JP5060249B2 - 検査用粘着シート - Google Patents
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Description
即ち、本発明の検査用粘着シートは粘着剤層と基材フィルムとの間に導通経路が設けられた構成であるので、半導体ウェハ又は半導体チップを検査用粘着シートに固定した状態で、導通検査を行うことができる。その結果、従来、導通検査で生じていた半導体ウェハの変形(反り)や破損の問題を回避することができ、また裏面にキズやスクラッチのない半導体ウェハ又は半導体チップをスループットを向上させて製造することができる。
[基材フィルム]
基材フィルムとして、セーレン(株)製導電性繊維基材(商品名SUI−40−20047、厚み82μm、メッシュタイプ、開口度40%)を使用した。また、本基材の表面抵抗率は6.6×10−2Ω/□、体積抵抗率は5.3×10−4Ω・cmであった。
メチルアクリレート70重量部、ブチルアクリレート30重量部、及びアクリル酸5重量部を酢酸エチル中で共重合させて数平均分子量80万のアクリル系ポリマーを含む溶液を得た。当該溶液に、1分子中に不飽和結合を6つ含むウレタンオリゴマー(商品名[紫光UV−1700B]、日本合成(株)製)50重量部、光重合開始剤(商品名「イルガキュア651」,チバ・スペシャルティー・ケミカルズ製)3重量部、及びポリイソシアネート化合物(商品名「コロネートL」、日本ポリウレタン社製)1.5重量部を加えて、紫外線硬化型粘着剤溶液を得た。この粘着剤溶液に導電性粒子としてインコスペシャルプロダクツ製ニッケルパウダー(商品名タイプ123、スパイク状、粒径3〜7μmφ)10重量部を加え、導電性粘着剤溶液を作製した。
上記で調製した導電性粘着剤溶液を、離型処理された厚さ50μmのポリエステル製セパレータの離型処理面に塗布し、80℃で10分間加熱架橋して、厚さ10μmの紫外線硬化型粘着剤層を形成した。
本実施例においては、前記実施例1と同様にして、ポリエステル製セパレータの離型処理面に、厚さ10μmの紫外線硬化型粘着剤層を形成した。次いで、基材フィルムの一方の面に紫外線硬化型粘着剤層を貼り合わせ、他方の面に支持体としての粘着シート(日東電工(株)製、商品名;エレップホルダーNBD−5170K、引張弾性率220MPa、最大点伸度980%)を、その粘着剤層側が貼り合わせ面となる様に貼り合わせた。これにより、本実施例に係る検査用粘着シートを作製した。
本実施例においては、前記実施例1と同様にして、ポリエステル製セパレータの離型処理面に、厚さ10μmの紫外線硬化型粘着剤層を形成した。次いで、基材フィルムの一方の面に紫外線硬化型粘着剤層を貼り合わせ、他方の面に支持体としての粘着シート(日東電工(株)製、商品名;エレップホルダーDU−400SE、引張弾性率160MPa、最大点伸度880%)を、その粘着剤層側が貼り合わせ面となる様に貼り合わせた。これにより、本実施例に係る検査用粘着シートを作製した。
本実施例においては、実施例1と同様にして、基材フィルムの一方の面に紫外線硬化型粘着剤層を貼り合わせ、他方の面に粘着剤層を貼り合わせたものを作製し、これを平面視において半導体ウェハと同様の形状となる様にラベル加工した。その後、粘着剤層側のセパレータを剥離し、支持体としての軟質塩化ビニルフィルム(厚さ100μm、引張弾性率330MPa、最大点伸度250%)に貼り合わせて、本実施例に係る検査用粘着シートを作製した。
本実施例においては、前記実施例2と同様にして、ポリエステル製セパレータの離型処理面に、厚さ10μmの紫外線硬化型粘着剤層を形成し、次いで、基材フィルムの一方の面に紫外線硬化型粘着剤層を貼り合わせものを作製した。これを平面視において半導体ウェハと同様の形状となる様にラベル加工した。更に、基材フィルムの他方の面に支持体としての粘着シート(日東電工(株)製、商品名;エレップホルダーNBD−5170K、引張弾性率220MPa、最大点伸度980%)を、その粘着剤層側が貼り合わせ面となる様に貼り合わせた。これにより、本実施例に係る検査用粘着シートを作製した。
