JP5029209B2 - Electro-optical device and projection display device - Google Patents

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Description

本発明は、液晶装置などの電気光学装置、該電気光学装置の製造方法、および当該電気光学装置を備えた投射型表示装置に関するものである。   The present invention relates to an electro-optical device such as a liquid crystal device, a method for manufacturing the electro-optical device, and a projection display device including the electro-optical device.

電気光学装置では、配線領域の確保や混色防止を目的に縦横に延在する格子状の遮光領域を設け、この遮光領域で囲まれた画素開口領域から変調光を出射する。例えば、代表的な電気光学装置である液晶装置は、図14(a)に示すように、画素電極が形成された素子基板10と、この素子基板10に対向配置された対向基板20と、素子基板10と対向基板20との間に保持された液晶層50とを備えており、素子基板10において配線および画素スイッチング用のトランジスタが形成された領域14、および対向基板20においてブラックマトリクスやブラックストライプと称せられる遮光層24が形成された領域によって、遮光領域100cが規定され、遮光領域100cの内側は、画素電極を備えた画素開口領域100dになっている。このように構成した液晶装置は、素子基板10の側から入射した光を液晶層50によって光変調した後、対向基板20から出射する構成、あるいは、対向基板20の側から入射した光を液晶層50によって光変調した後、素子基板10から出射する構成になっているため、入射光を効率よく利用するには、入射光を画素開口領域100dに効率よく導く必要がある。   In the electro-optical device, a grid-like light shielding region extending vertically and horizontally is provided for the purpose of securing a wiring region and preventing color mixing, and modulated light is emitted from a pixel opening region surrounded by the light shielding region. For example, as shown in FIG. 14A, a liquid crystal device, which is a typical electro-optical device, includes an element substrate 10 on which pixel electrodes are formed, a counter substrate 20 disposed opposite to the element substrate 10, and an element A liquid crystal layer 50 held between the substrate 10 and the counter substrate 20 is provided. In the element substrate 10, a region 14 in which wiring and pixel switching transistors are formed, and in the counter substrate 20, a black matrix and a black stripe are provided. A light shielding region 100c is defined by a region where the light shielding layer 24, which is referred to as “a”, is formed. Inside the light shielding region 100c is a pixel opening region 100d having a pixel electrode. The liquid crystal device configured as described above is configured such that light incident from the element substrate 10 side is modulated by the liquid crystal layer 50 and then emitted from the counter substrate 20, or light incident from the counter substrate 20 side is liquid crystal layer. Since the light is modulated by 50 and then emitted from the element substrate 10, in order to efficiently use the incident light, it is necessary to efficiently guide the incident light to the pixel opening region 100d.

そこで、対向基板20の側から入射した光を液晶層50によって光変調した後、素子基板10から出射する構造の液晶装置においては、図14(a)、(b)において、対向基板20側において遮光領域100cと重なる領域に、入射光を画素開口領域100dに導く反射性の斜面261を備えた断面V字形状の偏向溝26(図14(b)において右下がりの斜線を付した領域)を縦横に形成した偏向用基板20eを用いることが提案されている(特許文献1参照)。
特開2006−215427号公報
Accordingly, in a liquid crystal device having a structure in which light incident from the counter substrate 20 side is modulated by the liquid crystal layer 50 and then emitted from the element substrate 10, in FIG. 14A and FIG. In a region overlapping with the light shielding region 100c, a deflection groove 26 having a V-shaped cross section having a reflective slope 261 that guides incident light to the pixel opening region 100d (a region with a diagonal line slanting to the right in FIG. 14B). It has been proposed to use a deflection substrate 20e formed vertically and horizontally (see Patent Document 1).
JP 2006-215427 A

図14(a)、(b)に示すような偏向溝26を形成するには、図15(a)に示すように、偏向溝26を形成するためのエッチング対象領域に対応する開孔部61を備えたレジストマスク60を偏向用基板20eに形成した後、偏向用基板20eの基板面およびレジストマスク60にドライエッチングを行う。その際、偏向用基板20eとレジストマスク60とのエッチング選択比を例えば4:1とすれば、図15(b)に示すように、レジストマスク60の厚みに対して略4倍の深さを有する断面V字形状の偏向溝26を形成することができる。偏向溝26を形成した後は、図14(a)に示すように、偏向用基板20eより屈折率が低い樹脂材料や空気などの低屈折率材料267を偏向溝62に充填した状態で、偏向用基板20eの基板面に接着剤20fを介してカバー基板20gを貼り付けた後、カバー基板20gの表面に遮光層24および共通電極21を順に形成し、対向基板20を得る。   In order to form the deflection groove 26 as shown in FIGS. 14A and 14B, as shown in FIG. 15A, the opening 61 corresponding to the etching target region for forming the deflection groove 26 is formed. Is formed on the deflecting substrate 20e, and then the substrate surface of the deflecting substrate 20e and the resist mask 60 are dry-etched. At this time, if the etching selection ratio between the deflecting substrate 20e and the resist mask 60 is, for example, 4: 1, the depth is approximately four times the thickness of the resist mask 60 as shown in FIG. The deflection groove 26 having a V-shaped cross section can be formed. After the deflection groove 26 is formed, the deflection groove 62 is filled with a low refractive index material 267 such as a resin material or air having a lower refractive index than that of the deflection substrate 20e, as shown in FIG. After the cover substrate 20g is attached to the substrate surface of the working substrate 20e via the adhesive 20f, the light shielding layer 24 and the common electrode 21 are sequentially formed on the surface of the cover substrate 20g to obtain the counter substrate 20.

しかしながら、偏向用基板20eの基板面およびレジストマスク60にドライエッチングを行なった際、レジストマスク60を平面的にみた場合の角部分において、偏向用基板20eは、角部分を介して隣接する両辺からのエッチングを受けて他の部分よりも速くエッチングされるため、図14(b)に示すように、偏向溝26を縦横に交差するパターンに形成しようとすると、偏向溝26において縦方向への延在部と横方向の延在部との交差部分では、横方向に大幅にエッチングされる結果、図14(b)に点線260で示すように、偏向溝26が画素開口領域100dに大きくはみ出してしまうという問題点がある。その結果、偏向溝26において画素開口領域100dに大きくはみ出してしまう部分では、入射光が所定の方向に反射されず、入射光の利用効率の低下や迷光が発生するという問題点がある。   However, when dry etching is performed on the substrate surface of the deflection substrate 20e and the resist mask 60, the deflection substrate 20e is seen from both sides adjacent to each other through the corner portion when the resist mask 60 is viewed in plan. As shown in FIG. 14B, when the deflection groove 26 is formed in a pattern intersecting vertically and horizontally, the deflection groove 26 extends in the longitudinal direction. As a result of the significant etching in the lateral direction at the intersection between the existing part and the extending part in the lateral direction, the deflection groove 26 protrudes greatly into the pixel opening region 100d as indicated by the dotted line 260 in FIG. There is a problem that. As a result, there is a problem in that the incident light is not reflected in a predetermined direction at the portion of the deflection groove 26 that protrudes greatly to the pixel opening region 100d, and the utilization efficiency of the incident light is reduced and stray light is generated.

上記課題を解決するために、本発明において、互いに交差する第1方向および第2方向に延在する格子状の遮光領域を有する素子基板と、入射光を前記遮光領域の内側の画素開口領域へ反射させる斜面を備えた断面V字形状の溝が前記遮光領域と重なる領域に沿って形成された対向基板とを備え前記溝の前記第1方向に延びた第1延在部および前記第2方向に延びた第2延在部のうちの少なくとも一方には、前記溝の前記第1延在部と前記第2延在部と交差を避けるための途切れ部分が設けられており、前記対向基板は、前記遮光領域と重なる領域に遮光層を備えておらず、前記遮光領域は、前記素子基板に形成された遮光層のみにより規定されていることを特徴とする。
In order to solve the above-described problem, in the present invention, an element substrate having a grid-like light shielding region extending in a first direction and a second direction intersecting each other , and incident light to a pixel opening region inside the light shielding region. A groove having a V-shaped cross section having a slope to be reflected is formed on a counter substrate formed along a region overlapping with the light shielding region, and the first extending portion and the second extending in the first direction of the groove . at least one hand of the second extending portion extending in the direction, break portion is provided to avoid the intersection of the first extending portion and the second extending portion of the groove, the facing The substrate does not include a light shielding layer in a region overlapping with the light shielding region, and the light shielding region is defined only by the light shielding layer formed on the element substrate .

また、前記溝は、前記対向基板の透光性を有する基板本体に形成されている。The groove is formed in the substrate body having translucency of the counter substrate.

本発明では、互いに交差する第1方向および第2方向に延在する格子状の遮光領域と、該遮光領域の内側領域で変調光を出射するための複数の画素開口領域とを有する電気光学装置の製造方法において、入射光を前記画素開口領域に導く反射性斜面を備えた断面V字形状の偏向溝が前記遮光領域と重なる領域に沿って形成された偏向用基板を製造するにあたって、前記偏向用基板の基板面にエッチングを行なって前記偏向溝を形成するエッチング工程では、前記偏向溝において前記第1方向に延びた第1延在部を形成すべき第1エッチング対象領域および前記第2方向に延びた第2延在部を形成すべき第2エッチング対象領域のうちの少なくとも一方には、前記偏向溝における前記第1方向と前記第2方向との交差部分での前記第1エッチング対象領域と前記第2エッチング対象領域とのX字状交差を避けるための途切れ部分を設けることを特徴とする。   In the present invention, an electro-optical device having a lattice-shaped light shielding region extending in a first direction and a second direction intersecting each other, and a plurality of pixel opening regions for emitting modulated light in an inner region of the light shielding region When manufacturing a deflection substrate in which a deflection groove having a V-shaped cross section having a reflective slope for guiding incident light to the pixel opening region is formed along a region overlapping the light shielding region, the deflection is performed. In the etching step of forming the deflection groove by etching the substrate surface of the working substrate, the first etching target region and the second direction in which the first extension portion extending in the first direction is formed in the deflection groove At least one of the second etching target regions in which the second extension portion extending in the direction is to be formed includes the first etchant at the intersection of the first direction and the second direction in the deflection groove. And providing a discontinuity portion to avoid X-shaped intersection between the target area and the second etching target region.

本発明では、偏向用基板に形成した断面V字形状の偏向溝によって入射光を画素開口領域に効率よく導くため、入射光の利用効率を高めることができる。また、偏向溝は第1方向に延びた第1延在部と第2方向に延びた第2延在部とを備えているが、第1延在部および第2延在部のうちの少なくとも一方には、第1延在部と第2延在部とのX字状交差を避けるための途切れ部分が設けられている。言い換えると、偏向用基板を製造する際、第1延在部を形成すべき第1エッチング対象領域および第2延在部を形成すべき第2エッチング対象領域のうちの少なくとも一方には、第1エッチング対象領域と第2エッチング対象領域とのX字形状の交差を避けるための途切れ部分を設けてある。このため、偏向溝が横方向に大幅にエッチングされて画素開口領域に大きくはみ出すことを防止することができる。すなわち、偏向用基板の基板面をエッチングして偏向溝を形成する際、第1延在部(第1エッチング対象領域)と第2延在部(第2エッチング対象領域)とが交差する角部分では、他の領域に比して基板面が横方向に大幅にエッチングされるので、第1延在部(第1エッチング対象領域)と第2延在部(第2エッチング対象領域)とがX字形状の交差を形成すると、4つの角部分のいずれにも、偏向溝が画素開口領域に大きくはみ出した部分が発生し、入射光の利用効率の低下や迷光が発生するが、本発明では、第1延在部(第1エッチング対象領域)および第2延在部(第2エッチング対象領域)の少なくも一方には、X字形状の交差を避けるための途切れ部分を設けてあるので、4つの角部分で偏向溝が画素開口領域に大きくはみ出すのを防止することができ、入射光の利用効率の低下や迷光の発生を防止することができる。   In the present invention, the incident light is efficiently guided to the pixel opening region by the deflection groove having a V-shaped cross section formed on the deflection substrate, so that the utilization efficiency of the incident light can be increased. The deflection groove includes a first extension portion extending in the first direction and a second extension portion extending in the second direction, and at least one of the first extension portion and the second extension portion. On one side, an interrupted portion for avoiding an X-shaped intersection between the first extending portion and the second extending portion is provided. In other words, when manufacturing the deflection substrate, at least one of the first etching target region in which the first extension portion should be formed and the second etching target region in which the second extension portion should be formed has the first An interrupted portion is provided to avoid an X-shaped intersection between the etching target region and the second etching target region. For this reason, it is possible to prevent the deflection groove from being greatly etched in the lateral direction and protruding to the pixel opening region. That is, when the deflection groove is formed by etching the substrate surface of the deflection substrate, the corner portion where the first extension portion (first etching target region) and the second extension portion (second etching target region) intersect. Then, since the substrate surface is significantly etched in the lateral direction as compared with other regions, the first extending portion (first etching target region) and the second extending portion (second etching target region) are X When the crossing of the letter shape is formed, a portion where the deflection groove protrudes greatly in the pixel opening region occurs in any of the four corner portions, and the use efficiency of incident light is reduced and stray light is generated. Since at least one of the first extending portion (first etching target region) and the second extending portion (second etching target region) is provided with a discontinuous portion for avoiding an X-shaped intersection, 4 The deflection groove protrudes greatly into the pixel opening area at one corner. Can be prevented, it is possible to prevent the occurrence of degradation or stray light utilization efficiency of the incident light.

