JP5050749B2 - ゲインコントロール回路およびこれを用いた光記録再生装置 - Google Patents
ゲインコントロール回路およびこれを用いた光記録再生装置 Download PDFInfo
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Description
この回路形式でゲインをコントロールする場合、各々のgm(相互コンダクタンス)を可変する為にそこに流れる直流電流を変化させる事で、gmをコントロールしており、ゲインによりそのノイズ(Noise)量が変わってしまったり、周波数特性も変わってしまったりするので可変レンジ内での特性が一様にはならなかった。
すなわち、増幅回路の相互コンダクタンスgm1、gm2が変わる事で利得毎での出力オフセット(VCAが発生する)も変わって来てしまっていた。
ゲインコントロール回路10は入力段(gmi回路;または相互コンダクタンス(入力)増幅回路とも称する)の、gmi1回路、gmi2回路と出力段(gmo回路;相互コンダクタンス(出力)増幅回路)のgmo3回路から構成されている。なお、入力段のgmi回路は用途に応じ多段構成としてもよい。図1におけるゲインコントロール回路10の実施例では2段構成である。
入力段において、gmi1回路を逆相入力段、gmi2回路を正相入力段とする。また、出力段(gmo3回路)のコモンモード電圧を補償するオフセット回路を新たに設ける。
従来の回路は相互コンダクタンスのgmi/gmo(gmiとgmoの比)で決まるそれぞれのgmをDC(直流)電流を可変する事によりゲインを制御する構成となっていたが、本発明のゲインコントロール回路10は出力段の相互コンダクタンスgmoを常に一定とし、且つ入力段のgmiの総和も一定に保ち、入力段の信号電流の混合比を可変する構成とする。
まず、ゲインコントロール回路10に接続される端子について説明する。
端子T−1,T−1Aには入力信号が供給され、正相と逆相信号がgmi1回路とgmi2回路に入力される。
端子T−2とT−3から制御電流が、gmi1回路、gmi2回路,gmo3回路の定電流源を構成するトランジスタ(51,52,53,54)に供給され、バイアス電圧を発生する。この端子T−2と端子T−3から供給される電流値はgmi1回路、gmi2回路,gmo3回路の相互コンダクタンスgmを制御するためにお互い独立に可変される。
端子T−4からオフセット回路に電圧が供給される。端子T−5からgmo3回路とオフセット回路に電源電圧が供給される。
端子T−6はgmo3回路のPMOSトランジスタ11,13とオフセット回路のPMOSトランジスタ16,18にバイアス電圧を供給する。
端子T−7,T−7Aはgmo3回路から導出された信号を出力する。
端子T−8は定電流源を構成するNMOSトランジスタ63にバイアス電圧を供給する。
端子T−9は基準電圧が供給され、例えば0[V](グランド)に設定される。
端子T−10は定電流源のNMOSトランジスタ52,54のゲートにバイアスを供給し、それに伴いNMOSトランジスタ51,53に流れる電流量を制御する。
端子T−11はオフセット回路のNMOSトランジスタ48のゲートにリファレンス電圧(Vref)を供給する。
入力段を構成するgmi1回路は、NMOSトランジスタ31〜34とNMOSトランジスタ55,56で構成される。このgmi1回路はgmアンプまたは利得制御回路とも表す。
端子T−1に不図示の前段回路から例えば正相の入力信号が供給され、端子T−1Aに例えば逆相の入力信号が供給される。
NMOSトランジスタ31のゲートは端子T−1に接続され、ソースは電流源を構成するNMOSトランジスタ55のドレインとNMOSトランジスタ33のドレインとNMOSトランジスタ34のソースに接続され、このNMOSトランジスタ31のドレインはPMOSトランジスタ12のドレインに接続される。NMOSトランジスタ55のソースはグランド(端子T−9)に接続され、ゲートは端子T−2に接続される。また、NMOSトランジスタ33のゲートは端子T−1に接続され、NMOSトランジスタ34のゲートは端子T−1Aに接続される。
NMOSトランジスタ32のゲートは端子T−1Aに接続され、ソースは電流源を構成するNMOSトランジスタ56のドレインとNMOSトランジスタ33のソースとNMOSトランジスタ34のドレインに接続され、このNMOSトランジスタ32のドレインはPMOSトランジスタ14のドレインに接続される。NMOSトランジスタ56のソースは端子T−9に接続され、ゲートは端子T−2に接続される。