本比較例においては、前記実施例1と同様にして、基材フィルム上に紫外線硬化型粘着剤層を形成することにより、本比較例に係る検査用粘着シートを作製した。
本比較例においては、基材フィルムとして東レ加工(株)製アルミ蒸着ポリエステルフィルム(商品名メタルミーTS、厚み25μm)を使用したこと以外は、前記実施例1と同様にして本比較例に係る検査用粘着シートを作製した。尚、本比較例における基材フィルムの表面抵抗率は1.5Ω/□、体積抵抗率は7.3×10−3Ω・cmであった。
本比較例においては、基材フィルムとして軟質塩化ビニルフィルム(厚さ80μm)を用いたこと以外は、前記実施例1と同様にして本比較例に係るダイシング用粘着シートを作製した。尚、本比較例における基材フィルムの表面抵抗率、及び体積抵抗率は測定オーバーであった。
合成したアクリル系ポリマーの数平均分子量は以下の方法で測定した。アクリル系ポリマーをTHFに0.1wt%で溶解させて、GPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)を用いてポリスチレン換算により数平均分子量を測定した。詳しい測定条件は以下の通りである。
GPC装置:東ソー製、HLC−8120GPC
カラム:東ソー製、(GMHHR−H)+(GMHHR−H)+(G2000HHR)
流量:0.8ml/min
濃度:0.1wt%
注入量:100μl
カラム温度:40℃
溶離液:THF
実施例、及び比較例で得られた検査用粘着シートに対しセパレータを剥離し、ダイシング処理前後での粘着剤表面の導電性を評価した。ダイシング処理は粘着シート単体で行い、すべての粘着シートにおいてそれぞれ基材フィルムがその厚さの1/2の深さまで切り込まれるよう条件を設定した。導電性評価は、三菱化学製Lorester MP MCP−T350を用いて、JIS K7194に準じて行い、粘着シートにおける粘着剤層の表面抵抗率及び体積抵抗率を求めた。尚、抵抗率補正係数RCFは4.532として、表面抵抗率及び体積抵抗率の算出を行った。
実施例、及び比較例で得られた検査用粘着シートを、20mm幅で短冊状に切断し、23±3℃(室温)でシリコンミラーウェハ面(信越半導体株式会社製;CZN<100>2.5−3.5(4インチ))に貼付けた。次に、室温雰囲気下で30分間静置した後、23±3℃の恒温室で90°引き剥がし粘着力を測定した(剥離点移動速度300mm/sec)。また、シート裏面から窒素雰囲気下で紫外線を照射(1500mJ/cm2)し、同様に23±3℃の恒温室で、90°引き剥がし粘着力を測定した。
実施例、及び比較例で得られた検査用粘着シートに、裏面研削された厚さ100μmの半導体ウェハ(6インチ)を温度23±3℃でマウントした後、以下の条件でダイシングした。ダイシング時のチップ飛び、ダイシング後のチップの欠けや割れの発生の有無を評価した。評価は、50個の半導体チップのうち、一つでもチップ飛び、チップの欠けや割れが発生した場合を×とし、発生しなかった場合を○とした。
ダイサー:DISCO社製、DFD−651ブレード:DISCO社製、27HECCブレード回転数:35000rpm、ダイシング速度:50mm/sec、ダイシングサイズ:10mm×10mm
(ピックアップ)
ダイシング後の半導体チップが各粘着シートから剥離できるかピックアップ性を評価した。具体的には、ダイシング後に粘着シート裏面から窒素雰囲気下で紫外線を照射(1500mJ/cm2)し、それらを引き伸ばして、各チップ間を所定の間隔とするエキスパンド工程を行った。更に、各粘着シートの基材フィルム側からニードルによる突き上げ方式で半導体チップをピックアップしピックアップ性の評価を行った。ピックアップは50個の半導体チップを連続して行い、ピックアップが成功した半導体ウェハの個数をカウントした。
ピックアップ装置:NEC Machinery−100、ピン数:4本、ピンの間隔:3.5×3.5mm、ピン先端曲率:0.250mm、ピン突き上げ量:0.50mm、吸着保持時間0.2秒、エキスパンド量:3mm
下記表1から分かる通り、各実施例1〜5の粘着シートにおいては、いずれも紫外線硬化型粘着剤層と基材フィルムとの間に導通経路が形成されており、ダイシング工程の前後で導通検査が可能であることが確認された。更に、ダイシングの際のチップ飛び、チップの欠けや割れは発生せず、極めて良好なダイシング性を示した。加えて、全ての半導体チップに対しピックアップが成功し、良好なピックアップ性を示した。
2 基材フィルム
3 粘着剤層
5 導電性粒子
7 セパレータ
9 半導体ウェハ
10 ダイシング用粘着シート
11 半導体チップ
13 導通検査ステージ
17 導電性繊維
Claims (7)
- 支持体上に、導電性繊維からなる支持基材及び粘着剤層が順次積層された検査用粘着シートであって、
前記検査用粘着シートは、
(a)前記検査用粘着シートにおける前記粘着剤層上に、回路形成面とは反対側の面を貼り合わせ面として半導体ウェハが固定された状態で、半導体ウェハにおける回路形成面に一方の接続端子を当接すると共に、前記粘着剤層に他方の接続端子を当接して電気的接続を図ることにより、前記半導体ウェハの導通検査をするためのもの、又は、
(b)前記検査用粘着シートにおける前記粘着剤層上に、回路形成面とは反対側の面を貼り合わせ面として半導体ウェハを貼り合わせた後に、前記半導体ウェハを回路形成面側からダイシングし、ダイシング後の半導体チップがそれぞれ固定された状態で、前記半導体チップにおける回路形成面に一方の接続端子を当接すると共に、前記粘着剤層に他方の接続端子を当接して電気的接続を図ることにより、前記半導体チップの導通検査をするためのものであり、
前記支持体の23℃における引張弾性率は500MPa以下であり、
前記粘着剤層中に導電性粒子が含まれている、又は、前記粘着剤層の表面から前記導電性繊維の一部が露出していることにより、前記粘着剤層と前記支持基材との間には、電気的な導通が確保されていることを特徴とする検査用粘着シート。 - 前記支持体と前記支持基材との間に他の粘着剤層が設けられていることを特徴とする請求項1に記載の検査用粘着シート。
- 前記支持体は、基材上に他の粘着剤層が設けられた構造であることを特徴とする請求項1に記載の検査用粘着シート。
- 前記支持体の最大伸度が100%以上であることを特徴とする請求項1に記載の検査用粘着シート。
- 請求項1〜4の何れか1項に記載の検査用粘着シートにおける前記粘着剤層上に、回路形成面とは反対側の面を貼り合わせ面として半導体ウェハを貼り合わせる工程と、
前記半導体ウェハが固定された状態で、導通可能な検査ステージ上に前記検査用粘着シートを載置し、前記半導体ウェハにおける回路形成面に一方の接続端子を当接すると共に、前記粘着剤層に他方の接続端子を当接して電気的接続を図ることにより、前記半導体ウェハの導通検査をする工程と、
前記半導体ウェハを回路形成面側からダイシングし、少なくとも前記支持基材の一部を残した状態で半導体チップを形成する工程と、
前記半導体チップを前記検査用粘着シートからピックアップする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1〜4の何れか1項に記載の検査用粘着シートにおける前記粘着剤層上に、回路形成面とは反対側の面を貼り合わせ面として半導体ウェハを貼り合わせる工程と、
前記半導体ウェハを回路形成面側からダイシングし、少なくとも前記支持基材の一部を残した状態で半導体チップを形成する工程と、
ダイシング直後の半導体チップがそれぞれ固定された状態で、導通可能な検査ステージ上に前記検査用粘着シートを載置し、前記半導体チップにおける回路形成面に一方の接続端子を当接すると共に、前記粘着剤層に他方の接続端子を当接して電気的接続を図ることにより、前記半導体チップの導通検査をする工程と、
前記半導体チップを前記検査用粘着シートからピックアップする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記検査用粘着シートとして、支持基材及び粘着剤層の平面視における形状が前記半導体ウェハと同様のものを使用することを特徴とする請求項5又は6に記載の半導体装置の製造方法。
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