JP5046448B2 - 半導体試験装置及びその試験方法 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、LCDドライバのショート試験を高速に行える半導体試験装置及びその試験方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来技術の例として、LCDドライバを試験する半導体試験装置の要部構成と動作について図4〜図6を参照して説明する。
LCDドライバを試験する半導体試験装置は、被試験デバイスをテストヘッドのICソケットに搭載して各仕様を満たしているかどうかの各種項目の試験を行うが、あらかじめ被試験デバイスの各試験ピンが正しく接続されているかどうかのコンタクト試験をおこない、また隣接ピン間がショートしていないかどうかのショート試験をおこなう。
【0003】
最初に、従来の半導体試験装置によるコンタクト試験について説明する。
図4に示すように、半導体試験装置のコンタクト試験をおこなう要部構成は、テストヘッド80においてプログラマブルロード31、32と、コンパレータ41、42とで構成している。
そして、被試験デバイスのLCDドライバ90のコンタクト試験をおこなう。
但し、図と説明を簡明とするため、LCDドライバの試験ピンを2つとし、半導体試験装置もテストヘッド部のみとし、2ピン分の要部回路のみ示している。
【0004】
被試験デバイスのLCDドライバ90は、液晶ディスプレイ(Liquid Crystal Display Device)をドライブするICで、例えば、384ch、256階調のTFTドライバは、48チャンネルのI/Oピンと、16チャンネルの基準(REF)電圧ピンと、384チャンネルのドライバピンと電源ピン等がある。
【0005】
半導体試験装置のコンパレータ41、42は、LCDドライバ90の出力電圧V1、V2を受けて、ハイ側の電圧VOHとロー側の電圧VOLとで電圧比較して、VOH以上か、VOL以下か、またはVOH>Vo>VOLかをそれぞれ比較出力する電圧比較手段である。
【0006】
プログラマブルロード31、32は、ハイレベル(IOH)側とローレベル(IOL)側の2種類の定電流源による被試験デバイスの負荷であり、スレッショルド電圧VT1、VT2とダイオードのブリッジとにより、それぞれ電流吸引または電流印加をプログラム設定できる定電流源負荷手段である。
【0007】
例えば、図6の(a)に示すように、被試験デバイスの出力電圧Voを0Vとし、下記設定をプログラムした場合、つまり被試験デバイスの出力電圧Voがスレッショルド電圧VTよりも高いとき、ロー側の定電流IOLはダイオードD1を介してスレッショルド電圧VT側へ100μA流れ、ハイ側の定電流IOHはダイオードD4を介して被試験デバイスのピンから100μAの電流を吸引する。
IOL=100μA
IOH=100μA
VT=−1V
【0008】
また、図6の(b)に示すように、被試験デバイスの出力電圧Voを0Vとし、下記設定をプログラムしたとき、つまり被試験デバイスの出力電圧Voがスレッショルド電圧VTよりも低い場合、ロー側の定電流IOLはダイオードD2を介して被試験デバイスのピンへ100μA流れ、ハイ側の定電流IOHはダイオードD3を介してスレッショルド電圧VT側から100μAの電流を吸引する。
IOL=100μA
IOH=100μA
VT=1V
【0009】
次に、半導体試験装置のコンタクト試験方法の具体例について図4を参照して説明する。
例えば、LCDドライバ90の試験ピンP1が正常にコンタクトされていて、試験ピンP2は断線等により正常にコンタクトされていない場合で、下記条件として説明する。
IOL=100μA
IOH=100μA
VT1=VT2=−1V
VOH=−0.6V
VOL=−0.8V
また、コンパレータ41、42のそれぞれのGO/NGの比較判定は下記とする。
VOH以上のときNG
VOHとVOLとの間の範囲のときGO
VOL以下のときNG
【0010】
図4に示すように、LCDドライバ90の試験ピンP1、P2は、デバイスの外側からみた場合、グランドと試験ピン間に寄生する等価ダイオードD11、D12がそれぞれ接続されている。
