JP5056736B2 - Inspection apparatus and inspection method - Google Patents

Inspection apparatus and inspection method Download PDF

Info

Publication number
JP5056736B2
JP5056736B2 JP2008308656A JP2008308656A JP5056736B2 JP 5056736 B2 JP5056736 B2 JP 5056736B2 JP 2008308656 A JP2008308656 A JP 2008308656A JP 2008308656 A JP2008308656 A JP 2008308656A JP 5056736 B2 JP5056736 B2 JP 5056736B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
capacitor
probes
probe
inspection
inspection apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2008308656A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2010133786A (en
Inventor
仁 尾崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyota Motor Corp
Original Assignee
Toyota Motor Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyota Motor Corp filed Critical Toyota Motor Corp
Priority to JP2008308656A priority Critical patent/JP5056736B2/en
Publication of JP2010133786A publication Critical patent/JP2010133786A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5056736B2 publication Critical patent/JP5056736B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Description

本発明は、フリッティング現象を利用して被検査体の電気的特性を検査するための検査装置、及びこれを用いて被検査体の電気的特性を検査する検査方法に関する。   The present invention relates to an inspection apparatus for inspecting electrical characteristics of an object to be inspected using a fritting phenomenon, and an inspection method for inspecting the electrical characteristics of an object to be inspected using the inspection apparatus.

従来、半導体製造工程において、半導体ウエハにデバイス等を作製した後、半導体ウエハ状態のデバイスやパッケージ後のデバイス等の被検査体について電気的特性を検査する工程が行なわれている。プローブを行なう際には、被検査体の電極にプローブと称される部材を接続する必要がある。そして、プローブを介してデバイスと電気信号を送受信し、デバイスの電気的特性を検査する。   2. Description of the Related Art Conventionally, in a semiconductor manufacturing process, after a device or the like is manufactured on a semiconductor wafer, a step of inspecting electrical characteristics of an object to be inspected such as a semiconductor wafer state device or a packaged device is performed. When performing the probe, it is necessary to connect a member called a probe to the electrode of the object to be inspected. And an electrical signal is transmitted / received with a device via a probe, and the electrical property of a device is inspected.

検査段階では、被検査体の電極に酸化膜等の絶縁被膜が形成されていることが多い。従って、従来では、先の尖ったプローブと電極を所定の針圧で接触させたり、電極にスクラブを行なって絶縁被膜を削り取ったりする工程が行なわれていたが、被検査体の電極等を傷つけたり、プローブと電極の導通が安定しない等の問題があった。また、近年ではマイクロ構造を有するプローブカードが用いられることが多いため、針圧を大きくするのが困難である。   In the inspection stage, an insulating film such as an oxide film is often formed on the electrode of the object to be inspected. Therefore, in the past, a step of bringing a pointed probe and an electrode into contact with a predetermined stylus pressure or scrubbing the electrode to scrape off the insulating film has been performed. There is a problem that conduction between the probe and the electrode is not stable. In recent years, since probe cards having a micro structure are often used, it is difficult to increase the needle pressure.

係る点を考慮したものとして、フリッティング現象を利用して電気的導通を確保して検査を行なう装置及び方法についての発明が開示されている(例えば、特許文献1参照)。フリッティング現象とは、電極の表面に形成された酸化膜等の絶縁被膜に印加される電位傾度が所定程度になると電流が流れて絶縁被膜が破壊される現象をいう。係る装置及び方法によれば、被検査体の電極等を傷つけることがなく、プローブの寿命を延ばすことができるものとしている。
特開2002−139542号公報
In consideration of such a point, an invention relating to an apparatus and a method for performing inspection while ensuring electrical continuity using a fritting phenomenon is disclosed (for example, see Patent Document 1). The fritting phenomenon is a phenomenon in which a current flows and the insulating coating is destroyed when a potential gradient applied to the insulating coating such as an oxide film formed on the surface of the electrode reaches a predetermined level. According to such an apparatus and method, it is possible to extend the life of the probe without damaging the electrodes of the object to be inspected.
JP 2002-139542 A

しかしながら、上記従来の装置及び方法においては、外部電源からプローブまでの配線抵抗によって、プローブに所望の電圧を印加するのが困難であるという問題が存在する。   However, in the above-described conventional apparatus and method, there is a problem that it is difficult to apply a desired voltage to the probe due to the wiring resistance from the external power source to the probe.

