substrate to perform the development processing, and the processing stop stage or the processing stop step is performed. Then, it can be set as the water displacement stage which replaces a developing solution with water. And the board | substrate manufactured by these liquid processing apparatuses and liquid processing methods is a panel for flat displays, Comprising: A flat display apparatus can be manufactured using this panel.

基板の全面には、その表面が濡れた状態を保つための最小限の液膜を残して、余剰処理液を液処理ステージに戻すようになし、基板に水を供給する等により処理液の劣化等が生じる処理停止ステージへの持ち込み量を最小限に抑制して、処理液の消費を抑制することができ、かつ処理停止が行われる直前まで基板の表面全体に液膜を保たせることにより、基板に対する処理のむらが発生するのを確実に防止できる。   Deterioration of the processing liquid by supplying water to the substrate, etc., leaving the minimum liquid film on the entire surface of the substrate to keep the surface wet, returning the excess processing liquid to the liquid processing stage By minimizing the amount brought into the process stop stage, etc., the consumption of the processing liquid can be suppressed, and by keeping the liquid film on the entire surface of the substrate until immediately before the process stop is performed, It is possible to reliably prevent the processing unevenness of the substrate from occurring.

以下、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。まず、図1において、1は基板である。基板1は透明なガラス基板からなる液晶パネルを構成するTFT基板またはカラーフィルタであって、その表面には、TFT基板の場合には回路パターンが形成され、またカラーフィルタの場合にはブラックマトリックス及び色材膜のパターンが形成される。これらのパターンを形成するには、基板1の表面にレジスト膜を塗布し、次いで露光させた後、現像液を用いた現像処理が行われる。図1に示した装置構成では、レジスト膜が塗布され、露光された基板1が現像装置に搬入されて、現像処理が行われるが、その工程としては、図1から明らかなように、現像ステージSt1と、水置換ステージSt2,洗浄水のシャワーによる第1の洗浄ステージSt3,高圧の洗浄水を噴射させて行う第2の洗浄ステージSt4,超音波洗浄が行われる第3の洗浄ステージSt5及び純水による仕上げ洗浄からなる第4の洗浄ステージSt6,エアナイフノズルを有する乾燥手段を装着した乾燥ステージSt7とから構成される。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. First, in FIG. 1, 1 is a substrate. The substrate 1 is a TFT substrate or a color filter constituting a liquid crystal panel made of a transparent glass substrate. A circuit pattern is formed on the surface of the substrate 1 in the case of a TFT substrate, and a black matrix and a color filter in the case of a color filter. A pattern of the color material film is formed. In order to form these patterns, a resist film is applied to the surface of the substrate 1 and then exposed to light, followed by development processing using a developer. In the apparatus configuration shown in FIG. 1, a resist film is applied, the exposed substrate 1 is carried into a developing apparatus, and development processing is performed. As is apparent from FIG. St1, water replacement stage St2, first cleaning stage St3 by shower of cleaning water, second cleaning stage St4 performed by jetting high-pressure cleaning water, third cleaning stage St5 in which ultrasonic cleaning is performed, and pure It comprises a fourth cleaning stage St6 comprising finish cleaning with water and a drying stage St7 equipped with a drying means having an air knife nozzle.

基板1は、ローラコンベア2によって、水平に、または左右乃至前後のいずれかに傾斜させた状態で前述した各ステージに順次搬送される。そして、現像ステージSt1の上部位置には、短いピッチ間隔で複数本の現像液シャワー3が設けられている。ここで、現像液シャワー3は、図2にも示したように、基板1の幅、つまり搬送方向と直交する方向の全長より長尺の給液管に下向きに複数の噴射ノズルを形成したものから構成される。これによって、現像ステージSt1では、ローラコンベア2に搬送される基板1の表面全体に対して間断なく現像液が供給される。   The substrate 1 is sequentially transported to the above-described stages by the roller conveyor 2 in a state where the substrate 1 is tilted horizontally or from left to right or front to back. A plurality of developer showers 3 are provided at short pitch intervals at the upper position of the development stage St1. Here, as shown in FIG. 2, the developer shower 3 has a plurality of injection nozzles formed downward in a supply pipe that is longer than the width of the substrate 1, that is, the entire length in the direction orthogonal to the transport direction. Consists of As a result, at the development stage St1, the developer is supplied without interruption to the entire surface of the substrate 1 conveyed to the roller conveyor 2.