NMOSトランジスタ35のゲートは端子T−1Aに接続され、ソースは電流源を構成するNMOSトランジスタ57のドレインとNMOSトランジスタ37のドレインとNMOSトランジスタ38のソースに接続され、NMOSトランジスタ35のドレインはPMOSトランジスタ12のドレインに接続される。NMOSトランジスタ57のソースはグランド(端子T−10)に接続され、ゲートは端子T−3に接続される。また、NMOSトランジスタ37のゲートは端子T−1Aに接続され、NMOSトランジスタ38のゲートは端子T−1に接続される。
NMOSトランジスタ36のゲートは端子T−1に接続され、ソースは電流源を構成するNMOSトランジスタ58のドレインとNMOSトランジスタ37のソースとNMOSトランジスタ38のドレインに接続され、NMOSトランジスタ36のドレインはPMOSトランジスタ14のドレインに接続される。NMOSトランジスタ58のソースは端子T−9に接続され、ゲートは端子T−3に接続される。
PMOSトランジスタ12のソースは端子T−5に接続され、ゲートはPMOSトランジスタ18,20のドレインに接続され、ドレインはPMOSトランジスタ11のソースとNMOSトランジスタ31,35のドレインに接続される。PMOSトランジスタ11のゲートは端子T−6に接続され、ドレインはNMOSトランジスタ39のドレインとゲートに接続されると共にNMOSトランジスタ41のゲートと抵抗46の一方の端子に接続される。
NMOSトランジスタ39のソースはNMOSトランジスタ59,60のドレインとNMOSトランジスタ41のドレインとNMOSトランジスタ42のソースとキャパシタ43の一方の端子に接続される。NMOSトランジスタ59のゲートは端子T−3に接続され、ソースは端子T−9に接続される。また、NMOSトランジスタ60のゲートは端子T−2に接続され、ソースは端子T−9に接続される。
NMOSトランジスタ40のソースはNMOSトランジスタ61,62のドレインとNMOSトランジスタ41のソースとNMOSトランジスタ42のドレインとキャパシタ44の一方の端子に接続される。NMOSトランジスタ61のゲートは端子T−2に接続され、ソースは端子T−9に接続される。また、NMOSトランジスタ62のゲートは端子T−3に接続され、ソースは端子T−9に接続される。
さらにキャパシタ43,44の他方の端子は共通接続されてPMOSトランジスタ18,20のドレインに接続される。
NMOSトランジスタ39のゲート、ドレインの共通接続点は端子T−7に接続され、出力信号が導出される。また、NMOSトランジスタ40のゲート、ドレインの共通接続点は端子T−7Aに接続され、端子T−7とは逆位相の出力信号が導出される。
gmo3回路を構成するNMOSトランジスタ39のゲート、ドレインの共通接続点に同相電圧を検出するための抵抗46の一方の端子が接続され、かつNMOSトランジスタ40のゲート、ドレインの共通接続点に同相電圧を検出するための抵抗45の一方の端子が接続され、この抵抗45,46の他方の端子はお互い接続されオフセット回路の差動回路を構成するNMOSトランジスタ47のゲートに接続される。
PMOSトランジスタ17のソースは端子T−5に接続され、ドレインはPMOSトランジスタ16のソースに接続され、ゲートはPMOSトランジスタ19のゲートとPMOSトランジスタ15,16ドレインに接続される。PMOSトランジスタ15のソースは端子T−5に接続され、ゲートは端子T−4に接続される。
PMOSトランジスタ16のゲートは端子T−6に接続され、ドレインはNMOSトランジスタ47のドレインに接続される。このNMOSトランジスタ47のゲートは抵抗45,46の他方の端子に接続され、ソースはNMOSトランジスタ48のソースとNMOSトランジスタ63のドレインに接続される。NMOSトランジスタ63のゲートは端子T−8に接続され、ソースは端子T−9に接続される。
PMOSトランジスタ18のゲートは端子T−6に接続され、ドレインはNMOSトランジスタ48のドレインとPMOSトランジスタ12,14のゲートに接続される。NMOSトランジスタ48のドレインはキャパシタ49の他方の端子に接続される。このキャパシタ49の一方の端子は、NMOSトランジスタ47のゲートに接続される。NMOSトランジスタ48のゲートは端子T−11に接続され、ソースはNMOSトランジスタ47のソースとNMOSトランジスタ63のドレインに接続される。NMOSトランジスタ63のゲートは端子T−8に接続され、ソースは端子T−9に接続される。