本発明はこのような課題を解決するためのものであり、プローブに所望の電圧を印加するのが容易な検査装置、及びこれを用いてプローブに所望の電圧を印加するのが容易な検査方法を提供することを、主たる目的とする。   The present invention is intended to solve such problems, and an inspection apparatus that can easily apply a desired voltage to a probe, and an inspection method that can easily apply a desired voltage to the probe using the same. The main purpose is to provide

上記目的を達成するための本発明の第1の態様は、
フリッティング現象を利用して被検査体の電気的特性を検査するための検査装置であって、
プローブカードに接続された少なくとも一対のプローブと、
コンデンサと、
該コンデンサを、外部電源に接続された配線と前記少なくとも一対のプローブとのいずれに導通させるかを切替え可能な切替え手段と、を備え、
前記コンデンサ及び前記切替え手段は、前記プローブカード又は前記プローブカードが取り付けられる基板に、支持又は内蔵されることを特徴とする、
検査装置である。
In order to achieve the above object, the first aspect of the present invention provides:
An inspection device for inspecting the electrical characteristics of an object to be inspected using the fritting phenomenon,
At least a pair of probes connected to the probe card;
A capacitor,
Switching means capable of switching between the wiring connected to an external power source and the at least one pair of probes;
The capacitor and the switching unit are supported or built in the probe card or a board to which the probe card is attached,
Inspection equipment.

この本発明の第1の態様によれば、コンデンサ、及びこのコンデンサを、外部電源に接続された配線と少なくとも一対のプローブとのいずれに導通させるかを切替え可能な切替え手段が、プローブを支持するプローブカード又はプローブカードが取り付けられる基板に、支持又は内蔵されるため、プローブと電力供給源(コンデンサ)との間の配線長や配線抵抗を低減することができる。従って、プローブに所望の電圧を印加するのが容易となる。   According to the first aspect of the present invention, the capacitor and the switching means capable of switching between the capacitor and the wiring connected to the external power source and at least one of the pair of probes support the probe. Since the probe card or the board to which the probe card is attached is supported or built in, the wiring length and wiring resistance between the probe and the power supply source (capacitor) can be reduced. Therefore, it becomes easy to apply a desired voltage to the probe.

本発明の第2の態様は、
本発明の第1の態様の検査装置を用いて被検査体の電気的特性を検査する検査方法であって、
前記プローブを前記被検査体の電極に当接させる第一の工程と、
前記コンデンサを外部電源に接続された配線に導通させた状態で、前記コンデンサを充電する第二の工程と、
前記第二の工程の後に、前記コンデンサを前記少なくとも一対のプローブに導通させるように、前記切替え手段の状態を変更する第三の工程と、
を有する検査方法である。
The second aspect of the present invention is:
An inspection method for inspecting electrical characteristics of an object to be inspected using the inspection apparatus according to the first aspect of the present invention,
A first step of bringing the probe into contact with the electrode of the device under test;
A second step of charging the capacitor in a state where the capacitor is electrically connected to a wiring connected to an external power source;
After the second step, a third step of changing the state of the switching means so as to conduct the capacitor to the at least one pair of probes;
Is an inspection method.

この本発明の第2の態様によれば、プローブに所望の電圧を印加するのが容易となる。   According to the second aspect of the present invention, it is easy to apply a desired voltage to the probe.

本発明によれば、プローブに所望の電圧を印加するのが容易な検査装置、及びこれを用いてプローブに所望の電圧を印加するのが容易な検査方法を提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide an inspection apparatus that can easily apply a desired voltage to a probe, and an inspection method that can easily apply a desired voltage to a probe by using the inspection apparatus.