このように、現像ステージSt1で基板1におけるレジスト膜が形成されている表面に現像液を供給して現像処理が行われる。この現像処理は、所定の時間だけ露光したレジスト膜に現像液を作用させることにより行われるが、現像液との接触時間は適正に制御される。現像ステージSt1の直後に水置換ステージSt2を設けているのはこの基板1のレジスト膜と現像液との接触時間を制御するためのものであり、水置換ステージSt2の内部には水を噴射する水置換シャワー4が設けられている。このように、水置換ステージSt2では、基板1の表面に存在する現像液を排出して、水と置換させることにより現像処理自体は終了する。従って、現像ステージSt1は液処理ステージであり、水置換ステージSt2は処理停止ステージである。   As described above, the developing process is performed by supplying the developing solution to the surface of the substrate 1 on which the resist film is formed in the developing stage St1. The developing process is performed by applying a developing solution to the resist film exposed for a predetermined time, but the contact time with the developing solution is appropriately controlled. The reason why the water replacement stage St2 is provided immediately after the development stage St1 is for controlling the contact time between the resist film of the substrate 1 and the developer, and water is injected into the water replacement stage St2. A water replacement shower 4 is provided. As described above, in the water replacement stage St2, the developing process itself is completed by discharging the developer present on the surface of the substrate 1 and replacing it with water. Therefore, the development stage St1 is a liquid processing stage, and the water replacement stage St2 is a processing stop stage.

ここで、現像ステージSt1に設けた現像液シャワー3で基板1に現像液のシャワーを供給するが、供給される現像液は循環使用される。現像ステージSt1では、基板1に形成したレジスト膜の一部が溶解する結果、現像液がレジスト剤と混合することになる。従って、現像ステージSt1で回収した現像液は、僅かな量のレジスト剤が溶解しているが、そのまま使用するか、または新しい現像液と混合することによって、さらに現像処理を行うのは可能である。勿論、レジスト剤以外の液体,汚損物や異物が入り込まないようになし、また循環使用する際には、回収した液をフィルタに通すようにする。   Here, a developer shower is supplied to the substrate 1 by the developer shower 3 provided on the development stage St1, and the supplied developer is circulated. In the development stage St1, as a result of dissolution of a part of the resist film formed on the substrate 1, the developer is mixed with the resist agent. Therefore, the developer collected at the development stage St1 has a slight amount of the resist agent dissolved therein, but it can be used as it is or mixed with a new developer for further development processing. . Of course, liquids other than the resist agent, dirt and foreign matters are prevented from entering, and the collected liquid is passed through a filter when it is used in a circulating manner.

以上のように、現像ステージSt1で基板1に供給した現像液を効率的に回収するために、基板1を現像ステージSt1から水置換ステージSt2に移行させる際に、この基板1に必要以上の量の現像液を持ち出さないようにする。このために、現像ステーションSt1内において、その出口近傍位置に処理液回収手段10が設置されている。この処理液回収手段10は、図2からも明らかなように、現像ステージSt1内であって、基板1の搬送方向の最先端に位置する現像液シャワー3より前方位置であり、かつ内部には排液ノズル11を有するものである。この排液ノズル11は、基板1の搬送方向と直交する方向に向けるようにして設置されており、その長さ寸法は基板1の幅方向、つまり搬送方向と直交する方向の全長より長い寸法を有している。   As described above, when the substrate 1 is moved from the development stage St1 to the water replacement stage St2 in order to efficiently recover the developer supplied to the substrate 1 at the development stage St1, an amount more than necessary for the substrate 1 is required. Do not take out the developer. For this purpose, the processing liquid recovery means 10 is installed in the vicinity of the outlet in the developing station St1. As is apparent from FIG. 2, the processing liquid recovery means 10 is located in the development stage St1 and in front of the developer shower 3 positioned at the forefront in the transport direction of the substrate 1, and in the interior thereof A drainage nozzle 11 is provided. The drainage nozzle 11 is installed so as to face in a direction orthogonal to the transport direction of the substrate 1, and its length dimension is longer than the total length in the width direction of the substrate 1, that is, the direction orthogonal to the transport direction. Have.

