JP5065395B2 - フラッシュメモリの優先順位付き消去のためのデバイスおよび方法 - Google Patents
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Description
(1)新しいデータのためにスペースをクリアする必要性、そして
(2)セキュア領域を持つ記憶デバイスに対して秘密情報を破壊する必要性の、
二つの代替的な必要性が動機となっている。
(1)韓国、水原のサムスン電子から入手可能な、K9F1G08U0Aフラッシュメモリの技術的なデータ・シート内に説明があるような、通常の消去コマンド。
(2)例えば、コレン氏らの米国特許出願第20040188710号に開示されたような、サニタイズ消去。そして
(3)以下に詳細に説明するような、インタラプト消去。
(1)「http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/MCP/NORbased/K5L5628JBM/K5L5628JBM.htm」に説明があるような、NORタイプ・フラッシュメモリにおける「リセット」コマンド。
(2)「http://www.electronicstalk.com/news/sor/sor100.html」に説明があるような、NORタイプ・フラッシュメモリにおける「サスペンド消去」コマンド。そして
(3)例えば、「http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/NANDFlash/SLC_LargeBlock/1Gbit/K9F1G08U0A/ds_k9flg08x0a_rev10.pdf」の、サムスンK9F1G08U0Aのデータ・シートに説明があるような、NANDタイプ・フラッシュメモリにおける「リセット」コマンド。
(1)記憶デバイスは、各々が個々に消去可能な、多くのサブユニットに分割されている。
(2)サブユニットの消去時間は、比較的に長いプロセスである。
(3)サブユニットの完全な消去は、アボートされた消去よりも非常に長い時間を要する。そして
(4)記憶デバイス・コントローラは、どのサブユニット内にもデータを記憶するという柔軟性を持つ。
Claims (6)
- (a)各々が複数のブロックで構成される複数のフラッシュ・ユニットを有する記憶デバイス内に、データを記憶するための記憶メモリと、
(b)前記複数のフラッシュ・ユニットのうちの所定のフラッシュ・ユニットに対して、
(i)前記所定のフラッシュ・ユニットを構成する前記複数のブロックのいずれかに、データ消去優先度を付与してデータを書き込むよう動作し、
(ii)前記データが書き込まれたブロックのそれぞれに、書き込まれたデータに付与されたデータ消去優先度と相関関係を持つブロック消去優先度を指定するように動作するコントローラと、
を備えた優先順位付き消去機能を持つ不揮発性記憶デバイスであって、
前記コントローラが、
前記所定のフラッシュ・ユニット以外の前記フラッシュ・ユニットを構成する前記複数のブロックに対して、
各データにデータ消去優先度を付与し、
前記所定のフラッシュ・ユニットにおいてこのように付与されたデータ消去優先度と同一のデータ消去優先度を有するデータが書き込まれたブロックの位置に対し、前記所定のフラッシュ・ユニット以外の前記フラッシュ・ユニットを構成する前記複数のブロックのうちの相対的位置が同一であるブロックに、データを書き込むように動作し、
前記所定のフラッシュ・ユニット以外の前記フラッシュ・ユニットを構成する前記複数のブロックに対しても、そこに記憶されたデータのデータ消去優先度と相関関係を持つブロック消去優先度を指定するように動作し、
前記複数の全てのフラッシュ・ユニットに対して、
緊急消去コマンドを受信すると、前記ブロック消去優先度に従って前記各ブロックに書き込まれた前記データを消去するよう動作する、デバイス。 - 前記コントローラが、
各ブロックの前記ブロック消去優先度のログを記憶するよう動作し、
前記緊急消去コマンドを受信すると、前記ログ内に記憶された前記ブロック消去優先度に従って前記各ブロック内の前記データを消去するよう動作する、請求項1に記載のデバイス。 - 前記コントローラによる前記消去が、前記複数のブロックの少なくともいくつかに対して、前記ブロック内の少なくとも一部のデータを消去することにより行われる、請求項1または2に記載のデバイス。
- 各々が複数のブロックで構成される複数のフラッシュ・ユニットを有する不揮発性記憶デバイス内に記憶するデータを、コントローラが優先順位付き消去する方法であって、
前記複数のフラッシュ・ユニットのうちの所定のフラッシュ・ユニットに対して、
前記所定のフラッシュ・ユニットを構成する前記複数のブロックのいずれかに、データ消去優先度を付与してデータを書き込むステップと、
前記データが書き込まれたブロックのそれぞれに、書き込まれたデータに付与されたデータ消去優先度と相関関係を持つブロック消去優先度を指定するステップと、
前記所定のフラッシュ・ユニット以外の前記フラッシュ・ユニットを構成する前記複数のブロックにデータを書き込むときに、
各データにデータ消去優先度を付与するステップと、
前記所定のフラッシュ・ユニットにおいてこのように付与されたデータ消去優先度と同一のデータ消去優先度を有するデータが書き込まれたブロックの位置に対し、前記所定のフラッシュ・ユニット以外の前記フラッシュ・ユニットを構成する前記複数のブロックのうちの相対的位置が同一であるブロックに、データを書き込むステップと、
前記所定のフラッシュ・ユニット以外の前記フラッシュ・ユニットを構成する前記複数のブロックに対しても、そこに記憶されたデータのデータ消去優先度と相関関係を持つブロック消去優先度を指定するステップと、
緊急消去コマンドを受信すると、前記ブロック消去優先度に従って前記複数の全てのフラッシュ・ユニットの前記各ブロックに書き込まれた前記データを消去するステップと、を含む、方法。 - 前記指定するステップが、各ブロックの前記ブロック消去優先度のログを記憶するステップを含み、
前記消去するステップが、前記緊急消去コマンドを受信すると、前記ログ内に記憶された前記ブロック消去優先度に従って前記各ブロック内の前記データを消去するステップを含む、請求項4に記載の方法。 - 前記消去するステップが、前記複数のブロックの少なくともいくつかに対して、前記ブロック内の少なくとも一部のデータを消去するステップを含む、請求項4または5に記載の方法。
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