以下、本発明を実施するための最良の形態について、添付図面を参照しながら実施例を挙げて説明する。   Hereinafter, the best mode for carrying out the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

以下、本発明の一実施例に係る検査装置1、及びこれを用いた検査方法について説明する。図1は、本発明の一実施例に係る検査装置1の回路構成例である。検査装置1は、被検査体であるチップ40のパッド(電極)45に導通することによって電気的特性を検査するためのものであり、電源(テスタモジュール)30から配線35を介した電力供給を受けて動作する。   Hereinafter, an inspection apparatus 1 according to an embodiment of the present invention and an inspection method using the same will be described. FIG. 1 is a circuit configuration example of an inspection apparatus 1 according to an embodiment of the present invention. The inspection apparatus 1 is for inspecting electrical characteristics by conducting to a pad (electrode) 45 of a chip 40 that is an object to be inspected, and supplies power from a power source (tester module) 30 via a wiring 35. Receive and operate.

検査装置1は、少なくとも一対の(図1では一対のものとして表現した)プローブA、Bと、コンデンサ5と、リレー7と、を備える。リレー7は、コンデンサ5を、配線35とプローブA、Bとのいずれに接続するかを切替え可能となっている。なお、リレー7の制御は自動的に行なわれてもよいし、手動でオン/オフが切替えられてもよい。   The inspection apparatus 1 includes at least a pair of probes A and B (represented as a pair in FIG. 1), a capacitor 5, and a relay 7. The relay 7 can be switched to which of the wiring 35 and the probes A and B the capacitor 5 is connected. Note that the relay 7 may be automatically controlled, or may be manually switched on / off.

図2は、検査装置1、電源30、及びチップ40のハードウエア構成を模式的に示した図である。図2では、二対のプローブA、B、及びプローブC、Dを有するものとして表現した。二対のプローブA、B、及びプローブC、Dは、マイクロ構造のプローブカード10に支持され、プローブカード10内の回路に電気的に接続される。また、図2においては、配線35の配線抵抗について例示している。各プローブの電流容量は、例えば数百[mA]程度である。   FIG. 2 is a diagram schematically illustrating the hardware configuration of the inspection apparatus 1, the power supply 30, and the chip 40. In FIG. 2, it is expressed as having two pairs of probes A and B and probes C and D. The two pairs of probes A and B and the probes C and D are supported by the microstructure probe card 10 and are electrically connected to a circuit in the probe card 10. In FIG. 2, the wiring resistance of the wiring 35 is illustrated. The current capacity of each probe is, for example, about several hundred [mA].

プローブカード10は、パフォーマンスボード20に機械的に取り付けられる。パフォーマンスボード20は、例えばプリント基板上に所望の回路が形成された構成となっており、電源30の制御等を行なうことが可能である。   The probe card 10 is mechanically attached to the performance board 20. The performance board 20 has a configuration in which a desired circuit is formed on a printed circuit board, for example, and can control the power supply 30 and the like.

コンデンサ5、及びリレー7は、プローブカード10又はパフォーマンスボード20に支持又は内蔵される。図3は、コンデンサ5、及びリレー7がパフォーマンスボード20に支持又は内蔵された場合の構成例、及びその場合のコンデンサ5から各プローブまでの配線長、配線抵抗の例を示したものである。また、図4は、コンデンサ5、及びリレー7がプローブカード10に支持又は内蔵された場合の構成例、及びその場合のコンデンサ5から各プローブまでの配線長、配線抵抗の例を示したものである。   The capacitor 5 and the relay 7 are supported or built in the probe card 10 or the performance board 20. FIG. 3 shows a configuration example when the capacitor 5 and the relay 7 are supported or built in the performance board 20, and examples of the wiring length and wiring resistance from the capacitor 5 to each probe in that case. FIG. 4 shows a configuration example when the capacitor 5 and the relay 7 are supported or built in the probe card 10, and examples of the wiring length and wiring resistance from the capacitor 5 to each probe in that case. is there.