入力信号が端子T−1,T−1Aからgmi1回路、gmi2回路に供給される。端子T−1から入力された信号は、NMOSトランジスタ31とNMOSトランジスタ36のゲートに供給される。同様に、端子T−1Aから入力された信号は、NMOSトランジスタ32とNMOSトランジスタ35のゲートに供給される。
ゲインコントロール回路10は、端子T−2,T−3から制御信号、例えば制御電流をカレントミラー回路に供給して、gmi1回路とgmi2回路に流れる電流を制御する。このgmi1回路の相互コンダクタンスgm1とgmi2回路の相互コンダクタンスgm2に比例した出力信号電流の正相と逆相の信号電流を合成、例えば加算し、gmi1回路とgmi2回路のgm1とgm2を独立に可変することにより合成された信号電流の混合比を可変する。そして、合成された信号電流をgm負荷回路に供給し、そして出力信号を導出する。この出力信号は、上述した合成された信号電流の混合比によりゲインまたは減衰量が制御される。
NMOSトランジスタ31のソースとNMOSトランジスタ32のソース間に接続されたNMOSトランジスタ33,34は等価的に抵抗として動作し、位相差を持たせる。
端子T−2から供給されたDC電流(IVCAP)により、このDC電流に対応してNMOSトランジスタ51で所定電圧が発生し、この電圧が定電流源を構成するNMOSトランジスタ55,56のゲートに供給される。端子T−10に入力される制御電圧によりNMOSトランジスタ52のドレイン−ソース間に流れる電流が可変され、それに伴いMOSダイオードを構成するNMOSトランジスタ51に流れる電流が制御され、このダイオードで発生する電圧が調整される。
NMOSトランジスタ55,56はダイオードを構成するNMOSトランジスタ51とカレントミラー回路を構成して、W/L(ゲート幅/ゲート長)の比に応じてDC電流が決定され、NMOSトランジスタ55のドレインに流れるDC電流と同じ電流がNMOSトランジスタ31に流れる。またNMOSトランジスタ56のドレインに流れるDC電流と同じ電流がNMOSトランジスタ32に流れる。
NMOSトランジスタ31,32のソース間にNMOSトランジスタ33,34が接続され、等価的に抵抗を表しているので、NMOSトランジスタ31,32は差動型のgmアンプを形成する。
端子T−2の制御電流に応じてNMOSトランジスタ31に流れる電流からgmが決定され、NMOSトランジスタ31から出力される出力信号電流は、入力信号(Vin)に相互コンダクタンスgmを乗算した値、すなわちid31=gm31*Vinとなる。
一方、NMOSトランジスタ32においても同様に、出力信号電流は、id32=gm32*(−Vin)となる。なお、*印は乗算を表す。このgm31とgm32を可変することによりゲインが制御され、出力信号電流id31,id32が制御される。
gm31はNMOSトランジスタ31の相互コンダクタンスを表し、またgm32はNMOSトランジスタ32の相互コンダクタンスを表す。
端子T−3から供給されたDC電流により、MOSダイオードを構成するNMOSトランジスタ53で所定電圧が発生し、この電圧が定電流源を構成するNMOSトランジスタ57,58のゲートに供給される。端子T−10に入力される制御電圧によりNMOSトランジスタ54のドレイン−ソース間に流れる電流が可変され、それに伴いMOSダイオードを構成するNMOSトランジスタ53に流れる電流が制御され、このダイオードで発生する電圧が調整される。
NMOSトランジスタ57,58はNMOSトランジスタ53とカレントミラー回路を構成して、W/L(ゲート幅/ゲート長)の比に応じて電流が決定され、NMOSトランジスタ57のドレインに流れるDC電流と同じ電流がNMOSトランジスタ35に流れ、またNMOSトランジスタ58のドレインに流れるDC電流と同じ電流がNMOSトランジスタ36に流れる。
端子T−1Aの制御電流に応じてNMOSトランジスタ35に流れる電流からgmが決定され、NMOSトランジスタ35から出力される出力信号電流は、入力信号(−Vin)に相互コンダクタンスgm35を乗算した値、すなわちid35=gm35*(−Vin)となる。