従って、試験ピンP1のコンタクトが正常であれば、試験ピンP1はプログラマブルロード31に負荷接続されているので、ハイ側の定電流IOHにより電流吸引されてP1の電圧V1として、等価ダイオードD11の順方向電圧−0.7Vを発生する。
そして、そのP1の電圧V1=−0.7Vがコンパレータ41により電圧比較され、VOH=−0.6VとVOL=−0.8Vとの間の範囲となるのでGO判定される。
【0011】
一方、試験ピンP2のコンタクトが正常でなければ、試験ピンP2はプログラマブルロード32に接続されていないから、ハイ側の定電流IOHにより電流吸引されないので、P2の電圧V2として、プログラマブルロード32のスレッショルド電圧VT2=−1Vを発生する。
そして、そのP2の電圧V2=−1Vがコンパレータ42により電圧比較され、VOL=−0.8V以下となるのでNG判定される。
【0012】
次に、半導体試験装置によるショート試験について説明する。
図5に示すように、半導体試験装置のショート試験をおこなう要部構成は、テストヘッド80においてプログラマブルロード31と、コンパレータ41と、DCテストユニット60とで構成している。
そして、被試験デバイスのLCDドライバ90のショート試験をおこなう。
但し、コンタクト試験の場合と同様に、図と説明を簡明とするため、LCDドライバの試験ピンを2つとし、半導体試験装置もテストヘッド部のみとし、2ピン分の要部回路のみ示している。
【0013】
ここで、プログラマブルロード31と、コンパレータ41と、LCDドライバ90とはコンタクト試験において説明したので説明を省略する。
【0014】
DCテストユニット60は、試験ピンに対して電圧印加電流測定及び電流印加電圧測定する機能を有するユニットであり、通常複数ユニット設けて同時に複数ピンの試験ができる。
【0015】
次に、半導体試験装置のショート試験方法の具体例について図5を参照して説明する。
例えば、LCDドライバ90のピンP1とピンP2とがショートしていない場合とショートしている場合とについて下記条件で説明する。
IOL=100μA
IOH=100μA
VT1=−1V
VOH=−0.6V
VOL=−0.8V
DCテストユニットの出力電圧=0V
【0016】
図5に示すように、LCDドライバ90の試験ピンP1、P2は、デバイスの外側からみた場合、グランドとピン間に寄生する等価ダイオードD11、D12が接続されていると見なせる。
そして、試験ピンP1がピンP2とショートしていなければ、試験ピンP1はプログラマブルロード31に負荷接続されているので、ハイ側の定電流IOHにより電流吸引されてP1の電圧V1として、等価ダイオードD11の順方向電圧0.7Vを発生する。
【0017】
そこで、コンパレータ41、42のそれぞれのGO/NGの比較判定は下記とする。
VOH以上のときNG
VOHとVOLとの間の範囲のときGO
VOL以下のときNG
従って、そのP1の電圧V1=−0.7Vがコンパレータ41により電圧比較され、VOH=−0.6VとVOL=−0.8Vとの間となるのでGO判定される。
【0018】
一方、試験ピンP1と試験ピンP2とがショートしていれば、試験ピンP1の電圧V1=V2=0Vとなり、DCテストユニット60からプログラマブルロード31のハイ側の定電流IOHが流れる。
そして、その試験ピンP1の電圧V1=0Vがコンパレータ41により電圧比較され、VOH=−0.6V以上となるのでNG判定される。
【0019】
従って、ショート試験をおこなう場合、LCDドライバの試験ピンが512ピンあれば、例えば、偶数ピンにコンパレータ、プログラマブルロードを負荷接続し、奇数ピンにDCテストユニットを接続して試験すれば、同時に試験できるが、DCテストユニットはコストとスペースの関係で16台位となっているので接続を替えて測定することとなる。
そのため、LCDドライバの試験ピンが512ピン、1024ピンと多数ある場合、ショート試験のための所要試験時間が長くなる。
【0020】
【発明が解決しようとする課題】