以下、本実施例の検査装置1を用いた検査方法について説明する。図5は、本実施例の検査装置1により実行される検査方法を説明するための説明図である。本図において
まず、パッド45に一対のプローブA、Bを軽く接触させる(S100)。この際に、リレー7は、コンデンサ5を配線35に接続させた状態となっている。
Hereinafter, an inspection method using the inspection apparatus 1 of the present embodiment will be described. FIG. 5 is an explanatory diagram for explaining an inspection method executed by the inspection apparatus 1 of the present embodiment. In this figure, first, a pair of probes A and B are brought into light contact with the pad 45 (S100). At this time, the relay 7 is in a state where the capacitor 5 is connected to the wiring 35.

次に、例えばパフォーマンスボード20からの指示によって電源30を起動状態とし、コンデンサ5を充電(チャージアップ)する(S110)。なお、図5では、電源30が起動状態となった際の供給電圧を+B[V]と表記した。   Next, for example, in accordance with an instruction from the performance board 20, the power supply 30 is activated, and the capacitor 5 is charged (charged up) (S110). In FIG. 5, the supply voltage when the power supply 30 is activated is represented as + B [V].

そして、コンデンサ5が十分に充電されるのに必要な時間が経過した後に、コンデンサ5をプローブA、Bに接続するようにリレー7の状態を変更する(S120)。   Then, after the time necessary for the capacitor 5 to be sufficiently charged has elapsed, the state of the relay 7 is changed so as to connect the capacitor 5 to the probes A and B (S120).

これによって、パッド45におけるプローブA、Bに接する二点間及びその周辺に、フリッティング現象が発生する。フリッティング現象とは、パッド45の表面に形成された酸化膜等の絶縁被膜に印加される電位傾度が所定程度になると電流が流れて絶縁被膜が破壊される現象である。このような処理によってチップ40のパッド45等を傷つけることがなく、またプローブA、Bの寿命を延ばすことができる。   As a result, a fritting phenomenon occurs between two points in contact with the probes A and B on the pad 45 and in the vicinity thereof. The fritting phenomenon is a phenomenon in which when the potential gradient applied to an insulating film such as an oxide film formed on the surface of the pad 45 reaches a predetermined level, current flows and the insulating film is destroyed. Such a process does not damage the pads 45 and the like of the chip 40, and the lifetime of the probes A and B can be extended.

更に、本実施例の検査装置1では、コンデンサ5、及びリレー7が、プローブカード10又はパフォーマンスボード20に支持又は内蔵されるため、電源30からプローブに直接電力を供給する場合に比して、電力源(コンデンサ5)から各プローブまでの配線長を短く、配線抵抗を小さくすることができる(図3〜5に例示した配線長、及び配線抵抗を参照)。この結果、電源30供給電圧を微調節する等の制御が不要となり、プローブに所望の電圧を印加するのが容易である。   Furthermore, in the inspection apparatus 1 of the present embodiment, the capacitor 5 and the relay 7 are supported or built in the probe card 10 or the performance board 20, so that compared to the case where power is directly supplied from the power source 30 to the probe, The wiring length from the power source (capacitor 5) to each probe can be shortened and the wiring resistance can be reduced (see the wiring length and wiring resistance illustrated in FIGS. 3 to 5). As a result, control such as fine adjustment of the power supply 30 supply voltage becomes unnecessary, and it is easy to apply a desired voltage to the probe.

また、コンデンサ5の充電時間を十分にとれば、電源30の供給電流をあまり大きくする必要がないため、装置設計の自由度を高めることができる。   In addition, if the charging time of the capacitor 5 is sufficiently long, it is not necessary to increase the supply current of the power source 30 so much, so that the degree of freedom in device design can be increased.

パッド45にフリッティング現象を生じさせると、プローブA、Bによってバッド45との導通が確保される。その後、プローブA、Bを電力端子としてチップ40の電気的特性を検査することができる。なお、フリッティング現象発生後の検査内容については、本発明の中核をなさないので詳細な説明を省略する。   When a fritting phenomenon is caused in the pad 45, conduction with the pad 45 is ensured by the probes A and B. Thereafter, the electrical characteristics of the chip 40 can be inspected using the probes A and B as power terminals. The details of the inspection after the occurrence of the fritting phenomenon are not described in detail because they do not form the core of the present invention.