一方、NMOSトランジスタ36においても同様に、出力信号電流は、id36=gm36*Vinとなる。なお、*印は乗算を表す。このgm35,gm36を可変することによりゲインが制御され、出力信号電流id35,id36が制御される。
gm35はNMOSトランジスタ35の相互コンダクタンスを表し、またgm36はNMOSトランジスタ36の相互コンダクタンスを表す。
一方、NMOSトランジスタ32のドレインから出力された出力信号電流id32とNMOSトランジスタ36から出力された出力信号電流id36が合成されてgmo3回路を構成するPMOSトランジスタ13のソースに出力される。
なお、NMOSトランジスタ41,42は等価的に抵抗成分を示し、NMOSトランジスタ39,40で差動回路を構成する。
NMOSトランジスタ39の電流は定電流源を構成するNMOSトランジスタ59,60から供給される電流を加算した値になる。このNMOSトランジスタ59にはNMOSトランジスタ53で発生する電圧に対応した電流が流れ、NMOSトランジスタ53で発生する電圧は端子T−3から供給される制御電流と端子T−10の制御電圧により制御される。またNMOSトランジスタ60にはNMOSトランジスタ51で発生する電圧に対応した電流が流れ、端子T−2の制御電流と端子T−10に供給される制御電圧により制御される。
なお、端子T−2,T−3の制御電流によりNMOSトランジスタ59,60のDC電流を可変することができるが、それ以外にNMOSトランジスタ51,53のW/Lに対してNMOSトランジスタ59,60のW/Lの比を任意に設定することにより、NMOSトランジスタ39に流れる電流を所定値に設定することができる。
なお、端子T−2,T−3の制御電流によりNMOSトランジスタ61,62の電流を可変することができるが、それ以外にNMOSトランジスタ51,53のW/Lに対してNMOSトランジスタ61,62のW/Lの比を任意に設定することにより、NMOSトランジスタ40に流れる電流を所定値に設定することができる。
なお、gmi1回路とgmi2回路の動作電流の総和を一定とすることにより、利得を制御している。またgmo3回路を相互コンダクタンス(gm)負荷にしているので、端子T−7,T−7Aから導出する信号のDCレベルを任意に設定することができる。
さらに、gmo3回路の電流源を構成するNMOSトランジスタ59〜62に流れる電流を固定しているが、必要に応じてこの電流を可変してセンタゲインを所望のレベルに設定することもできる。
ここで、
[数1]
gm1+gm2=K
とすると、
例えば、gm1=gm2=K/2の時、AC的にはgm2−gm1=0となり、AC信号の成分は打ち消されてしまうので出力は出ない(減衰量が−∞に相当する)。
次に、例えば、
[数2]
gm1=0、gm2=K
の時、ACゲイン(Gain)はgm2/gm3で決まり、これは、最大ゲイン(MAX Gain)に相当する。
次に、例えば、
[数3]
gm1=K、gm2=0
の時、ACゲインはgm1/gm3で決まり、反転のMAX Gainに相当する。
ただし、反転出力をしたく無い場合には常に
[数4]
gm1≦gm2
と設定しておく必要がある。
この設定方式には各種電流リミッタを設ける等一般的な方法で実現できる為、ここではあえてその方式を限定はしない。
gmo3回路を構成するNMOSトランジスタ39,40のそれぞれのゲート、ドレインの共通接続点に抵抗45,46の一方の端子が接続され、この抵抗45,46の他方の端子が共通接続され、この共通接続点から検出された同相電圧がオフセット回路を構成するNMOSトランジスタ47のゲートに供給される。このNMOSトランジスタ47と差動増幅回路を構成するNMOSトランジスタ48のゲートには端子T−11から基準電圧(Vref)が供給され、この基準電圧に対して同相電圧との差電圧が増幅されアクティブ負荷を構成するPMOSトランジスタ16とNMOSトランジスタ47のドレイン、PMOSトランジスタ18とNMOSトランジスタ48のドレインから増幅された同相電圧が出力される。
同様に、NMOSトランジスタ47とPMOSトランジスタ16のドレインから出力された同相電圧は、PMOSトランジスタ17,19のゲートにフィードバックされ、同相電圧による入力オフセット電圧がキャンセルされる。
