JP5055880B2 - インプリント用モールド製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、インプリント用モールドおよびインプリント用モールド製造方法に関するものであり、特に金属を基材とするインプリント用モールドおよびインプリント用モールド製造方法に関するものである。

これまで、ＬＳＩの回路パターン等ナノレベルの微細加工にはリソグラフィ技術が用いられてきた。近年高集積化に伴い、より微細なパターンを作製するための技術が要求されており、対応策として軟Ｘ線（波長１３．５ｎｍ）を利用する等露光光源の短波長化が進められている。しかし、露光光源の変更には製造設備や周辺技術等莫大なコストが伴い、迅速に開発を進めることが困難となっている。

このような状況で、ナノレベルの微細加工をスタンプの要領で簡便に行えるインプリント技術が注目されている。インプリント技術では樹脂への加工が可能であるため、エレクトロニクス系、バイオ系等、応用範囲は広い。

例えば、半導体素子や記録媒体の製造に際して基材（加工対象体）の表面に微細な（ナノメートルサイズの）凹凸パターンを転写した樹脂層を形成する方法において、インプリント法により樹脂層に凹凸パターンを形成する方法が提案されている（非特許文献１）。このインプリント法は、スタンパー（モールド）に形成したナノメートルサイズの凹凸部（凸部）を基材表面の樹脂層に押し当てることによってスタンパーの凹凸部の凹凸形状を樹脂層に転写する。

主なナノインプリント方法としては、加工材料に熱硬化樹脂を利用する熱インプリント法と光硬化樹脂を利用する光インプリントが挙げられる。熱インプリント法は、ガラス転移温度以上に加熱した樹脂にパターンが形成されたモールドを押し付け、冷却後に離型する。一方、光インプリント法はモールドに樹脂を接触させた状態で光を照射し、光硬化させてパターンを形成する。

しかし、各種インプリント法において、樹脂とモールドを離型する際に微細なパターンに入り込んだ樹脂がモールドに付着し、モールドと共に剥がれてしまう問題が生じている。特に光硬化樹脂は接着剤に使用させる樹脂と同じ主成分であるため、モールドとの離型が困難となっている。

この解決策としては、パーフルオロポリエーテル等のフッ素系離型剤をモールドにコーティングし、モールドの表面エネルギーを低くすることで離型性を向上させる事例が報告されている（特許文献１）。

しかし、モールドに樹脂をコーティングして離型性を向上させる方法の場合、インプリント工程の繰り返しにより離型剤が摩耗するため、その都度コーティング処理が必要となり、効率的でない。さらに剥がれた離型剤が加工材料へ残存し、欠陥となる可能性も考えられる。特に熱インプリント用モールドの基板として使用されるＮｉ系材料は離型剤との密着性が弱く、上記のような問題が顕著に現れると予想される。

離型剤を使用せずに離型性を向上させる手段としては、モールド表面をフッ素系ガスによるエッチングでシード層を剥離し、１０ｐｐｍ以上２０００ｐｐｍ以下のフッ素を凹凸形成面に含有させるという方法が紹介されている（特許文献２）。しかしながら、金属がハロゲン化すると体積膨張が起こり、例えば、Ｎｉ表面を直接フッ化処理した場合は約３倍体積が膨張すると報告されている（特許文献３）。よって、この手段は数十ｎｍ程度の微細パターン用のモールドには適用できない。
特開２００４−３５１６９３号公報 特開２００６−８２４３２号公報 特開平１１−３３５８４２号公報 ステファン Ｙ．チョウ（Ｓｔｅｐｈｅｎ Ｙ．Ｃｈｏｕ）著，「Ｉｍｐｒｉｎｔ ｏｆ ｓｕｂ ２５ｎｍ ｖｉａｓ ａｎｄ ｔｒｅｎｃｈｅｓ ｉｎ ｐｏｌｙｍｅｒｓ」，Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，（米国），１９９５年１１月２０日，第６７巻，第２１号，ｐ．３１１４−３１１６

上述のように、従来の離型性を向上させる手段は、恒久性の面での問題やモールドのパターンを潰してしまうといった問題があり、特に、パターンが微細である場合、現実的ではない。また、シード層を剥離することにより、得られるモールドのパターンと、原盤のパターンとが、忠実に対応するように転写することが出来ないという問題がある。

そこで、本発明は、前記問題を解決するためになされたものであり、微細パターンに影響を与えず、恒久性のある離型機能を有したインプリント用モールドおよびインプリント用モールド製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、金属を基材とするインプリント用モールド製造方法において、原盤の表面にリン系化合物を含むシード層を形成する工程と、前記シード層に金属を積層する工程と、前記積層した金属および前記シード層から原盤を剥離する工程と、前記シード層に含まれるリンをフッ素で置換する、フッ化処理工程と、を行うことを特徴とするインプリント用モールド製造方法である。

本発明は、請求項１に記載のインプリント用モールド製造方法であって、シード層がＮｉ−Ｐ系合金であることを特徴とするインプリント用モールド製造方法である。

本発明のインプリント用モールドの製造方法によれば、シード層を剥離することなく前記シード層をフッ化処理することを特徴とする。フッ化処理により、シード層の最表面にはフッ化不動態層が形成され、このフッ化不動態層は、モールドの表面エネルギーを低くし、モールドの離型性を向上させるという効果を奏する。また、シード層を剥離することなく、シード層を直接フッ化処理するため、原盤のパターン寸法を変化させることがなく忠実にパターンを転写し、かつ恒久性のある離型機能を有するインプリント用モールドを製造することが出来る。

また、本発明のインプリント用モールドの製造方法は、シード層にリン系合金を含むことを特徴とする。
これにより、シード層をフッ化処理するにあたり、シード層内のリンがフッ素と置換するために、フッ化処理の前後で、ハロゲンの付加による金属膨張に由来するパターン寸法の変化を防ぐことが可能となる。

以下、本発明のインプリント用モールド製造方法について、図１を用いて説明を行う。

まず、図１（ａ）に示すように、原盤１にパターンを形成する。原盤１は微細なパターンの形成が可能であり、モールド作成工程で変形や変質のない材料であれば何れでも構わない。例えば、Ｓｉを原盤として用いてＥＢリソグラフィやフォトリソグラフィ技術等を用いてパターンの形成を行ってもよい。

次に、図１（ｂ）に示すように、原盤１のパターン表面にシード層２を形成する。このとき、シード層２はリン系化合物を含む。これにより、後述するシード層をフッ化処理するにあたり、シード層２内のリンがフッ素と置換するために、フッ化処理の前後で、パターン寸法が変化することを防ぐことが可能となる。
また、シード層は積層する金属に併せて適宜選択される。例えば、Ｎｉを積層する場合、シード層としては、Ｎｉ−Ｐ系合金を用いることが出来る。
形成方法としては特に限定されないが、複雑な形状に対しても均一にめっき処理が可能である無電解めっき法が好ましい。シード層２の厚さは数μｍ程度とする。

次に、図１（ｃ）に示すようにシード層２上にモールド基材３を電解めっき等により形成する。モールド基材３はシード層２上にめっき可能な材質であれば特に限定はされない。シード層２にＮｉ−Ｐ系合金を用いた場合、積層する金属としては、例えば、Ｎｉ金属、Ｎｉ系合金などが挙げられる。

次に、シード層２上にめっきされたモールド基材３を原盤１から取り外すと、図１（ｄ）のようなシード層２を最表面に持つモールド４を得ることができる。

次に、シード層２の最表面をフッ化処理し、フッ化不動態層５を形成すると、図１（ｅ）に示すような離型機能を有するモールド６を得ることができる。フッ化不動態層５の厚さは数ｎｍ〜５μｍ程度であることが好ましい。
フッ化処理方法のとしては、例えば、フッ素系ガスを利用したドライ処理やフッ素系水溶液を利用したウェット処理等が挙げられる。
このとき、シード層２は原盤１のパターンに対応するように形成されており、原盤１のパターン寸法を忠実に転写している。シード層２を剥離することなく、直接シード層のフッ化処理を行うことで、原盤１のパターン寸法と１対１に対応するようにインプリント用モールドを製造することが可能となる。
また、シード層２がリン化合物を含む場合、フッ化処理するにあたり、シード層２内のリンがフッ素と置換するために、フッ化処理の前後で、ハロゲンの付加による金属膨張に由来するパターン寸法の変化を防ぐことが可能となる。

以上より、原盤のパターン寸法が変化することがなく、忠実にインプリント用モールドにパターンを転写し、かつ恒久性のある離型機能を有するインプリント用モールドを製造することが出来る。

本発明のインプリント用モールドおよびその作製方法の一実施例を以下に示す。しかし、本発明は実施例により何ら限定されるものではない。

５７ｎｍのＬ＆Ｓ（ラインアンドスペース）パターンが施された８インチのＳｉ製の原盤を用意した。

次に、原盤を９０℃の無電解ニッケルめっき浴に浸漬し、前記原盤にＮｉ−Ｐ系合金の厚さ１ｕｍのシード層を形成した。めっき浴は市販の酸性無電解ニッケルめっき用の薬剤で、主成分が金属塩である硫酸ニッケル（２５ｇ／Ｌ）、還元剤である次亜リン酸ナトリウム（２０ｇ／Ｌ）錯化剤、安定剤が含まれる。

次に、前記シード層にＮｉを電解めっきした。主成分として硫酸ニッケル、塩化ニッケル、ホウ酸から構成されるニッケルめっき薬剤を用いためっき浴中にニッケルアノードとカソードである前記シード層を浸漬させ、外部電源から直流電流を１Ａ／ｄｍ^２の電流密度にて印加してシード層上にＮｉを析出させた。

次に、Ｎｉをめっきした原盤を水酸化カリウム水溶液に浸漬し、Ｓｉをエッチングにより除去して、シード層および積層したＮｉから成るモールドとした。

次に、モールドのシード層側をフッ素処理した。まず、３００℃、Ｎ_２ガス雰囲気中で２時間ベーキングし、３５０℃、２気圧以下の環境下でフッ素ガス（水分０．１ｐｐｍ以下）と４時間反応させた。その後、さらに３５０℃の熱処理をＮ_２ガス中で５時間行うことで、フッ化不働態層を有するモールドを得た。

得られたモールドの線幅の平均値は、設計サイズに対する誤差が５ｎｍ以下であることを確認でき、原盤の微細パターンに大きな影響を与えずにフッ化処理できることを確認した。

得られたモールドのアルゴンガスエッチングによるＮｉ、Ｆ、Ｐ元素の深さ方向分析をＸ線光電子分光装置（ＸＰＳ）（ＥＳＣＡ ｍｏｄｅｌ １６００：アルバック・ファイ社製）により実施した。結果を図２に示す。（縦軸は各種元素の原子濃度、横軸はアルゴンガスによるエッチング時間を示している。
このとき、フッ素は３０分エッチングした（アルゴンガス圧力：１５ｍＰａ）状態でも検出されており、モールドの内部（ＳｉＯ_２換算で１４００Å程度）までフッ化処理できていることを確認した。

また、得られたモールドの表面エネルギーを調べるため、気温２３℃・湿度５０％の環境下で純水を用いた接触角測定を行った。その結果、実施例のモールドは１０７°となった。
フッ化処理を施していないＮｉモールドの接触角が６６°であることから、実施例のモールドの表面エネルギーはフッ化処理により低下していることを確認した。

本発明のインプリント用モールドおよびインプリント用モールド製造方法は、インプリント法が活用できる産業分野全般に用いることが期待できる。例えば、半導体や光学素子、バイオ・化学関連の分析用チップ等の製造で使用されるインプリントリソグラフィ用モールドとして使用することが出来る。

本発明におけるインプリント用モールドの製造方法の工程を示す模式図である。 実施例１におけるモールドの表面分析結果を示す図である。

符号の説明

１……原盤
２……シード層
３……モールド基材
４……モールド
５……フッ化不動態層
６……離型機能を有するモールド

Claims (2)

1. 金属を基材とするインプリント用モールド製造方法において、
   原盤の表面にリン系化合物を含むシード層を形成する工程と、
   前記シード層に金属を積層する工程と、
   前記積層した金属および前記シード層から原盤を剥離する工程と、
   前記シード層に含まれるリンをフッ素で置換する、フッ化処理工程と、
   を行うことを特徴とするインプリント用モールド製造方法。
2. 請求項１に記載のインプリント用モールド製造方法であって、
   シード層がＮｉ−Ｐ系合金であること
   を特徴とするインプリント用モールド製造方法。