以上説明した本実施例の検査装置1、及びこれを用いた本実施例の検査方法によれば、プローブに所望の電圧を印加するのが容易となる。   According to the inspection apparatus 1 of the present embodiment described above and the inspection method of the present embodiment using the same, it is easy to apply a desired voltage to the probe.

図6は、本実施例に係る検査装置1のより具体的な構成例、及び検査が行なわれる際の様子を示す図である。なお、本図においては、コンデンサ5、及びリレー7の図示を省略している。図示する如く、電源30を内蔵するテスタ37とパフォーマンスボード20は、例えばポゴピンを介して接続される。パフォーマンスボード20とプローブカード10は、例えばポゴピンを介して接続される(本図ではプローブカード10を1個有するものとした)。プローブA、Bは、プローブカード10に支持されると共に、プローブカード10内の回路に電気的に接続される。検査が開始されると、プローブA、Bは、チップ40が有するパッド45A、45Bに当接される。チップ40は、チャック50によって昇降制御される支持台52に予め固定されている。   FIG. 6 is a diagram illustrating a more specific configuration example of the inspection apparatus 1 according to the present embodiment and a state when the inspection is performed. In the figure, the capacitor 5 and the relay 7 are not shown. As shown in the figure, the tester 37 incorporating the power supply 30 and the performance board 20 are connected, for example, via pogo pins. The performance board 20 and the probe card 10 are connected through, for example, pogo pins (in the figure, the probe card 10 is assumed to have one probe card 10). The probes A and B are supported by the probe card 10 and are electrically connected to a circuit in the probe card 10. When the inspection is started, the probes A and B are brought into contact with the pads 45A and 45B of the chip 40. The chip 40 is fixed in advance to a support base 52 that is controlled to move up and down by the chuck 50.

また、本実施例に係る検査装置1が二対以上のプローブを有する場合、コンデンサ5、及びリレー7は、以下のように配線されることが想定される。   Further, when the inspection apparatus 1 according to the present embodiment has two or more pairs of probes, it is assumed that the capacitor 5 and the relay 7 are wired as follows.

図7は、検査装置1が三対のプローブA〜Fを有する場合の回路構成の一例である。本図の場合、図示する如く、コンデンサ5A及びリレー7A、コンデンサ5B及びリレー7B、コンデンサ5C及びリレー7Cが、プローブA及びB、プローブC及びD、プローブE及びFにそれぞれ電力供給する。こうすれば、各コンデンサの容量を小さくすることができる。   FIG. 7 is an example of a circuit configuration when the inspection apparatus 1 includes three pairs of probes A to F. In the case of this figure, as shown, the capacitor 5A and the relay 7A, the capacitor 5B and the relay 7B, the capacitor 5C and the relay 7C supply power to the probes A and B, the probes C and D, and the probes E and F, respectively. In this way, the capacity of each capacitor can be reduced.

図8は、検査装置1が三対のプローブA〜Fを有する場合の回路構成の他の例である。本図の場合、図示する如く、コンデンサ5及びリレー7が、プローブA及びB、プローブC及びD、プローブE及びFにそれぞれ電力供給する。こうすれば、図7の例に比してコンデンサ5の容量を大きくする必要がある反面、プローブカード10やパフォーマンスボード20における部品実装面積を小さくすることができる。   FIG. 8 shows another example of the circuit configuration in the case where the inspection apparatus 1 has three pairs of probes A to F. In the case of this figure, as shown, a capacitor 5 and a relay 7 supply power to probes A and B, probes C and D, and probes E and F, respectively. By doing so, it is necessary to increase the capacitance of the capacitor 5 as compared with the example of FIG.

以上、本発明を実施するための最良の形態について実施例を用いて説明したが、本発明はこうした実施例に何等限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の変形及び置換を加えることができる。   The best mode for carrying out the present invention has been described above with reference to the embodiments. However, the present invention is not limited to these embodiments, and various modifications can be made without departing from the scope of the present invention. And substitutions can be added.

本発明は、自動車製造業や自動車部品製造業、半導体製造業等に利用可能である。   The present invention can be used in the automobile manufacturing industry, the automobile parts manufacturing industry, the semiconductor manufacturing industry, and the like.