本発明に係る電気光学装置を液晶装置として構成する場合には、透光性の画素電極、画素トランジスタおよび配線が形成された透光性の素子基板と、該素子基板に対向配置された透光性の対向基板と、前記素子基板と前記対向基板との間に保持された液晶層とを備え、前記遮光領域は、前記画素トランジスタおよび前記配線の形成領域を含んでいる構成となる。   When the electro-optical device according to the present invention is configured as a liquid crystal device, a light-transmitting element substrate on which a light-transmitting pixel electrode, a pixel transistor, and a wiring are formed, and a light-transmitting element disposed opposite to the element substrate And a liquid crystal layer held between the element substrate and the counter substrate, and the light shielding region includes the pixel transistor and the wiring formation region.

本発明において、前記対向基板は、前記遮光領域と重なる領域に遮光層を備えておらず、前記遮光領域は、前記素子基板に形成された遮光層のみにより規定されていることが好ましい。本発明では、偏向用基板に形成した断面V字形状の偏向溝によって入射光を画素開口領域に導くため、対向基板には、ブラックマトリクスやブラックストライプなどと称せられる遮光層を設ける必要がないので、その分、製造工程数を減らすことができる。   In the present invention, it is preferable that the counter substrate does not include a light shielding layer in a region overlapping with the light shielding region, and the light shielding region is defined only by the light shielding layer formed on the element substrate. In the present invention, since incident light is guided to the pixel aperture region by a V-shaped deflection groove formed on the deflection substrate, it is not necessary to provide a light shielding layer called a black matrix or a black stripe on the counter substrate. Therefore, the number of manufacturing steps can be reduced accordingly.

本発明において、前記偏向用基板は、前記対向基板の側に含まれていることが好ましい。   In the present invention, it is preferable that the deflection substrate is included on the counter substrate side.

本発明において、前記第1延在部および前記第2延在部のうちの一方の延在部は連続して一体に延在し、他方の延在部は、前記一方の延在部を挟む両側に前記途切れ部分をもって断続的に延在していることが好ましい。このように構成すると、第1延在部と第2延在部とが交わる箇所が一切ないので、偏向溝における第1方向と第2方向との交差部分に、偏向溝が画素開口領域に大きくはみ出した部分が発生するのを完全に防止することができる。   In the present invention, one of the first extension part and the second extension part extends continuously and integrally, and the other extension part sandwiches the one extension part. It is preferable to extend intermittently with the discontinuous portions on both sides. With this configuration, since there is no place where the first extension portion and the second extension portion intersect, the deflection groove is large in the pixel opening region at the intersection of the first direction and the second direction in the deflection groove. It is possible to completely prevent the protruding portion from occurring.

本発明において、前記偏向溝は、前記複数の交差部分のうちの1つを基点として前記第1方向で隣接する別の前記交差部分および前記第2方向で隣接するさらに別の交差部分に向けて延びた複数のL字部分が、当該L字部分同士が離間する位置に互いに同一の向きに配列されてなる構成を採用してもよい。このように構成すると、偏向溝における第1方向と第2方向との交差部分には、L字部分の内側のみに、偏向溝が画素開口領域に大きくはみ出した部分が発生するだけであるため、入射光の利用効率の低下や迷光がほとんど発生しない。   In the present invention, the deflection groove may be directed to another intersection portion adjacent in the first direction and another intersection portion adjacent in the second direction with one of the plurality of intersection portions as a base point. A configuration in which a plurality of extended L-shaped portions are arranged in the same direction at positions where the L-shaped portions are separated from each other may be employed. With this configuration, the portion where the deflection groove protrudes greatly from the pixel opening region is generated only at the inner side of the L-shaped portion at the intersection between the first direction and the second direction in the deflection groove. Decrease in utilization efficiency of incident light and stray light hardly occur.

本発明において、前記偏向溝内には、前記斜面を覆うように金属材料が反射性付与材料として形成されていることが好ましい。   In the present invention, it is preferable that a metal material is formed as a reflectivity-imparting material in the deflection groove so as to cover the slope.

本発明において、前記偏向溝内には、前記斜面を覆うように前記偏向用基板よりも屈折率が低い反射性付与材料が配置されている構成を採用してもよい。   In this invention, you may employ | adopt the structure by which the reflectivity provision material whose refractive index is lower than the said board | substrate for deflection | deviation is arrange | positioned in the said deflection groove so that the said slope may be covered.

本発明において、前記偏向溝内は、前記反射性付与材料、あるいは前記反射性付与材料に加えて他の充填材により埋められて、前記偏向用基板において前記偏向溝が開口する基板面が平坦化されていることが好ましい。このように構成すると、偏向用基板において偏向溝が開口する基板面に直接、電極などを形成することができ、偏向用基板において偏向溝が開口する基板面にカバー基板を貼り付ける必要がない。   In the present invention, the deflection groove is filled with the reflectivity-imparting material or another filler in addition to the reflectivity-imparting material, and the substrate surface on which the deflection groove opens in the deflection substrate is flattened. It is preferable that With this configuration, an electrode or the like can be formed directly on the surface of the deflection substrate where the deflection groove opens, and there is no need to attach a cover substrate to the surface of the deflection substrate where the deflection groove opens.

本発明に係る電気光学装置を投射型表示装置に用いることが好ましく、この場合、投射型表示装置は、光源部および投射光学系を有し、前記光源部から出射された光を前記電気光学装置に入射させ、当該電気光学装置により光変調した光を前記投射光学系により投射する。投射型表示装置の場合には特に、入射光の利用効率が高いことが求められることから、本発明を電気光学装置に適用した場合の効果が顕著である。   The electro-optical device according to the present invention is preferably used for a projection display device. In this case, the projection display device has a light source unit and a projection optical system, and the light emitted from the light source unit is transmitted to the electro-optical device. Then, the light optically modulated by the electro-optical device is projected by the projection optical system. Particularly in the case of a projection display device, since the use efficiency of incident light is required to be high, the effect when the present invention is applied to an electro-optical device is remarkable.

本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記エッチング工程では、前記偏向用基板に対して、前記第1エッチング対象領域および前記第2エッチング対象領域に対応する開孔部を備えたエッチングマスクを形成するマスク形成工程と、前記偏向用基板および前記エッチングマスクに対してドライエッチングを行なうドライエッチング工程とを行なう。   In the method of manufacturing an electro-optical device according to the invention, in the etching step, an etching mask provided with an opening corresponding to the first etching target region and the second etching target region is provided in the deflection substrate. A mask forming step to be formed and a dry etching step of performing dry etching on the deflection substrate and the etching mask are performed.

本発明において、前記エッチング工程では、前記偏向用基板に対して、前記第1エッチング対象領域および前記第2エッチング対象領域に沿ってレーザビームを照射するレーザエッチングを行なってもよい。   In the present invention, in the etching step, laser etching for irradiating the deflection substrate with a laser beam along the first etching target region and the second etching target region may be performed.

図面を参照して、本発明を適用した電気光学装置(液晶装置)を用いた投射型表示装置、電気光学装置、および電気光学装置の製造方法を説明する。なお、対応関係を明確化することを目的に、以下の説明では、図14および図15を参照して説明した構成と同一の機能を有する部分には同一の符号を付して説明する。また、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。   With reference to the drawings, a projection display device using an electro-optical device (liquid crystal device) to which the present invention is applied, an electro-optical device, and a method for manufacturing the electro-optical device will be described. For the purpose of clarifying the correspondence, in the following description, parts having the same functions as those described with reference to FIGS. 14 and 15 are denoted by the same reference numerals. In the drawings referred to in the following description, the scales are different for each layer and each member so that each layer and each member have a size that can be recognized on the drawing.

[実施の形態1]
[投射型表示装置の構成]
図1を参照して、本発明の実施の形態1に係る電気光学装置をライトバルブとして用いた投射型表示装置を説明する。図1は、本発明を適用した投射型表示装置の概略構成図である。
[Embodiment 1]
[Configuration of Projection Display Device]
With reference to FIG. 1, a projection display device using the electro-optical device according to the first embodiment of the present invention as a light valve will be described. FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a projection display device to which the present invention is applied.

図1に示す投射型表示装置110は、観察者側に設けられたスクリーン111(被投射面)に光を照射し、このスクリーン111で反射した光を観察する。投射型表示装置110は、光源112、ダイクロイックミラー113、114、およびリレー系120などを備えた光源部140と、液晶ライトバルブ115〜117と、クロスダイクロイックプリズム119(合成光学系)と、投射光学系118とを備えている。   The projection display device 110 shown in FIG. 1 irradiates light on a screen 111 (projected surface) provided on the viewer side, and observes the light reflected by the screen 111. The projection display apparatus 110 includes a light source unit 140 including a light source 112, dichroic mirrors 113 and 114, a relay system 120, liquid crystal light valves 115 to 117, a cross dichroic prism 119 (combining optical system), and projection optics. System 118.

光源112は、赤色光、緑色光および青色光を含む光を供給する超高圧水銀ランプで構成されている。ダイクロイックミラー113は、光源112からの赤色光を透過させると共に緑色光および青色光を反射する構成となっている。また、ダイクロイックミラー114は、ダイクロイックミラー113で反射された緑色光および青色光のうち青色光を透過させると共に緑色光を反射する構成となっている。このように、ダイクロイックミラー113、114は、光源112から出射した光を赤色光と緑色光と青色光とに分離する色分離光学系を構成する。   The light source 112 is composed of an ultrahigh pressure mercury lamp that supplies light including red light, green light, and blue light. The dichroic mirror 113 is configured to transmit red light from the light source 112 and reflect green light and blue light. The dichroic mirror 114 is configured to transmit blue light and reflect green light among green light and blue light reflected by the dichroic mirror 113. Thus, the dichroic mirrors 113 and 114 constitute a color separation optical system that separates the light emitted from the light source 112 into red light, green light, and blue light.

ダイクロイックミラー113と光源112との間には、インテグレータ121および偏光変換素子122が光源112から順に配置されている。インテグレータ121は、光源112から照射された光の照度分布を均一化する構成となっている。また、偏光変換素子122は、光源112からの光を例えばs偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする構成となっている。   Between the dichroic mirror 113 and the light source 112, an integrator 121 and a polarization conversion element 122 are sequentially arranged from the light source 112. The integrator 121 is configured to make the illuminance distribution of the light emitted from the light source 112 uniform. Further, the polarization conversion element 122 is configured to change the light from the light source 112 into polarized light having a specific vibration direction such as s-polarized light.

液晶ライトバルブ115は、ダイクロイックミラー113を透過して反射ミラー123で反射した赤色光を画像信号に応じて変調する透過型の電気光学装置(液晶装置)である。液晶ライトバルブ115は、λ/2位相差板115a、第1偏光板115b、液晶パネル115cおよび第2偏光板115dを備えている。ここで、液晶ライトバルブ115に入射する赤色光は、ダイクロイックミラー113を透過しても光の偏光は変化しないことから、s偏光のままである。   The liquid crystal light valve 115 is a transmissive electro-optical device (liquid crystal device) that modulates red light transmitted through the dichroic mirror 113 and reflected by the reflecting mirror 123 in accordance with an image signal. The liquid crystal light valve 115 includes a λ / 2 phase difference plate 115a, a first polarizing plate 115b, a liquid crystal panel 115c, and a second polarizing plate 115d. Here, the red light incident on the liquid crystal light valve 115 remains s-polarized light because the polarization of the light does not change even if it passes through the dichroic mirror 113.

λ/2位相差板115aは、液晶ライトバルブ115に入射したs偏光をp偏光に変換する光学素子である。また、第1偏光板115bは、s偏光を遮断してp偏光を透過させる偏光板である。液晶パネル115cは、p偏光を画像信号に応じた変調によってs偏光(中間調であれば円偏光又は楕円偏光)に変換する構成となっている。さらに、第2偏光板115dは、p偏光を遮断してs偏光を透過させる偏光板である。従って、液晶ライトバルブ115は、画像信号に応じて赤色光を変調し、変調した赤色光をクロスダイクロイックプリズム119に向けて射出する構成となっている。   The λ / 2 phase difference plate 115a is an optical element that converts s-polarized light incident on the liquid crystal light valve 115 into p-polarized light. The first polarizing plate 115b is a polarizing plate that blocks s-polarized light and transmits p-polarized light. The liquid crystal panel 115c is configured to convert p-polarized light into s-polarized light (circularly polarized light or elliptically polarized light in the case of halftone) by modulation according to an image signal. Furthermore, the second polarizing plate 115d is a polarizing plate that blocks p-polarized light and transmits s-polarized light. Therefore, the liquid crystal light valve 115 is configured to modulate the red light according to the image signal and to emit the modulated red light toward the cross dichroic prism 119.

なお、λ/2位相差板115aおよび第1偏光板115bは、偏光を変換させない透光性のガラス板115eに接した状態で配置されており、λ/2位相差板115aおよび第1偏光板115bが発熱によって歪むのを回避することができる。   The λ / 2 phase difference plate 115a and the first polarizing plate 115b are disposed in contact with a light-transmitting glass plate 115e that does not convert polarized light, and the λ / 2 phase difference plate 115a and the first polarizing plate 115b. It is possible to avoid distortion of 115b due to heat generation.

液晶ライトバルブ116は、ダイクロイックミラー113で反射した後にダイクロイックミラー114で反射した緑色光を画像信号に応じて変調する透過型の電気光学装置(液晶装置)である。液晶ライトバルブ116は、液晶ライトバルブ115と同様に、第1偏光板116b、液晶パネル116cおよび第2偏光板116dを備えている。液晶ライトバルブ116に入射する緑色光は、ダイクロイックミラー113、114で反射されて入射するs偏光である。第1偏光板116bは、p偏光を遮断してs偏光を透過させる偏光板である。また、液晶パネル116cは、s偏光を画像信号に応じた変調によってp偏光(中間調であれば円偏光又は楕円偏光)に変換する構成となっている。第2偏光板116dは、s偏光を遮断してp偏光を透過させる偏光板である。従って、液晶ライトバルブ116は、画像信号に応じて緑色光を変調し、変調した緑色光をクロスダイクロイックプリズム119に向けて射出する構成となっている。   The liquid crystal light valve 116 is a transmissive electro-optical device (liquid crystal device) that modulates green light reflected by the dichroic mirror 114 after being reflected by the dichroic mirror 113 in accordance with an image signal. Similar to the liquid crystal light valve 115, the liquid crystal light valve 116 includes a first polarizing plate 116b, a liquid crystal panel 116c, and a second polarizing plate 116d. Green light incident on the liquid crystal light valve 116 is s-polarized light that is reflected by the dichroic mirrors 113 and 114 and then incident. The first polarizing plate 116b is a polarizing plate that blocks p-polarized light and transmits s-polarized light. The liquid crystal panel 116c is configured to convert s-polarized light into p-polarized light (circularly polarized light or elliptically polarized light in the case of halftone) by modulation according to the image signal. The second polarizing plate 116d is a polarizing plate that blocks s-polarized light and transmits p-polarized light. Accordingly, the liquid crystal light valve 116 is configured to modulate green light in accordance with an image signal and to emit the modulated green light toward the cross dichroic prism 119.

液晶ライトバルブ117は、ダイクロイックミラー113で反射し、ダイクロイックミラー114を透過した後でリレー系120を経た青色光を画像信号に応じて変調する透過型の電気光学装置(液晶装置)である。液晶ライトバルブ117は、液晶ライトバルブ115、116と同様に、λ/2位相差板117a、第1偏光板117b、液晶パネル117cおよび第2偏光板117dを備えている。ここで、液晶ライトバルブ117に入射する青色光は、ダイクロイックミラー113で反射してダイクロイックミラー114を透過した後にリレー系120の後述する2つの反射ミラー125a、125bで反射することから、s偏光となっている。   The liquid crystal light valve 117 is a transmissive electro-optical device (liquid crystal device) that modulates blue light reflected by the dichroic mirror 113 and transmitted through the dichroic mirror 114 and then passed through the relay system 120 in accordance with an image signal. Similarly to the liquid crystal light valves 115 and 116, the liquid crystal light valve 117 includes a λ / 2 phase difference plate 117a, a first polarizing plate 117b, a liquid crystal panel 117c, and a second polarizing plate 117d. Here, since the blue light incident on the liquid crystal light valve 117 is reflected by the two reflecting mirrors 125a and 125b described later of the relay system 120 after being reflected by the dichroic mirror 113 and transmitted through the dichroic mirror 114, the s-polarized light is reflected. It has become.

λ/2位相差板117aは、液晶ライトバルブ117に入射したs偏光をp偏光に変換する光学素子である。第1偏光板117bは、s偏光を遮断してp偏光を透過させる偏光板である。液晶パネル117cは、p偏光を画像信号に応じた変調によってs偏光(中間調であれば円偏光又は楕円偏光)に変換する構成となっている。第2偏光板117dは、p偏光を遮断してs偏光を透過させる偏光板である。従って、液晶ライトバルブ117は、画像信号に応じて青色光を変調し、変調した青色光をクロスダイクロイックプリズム119に向けて射出する構成となっている。なお、λ/2位相差板117aおよび第1偏光板117bは、ガラス板117eに接した状態で配置されている。   The λ / 2 phase difference plate 117a is an optical element that converts s-polarized light incident on the liquid crystal light valve 117 into p-polarized light. The first polarizing plate 117b is a polarizing plate that blocks s-polarized light and transmits p-polarized light. The liquid crystal panel 117c is configured to convert p-polarized light into s-polarized light (circularly polarized light or elliptically polarized light in the case of halftone) by modulation according to an image signal. The second polarizing plate 117d is a polarizing plate that blocks p-polarized light and transmits s-polarized light. Accordingly, the liquid crystal light valve 117 is configured to modulate blue light in accordance with an image signal and to emit the modulated blue light toward the cross dichroic prism 119. The λ / 2 phase difference plate 117a and the first polarizing plate 117b are arranged in contact with the glass plate 117e.

リレー系120は、リレーレンズ124a、124bと反射ミラー125a、125bとを備えている。リレーレンズ124a、124bは、青色光の光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。ここで、リレーレンズ124aは、ダイクロイックミラー114と反射ミラー125aとの間に配置されている。また、リレーレンズ124bは、反射ミラー125a、125bの間に配置されている。反射ミラー125aは、ダイクロイックミラー114を透過してリレーレンズ124aから出射した青色光をリレーレンズ124bに向けて反射するように配置されている。また、反射ミラー125bは、リレーレンズ124bから出射した青色光を液晶ライトバルブ117に向けて反射するように配置されている。   The relay system 120 includes relay lenses 124a and 124b and reflection mirrors 125a and 125b. The relay lenses 124a and 124b are provided to prevent light loss due to a long blue light path. Here, the relay lens 124a is disposed between the dichroic mirror 114 and the reflection mirror 125a. The relay lens 124b is disposed between the reflection mirrors 125a and 125b. The reflection mirror 125a is disposed so as to reflect the blue light transmitted through the dichroic mirror 114 and emitted from the relay lens 124a toward the relay lens 124b. The reflection mirror 125b is arranged to reflect the blue light emitted from the relay lens 124b toward the liquid crystal light valve 117.

クロスダイクロイックプリズム119は、2つのダイクロイック膜119a、119bをX字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜119aは青色光を反射して緑色光を透過する膜であり、ダイクロイック膜119bは赤色光を反射して緑色光を透過する膜である。従って、クロスダイクロイックプリズム119は、液晶ライトバルブ115〜117のそれぞれで変調された赤色光と緑色光と青色光とを合成し、投射光学系118に向けて射出するように構成されている。   The cross dichroic prism 119 is a color combining optical system in which two dichroic films 119a and 119b are arranged orthogonally in an X shape. The dichroic film 119a is a film that reflects blue light and transmits green light, and the dichroic film 119b is a film that reflects red light and transmits green light. Therefore, the cross dichroic prism 119 is configured to combine the red light, the green light, and the blue light modulated by the liquid crystal light valves 115 to 117 and emit the resultant light toward the projection optical system 118.

なお、液晶ライトバルブ115、117からクロスダイクロイックプリズム119に入射する光はs偏光であり、液晶ライトバルブ116からクロスダイクロイックプリズム119に入射する光はp偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム119に入射する光を異なる種類の偏光としていることで、クロスダイクロイックプリズム119において各液晶ライトバルブ115〜117から入射する光を有効に合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜119a、119bはs偏光の反射特性に優れている。このため、ダイクロイック膜119a、119bで反射される赤色光および青色光をs偏光とし、ダイクロイック膜119a、119bを透過する緑色光をp偏光としている。投射光学系118は、投影レンズ(図示略)を有しており、クロスダイクロイックプリズム119で合成された光をスクリーン111に投射するように構成されている。   Note that light incident on the cross dichroic prism 119 from the liquid crystal light valves 115 and 117 is s-polarized light, and light incident on the cross dichroic prism 119 from the liquid crystal light valve 116 is p-polarized light. Thus, by making the light incident on the cross dichroic prism 119 different types of polarized light, the light incident from the liquid crystal light valves 115 to 117 in the cross dichroic prism 119 can be effectively combined. Here, in general, the dichroic films 119a and 119b are excellent in the reflection characteristics of s-polarized light. For this reason, red light and blue light reflected by the dichroic films 119a and 119b are s-polarized light, and green light transmitted through the dichroic films 119a and 119b is p-polarized light. The projection optical system 118 has a projection lens (not shown) and is configured to project the light combined by the cross dichroic prism 119 onto the screen 111.

このように構成した投射型表示装置110において、光源112から出射された光の利用効率が高いことが求められることから、液晶ライトバルブ115〜117としての液晶装置については以下に説明する構成が採用されている。   In the projection display device 110 configured as described above, since the use efficiency of the light emitted from the light source 112 is required to be high, the configuration described below is adopted for the liquid crystal devices as the liquid crystal light valves 115 to 117. Has been.

(電気光学装置の全体構成)
図2(a)、(b)は、図1に示した投射型表示装置において液晶ライトバルブ(電気光学装置/液晶装置)に用いた液晶パネルの構成を模式的に示す説明図、およびその液晶装置の電気的構成を示すブロック図である。なお、図1に示す液晶ライトバルブ115〜117および液晶パネル115c〜117cは、変調する光の波長領域が異なるだけであり、基本的構成が共通するので、液晶ライトバルブ115〜117を液晶装置100とし、液晶パネル115c〜117cを液晶パネル100xとして説明する。
(Overall configuration of electro-optical device)
FIGS. 2A and 2B are explanatory views schematically showing the configuration of a liquid crystal panel used for a liquid crystal light valve (electro-optical device / liquid crystal device) in the projection display device shown in FIG. It is a block diagram which shows the electric constitution of an apparatus. Note that the liquid crystal light valves 115 to 117 and the liquid crystal panels 115 c to 117 c shown in FIG. 1 differ only in the wavelength range of light to be modulated, and have the same basic configuration, so that the liquid crystal light valves 115 to 117 are connected to the liquid crystal device 100. The liquid crystal panels 115c to 117c will be described as the liquid crystal panel 100x.

図2(a)に示すように、液晶装置100において、液晶パネル100xは、素子基板10と、この素子基板10に対向する対向基板20とを備えており、対向基板20の側から入射した光を変調して素子基板10の側から出射する透過型の液晶パネルである。素子基板10と対向基板20とは、シール材(図示せず)を介して貼り合わされて対向しており、シール材の内側領域にはTN(Twisted Nematic)液晶などからなる液晶層50が保持されている。詳しくは後述するが、素子基板10において対向基板20と対向する面側には島状の画素電極9aなどが形成され、対向基板20において素子基板10と対向する面側には、その略全面に共通電極21が形成されている。   As shown in FIG. 2A, in the liquid crystal device 100, the liquid crystal panel 100x includes an element substrate 10 and a counter substrate 20 facing the element substrate 10, and light incident from the counter substrate 20 side. This is a transmissive liquid crystal panel that modulates the light and emits light from the element substrate 10 side. The element substrate 10 and the counter substrate 20 are bonded to each other via a sealing material (not shown), and a liquid crystal layer 50 made of TN (Twisted Nematic) liquid crystal or the like is held in an inner region of the sealing material. ing. Although details will be described later, island-like pixel electrodes 9a and the like are formed on the surface of the element substrate 10 facing the counter substrate 20, and the surface of the counter substrate 20 facing the element substrate 10 is formed on substantially the entire surface thereof. A common electrode 21 is formed.

図2(b)に示すように、液晶装置100の素子基板10において、画像表示領域10aを構成するマトリクス状の複数の画素100aの各々には、画素電極9aと、画素電極9aをスイッチング制御するための画素トランジスタとしてのMOS型の電界効果型トランジスタ30とが形成されている。また、画像表示領域10aには、画像信号を供給するための複数のデータ線6aと、走査信号を供給するための複数の走査線3aとが互いに交差する方向に延びており、データ線6aはデータ線駆動回路101に接続され、走査線3aは走査線駆動回路104に接続されている。電界効果型トランジスタ30のソースにはデータ線6aが接続し、電界効果型トランジスタ30のゲートには走査線3aが接続されている。画素電極9aは、電界効果型トランジスタ30のドレインに電気的に接続されており、電界効果型トランジスタ30を一定期間だけそのオン状態とすることにより、データ線6aから供給されるデータ信号を各画素100aに所定のタイミングで書き込む。そして、図2(a)に示す画素電極9a、液晶層50、および共通電極21により構成された液晶容量50aに書き込まれた所定レベルの画素信号は一定期間保持される。   As shown in FIG. 2B, in the element substrate 10 of the liquid crystal device 100, the pixel electrode 9a and the pixel electrode 9a are subjected to switching control in each of the plurality of matrix-like pixels 100a constituting the image display region 10a. For this purpose, a MOS field effect transistor 30 is formed as a pixel transistor. In the image display area 10a, a plurality of data lines 6a for supplying image signals and a plurality of scanning lines 3a for supplying scanning signals extend in directions intersecting with each other. Connected to the data line driving circuit 101, the scanning line 3 a is connected to the scanning line driving circuit 104. The data line 6 a is connected to the source of the field effect transistor 30, and the scanning line 3 a is connected to the gate of the field effect transistor 30. The pixel electrode 9a is electrically connected to the drain of the field effect transistor 30. By turning on the field effect transistor 30 for a certain period, a data signal supplied from the data line 6a is supplied to each pixel. Write to 100a at a predetermined timing. Then, a pixel signal of a predetermined level written in the liquid crystal capacitor 50a formed by the pixel electrode 9a, the liquid crystal layer 50, and the common electrode 21 shown in FIG. 2A is held for a certain period.

ここで、液晶容量50aに並列に蓄積容量55が形成されており、蓄積容量55によって、画素電極9aの電圧は、例えば、ソース電圧が印加された時間よりも3桁も長い時間だけ保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い表示を行うことのできる液晶装置100を実現できる。本形態では、蓄積容量55を構成するために、走査線3aと並列するように容量線5bが形成されており、かかる容量線5bは共通電位線(COM)に接続され、所定の電位に保持されている。なお、蓄積容量55は前段の走査線3aとの間に形成される場合もある。   Here, a storage capacitor 55 is formed in parallel with the liquid crystal capacitor 50a, and the voltage of the pixel electrode 9a is held by the storage capacitor 55 for a time that is, for example, three orders of magnitude longer than the time when the source voltage is applied. . Thereby, the charge retention characteristic is improved, and the liquid crystal device 100 capable of performing display with a high contrast ratio can be realized. In this embodiment, in order to configure the storage capacitor 55, a capacitor line 5b is formed in parallel with the scanning line 3a, and the capacitor line 5b is connected to a common potential line (COM) and held at a predetermined potential. Has been. Note that the storage capacitor 55 may be formed between the previous scanning line 3a.

(画素の具体的構成)
図3は、本発明を適用した液晶装置の画素1つ分の断面図である。図4(a)、(b)は各々、本発明を適用した液晶装置に用いた素子基板において相隣接する画素の平面図、およびこの素子基板上における遮光領域を右上がりの斜線によって示した説明図である。図3は、図4(a)のA−A′線に相当する位置で液晶装置100を切断したときの断面図に相当する。なお、図4(a)、(b)では、半導体層は細くて短い点線で示し、走査線3aは太い実線で示し、データ線6aおよびそれと同時形成された薄膜は一点鎖線で示し、容量線5bは二点鎖線で示し、画素電極9aおよびそれと同時形成された薄膜は太くて長い点線で示し、後述する中継電極は細い実線で示してある。
(Specific pixel configuration)
FIG. 3 is a cross-sectional view of one pixel of a liquid crystal device to which the present invention is applied. 4A and 4B are respectively a plan view of adjacent pixels in an element substrate used in a liquid crystal device to which the present invention is applied, and an explanation in which a light-shielding region on the element substrate is indicated by a diagonal line rising to the right. FIG. 3 corresponds to a cross-sectional view when the liquid crystal device 100 is cut at a position corresponding to the line AA ′ in FIG. 4A and 4B, the semiconductor layer is indicated by a thin and short dotted line, the scanning line 3a is indicated by a thick solid line, the data line 6a and a thin film formed simultaneously with it are indicated by an alternate long and short dash line, Reference numeral 5b indicates a two-dot chain line, the pixel electrode 9a and a thin film formed simultaneously with the pixel electrode 9a are indicated by a thick and long dotted line, and a relay electrode described later is indicated by a thin solid line.

図3および図4(a)に示すように、素子基板10上には、複数の画素100aの各々に矩形状の画素電極9aが形成されており、各画素電極9aの縦横の境界に各々沿ってデータ線6aおよび走査線3aが形成されている。データ線6aおよび走査線3aは各々、直線的に延びている。また、データ線6aと走査線3aとが交差する領域に電界効果型トランジスタ30が形成されている。また、素子基板10上には、走査線3aと重なるように容量線5bが形成されている。本形態において、容量線5bは、走査線3aと重なるように直線的に延びた主線部分と、データ線6aと走査線3aとの交差部分でデータ線6aに重なるように延びた副線部分とを備えている。   As shown in FIG. 3 and FIG. 4A, a rectangular pixel electrode 9a is formed on each of the plurality of pixels 100a on the element substrate 10, and along the vertical and horizontal boundaries of each pixel electrode 9a. Thus, the data line 6a and the scanning line 3a are formed. Each of the data line 6a and the scanning line 3a extends linearly. A field effect transistor 30 is formed in a region where the data line 6a and the scanning line 3a intersect. On the element substrate 10, a capacitor line 5b is formed so as to overlap the scanning line 3a. In this embodiment, the capacitor line 5b includes a main line portion extending linearly so as to overlap the scanning line 3a, and a sub-line portion extending so as to overlap the data line 6a at the intersection of the data line 6a and the scanning line 3a. It has.

素子基板10は、石英基板やガラス基板などの透光性材料からなる支持基板11(基板本体)、その液晶層50側の表面に形成された画素電極9a、画素スイッチング用の電界効果型トランジスタ30、および配向膜16を主体として構成されており、対向基板20は、石英基板やガラス基板などの透光性基板20b、その液晶層50側表面に形成された共通電極21、および配向膜22を主体として構成されている。   The element substrate 10 includes a support substrate 11 (substrate body) made of a light-transmitting material such as a quartz substrate or a glass substrate, a pixel electrode 9a formed on the surface of the liquid crystal layer 50, and a field effect transistor 30 for pixel switching. The counter substrate 20 includes a transparent substrate 20b such as a quartz substrate or a glass substrate, a common electrode 21 formed on the surface of the liquid crystal layer 50, and an alignment film 22. It is configured as a subject.

素子基板10において、画素電極9aに隣接する位置には電界効果型トランジスタ30が形成されている。電界効果型トランジスタ30は、例えば、LDD(Lightly Doped Drain)構造を有しており、半導体層1aには、走査線3aに対してゲート絶縁層2を介して対向するチャネル領域1a′、低濃度ソース領域1b、低濃度ドレイン領域1c、高濃度ソース領域1dおよび高濃度ドレイン領域1eが形成されている。   In the element substrate 10, a field effect transistor 30 is formed at a position adjacent to the pixel electrode 9a. The field effect transistor 30 has, for example, an LDD (Lightly Doped Drain) structure. The semiconductor layer 1 a has a channel region 1 a ′ opposed to the scanning line 3 a through the gate insulating layer 2, a low concentration. A source region 1b, a low concentration drain region 1c, a high concentration source region 1d, and a high concentration drain region 1e are formed.

半導体層1aは、例えば、石英基板からなる支持基板11上に下地絶縁膜12を介して形成された単結晶シリコン層によって構成され、このような構成の素子基板10は、石英基板と単結晶シリコン基板とが絶縁層を介して貼り合わされたSOI(Silicon On Insulator)基板を用いることにより実現することができる。このようなSOI基板は、例えば、単結晶シリコン基板上にシリコン酸化膜を形成した上で石英基板と貼り合わせる方法、あるいは石英基板と単結晶シリコン基板の双方にシリコン酸化膜を形成した上でシリコン酸化膜同士を接触させて貼り合わせる方法を採用できる。このような基板を用いた場合、ゲート絶縁層2(第2絶縁膜)は、半導体層1aに対する熱酸化膜により形成できる。走査線3aには、ポリシリコンやアモルファスシリコン、単結晶シリコン膜などのシリコン膜や、これらのポリサイドやシリサイド、さらには金属膜が用いられる。   The semiconductor layer 1a is constituted by a single crystal silicon layer formed on a support substrate 11 made of, for example, a quartz substrate via a base insulating film 12, and the element substrate 10 having such a configuration includes a quartz substrate and a single crystal silicon. This can be realized by using an SOI (Silicon On Insulator) substrate in which the substrate is bonded through an insulating layer. Such an SOI substrate is formed by, for example, a method in which a silicon oxide film is formed on a single crystal silicon substrate and bonded to a quartz substrate, or a silicon oxide film is formed on both a quartz substrate and a single crystal silicon substrate and then silicon. A method in which the oxide films are brought into contact with each other and bonded can be employed. When such a substrate is used, the gate insulating layer 2 (second insulating film) can be formed by a thermal oxide film for the semiconductor layer 1a. For the scanning line 3a, a silicon film such as polysilicon, amorphous silicon, or a single crystal silicon film, a polycide or a silicide thereof, or a metal film is used.

走査線3aの上層側には、高濃度ソース領域1dへ通じるコンタクトホール82、および高濃度ドレイン領域1eへ通じるコンタクトホール83を備えたシリコン酸化膜などからなる第1層間絶縁膜41が形成されている。第1層間絶縁膜41の上層には中継電極4a、4bが形成されている。中継電極4aは、走査線3aとデータ線6aとの交差する位置を基点として走査線3aおよびデータ線6aに沿って延出する略L字型に形成されており、中継電極4bは、中継電極4bと離間した位置において、データ線6aに沿うように形成されている。中継電極4aは、コンタクトホール83を介して高濃度ドレイン領域1eに電気的に接続され、中継電極4bは、コンタクトホール82を介して高濃度ソース領域1dに電気的に接続されている。   On the upper layer side of the scanning line 3a, a first interlayer insulating film 41 made of a silicon oxide film or the like having a contact hole 82 leading to the high concentration source region 1d and a contact hole 83 leading to the high concentration drain region 1e is formed. Yes. Relay electrodes 4 a and 4 b are formed on the first interlayer insulating film 41. The relay electrode 4a is formed in a substantially L shape extending along the scan line 3a and the data line 6a with the position where the scan line 3a and the data line 6a intersect as a base point. The relay electrode 4b It is formed along the data line 6a at a position separated from 4b. The relay electrode 4a is electrically connected to the high-concentration drain region 1e through the contact hole 83, and the relay electrode 4b is electrically connected to the high-concentration source region 1d through the contact hole 82.

中継電極4a、4bの上層側には、シリコン窒化膜などからなる誘電体膜42が形成されており、この誘電体膜42を介して、中継電極4aと対向するように容量線5bが形成され、蓄積容量55が形成されている。中継電極4a、4bは導電性のポリシリコン膜や金属膜等からなり、容量線5bは、導電性のポリシリコン膜、高融点金属を含む金属シリサイド膜、それらの積層膜、金属膜からなる。   A dielectric film 42 made of a silicon nitride film or the like is formed on the upper layer side of the relay electrodes 4a and 4b, and a capacitor line 5b is formed through the dielectric film 42 so as to face the relay electrode 4a. A storage capacitor 55 is formed. The relay electrodes 4a and 4b are made of a conductive polysilicon film, a metal film, or the like, and the capacitor line 5b is made of a conductive polysilicon film, a metal silicide film containing a refractory metal, a laminated film thereof, or a metal film.

容量線5bの上層側には、中継電極4aへ通じるコンタクトホール87、および中継電極4bへ通じるコンタクトホール81を備えたシリコン酸化膜などからなる第2層間絶縁膜43が形成されている。第2層間絶縁膜43の上層にはデータ線6aおよびドレイン電極6bが形成されている。データ線6aはコンタクトホール81を介して中継電極4bに電気的に接続し、中継電極4bを介して高濃度ソース領域1dに電気的に接続している。ドレイン電極6bはコンタクトホール87を介して中継電極4aに電気的に接続し、中継電極4aを介して、高濃度ドレイン領域1eに電気的に接続している。データ線6aおよびドレイン電極6bは、導電性のポリシリコン膜、高融点金属を含む金属シリサイド膜、それらの積層膜、金属膜からなる。   On the upper layer side of the capacitor line 5b, a second interlayer insulating film 43 made of a silicon oxide film having a contact hole 87 leading to the relay electrode 4a and a contact hole 81 leading to the relay electrode 4b is formed. A data line 6 a and a drain electrode 6 b are formed on the second interlayer insulating film 43. The data line 6a is electrically connected to the relay electrode 4b through the contact hole 81, and is electrically connected to the high concentration source region 1d through the relay electrode 4b. The drain electrode 6b is electrically connected to the relay electrode 4a through the contact hole 87, and is electrically connected to the high concentration drain region 1e through the relay electrode 4a. The data line 6a and the drain electrode 6b are made of a conductive polysilicon film, a metal silicide film containing a refractory metal, a laminated film thereof, and a metal film.

データ線6aおよびドレイン電極6bの上層側には、シリコン酸化膜などからなる第3層間絶縁膜44が形成されている。また、第3層間絶縁膜44の上層側には、シリコン酸化膜などからなる第4層間絶縁膜45が形成されている。第3層間絶縁膜44および第4層間絶縁膜45には、ドレイン電極6bへ通じるコンタクトホール86が形成されている。   A third interlayer insulating film 44 made of a silicon oxide film or the like is formed on the upper side of the data line 6a and the drain electrode 6b. A fourth interlayer insulating film 45 made of a silicon oxide film or the like is formed on the upper layer side of the third interlayer insulating film 44. A contact hole 86 leading to the drain electrode 6b is formed in the third interlayer insulating film 44 and the fourth interlayer insulating film 45.

第4層間絶縁膜45の上層には、ITO(Indium Tin Oxide)膜などからなる透光性の画素電極9aが形成されており、画素電極9aは、コンタクトホール86を介してドレイン電極6bに電気的に接続されている。画素電極9aの表面には配向膜16が形成されている。   A translucent pixel electrode 9 a made of an ITO (Indium Tin Oxide) film or the like is formed on the fourth interlayer insulating film 45. The pixel electrode 9 a is electrically connected to the drain electrode 6 b through the contact hole 86. Connected. An alignment film 16 is formed on the surface of the pixel electrode 9a.

これに対して、対向基板20では、透光性基板20bにおいて素子基板10と対向する面側に共通電極21および配向膜22が形成されている。   On the other hand, in the counter substrate 20, the common electrode 21 and the alignment film 22 are formed on the side of the translucent substrate 20 b that faces the element substrate 10.

このように構成した液晶装置100においては、走査線3a、容量線5b、データ線6aおよび電界効果型トランジスタ30の形成領域によって、表示に直線寄与しない格子状の遮光領域100c(図4(b)に右上がりの斜線を付した領域)が形成されており、かかる遮光領域100cは、互いに交差する第1方向(矢印Xで示す方向)および第2方向(矢印Yで示す方向)に延在し、かかる遮光領域100cで周りが囲まれた領域が、変調光を出射して表示に直接寄与する画素開口領域100dになっている。本形態では、対向基板20には、いわゆるブラックマトリクスやブラックストライプと称せられる遮光膜が形成されていない。このため、遮光領域100cは、走査線3a、容量線5b、データ線6aおよび電界効果型トランジスタ30の形成領域によって規定されている。   In the liquid crystal device 100 configured as described above, a lattice-shaped light shielding region 100c that does not contribute linearly to display due to the formation region of the scanning line 3a, the capacitor line 5b, the data line 6a, and the field effect transistor 30 (FIG. 4B). Are formed in the first direction (indicated by the arrow X) and the second direction (indicated by the arrow Y) intersecting each other. A region surrounded by the light shielding region 100c is a pixel opening region 100d that emits modulated light and contributes directly to display. In this embodiment, the counter substrate 20 is not formed with a light shielding film called a so-called black matrix or black stripe. For this reason, the light shielding region 100c is defined by the formation region of the scanning line 3a, the capacitor line 5b, the data line 6a, and the field effect transistor 30.

(偏向溝および偏向用基板の構成)
図5(a)、(b)は各々、本発明の実施の形態1に係る液晶装置の断面を模式的に示して偏向溝の断面構成を示す説明図、および偏向溝の平面構成を示す説明図である。なお、図5(a)では、配向膜などの図示を省略してある。
(Configuration of deflection groove and deflection substrate)
5 (a) and 5 (b) are schematic diagrams each showing a cross section of the liquid crystal device according to the first embodiment of the present invention, illustrating the cross-sectional configuration of the deflection groove, and description illustrating the planar configuration of the deflection groove. FIG. In FIG. 5A, the alignment film and the like are not shown.

図5(a)に示すように、本形態の液晶装置100においては、対向基板20の側から入射した光を液晶層50によって画素毎に光変調した後、素子基板10から出射する。このため、入射光を効率よく利用するには、入射光を画素開口領域100dに効率よく導く必要がある。   As shown in FIG. 5A, in the liquid crystal device 100 of the present embodiment, light incident from the counter substrate 20 side is modulated by the liquid crystal layer 50 for each pixel and then emitted from the element substrate 10. For this reason, in order to efficiently use the incident light, it is necessary to efficiently guide the incident light to the pixel opening region 100d.

そこで、本形態では、対向基板20の透光性基板20bは、遮光領域100cと重なるように、入射光を画素開口領域100dに導く反射性の斜面261を備えた断面V字形状の偏向溝26が形成された偏向用基板として構成されている。すなわち、図1を参照して説明した光源部140からは様々な入射角度の光が入射し、かかる入射光のうち、画素開口領域100dへ直接入射した光は、矢印L1で示すように、そのまま進行させる一方、矢印L2で示すように、画素開口領域100dに向かう方向から外れた方向に向かう光については、矢印L3で示すように、偏向溝26の反射性斜面261で反射させ、画素開口領域100dに向かわせる。   Therefore, in this embodiment, the translucent substrate 20b of the counter substrate 20 has a V-shaped cross-sectional deflection groove 26 having a reflective slope 261 that guides incident light to the pixel opening region 100d so as to overlap the light shielding region 100c. Is formed as a deflection substrate. That is, light of various incident angles is incident from the light source unit 140 described with reference to FIG. 1, and the light directly incident on the pixel opening region 100d among the incident light remains as it is as indicated by the arrow L1. On the other hand, as indicated by the arrow L2, the light traveling in the direction deviating from the direction toward the pixel opening region 100d is reflected by the reflective slope 261 of the deflection groove 26 as indicated by the arrow L3, and the pixel opening region. Turn to 100d.

ここで、偏向溝26は、斜面261を一辺とする略二等辺三角形形状の断面を有しており、三角形形状の頂点は、遮光領域100cの幅方向の中心に位置している。また、偏向溝26の幅寸法(三角形形状の底辺の長さ)は、遮光領域100dの幅寸法と略同一寸法、あるいはやや幅広に設定されており、これにより、画素開口領域100dに向かう方向から外れた方向に向かう光についても有効に利用することができる。なお、斜面261の傾きについては、特開2006−215427号公報に開示されているように、例えば、透光性基板20bの基板面に対する法線となす角度が3°以下になるように設定される。かかる構成によれば、斜面261で光を反射した際、光線角度の増大を低減しながら入射光を偏向することができるとともに、入射光を、例えば、Fナンバーが2.5である投射光学系(図1参照)で十分取り込むことが可能な光線角度の光に変換することができ、コントラストの向上および入射光を利用効率の向上を図ることができる。   Here, the deflection groove 26 has a substantially isosceles triangular cross section with the slope 261 as one side, and the apex of the triangular shape is located at the center of the light shielding region 100c in the width direction. Further, the width dimension of the deflection groove 26 (the length of the base of the triangular shape) is set to be approximately the same as or slightly wider than the width dimension of the light shielding region 100d, so that from the direction toward the pixel opening region 100d. It can also be used effectively for light traveling in a deviating direction. Note that the inclination of the inclined surface 261 is set so that, for example, the angle formed with the normal to the substrate surface of the translucent substrate 20b is 3 ° or less, as disclosed in JP-A-2006-215427. The According to this configuration, when the light is reflected by the inclined surface 261, the incident light can be deflected while reducing the increase in the light beam angle, and the incident light is, for example, a projection optical system having an F number of 2.5. (See FIG. 1) can be converted into light having a light beam angle that can be sufficiently captured, and the contrast can be improved and the utilization efficiency of incident light can be improved.

本形態では、偏向溝26の斜面261に反射性を付与するにあたって、偏向溝26の内部には斜面に261対して、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金などといった光反射性の金属層262が形成されている。また、偏向溝26の内部は、シリコン酸化膜や感光性樹脂などの充填材263で埋められており、透光性基板20bの基板面は、偏向溝26が開口している領域も含めて全体が平坦化されている。このため、対向基板20では、偏向用基板20bの基板面に対して直接、共通電極21が形成され、その表面に配向膜22(図3参照)が形成されている。   In this embodiment, when providing the reflective property to the inclined surface 261 of the deflection groove 26, a light-reflective metal layer 262 such as aluminum, aluminum alloy, silver, silver alloy or the like is provided on the inclined surface 261 inside the deflection groove 26. Is formed. Further, the inside of the deflection groove 26 is filled with a filler 263 such as a silicon oxide film or a photosensitive resin, and the entire surface of the translucent substrate 20b including the region where the deflection groove 26 is opened is included. Is flattened. Therefore, in the counter substrate 20, the common electrode 21 is formed directly on the substrate surface of the deflection substrate 20b, and the alignment film 22 (see FIG. 3) is formed on the surface thereof.

ここで、偏向溝26は、図5(a)に示すように、図4(b)に示す遮光領域100cに沿って形成されており、第1方向(矢印Xで示す方向)に延びた第1延在部26xと、第2方向(矢印Yで示す方向)に延びた第2延在部26yとを備えている。但し、本形態では、第1延在部26xおよび第2延在部26yのうち、第1延在部26xには、偏向溝26における第1方向と第2方向との交差部分26wでの第1延在部26xと第2延在部26yとのX字状交差を避けるための途切れ部分26zが設けられている。すなわち、本形態では、第2延在部26yは、第2方向に連続して一体に延在している一方、第1延在部26xは、第2延在部26yを挟む両側に途切れ部分26zをもって断続的に第1方向に延在している。このため、本形態では、第1延在部26xと第2延在部26yとは一切、交差しないように形成されている。   Here, as shown in FIG. 5A, the deflection groove 26 is formed along the light shielding region 100c shown in FIG. 4B, and extends in the first direction (the direction indicated by the arrow X). 1 extension part 26x and the 2nd extension part 26y extended in the 2nd direction (direction shown by arrow Y) are provided. However, in the present embodiment, out of the first extending portion 26x and the second extending portion 26y, the first extending portion 26x includes the first extending portion 26w at the intersection 26w between the first direction and the second direction. An interrupted portion 26z is provided to avoid an X-shaped intersection between the first extending portion 26x and the second extending portion 26y. That is, in the present embodiment, the second extending portion 26y extends continuously and continuously in the second direction, while the first extending portion 26x has a discontinuous portion on both sides sandwiching the second extending portion 26y. 26z extends in the first direction intermittently. For this reason, in this embodiment, the first extending portion 26x and the second extending portion 26y are formed so as not to intersect at all.

従って、詳しくは後述するが、本形態によれば、偏向溝26を形成する際、交差部分26wで透光性基板20bが横方向に大幅にエッチングされて偏向溝26が画素開口領域100dに大きくはみ出すことを防止することができる。   Therefore, as will be described in detail later, according to this embodiment, when the deflection groove 26 is formed, the translucent substrate 20b is greatly etched in the lateral direction at the intersecting portion 26w so that the deflection groove 26 becomes larger in the pixel opening region 100d. Protruding can be prevented.

(対向基板20および偏向用基板の製造方法)
図6は、本発明の実施の形態1に係る液晶装置に用いた対向基板20(偏向用基板)の製造方法を示す工程断面図である。なお、図6では、対向基板20は、図3および図5とは逆に偏向溝26が上方に向けて開口するように表してある。
(Manufacturing method of counter substrate 20 and deflection substrate)
FIG. 6 is a process cross-sectional view illustrating a manufacturing method of the counter substrate 20 (deflection substrate) used in the liquid crystal device according to Embodiment 1 of the present invention. In FIG. 6, the counter substrate 20 is shown so that the deflection groove 26 opens upward, contrary to FIGS. 3 and 5.

本形態に係る液晶装置100に用いた対向基板20(偏向用基板)を製造するには、まず、図6(a)に示すように、透光性基板20bに対して感光性レジスト層62を例えば50〜200μmの厚さで塗布した後、露光、現像し、図6(b)に示すように、開孔部61を備えたエッチングマスク60を形成する。ここで、開孔部61は、図5(b)に示す偏向溝26と略同一パターンに形成されており、偏向溝26の第1延在部26xを形成すべき第1エッチング対象領域を規定する第1開孔部61xと、偏向溝26の第2延在部26yを形成すべき第2エッチング対象領域を規定する第2開孔部61yとを含んでいる。また、開孔部61では、第2開孔部61yが第2方向に連続して一体に延在している一方、第1開孔部61xは第2開孔部61yを挟む両側に途切れ部分61zをもって断続的に延在している。このため、本形態では、第1開孔部61xと第2延在部61yとは一切、交差しないように形成されている。   In order to manufacture the counter substrate 20 (deflection substrate) used in the liquid crystal device 100 according to this embodiment, first, as shown in FIG. 6A, a photosensitive resist layer 62 is formed on the translucent substrate 20b. For example, after coating with a thickness of 50 to 200 μm, exposure and development are performed to form an etching mask 60 having an aperture 61 as shown in FIG. Here, the opening 61 is formed in substantially the same pattern as the deflection groove 26 shown in FIG. 5B, and defines a first etching target region in which the first extension 26x of the deflection groove 26 is to be formed. And a second opening 61y that defines a second etching target region in which the second extension 26y of the deflection groove 26 is to be formed. Moreover, in the opening part 61, while the 2nd opening part 61y is continuously extended in the 2nd direction integrally, the 1st opening part 61x is a discontinuous part on both sides on both sides of the 2nd opening part 61y. It extends intermittently at 61z. For this reason, in this embodiment, the first aperture 61x and the second extension 61y are formed so as not to intersect at all.

次に、透光性基板20bの基板面にエッチングマスク60を形成した状態で、透光性基板20bの基板面にドライエッチングを行なう。かかるドライエッチングには、高密度プラズマを形成可能なICPドライエッチング装置を用い、エッチングエリアに高密度プラズマを均一に形成できるエッチングガスとして、例えば、C48、CHF3等のフッ化物系ガスを用いる。また、透光性基板20bとエッチングマスク60とのエッチング選択比を例えば4:1とする。その結果、図6(c)に示すように、エッチングマスク60の厚みに対して略4倍の深さを有する偏向溝26を形成することができる。 Next, dry etching is performed on the substrate surface of the translucent substrate 20b in a state where the etching mask 60 is formed on the substrate surface of the translucent substrate 20b. For such dry etching, an ICP dry etching apparatus capable of forming high-density plasma is used, and as an etching gas capable of uniformly forming high-density plasma in the etching area, for example, fluoride gas such as C 4 F 8 and CHF 3 Is used. Further, the etching selection ratio between the translucent substrate 20b and the etching mask 60 is, for example, 4: 1. As a result, as shown in FIG. 6C, the deflection groove 26 having a depth approximately four times the thickness of the etching mask 60 can be formed.

次に、透光性基板20bの基板面にアルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金などといった光反射性の金属膜を形成した後、パターニングし、図6(d)に示すように、偏向溝26の斜面261に反射性を付与するための金属層262を形成する。   Next, after forming a light reflective metal film such as aluminum, aluminum alloy, silver, silver alloy or the like on the substrate surface of the translucent substrate 20b, patterning is performed, and as shown in FIG. A metal layer 262 for imparting reflectivity to the slope 261 is formed.

次に、図6(e)に示すように、透光性基板20bの基板面に対して、偏向溝26を埋めるようにシリコン酸化膜などの充填層263を形成した後、透光性基板20bの基板面を研磨し、図6(f)に示すように、偏向溝26の内部に充填層263を残す一方、偏向溝26の外部に形成されていた充填層263を除去する。かかる研磨工程において、本形態では、化学機械研磨を行なう。この化学機械研磨では、研磨液に含まれる化学成分の作用と、研磨剤と透光性基板20bとの相対移動によって、高速で平滑な研磨面を得ることができる。より具体的には、研磨装置において、不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂などからなる研磨布(パッド)を貼り付けた定盤と、対向基板を保持するホルダとを相対回転させながら、研磨を行なう。その際、例えば、平均粒径が0.01〜20μmの酸化セリウム粒子、分散剤としてのアクリル酸エステル誘導体、および水を含む研磨剤を研磨布と透光性基板20bの基板面との間に供給する。なお、本形態では、透光性基板20bの基板面が露出するまで研磨を行なった後、透光性基板20bの基板面もわずかに研磨する。このようにして透光性基板20bを偏向用基板とする。   Next, as shown in FIG. 6E, a filling layer 263 such as a silicon oxide film is formed on the substrate surface of the translucent substrate 20b so as to fill the deflection groove 26, and then the translucent substrate 20b. 6B, the filling layer 263 formed outside the deflection groove 26 is removed while leaving the filling layer 263 inside the deflection groove 26, as shown in FIG. In this polishing step, chemical mechanical polishing is performed in this embodiment. In this chemical mechanical polishing, a smooth polished surface can be obtained at high speed by the action of chemical components contained in the polishing liquid and the relative movement of the abrasive and the light-transmitting substrate 20b. More specifically, in a polishing apparatus, polishing is performed while relatively rotating a surface plate to which a polishing cloth (pad) made of a nonwoven fabric, polyurethane foam, porous fluororesin, or the like is attached and a holder that holds a counter substrate. Do. At that time, for example, an abrasive containing cerium oxide particles having an average particle diameter of 0.01 to 20 μm, an acrylate derivative as a dispersant, and water is interposed between the polishing cloth and the substrate surface of the translucent substrate 20b. Supply. In this embodiment, after polishing until the substrate surface of the light-transmitting substrate 20b is exposed, the substrate surface of the light-transmitting substrate 20b is also slightly polished. In this way, the translucent substrate 20b is used as a deflection substrate.

しかる後には、透光性基板20bの基板面にITO膜などを形成した後、パターニングし、図3、図4(a)および図5(a)に示すように共通電極21を形成する。なお、透光性基板20bの基板面に共通電極21を形成する際には、マスク成膜を行い、透光性基板20bの基板面の所定領域にITO膜などを選択的に形成してもよい。しかる後には、図3に示すように、共通電極21の表面に配合膜22を形成する。このようにして対向基板20を得る。   Thereafter, an ITO film or the like is formed on the substrate surface of the translucent substrate 20b and then patterned to form the common electrode 21 as shown in FIGS. 3, 4A, and 5A. Note that when the common electrode 21 is formed on the substrate surface of the translucent substrate 20b, a mask film is formed, and an ITO film or the like is selectively formed in a predetermined region of the substrate surface of the translucent substrate 20b. Good. Thereafter, as shown in FIG. 3, a compound film 22 is formed on the surface of the common electrode 21. In this way, the counter substrate 20 is obtained.

(本形態の主な効果)
以上説明したように、本形態では、対向基板20に用いた透光性基板20bを断面V字形状の偏向溝26を備えた偏向用基板として構成することによって、入射光を画素開口領域100dに効率よく導くため、入射光の利用効率を高めることができる。
(Main effects of this form)
As described above, in this embodiment, the translucent substrate 20b used for the counter substrate 20 is configured as a deflection substrate including the deflection groove 26 having a V-shaped cross section, so that incident light is incident on the pixel opening region 100d. In order to guide efficiently, the utilization efficiency of incident light can be improved.

また、偏向溝26は第1方向に延びた第1延在部26xと第2方向に延びた第2延在部26yとを備えているが、第1延在部26xには、第1延在部26xと第2延在部26yとのX字状交差を避けるための途切れ部分26zが設けられている。言い換えると、透光性基板20bを偏向用基板として形成する際、第1延在部26xを形成すべき第1開孔部61x(第1エッチング対象領域)、および第2延在部26yを形成すべき第2開孔部61y(第2エッチング対象領域)のうち、第1開孔部61x(第1エッチング対象領域)には、第1開孔部61x(第1エッチング対象領域)と第2開孔部61y(第2エッチング対象領域)とのX字形状の交差を避けるための途切れ部分61zを設けてある。このため、偏向溝26が横方向に大幅にエッチングされて画素開口領域100dに大きくはみ出すことを防止することができる。すなわち、透光性基板20bの基板面をエッチングして偏向溝26を形成する際、第1開孔部61xと第2開孔部61yとが交差する角部分では、他の領域に比して基板面が横方向に大幅にエッチングされるので、第1開孔部61xと第2開孔部61yとがX字形状の交差を形成すると、4つの角部分のいずれにも、偏向溝26が画素開口領域100dに大きくはみ出した部分が発生し、入射光の利用効率の低下や迷光が発生するが、本形態では、第1開孔部61xにX字形状の交差を避けるための途切れ部分26zを設けてあるので、偏向溝26が画素開口領域100dに大きくはみ出すのを防止することができ、入射光の利用効率の低下や迷光の発生を防止することができる。   The deflection groove 26 includes a first extending portion 26x extending in the first direction and a second extending portion 26y extending in the second direction. The first extending portion 26x includes a first extending portion 26x. An interrupted portion 26z for avoiding an X-shaped intersection between the existing portion 26x and the second extending portion 26y is provided. In other words, when the translucent substrate 20b is formed as a deflection substrate, the first opening 61x (first etching target region) where the first extension 26x is to be formed and the second extension 26y are formed. Of the second opening portion 61y (second etching target region) to be processed, the first opening portion 61x (first etching target region) includes the first opening portion 61x (first etching target region) and the second opening portion 61x (second etching target region). An interrupted portion 61z is provided for avoiding an X-shaped intersection with the opening 61y (second etching target region). For this reason, it is possible to prevent the deflection groove 26 from being greatly etched in the lateral direction and protruding to the pixel opening region 100d. That is, when the deflection groove 26 is formed by etching the substrate surface of the translucent substrate 20b, the corner portion where the first opening portion 61x and the second opening portion 61y intersect is compared with other regions. Since the substrate surface is greatly etched in the lateral direction, when the first opening 61x and the second opening 61y form an X-shaped intersection, the deflection groove 26 is formed in any of the four corners. A part that protrudes greatly in the pixel opening region 100d is generated, and the use efficiency of incident light is reduced and stray light is generated. In this embodiment, the interrupted part 26z for avoiding the X-shaped intersection in the first opening 61x. Therefore, it is possible to prevent the deflection groove 26 from greatly protruding into the pixel opening region 100d, and it is possible to prevent a decrease in utilization efficiency of incident light and generation of stray light.

また、本形態では、開孔部61では、第2開孔部61yが第2方向に連続して一体に延在している一方、第1開孔部61xは第2開孔部61yを挟む両側に途切れ部分61zをもって断続的に延在しているため、本形態では、第1開孔部61xと第2延在部61yとは一切、交差しない。従って、偏向溝26における第1方向と第2方向との交差部分26wに、偏向溝26が画素開口領域100dに大きくはみ出した部分が発生するのを完全に防止することができる。   In the present embodiment, in the opening portion 61, the second opening portion 61y extends continuously and integrally in the second direction, while the first opening portion 61x sandwiches the second opening portion 61y. In the present embodiment, the first opening portion 61x and the second extension portion 61y do not intersect at all because they intermittently extend with the discontinuous portions 61z on both sides. Therefore, it is possible to completely prevent a portion where the deflection groove 26 protrudes greatly from the pixel opening region 100d at the intersection 26w between the first direction and the second direction in the deflection groove 26.

また、本形態は、断面V字形状の偏向溝26によって入射光を画素開口領域100dに導くため、対向基板20には、ブラックマトリクスやブラックストライプなどと称せられる遮光層を設ける必要がないので、その分、製造工程数を減らすことができる。   Further, in this embodiment, since the incident light is guided to the pixel opening region 100d by the deflection groove 26 having a V-shaped cross section, it is not necessary to provide a light shielding layer called a black matrix or a black stripe on the counter substrate 20. Accordingly, the number of manufacturing steps can be reduced.

さらに、透光性基板20bは、偏向溝26内が充填材263により埋められて、基板面が平坦化されているため、偏向溝26が開口する基板面に直接、共通電極21などを形成することができ、偏向溝26が開口する基板面にカバー基板を貼り付ける必要がないという利点がある。   Further, since the inside of the deflection groove 26 is filled with the filler 263 and the substrate surface is flattened in the translucent substrate 20b, the common electrode 21 and the like are directly formed on the substrate surface where the deflection groove 26 opens. There is an advantage that it is not necessary to attach the cover substrate to the substrate surface where the deflection groove 26 is opened.

(偏向用基板の別の製造方法)
図7は、本発明の実施の形態1に係る液晶装置に用いた別の対向基板20(偏向用基板)の製造方法を示す工程断面図である。
(Another method for manufacturing a deflection substrate)
FIG. 7 is a process cross-sectional view illustrating another method for manufacturing the counter substrate 20 (deflection substrate) used in the liquid crystal device according to Embodiment 1 of the present invention.

本形態に係る液晶装置100に用いた対向基板20(偏向用基板)を製造するには、まず、図7(a)に示すように、透光性基板20bに金属層71を形成する。金属層71の材料としては、例えばクロムやニッケルを用いることができる。次に、図7(b)に示すように、金属層71の上に感光性レジスト層72を形成した後、露光、現像し、図7(c)に示すように、レジストマスク73を形成する。次に、図7(c)に示すように、レジストマスク73を介して金属層71をパターニングした後、図7(d)に示すように、レジストマスク73を介して金属層71をパターニングし、金属マスク74を形成する。このようにして、金属マスク74およびレジストマスク73からなるエッチングマスク70を形成する。かかるエッチングマスク70は、偏向溝26を形成するためのエッチング対象領域を規定する開孔部75を備えており、かかる開孔部75は、図6を参照して説明したエッチングマスク60の開孔部61と同様なパターンを有している。   In order to manufacture the counter substrate 20 (deflection substrate) used in the liquid crystal device 100 according to this embodiment, first, as shown in FIG. 7A, the metal layer 71 is formed on the light transmitting substrate 20b. As a material of the metal layer 71, for example, chromium or nickel can be used. Next, as shown in FIG. 7B, a photosensitive resist layer 72 is formed on the metal layer 71, and then exposed and developed to form a resist mask 73 as shown in FIG. 7C. . Next, after patterning the metal layer 71 through the resist mask 73 as shown in FIG. 7C, the metal layer 71 is patterned through the resist mask 73 as shown in FIG. A metal mask 74 is formed. In this way, an etching mask 70 composed of the metal mask 74 and the resist mask 73 is formed. The etching mask 70 includes an opening 75 that defines an etching target region for forming the deflection groove 26. The opening 75 is an opening of the etching mask 60 described with reference to FIG. The pattern has the same pattern as the portion 61.

次に、透光性基板20bの基板面にエッチングマスク70を形成した状態で、透光性基板20bの基板面にドライエッチングを行なう。かかるドライエッチングには、高密度プラズマを形成可能なICPドライエッチング装置を用い、エッチングエリアに高密度プラズマを均一に形成できるエッチングガスとして、例えば、C48、CHF3等のフッ化物系ガスを用いる。また、エッチング選択比は、透光性基板20bにおけるエッチングレートが高くなるような条件とすることで大きくする。その結果、図7(e)、(f)に示すように、エッチングマスク60の厚みに対して略4倍の深さを有する偏向溝26を形成することができる。 Next, dry etching is performed on the substrate surface of the translucent substrate 20b with the etching mask 70 formed on the substrate surface of the translucent substrate 20b. For such dry etching, an ICP dry etching apparatus capable of forming high-density plasma is used, and as an etching gas capable of uniformly forming high-density plasma in the etching area, for example, fluoride gas such as C 4 F 8 and CHF 3 Is used. In addition, the etching selectivity is increased by setting the etching rate in the translucent substrate 20b to be high. As a result, as shown in FIGS. 7E and 7F, it is possible to form the deflection groove 26 having a depth approximately four times the thickness of the etching mask 60.

次に、図7(g)に示すように、エッチングマスク70を除去する。以降の工程は、図6を参照して説明した方法と同様であるので、説明を省略する。   Next, as shown in FIG. 7G, the etching mask 70 is removed. The subsequent steps are the same as the method described with reference to FIG.

(偏向用基板のさらに別の製造方法)
図8は、本発明の実施の形態1に係る液晶装置に用いたさらに別の対向基板20(偏向用基板)の製造方法を示す工程断面図である。
(Another manufacturing method of the deflection substrate)
FIG. 8 is a process cross-sectional view illustrating another method of manufacturing the counter substrate 20 (deflection substrate) used in the liquid crystal device according to Embodiment 1 of the present invention.

本形態に係る液晶装置100に用いた対向基板20(偏向用基板)を製造するには、まず、図8(a)に示すように、透光性基板20bに感光性樹脂81を塗布した後、露光現像し、図8(b)に示すように、樹脂パターン82を形成する。次に、図8(c)に示すように、クロムやニッケルなどの金属層83を形成した後、樹脂パターン82を除去する。その結果、図8(d)に示すように、金属層83のうち、樹脂パターン82の上に被さっていた部分が除去され、残った金属層により、エッチングマスク80が形成される。かかるエッチングマスク80は、偏向溝26を形成するためのエッチング対象領域を規定する開孔部85を備えており、かかる開孔部85は、図6を参照して説明したエッチングマスク60の開孔部61と同様なパターンを有している。   In order to manufacture the counter substrate 20 (deflection substrate) used in the liquid crystal device 100 according to the present embodiment, first, as shown in FIG. 8A, a photosensitive resin 81 is applied to the translucent substrate 20b. Then, exposure and development are performed to form a resin pattern 82 as shown in FIG. Next, as shown in FIG. 8C, after forming a metal layer 83 such as chromium or nickel, the resin pattern 82 is removed. As a result, as shown in FIG. 8D, a portion of the metal layer 83 that has been covered on the resin pattern 82 is removed, and an etching mask 80 is formed by the remaining metal layer. The etching mask 80 includes an opening 85 that defines an etching target region for forming the deflection groove 26, and the opening 85 is an opening of the etching mask 60 described with reference to FIG. The pattern has the same pattern as the portion 61.

次に、透光性基板20bの基板面にエッチングマスク80を形成した状態で、透光性基板20bの基板面にドライエッチングを行なう。かかるドライエッチングには、高密度プラズマを形成可能なICPドライエッチング装置を用い、エッチングエリアに高密度プラズマを均一に形成できるエッチングガスとして、例えば、C48、CHF3等のフッ化物系ガスを用いる。また、エッチング選択比は、透光性基板20bにおけるエッチングレートが高くなるような条件とすることで大きくする。その結果、図8(e)、(f)に示すように、エッチングマスク80の厚みに対して略4倍の深さを有する偏向溝26を形成することができる。 Next, dry etching is performed on the substrate surface of the translucent substrate 20b with the etching mask 80 formed on the substrate surface of the translucent substrate 20b. For such dry etching, an ICP dry etching apparatus capable of forming high-density plasma is used, and as an etching gas capable of uniformly forming high-density plasma in the etching area, for example, fluoride gas such as C 4 F 8 and CHF 3 Is used. In addition, the etching selectivity is increased by setting the etching rate in the translucent substrate 20b to be high. As a result, as shown in FIGS. 8E and 8F, the deflection groove 26 having a depth approximately four times the thickness of the etching mask 80 can be formed.

次に、図8(g)に示すように、エッチングマスク80を除去する。以降の工程は、図6を参照して説明した方法と同様であるので、説明を省略する。   Next, as shown in FIG. 8G, the etching mask 80 is removed. The subsequent steps are the same as the method described with reference to FIG.

(偏向用基板のさらに別の製造方法)
図6〜図8に示す方法ではエッチングマスクを介して透光性基板20bの基板面にエッチングを行なって、偏向溝26を形成したが、透光性基板20bの基板面に対して、図5(b)に示す第1延在部26xおよび第2延在部26yを形成するための第1エッチング対象領域および第2エッチング対象領域に沿ってレーザビームを照射するレーザエッチングを行なってもよい。
(Another manufacturing method of the deflection substrate)
In the method shown in FIGS. 6 to 8, the substrate surface of the translucent substrate 20 b is etched through the etching mask to form the deflection groove 26. Laser etching may be performed by irradiating a laser beam along the first etching target region and the second etching target region for forming the first extension part 26x and the second extension part 26y shown in FIG.

[実施の形態2]
図9(a)、(b)は各々、本発明の実施の形態2に係る液晶装置の断面を模式的に示して偏向溝の断面構成を示す説明図、および偏向溝の平面構成を示す説明図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態1と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
[Embodiment 2]
FIGS. 9 (a) and 9 (b) are explanatory views schematically showing a cross-sectional configuration of the deflection groove by schematically showing a cross section of the liquid crystal device according to the second embodiment of the present invention, and an explanation showing a planar configuration of the deflection groove. FIG. Since the basic configuration of this embodiment is the same as that of Embodiment 1, common portions are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

図9(a)に示すように、本形態の液晶装置100においても、実施の形態1と同様、対向基板20の透光性基板20bは、遮光領域100cと重なるように、入射光を画素開口領域100dに導く反射性の斜面261を備えた断面V字形状の偏向溝26が形成された偏向用基板として構成されている。ここで、偏向溝26は、図9(a)に示すように、図4(b)に示す遮光領域100cに沿って形成されており、第1方向(矢印Xで示す方向)に延びた第1延在部26xと、第2方向(矢印Yで示す方向)に延びた第2延在部26yとを備えている。   As shown in FIG. 9A, in the liquid crystal device 100 of the present embodiment as well, in the same way as in the first embodiment, the light-transmitting substrate 20b of the counter substrate 20 transmits the incident light to the pixel opening so as to overlap the light shielding region 100c. This is configured as a deflection substrate in which a deflection groove 26 having a V-shaped cross section having a reflective slope 261 leading to the region 100d is formed. Here, as shown in FIG. 9A, the deflection groove 26 is formed along the light shielding region 100c shown in FIG. 4B, and extends in the first direction (the direction indicated by the arrow X). 1 extension part 26x and the 2nd extension part 26y extended in the 2nd direction (direction shown by arrow Y) are provided.

但し、本形態では、実施の形態1とは逆に、第1方向に延びた第1延在部26xおよび第2方向に延びた第2延在部26yのうち、第2延在部26yには、偏向溝26における第1方向と第2方向との交差部分26wでの第1延在部26xと第2延在部26yとのX字状交差を避けるための途切れ部分26zが設けられている。すなわち、本形態では、第1延在部26xは、第1方向に連続して一体に延在している一方、第2延在部26yは、第1延在部26xを挟む両側に途切れ部分26zをもって断続的に延在している。このため、本形態では、第1延在部26xと第2延在部26yとは一切、交差しないように形成されている。   However, in the present embodiment, contrary to the first embodiment, of the first extending portion 26x extending in the first direction and the second extending portion 26y extending in the second direction, the second extending portion 26y Is provided with an interrupted portion 26z for avoiding an X-shaped intersection between the first extending portion 26x and the second extending portion 26y at the intersecting portion 26w between the first direction and the second direction in the deflection groove 26. Yes. That is, in the present embodiment, the first extending portion 26x extends continuously and integrally in the first direction, while the second extending portion 26y has a discontinuous portion on both sides sandwiching the first extending portion 26x. It extends intermittently at 26z. For this reason, in this embodiment, the first extending portion 26x and the second extending portion 26y are formed so as not to intersect at all.

なお、図9(b)には、図6を参照して説明した方法で、偏向溝26を形成する際、エッチングマスク60の開孔部61(第1開孔部61xおよび第2開孔部61y)およびその途切れ部分61zも示してある。   In FIG. 9B, when the deflection groove 26 is formed by the method described with reference to FIG. 6, the opening portion 61 (the first opening portion 61x and the second opening portion) of the etching mask 60 is formed. 61y) and its discontinuity 61z are also shown.

このように構成した場合も、実施の形態1と同様、偏向溝26を形成する際、交差部分26wで透光性基板20bが横方向に大幅にエッチングされて偏向溝26が画素開口領域100dに大きくはみ出すことを防止することができる。   Even in such a configuration, as in the first embodiment, when the deflection groove 26 is formed, the translucent substrate 20b is significantly etched in the lateral direction at the intersection 26w so that the deflection groove 26 is formed in the pixel opening region 100d. It can be prevented from protruding greatly.

[実施の形態3]
図10(a)、(b)は各々、本発明の実施の形態3に係る液晶装置の断面を模式的に示して偏向溝の断面構成を示す説明図、および偏向溝の平面構成を示す説明図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態1と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
[Embodiment 3]
FIGS. 10 (a) and 10 (b) are each an explanatory diagram schematically showing a cross section of the liquid crystal device according to the third embodiment of the present invention and showing a cross-sectional configuration of the deflection groove, and an explanation showing a planar configuration of the deflection groove. FIG. Since the basic configuration of this embodiment is the same as that of Embodiment 1, common portions are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

図10(a)に示すように、本形態の液晶装置100においても、実施の形態1と同様、対向基板20の透光性基板20bは、遮光領域100cと重なるように、入射光を画素開口領域100dに導く反射性の斜面261を備えた断面V字形状の偏向溝26が形成された偏向用基板として構成されている。ここで、偏向溝26は、図9(a)に示すように、図4(b)に示す遮光領域100cに沿って形成されており、第1方向(矢印Xで示す方向)に延びた第1延在部26xと、第2方向(矢印Yで示す方向)に延びた第2延在部26yとを備えている。   As shown in FIG. 10A, also in the liquid crystal device 100 of the present embodiment, as in the first embodiment, the light-transmitting substrate 20b of the counter substrate 20 transmits incident light to the pixel opening so as to overlap the light shielding region 100c. This is configured as a deflection substrate in which a deflection groove 26 having a V-shaped cross section having a reflective slope 261 leading to the region 100d is formed. Here, as shown in FIG. 9A, the deflection groove 26 is formed along the light shielding region 100c shown in FIG. 4B, and extends in the first direction (the direction indicated by the arrow X). 1 extension part 26x and the 2nd extension part 26y extended in the 2nd direction (direction shown by arrow Y) are provided.

但し、本形態では、偏向溝26は、複数の交差部分26wのうちの1つを基点として第1方向で隣接する別の交差部分26wおよび第2方向で隣接するさらに別の交差部分26wに向けて延びた複数のL字部分26sが、L字部分26s同士が離間する位置に互いに同一の向きに配列されてなる構成を有している。このため、第1延在部26xおよび第2延在部26yの双方に、第1延在部26xと第2延在部26yとのX字状交差を避けるための途切れ部分26zが設けられている。すなわち、第1延在部26xは、交差部分26wに途切れ部分26zをもって断続的に第1方向に延在し、第2延在部26yは、交差部分26wに途切れ部分26zをもって断続的に第2方向に延在している。本形態では、第1延在部26xと第2延在部26yとは、交わってはいるが、交差部分26wで角を1つのみ形成している。   However, in this embodiment, the deflection groove 26 is directed to another crossing portion 26w adjacent in the first direction and another crossing portion 26w adjacent in the second direction with one of the plurality of crossing portions 26w as a base point. A plurality of L-shaped portions 26 s extending in the same manner are arranged in the same direction at positions where the L-shaped portions 26 s are separated from each other. For this reason, both the 1st extension part 26x and the 2nd extension part 26y are provided with the discontinuous part 26z for avoiding the X-shaped intersection of the 1st extension part 26x and the 2nd extension part 26y. Yes. That is, the first extending portion 26x intermittently extends in the first direction with the discontinuous portion 26z at the intersecting portion 26w, and the second extending portion 26y is intermittently second with the discontinuous portion 26z at the intersecting portion 26w. Extends in the direction. In the present embodiment, the first extending portion 26x and the second extending portion 26y intersect, but only one corner is formed at the intersecting portion 26w.

なお、図10(b)には、図6を参照して説明した方法で、偏向溝26を形成する際、エッチングマスク60の開孔部61(第1開孔部61xおよび第2開孔部61y)およびその途切れ部分61zも示してある。   In FIG. 10B, when the deflection groove 26 is formed by the method described with reference to FIG. 6, the opening portion 61 (the first opening portion 61x and the second opening portion) of the etching mask 60 is formed. 61y) and its discontinuity 61z are also shown.

このように構成した場合、偏向溝26を形成する際、点線260で示すように、L字部分26sの角の内側で、透光性基板20bが横方向に大幅にエッチングされて偏向溝26が画素開口領域100dにはみ出すが、かかるはみ出し部分は1箇所のみである。従って、入射光の利用効率の低下や迷光がほとんど発生しない。   In this case, when the deflection groove 26 is formed, as shown by a dotted line 260, the translucent substrate 20b is greatly etched in the lateral direction inside the corner of the L-shaped portion 26s, so that the deflection groove 26 is formed. Although protruding into the pixel opening region 100d, there is only one protruding portion. Therefore, the utilization efficiency of incident light and stray light hardly occur.

また、本形態では、図4(a)に示すように、電界効果型トランジスタ30がデータ線6a、走査線3aおよび容量線6bの形成領域と完全に重なる領域に形成されているが、配線の形成領域内に電界効果型トランジスタ30を形成できず、配線の形成領域からはみ出るように電界効果型トランジスタ30を形成する必要がある場合、点線260で示す偏向溝26の画素開口領域100dへのはみ出し領域を電界効果型トランジスタ30の形成領域として利用すれば、電界効果型トランジスタ30に起因する入射光の利用効率の低下を最小限に止めることができる。   In this embodiment, as shown in FIG. 4A, the field effect transistor 30 is formed in a region that completely overlaps with the formation region of the data line 6a, the scanning line 3a, and the capacitor line 6b. When the field effect transistor 30 cannot be formed in the formation region and it is necessary to form the field effect transistor 30 so as to protrude from the formation region of the wiring, the deflection groove 26 indicated by a dotted line 260 protrudes into the pixel opening region 100d. If the region is used as a region for forming the field effect transistor 30, it is possible to minimize a decrease in the utilization efficiency of incident light caused by the field effect transistor 30.

[偏向用基板の他の実施の形態]
図11および図12は、本発明を適用した液晶装置で用いられる偏向用基板の変形例を示す説明図である。
[Another embodiment of the deflection substrate]
FIG. 11 and FIG. 12 are explanatory views showing modifications of the deflection substrate used in the liquid crystal device to which the present invention is applied.

上記実施の形態では、偏向溝26の斜面261に反射性を付与するにあたって、斜面261に対して金属層262を形成したが、図11(a)、(b)に示すように、金属層262を形成する代わりに、偏向溝26に低屈折率材料267を充填してもよい。すなわち、透光性基板20bを構成する材料の屈折率をn1とし、低屈折率材料267の屈折率をn2とし、斜面261の法線に対する光の入射角度をθ1とした場合、n1>n2で、かつ、n1、n2、θ1が以下の式
sinθ1>n2/n1
を満たせば、全反射が起こるので、斜面261に反射性を付与することができる。ここで、図11(a)に示す低屈折率材料267は樹脂であり、図11(b)に示す低屈折率材料267は、空気である。図11(b)に示す構成は、減圧雰囲気下で透光性基板20bの基板面に接着剤20fを介してカバー基板20gを貼り付けることにより、実現することができる。
In the above embodiment, the metal layer 262 is formed on the inclined surface 261 in order to provide the inclined surface 261 of the deflecting groove 26. However, as shown in FIGS. 11A and 11B, the metal layer 262 is formed. Alternatively, the low refractive index material 267 may be filled in the deflection groove 26. That is, when the refractive index of the material constituting the translucent substrate 20 b is n 1 , the refractive index of the low refractive index material 267 is n 2, and the incident angle of light with respect to the normal line of the inclined surface 261 is θ 1 , n 1 > n 2 and n 1 , n 2 , θ 1 are the following expressions: sin θ 1 > n 2 / n 1
If this condition is satisfied, total reflection occurs, so that the slope 261 can be provided with reflectivity. Here, the low refractive index material 267 shown in FIG. 11A is a resin, and the low refractive index material 267 shown in FIG. 11B is air. The configuration shown in FIG. 11B can be realized by attaching the cover substrate 20g to the substrate surface of the translucent substrate 20b through the adhesive 20f under a reduced pressure atmosphere.

また、上記実施の形態では、偏向溝26の断面が二等辺三角形である例を説明したが、図12(a)に示すように、二等辺三角形の頂部が丸まっている構成や、図12(b)に示すように、斜面261が、透光性基板20bの基板面に対する法線方向に対して異なる傾きの第1斜面261aと第2斜面261bを有する構成を採用してもよい。ここで、二等辺三角形の底部側に位置する第2斜面261bが、第1斜面261aに比して、透光性基板20bの基板面に対する法線方向に対して大きな角度を形成していれば、液晶のドメインなどが発生しやすい画素開口領域100dの端部分を避けて、画素開口領域100dの中央に入射光を導くことができる。   In the above-described embodiment, the example in which the cross section of the deflection groove 26 is an isosceles triangle has been described. However, as shown in FIG. 12A, the top of the isosceles triangle is rounded, or FIG. As shown in b), a configuration in which the inclined surface 261 includes a first inclined surface 261a and a second inclined surface 261b having different inclinations with respect to the normal direction to the substrate surface of the translucent substrate 20b may be employed. Here, if the second slope 261b located on the bottom side of the isosceles triangle forms a larger angle with respect to the normal direction with respect to the substrate surface of the translucent substrate 20b than the first slope 261a. The incident light can be guided to the center of the pixel opening region 100d while avoiding the end portion of the pixel opening region 100d in which a liquid crystal domain or the like is likely to be generated.

[他の実施の形態]
図1には、ライトバルブを3枚用いた投射型表示装置を例示したが、液晶装置100がカラーフィルタを内蔵している場合、図13に示す投射型表示装置において、本発明を適用した1枚の液晶装置100をライトバルブとして用いて、カラー画像をスクリーン211に投射表示するように構成してもよい。すなわち、図13に示す投射型表示装置210は、白色光源212、インテグレータ221および偏光変換素子222を備えた光源部240と、液晶装置100と、投射光学系218とを備えている。また、液晶装置100では、カラーフィルタ内蔵の液晶パネル100xの両側に第1偏光板216aおよび第2偏光板216bが配置されている。
[Other embodiments]
FIG. 1 illustrates a projection display device using three light valves. However, when the liquid crystal device 100 includes a color filter, the present invention is applied to the projection display device shown in FIG. The liquid crystal device 100 may be used as a light valve, and a color image may be projected and displayed on the screen 211. 13 includes a light source unit 240 including a white light source 212, an integrator 221, and a polarization conversion element 222, the liquid crystal device 100, and a projection optical system 218. The projection display device 210 illustrated in FIG. In the liquid crystal device 100, the first polarizing plate 216a and the second polarizing plate 216b are arranged on both sides of the liquid crystal panel 100x with a built-in color filter.

また、上記形態では、電気光学装置として、投射型表示装置に用いる透過型の液晶装置を例示したが、投射型表示装置に用いる反射型の液晶装置に本発明を適用してもよい。また、バックライト装置から出射された光を入射光として画像を表示する直視型の透過型あるいは半透過反射型の液晶装置や、外光を入射光として画像を表示する直視型の反射型の液晶装置に本発明を適用してもよい。   In the above embodiment, the transmissive liquid crystal device used in the projection display device is exemplified as the electro-optical device. However, the present invention may be applied to a reflective liquid crystal device used in the projection display device. Also, a direct-view transmissive or transflective liquid crystal device that displays an image using light emitted from a backlight device as incident light, and a direct-view reflective liquid crystal device that displays images using external light as incident light. The present invention may be applied to an apparatus.

さらに、上記形態では、電気光学装置として液晶装置を例に説明したが、自発光素子から出射された変調光によって画像表示面で画像を表示する電気光学装置において混色などを防止することを目的に、縦横に延在する格子状の遮光領域を設け、この遮光領域で囲まれた画素開口領域から変調光を出射する電気光学装置に本発明を適用してもよい。   Furthermore, in the above embodiment, the liquid crystal device has been described as an example of the electro-optical device, but for the purpose of preventing color mixing or the like in the electro-optical device that displays an image on the image display surface by the modulated light emitted from the self-light emitting element. Alternatively, the present invention may be applied to an electro-optical device in which a grid-like light shielding region extending in the vertical and horizontal directions is provided and modulated light is emitted from a pixel opening region surrounded by the light shielding region.

本発明を適用した投射型表示装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the projection type display apparatus to which this invention is applied. (a)、(b)は、図1に示した投射型表示装置において液晶ライトバルブに用いた液晶パネルの構成を模式的に示す説明図、およびその液晶装置の電気的構成を示すブロック図である。(A), (b) is explanatory drawing which shows typically the structure of the liquid crystal panel used for the liquid crystal light valve in the projection type display apparatus shown in FIG. 1, and the block diagram which shows the electrical structure of the liquid crystal device. is there. 本発明を適用した液晶装置の画素1つ分の断面図である。It is sectional drawing for one pixel of the liquid crystal device to which this invention is applied. (a)、(b)は各々、本発明を適用した液晶装置に用いた素子基板において相隣接する画素の平面図、およびこの素子基板上における遮光領域を右上がりの斜線によって示した説明図である。(A), (b) is the top view of the pixel which adjoins in the element substrate used for the liquid crystal device to which this invention is applied, respectively, and explanatory drawing which showed the light-shielding area | region on this element substrate by the upward slanting oblique line. is there. (a)、(b)は各々、本発明の実施の形態1に係る液晶装置の断面を模式的に示して偏向溝の断面構成を示す説明図、および偏向溝の平面構成を示す説明図である。(A), (b) is explanatory drawing which shows typically the cross section of the liquid crystal device which concerns on Embodiment 1 of this invention, shows the cross-sectional structure of a deflection groove, and is explanatory drawing which shows the plane structure of a deflection groove, respectively. is there. 本発明の実施の形態1に係る液晶装置に用いた対向基板(偏向用基板)の製造方法を示す工程断面図である。It is process sectional drawing which shows the manufacturing method of the opposing board | substrate (deflection board | substrate) used for the liquid crystal device which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1に係る液晶装置に用いた対向基板(偏向用基板)の別の製造方法を示す工程断面図である。It is process sectional drawing which shows another manufacturing method of the opposing board | substrate (deflection board | substrate) used for the liquid crystal device which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1に係る液晶装置に用いた対向基板(偏向用基板)のさらに別の製造方法を示す工程断面図である。It is process sectional drawing which shows another manufacturing method of the opposing board | substrate (deflection board | substrate) used for the liquid crystal device which concerns on Embodiment 1 of this invention. (a)、(b)は各々、本発明の実施の形態2に係る液晶装置の断面を模式的に示して偏向溝の断面構成を示す説明図、および偏向溝の平面構成を示す説明図である。(A), (b) is explanatory drawing which shows typically the cross section of the liquid crystal device which concerns on Embodiment 2 of this invention, shows the cross-sectional structure of a deflection groove, and is explanatory drawing which shows the plane structure of a deflection groove, respectively. is there. (a)、(b)は各々、本発明の実施の形態3に係る液晶装置の断面を模式的に示して偏向溝の断面構成を示す説明図、および偏向溝の平面構成を示す説明図である。(A), (b) is each explanatory drawing which shows typically the cross section of the liquid crystal device which concerns on Embodiment 3 of this invention, and shows the cross-sectional structure of a deflection groove, and explanatory drawing which shows the plane structure of a deflection groove. is there. 本発明を適用した液晶装置で用いられる偏向用基板の変形例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the modification of the board | substrate for deflection | deviation used with the liquid crystal device to which this invention is applied. 本発明を適用した液晶装置で用いられる偏向用基板の別の変形例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows another modification of the deflection | deviation board | substrate used with the liquid crystal device to which this invention is applied. 本発明を適用した別の投射型表示装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of another projection type display apparatus to which this invention is applied. (a)、(b)は各々、従来の液晶装置の断面を模式的に示して偏向溝の断面構成を示す説明図、および偏向溝の平面構成を示す説明図である。(A), (b) is explanatory drawing which shows the cross-sectional structure of a deflection | deviation groove | channel by showing typically the cross section of the conventional liquid crystal device, and explanatory drawing which shows the planar structure of a deflection | deviation groove | channel, respectively. 図14に示す偏向溝を形成する方法を示す工程断面図である。It is process sectional drawing which shows the method of forming the deflection | deviation groove | channel shown in FIG.

符号の説明Explanation of symbols

10・・素子基板、20・・対向基板、20a・・透光性基板(偏向用基板)、26・・偏向溝、26x・・偏向溝の第1延在部、26y・・偏向溝の第2延在部、26z・・偏向溝の途切れ部分、100・・液晶装置(電気光学装置)、100c・・遮光領域、100d・・画素開口領域、261・・偏向溝の斜面 10. .. element substrate, 20 .. counter substrate, 20 a .. translucent substrate (deflection substrate), 26... Deflection groove, 26 x .. first extension portion of deflection groove, 26 y. 2 extending portion, 26z... Broken portion of deflection groove, 100... Liquid crystal device (electro-optical device), 100 c... Light shielding region, 100 d.

Claims (9)

互いに交差する第1方向および第2方向に延在する格子状の遮光領域を有する素子基板と、
入射光を前記遮光領域の内側の画素開口領域へ反射させる斜面を備えた断面V字形状の溝が前記遮光領域と重なる領域に沿って形成された対向基板とを備え
前記溝の前記第1方向に延びた第1延在部および前記第2方向に延びた第2延在部のうちの少なくとも一方には、前記溝の前記第1延在部と前記第2延在部と交差を避けるための途切れ部分が設けられており、
前記対向基板は、前記遮光領域と重なる領域に遮光層を備えておらず、前記遮光領域は、前記素子基板に形成された遮光層のみにより規定されていることを特徴とする電気光学装置。
An element substrate having a lattice-shaped light shielding region extending in a first direction and a second direction intersecting each other ;
A counter substrate in which a V-shaped groove having a slope that reflects incident light to a pixel opening region inside the light shielding region is formed along a region overlapping the light shielding region ;
At least one of the first extension portion extending in the first direction and the second extension portion extending in the second direction of the groove includes the first extension portion and the second extension of the groove. is interrupted portions to avoid intersection of the extending portion is provided,
2. The electro-optical device according to claim 1, wherein the counter substrate does not include a light shielding layer in a region overlapping with the light shielding region, and the light shielding region is defined only by the light shielding layer formed on the element substrate .
前記溝は、前記対向基板の透光性を有する基板本体に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。The electro-optical device according to claim 1, wherein the groove is formed in a light transmitting substrate body of the counter substrate. 前記素子基板は、透光性の画素電極、画素トランジスタおよび配線を有し、前記素子基板と前記対向基板との間に液晶層が保持されており、
前記遮光領域は、前記画素トランジスタおよび前記配線の形成領域を含んでいることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
The element substrate has translucent pixel electrodes, pixel transistors, and wiring , and a liquid crystal layer is held between the element substrate and the counter substrate .
The electro-optical device according to claim 1, wherein the light shielding region includes a formation region of the pixel transistor and the wiring.
前記第1延在部および前記第2延在部のうちの一方の延在部は連続して一体に延在し、他方の延在部は、前記一方の延在部を挟む両側に前記途切れ部分をもって断続的に延在していることを特徴とする請求項1乃至の何れか一項に記載の電気光学装置。 One extension part of the first extension part and the second extension part extends continuously and integrally, and the other extension part is interrupted on both sides of the one extension part. The electro-optical device according to any one of claims 1 to 3 , wherein the electro-optical device extends intermittently with a portion. 前記溝は、前記第1延在部と前記第2延在部との交差部分のうちの1つを基点として前記第1方向で隣接する別の前記交差部分および前記第2方向で隣接するさらに別の交差部分に向けて延びた複数のL字部分が、当該L字部分同士が離間する位置に互いに同一の向きに配列されてなることを特徴とする請求項1乃至の何れか一項に記載の電気光学装置。 The groove is adjacent to another intersecting portion adjacent in the first direction and one adjacent to the second direction from one of the intersecting portions of the first extending portion and the second extending portion. a plurality of L-shaped portion extending toward the other intersections, any one of claims 1 to 3, characterized by being arranged in the same direction to each other in a position where the L-shaped portion to each other separated The electro-optical device according to 1. 前記溝内には、前記斜面を覆うように金属材料が反射性付与材料として形成されていることを特徴とする請求項1乃至の何れか一項に記載の電気光学装置。 Wherein the groove, the electro-optical device according to any one of claims 1 to 5 metal material to cover the inclined surface is characterized in that it is formed as a reflective-imparting material. 前記溝内には、前記斜面を覆うように前記対向基板の基板本体よりも屈折率が低い反射性付与材料が配置されていることを特徴とする請求項に記載の電気光学装置。 The electro-optical device according to claim 2 , wherein a reflection providing material having a refractive index lower than that of the substrate body of the counter substrate is disposed in the groove so as to cover the inclined surface. 前記溝内は、前記反射性付与材料、あるいは前記反射性付与材料に加えて他の充填材により埋められて、前記対向基板の前記溝が開口する基板面が平坦化されていることを特徴とする請求項に記載の電気光学装置。 The groove is filled with the reflectivity-imparting material or another filler in addition to the reflectivity-imparting material, and the substrate surface where the groove of the counter substrate opens is planarized. The electro-optical device according to claim 6 . 請求項1乃至の何れか一項に記載の電気光学装置を用いた投射型表示装置であって、
光源部および投射光学系を有し、
前記光源部から出射された光を前記電気光学装置に入射させ、当該電気光学装置により光変調した光を前記投射光学系により投射することを特徴とする投射型表示装置。
A projection display device using the electro-optical device according to any one of claims 1 to 8 ,
A light source unit and a projection optical system,
A projection-type display device, wherein light emitted from the light source unit is incident on the electro-optical device, and light modulated by the electro-optical device is projected by the projection optical system.
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