上記説明のように、ショート試験をおこなう場合、LCDドライバの試験ピンが多数あれば、例えば、偶数ピンにコンパレータとし、奇数ピンにDCテストユニットを接続して試験すれば、同時に試験できるが、DCテストユニットはコストとスペースの関係で16台位となっているので接続を替えて測定することとなる。
そのため、LCDドライバの試験ピンが多数ある場合、ショート試験のための所要試験時間が長くなる。
そこで、本発明は、こうした問題に鑑みなされたもので、その目的は、LCDドライバのショート試験を高速に行える半導体試験装置を提供することにある。
【0021】
【課題を解決するための手段】
即ち、上記目的を達成するためになされた本発明の第1は、グランドから第1の試験ピンに順方向電流を流す第1のダイオードと、第2の試験ピンから電源ピンに順方向電流を流す第2のダイオードとを有するLCDドライバを試験する半導体試験装置において、LCDドライバの電源ピンに0Vの電圧をプログラム設定して供給する電源手段と、LCDドライバの第1の試験ピンの電圧を受けて負のハイ側の電圧と負のロー側の電圧とで比較する第1のコンパレータと、該第1のコンパレータに接続されて電流吸引する第1の定電流源負荷手段と、LCDドライバの第2の試験ピンの電圧を受けて正のハイ側の電圧と正のロー側の電圧とで比較する第2のコンパレータと、該第2のコンパレータに接続され電流印加する第2の定電流源負荷手段と、を具備して、前記第1の試験ピンと第2の試験ピンのコンタクト試験とショート試験とを同時におこなえることを特徴とした半導体試験装置を要旨としている。
【0022】
また、上記目的を達成するためになされた本発明の第2は、
前記第1の定電流源負荷手段と第2の定電流源負荷手段とは、プログラムでスレッショルド電圧を設定して、定電流を吸引または印加できる負荷である請求項1記載の半導体試験装置を要旨としている。
【0023】
また、上記目的を達成するためになされた本発明の第3は、
本発明の第1又は2記載の半導体試験装置の試験方法において、
前記電源手段からLCDドライバの電源ピンに0Vの電圧を供給し、
前記第1の定電流源負荷手段により前記第1の試験ピンから電流吸引する負電圧を設定し、
前記第2の定電流源負荷手段により前記第2の試験ピンに電流印加する正電圧を設定し、
前記第1のコンパレータと第2のコンパレータにより電圧比較して、コンタクト試験とショート試験とを同時におこなうことを特徴とした半導体試験装置の試験方法を要旨としている。
【0024】
【発明の実施の形態】
本発明のLCDドライバを試験する半導体試験装置の要部構成と動作について図1〜図3を参照して説明する。
LCDドライバを試験する本発明の半導体試験装置は、被試験デバイスの試験ピンが正しく搭載されて接続されているかどうかのコンタクト試験と、隣接ピン間がショートしていないかどうかのショート試験とを同時におこなう。
【0025】
図1に示すように、半導体試験装置の要部構成は、テストヘッド80においてプログラマブルロード31、32と、コンパレータ41、42と、プログラマブル電源70とで構成している。
そして、被試験デバイスのLCDドライバ90のコンタクト試験とショート試験とをおこなう。
但し、図と説明を簡明とするため、LCDドライバの試験ピンを2つ、電源ピンを1つとし、半導体試験装置もテストヘッド部のみとし、2ピン分の要部回路のみ示している。
【0026】
被試験デバイスのLCDドライバ90と、プログラマブルロード31、32と、コンパレータ41、42と、LCDドライバ90については従来技術において説明したので説明を省略する。
【0027】
プログラマブル電源70は、被試験デバイスのLCDドライバ90にプログラムした所定の定電圧を電源ピンPvに供給する電源手段であり、電源電流測定機能を有するものもある。
【0028】
次に、半導体試験装置のコンタクト試験方法の具体例について下記条件とし図1を参照して説明する。
IOL=100μA
IOH=100μA
VT1=−1V
VT2=1V
VOH1=−0.6V
VOL1=−0.8V
VOH2=0.8V
VOL2=0.6V
プログラマブル電源の出力電圧Pv=0V
【0029】
図1に示すように、LCDドライバ90の試験ピンP1、P2は、デバイスの外側からみた場合、グランドと試験ピン間に寄生する等価ダイオードD11、D12がそれぞれ接続され、電源と試験ピン間に寄生する等価ダイオードD21、D22がそれぞれ接続されていると見なせる。
【0030】
そして、試験ピンP1のコンタクトが正常であれば、試験ピンP1はプログラマブルロード31に負荷接続されているので、ハイ側の定電流IOHにより電流吸引されてP1の電圧V1として、等価ダイオードD11の順方向電圧−0.7Vを発生する。
【0031】
そこで、コンパレータ41のGO/NGの比較判定は下記とする。
VOH1以上のときNG
VOH1とVOL1との間の範囲のときGO
VOL1以下のときNG
【0032】
従って、試験ピンP1の電圧V1=−0.7Vがコンパレータ41により電圧比較され、VOH1=−0.6VとVOL1=−0.8Vとの間の範囲となるのでGO判定される。
【0033】
また、試験ピンP2のコンタクトが正常であれば、試験ピンP2はプログラマブルロード32に負荷接続されているので、ロー側の定電流IOLにより電流印加されてP2の電圧V2として、等価ダイオードD22の順方向電圧0.7Vを発生する。
【0034】
そこで、コンパレータ42のGO/NGの比較判定は下記とする。
VOH2以上のときNG
VOH2とVOL2との間の範囲のときGO
VOL2以下のときNG
【0035】
そして、そのP2の電圧V2=0.7Vがコンパレータ42により電圧比較され、VOH2=0.6VとVOL2=0.8Vとの間の範囲となるのでGO判定される。
【0036】
一方、図2に示すように、試験ピンP1のコンタクトが断線等により正常でなければ、試験ピンP1は負荷のプログラマブルロード31に実質的に接続されていないから、ハイ側の定電流IOHにより電流吸引されないので、P1の電圧V1として、プログラマブルロード3のスレッショルド電圧VT1=−1Vと同じになる。そして、そのピンP1の電圧V1=−1Vがコンパレータ41により電圧比較され、VOL1=−0.8Vよりも下となるのでNG判定される。
【0037】
また、図2に示すように、試験ピンP2のコンタクトが断線等により正常でなければ、試験ピンP2は負荷のプログラマブルロード32に実質的に接続されていないから、ロー側の定電流IOLにより電流印加されないので、P1の電圧V1として、プログラマブルロード32のスレッショルド電圧VT2=1Vと同じになる。そして、そのピンP2の電圧V2=1Vがコンパレータ42により電圧比較され、VOH2=0.8Vよりも上となるのでNG判定される。
【0038】
次に、本発明の半導体試験装置のショート試験の具体例について図3を参照して説明する。
例えば、コンタクト試験と同じ下記条件設定した場合に、LCDドライバ90のピンP1とピンP2とがショートしているとする。
IOL=100μA
IOH=100μA
VT1=−1V
VT2=1V
VOH1=−0.6V
VOL1=−0.8V
VOH2=0.8V
VOL2=0.6V
プログラマブル電源の出力電圧Pv=0V
【0039】
また、コンパレータ41のGO/NGの比較判定はコンタクト試験と同じ下記とする。
VOH1以上のときNG
VOH1とVOL1との間の範囲のときGO
VOL1以下のときNG
同様に、コンパレータ42のGO/NGの比較判定はコンタクト試験と同じ下記とする。
VOH2以上のときNG
VOH2とVOL2との間の範囲のときGO
VOL2以下のときNG
【0040】
図3に示すように、試験ピンP1がピンP2とショートしていれば、プログラマブルロード32のロー側の定電流IOLは、試験ピンP2と試験ピンP1を介してプログラマブルロード31のハイ側電流IOHとして電流吸引される。
また、プログラマブルロード32のハイ側の定電流IOHはスレッショルド電圧VT2側から吸引し、プログラマブルロード31のロー側の電流IOLはスレッショルド電圧VT1側へ流れる。
【0041】
そして、プログラマブルロード31とプログラマブルロード32の各ダイオードの順方向電圧特性が同じであれば、LCDドライバのピンP1の電圧V1とピンP2の電圧V2は、スレッショルド電圧VT1とVT2との中間値の電圧0Vとなる。
【0042】
さらに、試験ピンP1の電圧V1=0Vがコンパレータ41により電圧比較され、VOH1よりも上となるのでNG判定される。また、試験ピンP2の電圧V2=0Vがコンパレータ42により電圧比較され、VOL2よりも下となるのでNG判定される。つまり、試験ピン1と試験ピン2とは、ショートしていると判定できる。
【0043】
従って、本発明の半導体試験装置においては、コンタクト試験と同時にショート試験もおこなうことができるのでショート試験の時間が不要となり、LCDドライバの試験ピンが512ピン、1024ピンと多数ある場合は試験時間の短縮効果が大きい。
【0044】
【発明の効果】
本発明は、以上説明したような形態で実施され、以下に記載されるような効果を奏する。
即ち、本発明の半導体試験装置においては、コンタクト試験と同時にショート試験もおこなうことができるのでショート試験の時間が不要となり、LCDドライバの試験ピンが512ピン、1024ピンと多数ある場合は試験時間の短縮効果も大きい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体試験装置の要部回路図である。
【図2】本発明の半導体試験装置のコンタクト試験の要部回路図である。
【図3】本発明の半導体試験装置のショート試験の要部回路図である。
【図4】従来の半導体試験装置のコンタクト試験の要部回路図である。
【図5】従来の半導体試験装置のショート試験の要部回路図である。
【図6】プログラマブルロードの回路図である。
【符号の説明】
D1、D2、D3、D4 ダイオード
D11、D12、D21、D22 等価ダイオード
P1、P2 ピン
Pv 電源ピン
31、32 プログラマブルロード
41、42 コンパレータ
60 DCテストユニット
70 プログラマブル電源
80 テストヘッド
90 LCDドライバ

Claims (3)

  1. グランドから第1の試験ピンに順方向電流を流す第1のダイオードと、第2の試験ピンから電源ピンに順方向電流を流す第2のダイオードとを有するLCDドライバを試験する半導体試験装置において、
    LCDドライバの電源ピンに0Vの電圧をプログラム設定して供給する電源手段と、
    LCDドライバの第1の試験ピンの電圧を受けて負のハイ側の電圧と負のロー側の電圧とで比較する第1のコンパレータと、
    該第1のコンパレータと第1の試験ピンとの間に接続されて電流吸引する第1の定電流源負荷手段と、
    LCDドライバの第2の試験ピンの電圧を受けて正のハイ側の電圧と正のロー側の電圧とで比較する第2のコンパレータと、
    該第2のコンパレータと第2の試験ピンとの間に接続されて電流印加する第2の定電流源負荷手段と、
    を具備して、前記第1の試験ピンと第2の試験ピンのコンタクト試験とショート試験とを同時におこなえることを特徴とした半導体試験装置。
  2. 前記第1の定電流源負荷手段と第2の定電流源負荷手段とは、プログラムでスレッショルド電圧を設定して、定電流を吸引または印加できる負荷である請求項1記載の半導体試験装置。
  3. 請求項1又は2記載の半導体試験装置の試験方法において、
    前記電源手段からLCDドライバの電源ピンに0Vの電圧を供給し、
    前記第1の定電流源負荷手段により前記第1の試験ピンから電流吸引する負のスレッショルド電圧を設定し、
    前記第2の定電流源負荷手段により前記第2の試験ピンに電流印加する正のスレッショルド電圧を設定し、
    前記第1のコンパレータにより、LCDドライバの前記第1の試験ピンの電圧を受けて負のハイ側の電圧と負のロー側の電圧とで比較し、
    前記第2のコンパレータにより、LCDドライバの前記第2の試験ピンの電圧を受けて正のハイ側の電圧と正のロー側の電圧とで比較して、
    コンタクト試験とショート試験とを同時におこなうことを特徴とした半導体試験装置の試験方法。
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Tyulevin et al. Methods of the learning experiment of bipolar microcircuits

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