本発明の一実施例に係る検査装置1の回路構成例である。It is an example of a circuit structure of the inspection apparatus 1 which concerns on one Example of this invention. 検査装置1、電源30、及びチップ40のハードウエア構成を模式的に示した図である。2 is a diagram schematically showing hardware configurations of an inspection apparatus 1, a power supply 30, and a chip 40. FIG. コンデンサ5、及びリレー7がパフォーマンスボード20に支持又は内蔵された場合の構成例、及びその場合のコンデンサ5から各プローブまでの配線長、配線抵抗の例を示したものである。A configuration example when the capacitor 5 and the relay 7 are supported or built in the performance board 20 and an example of the wiring length and wiring resistance from the capacitor 5 to each probe in that case are shown. コンデンサ5、及びリレー7がプローブカード10に支持又は内蔵された場合の構成例、及びその場合のコンデンサ5から各プローブまでの配線長、配線抵抗の例を示したものである。A configuration example when the capacitor 5 and the relay 7 are supported or built in the probe card 10 and an example of the wiring length and wiring resistance from the capacitor 5 to each probe in that case are shown. 本実施例の検査装置1により実行される検査方法を説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating the test | inspection method performed with the test | inspection apparatus 1 of a present Example. 本実施例に係る検査装置1のより具体的な構成例、及び検査が行なわれる際の様子を示す図である。It is a figure which shows the more specific structural example of the test | inspection apparatus 1 which concerns on a present Example, and the mode at the time of a test | inspection being performed. 検査装置1が三対のプローブA〜Fを有する場合の回路構成の一例である。It is an example of a circuit structure in case the test | inspection apparatus 1 has three pairs of probes AF. 検査装置1が三対のプローブA〜Fを有する場合の回路構成の他の例である。It is another example of a circuit structure in case the test | inspection apparatus 1 has three pairs of probes AF.

符号の説明Explanation of symbols

1 検査装置
5 コンデンサ
7 リレー
10 プローブカード
12 カード補強板
14A、14B セラミックガード
20 パフォーマンスボード
30 電源
35 配線
37 テスタ
40 チップ
45 パッド
50 チャック
52 支持台
A、B、C、D、E、F プローブ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Inspection apparatus 5 Capacitor 7 Relay 10 Probe card 12 Card reinforcement board 14A, 14B Ceramic guard 20 Performance board 30 Power supply 35 Wiring 37 Tester 40 Chip 45 Pad 50 Chuck 52 Support stand A, B, C, D, E, F Probe

Claims (2)

フリッティング現象を利用して被検査体の電気的特性を検査するための検査装置であって、
プローブカードに接続された少なくとも一対のプローブと、
コンデンサと、
該コンデンサを、外部電源に接続された配線と前記少なくとも一対のプローブとのいずれに導通させるかを切替え可能な切替え手段と、を備え、
前記コンデンサ及び前記切替え手段は、前記プローブカード又は前記プローブカードが取り付けられる基板に、支持又は内蔵され、
前記切替え手段により前記コンデンサと前記少なくとも一対のプローブが導通させられた状態で、前記少なくとも一対のプローブへの電圧印加は前記コンデンサによってのみ行われることを特徴とする、
検査装置。
An inspection device for inspecting the electrical characteristics of an object to be inspected using the fritting phenomenon,
At least a pair of probes connected to the probe card;
A capacitor,
Switching means capable of switching between the wiring connected to an external power source and the at least one pair of probes;
The capacitor and the switching means are supported or built in the probe card or a board to which the probe card is attached,
In the state where the capacitor and the at least one pair of probes are made conductive by the switching means, voltage application to the at least one pair of probes is performed only by the capacitor ,
Inspection device.
請求項1に記載の検査装置を用いて被検査体の電気的特性を検査する検査方法であって、
前記少なくとも一対のプローブを前記被検査体の電極に当接させる第一の工程と、
前記コンデンサを外部電源に接続された配線に導通させた状態で、前記コンデンサを充電する第二の工程と、
前記第二の工程の後に、前記コンデンサを前記少なくとも一対のプローブに導通させるように、前記切替え手段の状態を変更する第三の工程と、
を有する検査方法。
An inspection method for inspecting electrical characteristics of an object to be inspected using the inspection apparatus according to claim 1,
A first step of bringing the at least one pair of probes into contact with the electrodes of the object to be inspected;
A second step of charging the capacitor in a state where the capacitor is electrically connected to a wiring connected to an external power source;
After the second step, a third step of changing the state of the switching means so as to conduct the capacitor to the at least one pair of probes;
Inspection method having
JP2008308656A 2008-12-03 2008-12-03 Inspection apparatus and inspection method Expired - Fee Related JP5056736B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008308656A JP5056736B2 (en) 2008-12-03 2008-12-03 Inspection apparatus and inspection method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008308656A JP5056736B2 (en) 2008-12-03 2008-12-03 Inspection apparatus and inspection method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010133786A JP2010133786A (en) 2010-06-17
JP5056736B2 true JP5056736B2 (en) 2012-10-24