排液ノズル11は、図3及び図4に示したように、加圧空気が導入される空気チャンバ12を有し、この空気チャンバ12には幅の狭い噴射通路13が連通している。この噴射通路13はローラコンベア2上を搬送される基板1の表面1aに対して傾けられており、この角度は通常は45度以下となっている。また、噴射通路13の長さは、基板1の幅方向の全長とほぼ同じか、またはそれより長くしている。また、排液ノズル11に対して、基板1を挟んで対向する位置には裏面噴射ノズル14が装着されており、この裏面噴射ノズル14からは、基板1の裏面1bに付着している現像液を排除して、現像ステージSt1に還流させるためのものである。従って、この裏面噴射ノズル14も処理液回収手段10の一部を構成している。   As shown in FIGS. 3 and 4, the drainage nozzle 11 has an air chamber 12 into which pressurized air is introduced, and a narrow injection passage 13 communicates with the air chamber 12. The jet passage 13 is inclined with respect to the surface 1a of the substrate 1 conveyed on the roller conveyor 2, and this angle is usually 45 degrees or less. Further, the length of the injection passage 13 is substantially the same as or longer than the entire length of the substrate 1 in the width direction. Further, a back spray nozzle 14 is mounted at a position facing the drain nozzle 11 across the substrate 1, and the developer that adheres to the back surface 1 b of the substrate 1 from the back spray nozzle 14. Is to be refluxed to the development stage St1. Therefore, the back spray nozzle 14 also constitutes a part of the processing liquid recovery means 10.

裏面噴射ノズル14は基板1に対して現像液を排除するだけであり、従って裏面噴射ノズル14からは、加圧空気が噴射されて、基板1の裏面1bに衝突させ、この空気の流れによってその表面に付着している現像液を除去する。このために、裏面噴射ノズル14には、図3に示したように、基板1がローラコンベア2による搬送方向において、この基板1の裏面1bの後方側に向けて斜め方向から加圧空気を噴射させるようになっている。この加圧空気の作用によって、基板1から現像液を削ぎ落とすようにして排除することになる。   The back surface injection nozzle 14 only removes the developer from the substrate 1, so that pressurized air is injected from the back surface injection nozzle 14 to collide with the back surface 1 b of the substrate 1, and this air flow causes Remove the developer adhering to the surface. For this purpose, as shown in FIG. 3, pressurized air is injected from the oblique direction toward the rear side of the back surface 1 b of the substrate 1 in the conveying direction by the roller conveyor 2 to the back surface injection nozzle 14. It is supposed to let you. By the action of this pressurized air, the developing solution is scraped off from the substrate 1 and removed.

これに対して排液ノズル11は、基板1の表面1aから全ての現像液を排除することを目的とするのではなく、基板1の表面1aに現像液の薄膜を残して、余剰の処理液を排除するためのものである。基板1の表面1aには露光されたレジスト膜が形成されているので、現像液を完全に除去できれば良いが、部分的に現像液が残っていると、現像むらが生じることになる。この現像むらを防止するために、水置換ステージSt2において、水置換が行われて液処理が停止されるまでは、現像液の薄膜が形成されている状態を保持するようになし、余剰の処理液を現像ステージSt1に還流させる。このために、排液ノズル11は基板1と平行な方向に所定の圧力の加圧空気を流すようになし、もって基板1上に滞留している現像液を排出する。   In contrast, the drain nozzle 11 is not intended to remove all the developer from the surface 1 a of the substrate 1, but leaves a thin film of developer on the surface 1 a of the substrate 1, so that excess processing solution is left. Is to eliminate. Since the exposed resist film is formed on the surface 1a of the substrate 1, it is sufficient that the developer can be completely removed. However, if the developer remains partially, uneven development occurs. In order to prevent this development unevenness, in the water replacement stage St2, the state in which the thin film of the developer is formed is maintained until the water replacement is performed and the liquid processing is stopped. The solution is refluxed to the development stage St1. For this purpose, the liquid discharge nozzle 11 allows pressurized air having a predetermined pressure to flow in a direction parallel to the substrate 1, and discharges the developer remaining on the substrate 1.

以上のように、基板1の表面1aからは、現像液を完全に取り除くのではなく、薄い液膜を残すようにする。このために、図5に拡大して示したように、排液ノズル11の噴射通路13は、搬送される基板1に対して45度以下、好ましくは45〜35度程度の角度を持たせている。そして、噴射通路13における噴射口13aは整流化面15に開口させている。この整流化面15は基板1に対して平行な面であって、噴射口15の開口位置から基板1の搬送方向の後方に向けて所定の長さ有している。従って、排液ノズル11の整流化面15と基板1の表面1aとの間には、均一な隙間Gを有するスリット状の通路が形成されており、このスリット状の通路は基板1の幅方向の全長以上の長さを有するものである。   As described above, the developer is not completely removed from the surface 1a of the substrate 1, but a thin liquid film is left. For this purpose, as shown in FIG. 5 in an enlarged manner, the ejection passage 13 of the drain nozzle 11 has an angle of 45 degrees or less, preferably about 45 to 35 degrees with respect to the substrate 1 to be transported. Yes. An injection port 13 a in the injection passage 13 is opened to the rectifying surface 15. The rectifying surface 15 is a surface parallel to the substrate 1 and has a predetermined length from the opening position of the injection port 15 toward the rear in the transport direction of the substrate 1. Therefore, a slit-like passage having a uniform gap G is formed between the rectifying surface 15 of the drain nozzle 11 and the surface 1 a of the substrate 1, and this slit-like passage is formed in the width direction of the substrate 1. It has a length equal to or greater than the total length.

排液ノズル11の噴射通路13から噴射された加圧空気は、図5に矢印で示したように、整流化面15と基板1との間のスリット状の通路に沿って基板1の搬送方向の後方に向けて流れることになるが、この空気流は基板1に対して斜め方向に入射させるのではなく、この基板1の表面とほぼ平行な流れを形成させる。ここで、噴射口13aの開口位置の直前の部位に負圧領域Aが形成され、この負圧領域Aに向けて排液ノズル11の前方側から空気が流入することになる。この空気の流れを基板1と平行な方向にガイドするために、排液ノズル11における噴射口13aより基板1の搬送方向の前方側の部位には空気呼び込み壁16が形成されている。空気呼び込み壁16は、噴射通路13の傾斜角より小さい角度、例えば30度乃至それ以下の角度を有する壁面であって、少なくとも噴射通路13が形成されている部位の全長に及ぶものとしている。   The pressurized air jetted from the jet passage 13 of the drain nozzle 11 is transported in the direction of the substrate 1 along the slit-like passage between the rectifying surface 15 and the substrate 1 as shown by arrows in FIG. However, this air flow does not enter the substrate 1 in an oblique direction but forms a flow substantially parallel to the surface of the substrate 1. Here, a negative pressure region A is formed immediately before the opening position of the injection port 13a, and air flows from the front side of the drainage nozzle 11 toward the negative pressure region A. In order to guide this air flow in a direction parallel to the substrate 1, an air inlet wall 16 is formed at a portion of the drainage nozzle 11 that is on the front side in the transport direction of the substrate 1 from the injection port 13 a. The air inlet wall 16 is a wall surface having an angle smaller than the inclination angle of the injection passage 13, for example, an angle of 30 degrees or less, and extends at least the entire length of the portion where the injection passage 13 is formed.

空気呼び込み壁16は整流化面15における噴射口13aの開口位置の直前に位置させることもできるが、好ましくは、図5に示したように、それより基板1の搬送方向の前方に離間した位置であって、基板1の表面と排液ノズル11の下面との間のスリット状の通路において、噴射通路13からの噴射空気流により発生する負圧領域内Aに位置させている。これによって、空気呼び込み壁16から呼び込まれた空気が同図に点線の矢印で示したように、噴射通路13から噴射された加圧空気より基板1の表面1a側に回り込むようにして、基板1の搬送方向の後方に向けて流れる。その結果、噴射通路13から噴射された加圧空気は、整流化面15への密着性をより高めることができる。つまり、加圧空気が噴射口13aから噴射する際に、噴射通路13において、Cで示したコアンダ機能を発揮する表面に確実に沿う流れが形成され、斜め上方から基板1に突入するのではなく、スリット状の通路内でほぼ確実に基板1の表面と平行な流れに速やかに方向転換されることになる。   The air intake wall 16 can be positioned immediately before the opening position of the injection port 13a on the rectifying surface 15, but preferably, as shown in FIG. In the slit-like passage between the surface of the substrate 1 and the lower surface of the drainage nozzle 11, it is positioned in the negative pressure region A generated by the jet air flow from the jet passage 13. As a result, the air drawn in from the air inlet wall 16 wraps around from the pressurized air jetted from the jet passage 13 toward the surface 1a side of the board 1 as shown by the dotted arrows in FIG. 1 toward the rear in the conveying direction. As a result, the pressurized air injected from the injection passage 13 can further improve the adhesion to the rectifying surface 15. That is, when the pressurized air is injected from the injection port 13a, a flow is surely formed in the injection passage 13 along the surface exhibiting the Coanda function indicated by C, and does not enter the substrate 1 obliquely from above. In the slit-shaped passage, the direction is quickly changed to a flow parallel to the surface of the substrate 1 almost certainly.

その結果、図3にPで示した領域では、排液ノズル11から基板1と平行な方向に向けた加圧空気の流れによって、基板1の表面1aに滞留している現像液がこの基板1の搬送方向の後方に向けて押し出されて、後端部乃至左右の側部から排出されることになる。一方、基板1の表面1aにおける噴射口13aとの対面位置より前方側の部位では、基板1の表面1aの全面に現像液の薄膜が残される。しかも、この排液ノズル11と基板1を挟んだ反対側に設けた裏面噴射ノズル14の作用で基板1の裏面1b側に付着している現像液がほぼ除去される。これによって、基板1が現像ステージSt1から導出される前の段階で、この基板1に付着している現像液の大半が現像ステージSt1内に還流され、水置換ステージSt2に持ち出される量を最小限に抑制することができる。   As a result, in the region indicated by P in FIG. 3, the developer staying on the surface 1 a of the substrate 1 is caused by the flow of pressurized air from the drain nozzle 11 in the direction parallel to the substrate 1. Is pushed out rearward in the transport direction and discharged from the rear end part or the left and right side parts. On the other hand, a thin film of the developer is left on the entire surface 1a of the substrate 1 at a portion on the front side of the surface 1a of the substrate 1 facing the injection port 13a. Moreover, the developer adhering to the back surface 1b side of the substrate 1 is almost removed by the action of the back surface injection nozzle 14 provided on the opposite side across the drain nozzle 11 and the substrate 1. As a result, most of the developer adhering to the substrate 1 is refluxed into the developing stage St1 before the substrate 1 is led out from the developing stage St1, and the amount taken out to the water replacement stage St2 is minimized. Can be suppressed.

このように、表面1a全面に現像液の薄膜が残された状態で基板1が現像ステージSt1から水置換ステージSt2に移行して、水置換シャワー4により水が供給されて、現像液と置換されて、この段階で現像が停止する。つまり、水置換シャワー4が作用するまでは現像が進行することになる。従って、基板1の全面にわたって現像時間が均一になる結果、現像むらが発生することはない。   In this way, the substrate 1 moves from the development stage St1 to the water replacement stage St2 with the developer thin film remaining on the entire surface 1a, and water is supplied by the water replacement shower 4 to replace the developer. At this stage, development stops. That is, development proceeds until the water replacement shower 4 acts. Therefore, as a result of the uniform development time over the entire surface of the substrate 1, uneven development does not occur.

以上のように、基板1の表面1aに現像液の液膜を形成しておくが、この液膜は最小限の厚みとすることによって、現像液が無駄に消費されないようになし、かつ基板1の表面1aに膜切れ部分が生じないようにする。   As described above, a liquid film of the developer is formed on the surface 1a of the substrate 1. By setting the liquid film to a minimum thickness, the developer is not wasted, and the substrate 1 In this case, no film breakage is generated on the surface 1a.

ここで、基板1の表面状態,現像液の粘度等によっては、現像液を必要な程度まで押し退けるのに必要な加圧空気の押圧力は異なってくる。加圧空気の押圧力は、噴射通路13から噴射される加圧空気の圧力と、排液ノズル11と基板1との間に形成される隙間Gの大きさにより変化する。従って、基板1の表面状態や現像液の粘度等に応じて供給される加圧空気の圧力及び隙間Gを適宜設定する。また、基板1の表面1aにはレジスト膜が形成され、しかも現像処理によって部分的にレジスト膜が剥離されている。従って、基板1の表面の濡れ性は部位により異なるものであるが、濡れ性の悪い部位でも現像液の薄膜が残るようにする。これに対して、基板1の裏面1b側に作用させる空気圧は、この基板1の裏面に付着している現像液をほぼ完全に除去するのに必要な圧力状態とすれば良い。   Here, depending on the surface state of the substrate 1, the viscosity of the developer, and the like, the pressing force of the pressurized air necessary to push the developer away to a required level varies. The pressing force of the pressurized air varies depending on the pressure of the pressurized air ejected from the ejection passage 13 and the size of the gap G formed between the drain nozzle 11 and the substrate 1. Accordingly, the pressure of the pressurized air and the gap G are appropriately set according to the surface state of the substrate 1 and the viscosity of the developer. Further, a resist film is formed on the surface 1a of the substrate 1, and the resist film is partially peeled off by development processing. Accordingly, the wettability of the surface of the substrate 1 varies depending on the site, but a thin film of the developer remains so as to remain at the site with poor wettability. On the other hand, the air pressure applied to the back surface 1b side of the substrate 1 may be set to a pressure state necessary for almost completely removing the developer adhering to the back surface of the substrate 1.

本発明による基板の液処理装置の一例としての現像処理装置のステージ構成図である。It is a stage block diagram of the development processing apparatus as an example of the liquid processing apparatus of the board | substrate by this invention. 図1のステージ構成図において、現像ステージ及び水置換ステージと、その移行部を示す構成説明図である。In the stage block diagram of FIG. 1, it is a structure explanatory drawing which shows a development stage, a water substitution stage, and its transfer part. 処理液回収手段の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of a process liquid collection | recovery means. 図3の右側面図である。FIG. 4 is a right side view of FIG. 3. 排液ノズルの空気流を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the air flow of a drainage nozzle.

符号の説明Explanation of symbols

1 基板
2 ローラコンベア
3 現像液シャワー
4 水置換シャワー
10 処理液回収手段
11 排液ノズル
13 噴射通路
13a 噴射口
14 裏面噴射ノズル
15 整流化面
16 空気呼び込み壁
St1 現像ステージ
St2 水置換ステージ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Board | substrate 2 Roller conveyor 3 Developer liquid shower 4 Water displacement shower 10 Process liquid collection | recovery means 11 Drain nozzle 13 Injection channel 13a Injection port 14 Back surface injection nozzle 15 Rectification surface 16 Air inlet wall St1 Development stage St2 Water replacement stage

Claims (8)

基板を搬送する間に、この基板の表面に処理液を供給して所定の液処理を行う液処理ステージと、この処理液による処理を終了させる処理停止ステージとを備えた基板の液処理装置であって、
前記液処理ステージで前記基板の表面に滞留している処理液のうち、この基板の全面が濡れた状態を保つ液膜を残して余剰の処理液を前記液処理ステージに戻すために、基板搬送方向の後方側に向けて、この基板表面に対して平行な液回収用の空気流を形成する処理液回収手段を前記液処理ステージに設け
前記処理液回収手段は、基板搬送方向と直交する方向の全長に及ぶように配置した排液ノズルから構成され、この排液ノズルは基板搬送方向の後方側に向けて斜め上方から加圧空気を噴射させる噴射通路を備え、
前記噴射通路を形成した位置より基板搬送方向の後方側の位置に、この基板の表面と平行な整流化面を形成して、
前記噴射通路の基板搬送方向の前方側には、前記噴射通路から噴射された空気の流れを前記整流化面に沿う方向にガイドするために、前記噴射通路の前記基板の表面への傾斜角より小さい角度となった空気呼び込み壁を設ける構成としたことを特徴とする基板の液処理装置。
A substrate liquid processing apparatus comprising a liquid processing stage for supplying a processing liquid to the surface of the substrate and carrying out a predetermined liquid processing while the substrate is transported, and a processing stop stage for terminating the processing with the processing liquid. There,
Of the processing liquid staying on the surface of the substrate at the liquid processing stage, the substrate is transported to return the excess processing liquid to the liquid processing stage while leaving a liquid film that keeps the entire surface of the substrate wet. A processing liquid recovery means for forming a liquid recovery air flow parallel to the substrate surface toward the rear side in the direction is provided in the liquid processing stage ,
The processing liquid recovery means is composed of a drain nozzle arranged so as to extend over the entire length in the direction orthogonal to the substrate transport direction, and the drain nozzle discharges pressurized air obliquely from above toward the rear side in the substrate transport direction. An injection passage for injecting,
Forming a rectifying surface parallel to the surface of the substrate at a position on the rear side in the substrate transport direction from the position where the injection passage is formed,
In order to guide the flow of air jetted from the jet passage in a direction along the rectifying surface, an inclination angle of the jet passage to the surface of the substrate is provided on the front side of the jet passage in the substrate transport direction. A substrate liquid processing apparatus characterized in that an air inlet wall having a small angle is provided .
前記噴射通路の加圧空気の噴射角は前記基板の表面に対して45度以下の角度となし、前記噴射通路から噴射させた空気を前記整流化面に沿って前記基板と平行な方向に向けて流すように構成したことを特徴とする請求項1記載の基板の液処理装置。 The injection passage of pressurized air injection angle is the substrate 45 degrees from the pear to the surface of the front Symbol air was injected from the injection passage into the direction parallel to the substrate along the rectifying surface The substrate liquid processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate liquid processing apparatus is configured to flow toward the substrate. 前記基板の裏面側に対して、基板搬送方向の後方側に向けて処理液を排除するように加圧空気を噴射するための裏面噴射ノズルが前記基板を挟んで前記排液ノズルと対向する位置に設ける構成としたことを特徴とする請求項1または2記載の基板の液処理装置。 A position where a back surface injection nozzle for injecting pressurized air so as to exclude processing liquid toward the rear side in the substrate transport direction with respect to the back surface side of the substrate faces the drain nozzle with the substrate interposed therebetween The substrate liquid processing apparatus according to claim 1 , wherein the substrate liquid processing apparatus is provided. 前記液処理ステージは基板に現像液を供給して現像処理を行う現像ステージであり、また前記処理停止ステージは、現像液を水置換させる水置換ステージであることを特徴とする請求項1乃至のいずれかに記載の基板の液処理装置。 The liquid processing stage is developing stage performs development processing by supplying a developing solution to the substrate and the processing stop stage claims 1 to 3, a developing solution, characterized in that a water displacement stage for water replacement The substrate liquid processing apparatus according to any one of the above. 基板を搬送する間に、その表面に処理液を供給して所定の液処理を行う液処理工程と、
前記液処理工程において、基板搬送方向より後方側に向けて、前記基板の表面と平行な方向の空気流を形成することによって、前記基板の表面に滞留している処理液を、この基板の全面が濡れた状態を保つ液膜を残し、余剰の処理液を前記液処理工程側に戻す処理液回収工程と、
前記基板の表面に残留している処理液を除去して、水と置換することによって、この処理液による処理を終了させる処理停止工程と、を有し、
前記処理液回収工程では、前記基板と平行であって、この基板搬送方向の後方側に向けて整流状態で空気を流すようにし、
前記基板に対して、基板搬送方向と直交する方向の全長にわたって基板搬送方向の後方側に向けて斜め方向から空気を噴射させて、この搬送基板の表面と平行な空気流を形成し、かつこの噴射空気流による負圧領域に向けて、前記噴射空気流の前記基板への傾斜角より小さい角度で、この負圧領域に向けて空気を呼び込むようにしたことを特徴とする基板の液処理方法。
A liquid processing step of performing a predetermined liquid processing by supplying a processing liquid to the surface of the substrate while transporting the substrate;
In the liquid processing step, by forming an air flow in a direction parallel to the surface of the substrate from the substrate transport direction toward the rear side, the processing liquid staying on the surface of the substrate is removed from the entire surface of the substrate. A treatment liquid recovery step that leaves a liquid film that maintains a wet state and returns excess treatment liquid to the liquid treatment step side;
Removing the processing liquid remaining on the surface of the substrate and replacing it with water, thereby terminating the processing with this processing liquid , and
In the treatment liquid recovery step, the air is parallel to the substrate and flows in a rectified state toward the rear side in the substrate transport direction,
Air is jetted from the oblique direction toward the rear side of the substrate transport direction over the entire length in the direction orthogonal to the substrate transport direction to form an air flow parallel to the surface of the transport substrate, and A substrate liquid processing method characterized in that air is drawn toward the negative pressure region at an angle smaller than an inclination angle of the jet air flow toward the substrate toward the negative pressure region due to the jet air flow. .
前記基板に対して、前記斜め方向から45度以下の角度で空気を噴射させるようにしたことを特徴とする請求項5記載の基板の液処理方法。  6. The substrate liquid processing method according to claim 5, wherein air is jetted at an angle of 45 degrees or less from the oblique direction with respect to the substrate. 前記処理液回収工程では、前記基板の裏面側にも、基板搬送方向の後方側に向けて処理液を排除する空気流を形成するようにしたことを特徴とする請求項5または6記載の基板の液処理方法。 7. The substrate according to claim 5, wherein, in the treatment liquid recovery step, an air flow that excludes the treatment liquid is formed on the back side of the substrate toward the rear side in the substrate transport direction. liquid processing method of. 前記液処理工程では、上方から前記基板に向けて現像液を供給して現像処理を行うものであることを特徴とする請求項5乃至7のいずれかに記載の基板の液処理方法。 8. The substrate liquid processing method according to claim 5, wherein in the liquid processing step, a developing solution is supplied from above toward the substrate to perform a developing process.
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