この結果、本発明のゲインコントロール回路10で得られたゲイン可変時のオフセット電圧の変動差は、0.5mV以内であり、従来のゲインコントロール回路の20mVと比較して著しく改善することができる。
更に、PMOSトランジスタ側から流し込む総和電流を高精度にNMOSトランジスタ側(電源の低電位側)の総和電流と揃える必要がなくなっているので、電流の設定を容易にすることができる。
上述したように、出力DCオフセットはこのCMFBの精度には依存するものの、設定ゲイン(Gain)には依存しない。そのために、入力DCオフセットが無いとした場合、AGCのように常にゲインが変動しても、ゲインコントロール(VCA)回路が発するオフセットが必要な入出力AC信号帯域内に混入して除去できなくなるという問題も回避する事が出来る。
例えば、AGCの様に出力振幅一定の動作をすれば、S/Nも一定である(ゲインコントロール回路の前段までのノイズ成分がある場合に関しては、ゲインコントロール回路のゲインに依存する部分もある)。
図2(a)に示すように、特性図の縦軸は減衰量を表し、単位は20dB(デシベル)で+20dBから−80dBの範囲を表す。また横軸は周波数を表し、目盛は100Hz、10K(キロ)Hz、1M(メガ)Hz、100MHz、10G(ギガ)Hzを表す。
図2(b)に示す特性図の縦軸はdB10単位で、+20dBから−40dBの範囲を表し、横軸は図2(a)と同じである。
図2に示すように、本発明のゲインコントロール回路10は、ゲインが+14.7dBのとき、周波数が100Hzから60MHzの範囲でゲイン偏差が−0.1dBで、カットオフ周波数が245MHzである。これに比べて従来のゲインコントロール回路はゲインが+17.1dBのときカットオフ周波数は91MHz、ゲイン偏差は−1.4dBであり、本発明のゲインコントロール回路10の特性は向上している。
減衰量が0dBのとき、本発明のゲインコントロール回路10は、ゲイン偏差は−0.1dBでカットオフ周波数は245MHzであり、一方従来のゲインコントロール回路はゲイン偏差−0.3dB、カットオフ周波数211MHzである。従来のゲインコントロール回路のカットオフ周波数は改善されているが、ゲイン偏差は−0.3dBとやや大きい。
減衰量が40dBのとき、本発明のゲインコントロール回路10はゲイン偏差−0.1dB、カットオフ周波数245MHzである。一方従来のゲインコントロール回路は減衰量−29.7dBのとき、ゲイン偏差−0.1dB、カットオフ周波数385MHzである。
このように、従来のゲインコントロール回路において、減衰量を可変すると、所定の周波数範囲において、ゲイン偏差とカットオフ周波数の変動が大きい。
しかし、本発明のゲインコントロール回路10は、減衰量を可変しても、所定の周波数範囲(100Hz〜60MHz)において、ゲイン偏差は少なくほぼ一定であり、かつカットオフ周波数も変化しない。
例えば、信号経路A、Bと異なる経路の信号を加算、減算する様な演算をする場合においても前記特性の特徴を堅持したまま、夫々の経路のゲインを任意に変え演算が可能となる。gmi回路の電流設定によっては逆相出力も出力できる為、同一回路の電流コントロールのみで演算を加算から減算まで切り替える事も可能になる。
この実施例ではNMOSトランジスタのgmアンプを用いたが、PMOSトランジスタ構成にしても同様の効果は得られる。
また、この実施例はMOSトランジスタを用いて説明したが、同様のトポロジーを用いればバイポーラトランジスタでも実施できる。
図3に光記録再生装置のウォブル検出回路100を示す。なお、これ以外のブロック構成は従来と同じブロック構成であるので、ここでは省略する。
ウォブル検出回路100は、ATT回路(アテネータ;減衰器)101、S/H(サンプルホールド)回路102、SW(スイッチ)回路103、増幅回路(A+D)104、GCA(ゲインコントロール)回路105、LPF(ローパスフィルタ)106、HPF(ハイパスフィルタ)107、Buffer(バッファ)回路108、バランスAGC回路120、バランス調整回路131、LPPDiff回路(ランド・プリ・ピット差動増幅回路)132、GCA(ゲインコントロール回路)133、LPF134、HPF135と、増幅回路(B+C)109、GCA110、LPF111、HPF112、Buffer回路113、増幅回路(AD−BC)136、HPF137、GCA回路138、WOBVCA回路(ウォブル電圧制御回路)139、AAF(アンティ・エイリアシング・フィルタ)回路140、DRV(ドライブ)回路150、D/A(ディジタル/アナログ)変換器151,152などで構成される。
バランスAGC回路120は、図1で示したVCA回路(ゲインコントロール回路)121,122とDET回路(検出器)123,124などで構成される。
信号(A+B)は増幅回路(A+D)104で増幅されて、GCA(ゲインコントロール)回路105に供給される。GCA回路105では、信号のレベルが変動するので、一定の振幅幅になるようにゲインが調整される。
振幅が一定にされたA+B信号がLPF106に供給され、このLPF106で設定されたカットオフ周波数以上のノイズなどを減衰し、HPF107に出力する。HPF107に供給されたA+B信号はHPF107で設定されたカットオフ周波数以下の低域ノイズや低周波である光ディスクの偏心成分などを減衰する。HPF107から出力されたA+B信号はバランスAGC回路120のゲインコントロール(VCA)回路121に供給される。
同様に、増幅回路(B+C)109に入力されたB+C信号も、GCA回路110、LPF111、HPF112、Buffer回路113を介してバランスAGC回路120のゲインコントロール(VCA)回路122に供給される。
さらに、このVCA回路121,122には、図1に示すように、gmo3回路の同相電圧をキャンセルするオフセット回路を設けているので、gmo3回路の端子(T−7,T−8)から出力されるウォブル信号の出力電圧のDCレベルの変動は従来のゲインコントロール回路と比較して非常に少ない。
VCA回路121,122のそれぞれの出力信号がバランス調整回路131に入力され、A+D信号とB+C信号のレベルが調整される。この調整された信号がLPPDiff回路132に出力され、そこで(A+D)−(B+C)の差信号からLPP(ランド・プリ・ピット)信号が抽出される。抽出されたLPP信号はGCA回路133で信号レベルが制御された後LPF134、HPF135に供給される。LPP信号以外のノイズなどが除去されてWOBLPP_P(ウォブル・ランド・プリ・ピットの正相)信号とWOBLPP_N(ウォブル・ランド・プリ・ピットの逆相)信号が導出される。
GCA回路138から出力されたウォブル信号は、WOBVCA回路139に出力され、D/A変換器152からの制御信号により制御される。
WOBVCA回路139から導出されたウォブル信号はAAF回路140、DRV(ドライブ)回路150を介してウォブル信号WOB_P(ウォブル信号の正相)信号とWOB_N(ウォブル信号の逆相)信号が出力される。
また、ゲインコントロール回路の入力段を多段、複数のgm回路で構成できるので、ゲインを主としてコントロールするのとは別にセンターゲイン調整段を設けることができ、多入力演算とゲインコントロールを一度に行う事も可能になる。
また、出力DCレベルが、ゲインコントロールとは独立した形式になっているので、ゲイン可変範囲、及び入出力ダイナミックレンジとは無関係に任意に設定可能となる。
また、複数のゲインコントロール回路を設ける従来の方法に比べ、全てを一つのゲインコントロール回路で実現できる為、素子数削減が出来、レイアウト面積も小さく出来る。
さらに、周波数特性に関しては、MIN(ミニマム)ゲインからMAX(マックス)ゲインまで変動しない為、従来の様に、必要帯域を確保するために、周波数特性マージンを大きく取る必要も無く、消費電流も削減できる。
Claims (11)
- 正相と逆相の信号からなる入力信号が供給され、第1の制御信号により利得が可変され、正相と逆相の信号電流を出力する第1の相互コンダクタンス増幅回路と、
上記入力信号が供給され第2の制御信号により利得が可変され、正相と逆相の信号電流を出力する第2の相互コンダクタンス増幅回路と、
上記第1の相互コンダクタンス増幅回路から出力される正相の信号電流と上記第2の相互コンダクタンス増幅回路から出力される逆相の信号電流が第1のノードで合成され、上記第1の相互コンダクタンス増幅回路から出力される逆相の信号電流と上記第2の相互コンダクタンス増幅回路から出力される正相の信号電流が第2のノードで合成され、該合成時の信号電流の混合比に応じた出力信号電流を、上記第1の制御信号と上記第2の制御信号により設定された相互コンダクタンスを介して導出する相互コンダクタンス負荷回路と、
を有し、
上記相互コンダクタンス負荷回路は、上記第1の制御信号と上記第2の制御信号に基づいて、上記第1の相互コンダクタンス増幅回路と上記第2の相互コンダクタンス増幅回路の動作電流の総和に比例し、かつ変更可能な一定電流で駆動され、相互コンダクタンスが一定値に制御される
ゲインコントロール回路。 - 上記第1の相互コンダクタンス増幅回路と上記第2の相互コンダクタンス増幅回路は、上記入力信号を増幅する差動対をなす2つのトランジスタと、該2つのトランジスタの電流駆動側のノード間に接続された等価抵抗素子と、
をそれぞれに含む請求項1に記載のゲインコントロール回路。 - 上記第1の相互コンダクタンス増幅回路と上記第2の相互コンダクタンス増幅回路は、上記第1の制御信号と上記第2の制御信号に基づいて、上記第1のノードと上記第2のノードで混合される信号電流の混合比を可変して上記出力信号のレベルを制御する
請求項2に記載のゲインコントロール回路。 - 上記第1の相互コンダクタンス増幅回路と上記第2の相互コンダクタンス増幅回路は、上記第1の制御信号と上記第2の制御信号に基づく各相互コンダクタンス増幅回路の動作電流の総和が一定に制御される
請求項1から3の何れか一項に記載のゲインコントロール回路。 - 上記相互コンダクタンス負荷回路は、上記第1と第2の制御信号により、上記第1の相互コンダクタンス増幅回路と上記第2の相互コンダクタンス増幅回路の出力負荷インピーダンスを電流により調整する
請求項1から4の何れか一項に記載のゲインコントロール回路。 - 上記相互コンダクタンス負荷回路は、出力DC電圧のコモンモード電圧をフィードバックしてゲインと独立に任意のDCレベルに設定するオフセット回路を有する
請求項1から5の何れか一項に記載のゲインコントロール回路。 - 光信号を検出してウォブル信号とRF信号を再生し、光ディスクの回転を制御する光記録再生装置であって、
上記ウォブル信号を検出するウォブル検出回路はゲインコントロール回路を有し、
該ゲインコントロール回路は、
正相と逆相の信号からなる入力信号が供給され第1の制御信号により利得が可変され、正相と逆相の信号電流を出力する第1の相互コンダクタンス増幅回路と、
上記入力信号が供給され第2の制御信号により利得が可変され、正相と逆相の信号電流を出力する第2の相互コンダクタンス増幅回路と、
上記第1の相互コンダクタンス増幅回路から出力される正相の信号電流と上記第2の相互コンダクタンス増幅回路から出力される逆相の信号電流が第1のノードで合成され、上記第1の相互コンダクタンス増幅回路から出力される逆相の信号電流と上記第2の相互コンダクタンス増幅回路から出力される正相の信号電流が第2のノードで合成され、該合成時の信号電流の混合比に応じた出力信号電流を、上記第1の制御信号と上記第2の制御信号により設定された相互コンダクタンスを介して導出する相互コンダクタンス負荷回路と、
を有し、
上記相互コンダクタンス負荷回路は、上記第1の制御信号と上記第2の制御信号に基づいて、上記第1の相互コンダクタンス増幅回路と上記第2の相互コンダクタンス増幅回路の動作電流の総和に比例し、かつ変更可能な一定電流で駆動され、相互コンダクタンスが一定値に制御される
光記録再生装置。 - 上記第1の相互コンダクタンス増幅回路と上記第2の相互コンダクタンス増幅回路は、上記入力信号を増幅する差動対をなす2つのトランジスタと、該2つのトランジスタの電流駆動側のノード間に接続された等価抵抗素子と、
をそれぞれに含む請求項7に記載の光記録再生装置。 - 上記第1の相互コンダクタンス増幅回路と上記第2の相互コンダクタンス増幅回路は、上記第1の制御信号と上記第2の制御信号に基づいて、上記第1のノードと上記第2のノードで混合される信号電流の混合比を可変して上記出力信号のレベルを制御する
請求項8に記載の光記録再生装置。 - 上記第1の相互コンダクタンス増幅回路と上記第2の相互コンダクタンス増幅回路は、上記第1の制御信号と上記第2の制御信号に基づく各相互コンダクタンス増幅回路の動作電流の総和が一定に制御される
請求項7から9の何れか一項に記載の光記録再生装置。 - 上記相互コンダクタンス負荷回路は、出力DC電圧のコモンモード電圧をフィードバックしてゲインと独立に任意のDCレベルに設定するオフセット回路を有する
請求項7から10の何れか一項に記載の光記録再生装置。
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