Family

ID=42345225

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008308656A Expired - Fee Related JP5056736B2 (en) 2008-12-03 2008-12-03 Inspection apparatus and inspection method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5056736B2 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107765039B (en) * 2017-11-15 2020-07-31 上海华虹宏力半导体制造有限公司 Probe card circuit and test method thereof

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2788132B2 (en) * 1991-02-23 1998-08-20 ローム株式会社 Pulse trimming device in thermal print head
JP4124895B2 (en) * 1999-01-18 2008-07-23 日本インター株式会社 Electronic component characteristic inspection method
JP4438229B2 (en) * 2001-01-16 2010-03-24 株式会社村田製作所 Method of cleaning measurement probe for electronic component inspection apparatus and electronic component inspection apparatus using the same
JP2004093451A (en) * 2002-09-02 2004-03-25 Tokyo Electron Ltd Probe method and probe device
JP2008157818A (en) * 2006-12-25 2008-07-10 Tokyo Electron Ltd Inspection method, inspection device and computer-readable storage medium storing program

Also Published As

Publication number Publication date
JP2010133786A (en) 2010-06-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4532570B2 (en) Circuit board inspection apparatus and circuit board inspection method
JP4456325B2 (en) Inspection method and inspection apparatus
EP1788401B1 (en) Method and apparatus for testing electrical characteristics of object under test
US7633309B2 (en) Inspection method, inspection apparatus and computer-readable storage medium storing program for inspecting an electrical property of an object
KR101148917B1 (en) Manufacturing method and wafer unit for testing
JP2009025187A (en) Inspection apparatus, probe card, and inspection method
JP2008203077A (en) Circuit inspection device and method
JP5215148B2 (en) Insulation inspection device and insulation inspection method
JP2008107216A (en) Measuring method, switching device and measuring system equipped with the switching device
JP2010025765A (en) Contact structure for inspection
JP5056736B2 (en) Inspection apparatus and inspection method
JP2019176080A (en) Conduction inspection device, prober, and static eliminator
JP2005315775A (en) Four-terminal inspection method and four-terminal inspection jig using single-sided transfer probe
JP5420303B2 (en) Circuit board inspection apparatus and circuit board inspection method
JP5384214B2 (en) Measuring apparatus and measuring method
JPWO2008081752A1 (en) Inspection method, inspection apparatus, and computer-readable storage medium storing program
JP2014235126A (en) Substrate inspection device, substrate inspection method, and substrate inspection jig
JP5474392B2 (en) Circuit board inspection apparatus and circuit board inspection method
JP2010050155A (en) Method of manufacturing semiconductor device, and inspecting device for semiconductor used therefor
JP2023148322A (en) Continuity inspection device, kelvin measurement prober, and electricity removing device
JP5329160B2 (en) Circuit board inspection apparatus and circuit board inspection method
JP5160331B2 (en) Circuit board inspection apparatus and circuit board inspection method
JP2004226159A (en) Burn-in test adapter and burn-in test device
JP2011237199A (en) Method and system for inspecting probe card
JP2007085735A (en) Inspection method of semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110519

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120516

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120522

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120618

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120703

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120716

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150810

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150810

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees