JP5022115B2 - 高周波スイッチ - Google Patents

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Description

本発明は、ツマミを左右に操作することにより2つの可動接片を相対的に上下させて高周波信号の伝送路の切換えを行うスライド式の高周波スイッチに関する。
従来スライド式のスイッチにおいては、図17に示すように、可動接片010と複数の固定接片007を備えるもので、上部に設けられたスライダ001と可動接片010が連結されており、可動切片010が複数の固定切片007のうちの2つと接触して電路を形成している。そして、このようなスライドスイッチでは、スライダ001の移動に伴い固定接片007の上を可動接片010が摺動することで、可動切片010が接触する固定切片007が変更され、これにより電路の切換えが行われている。
しかし、図17に示すような従来のスライドスイッチにおいては、可動接片010が複数の固定接片007上を摺動して接触する固定接片007を変更する必要があるため、各固定接片007間の距離を短くする必要があった。このため、各固定接片007間の隙間に容量が形成されてしまい、適切な高周波特性を維持することが困難であった。
そこで、絶縁ケースで固定接片を覆いアイソレーション特性(電気的絶縁)を向上させるとともに、可動切片が摺動していく経路の間に凹凸部を設けて、可動接片を上下させる構成を備える高周波スイッチ(例えば、特許文献1参照。)が提供されている。
また、特許文献2の技術として、中立位置から左右のスイッチング位置までスライド移動のみが許容されたノブの中央下面にスライダを設け、シーソー部材を配置し、前記スライドノブのスライド移動に伴い、前記スライダにより前記摺接面を摺接されて揺動し、該摺接面の先端が下がる前記シーソー部材により、プッシャを押し下げプッシュモーメンタリタイプの接点を押圧してスライド移動をプッシュ機能に変換してスイッチングすることにより、車両の振動やドア閉時の衝撃等の外力で、スイッチング位置から中立位置に戻って、オフにスイッチングされてしまうことを避ける技術が提供されている。
特開2003−109466号公報 特開平11−53988号公報
しかし、従来の方法では、高周波信号の電路の切換えを考慮した構造になっていない。そのため、余分なパターンや複雑な端子形状及び内部構造により特性インピーダンスが乱れやすくなっている。また、接点間の幾何学的距離を十分確保できず、電気的絶縁(アイソレーション)が不十分になるおそれがある。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、高周波(数GHz)でのスイッチング特性(例えばクロストーク又はインピーダンスなど。)を改善し、特性インピーダンスを確保するとともに、アイソレーションを確保させることができる技術を提供することを目的としている。
上記目的を達成するために、請求項1に記載の高周波スイッチは、ハウジングに配置された第1の固定切片と、前記ハウジングに前記第1の固定切片を挟み該第1の固定切片から2.2mm以上離して配置された第2及び第3の固定切片と、前記第1の固定切片と第2の固定切片の上方にそれらを跨いで設けられ、前記第1の固定切片と前記第2の固定切片とのON/OFFを行う第1の可動切片と、前記第1の固定切片と第3の固定切片の上方にそれらを跨いで設けられ、前記第1の固定切片と前記第3の固定切片とのON/OFFを行う第2の可動切片と、回転可能な中心部材、前記中心部材から前記第1の可動切片に伸びる第1アーム、及び前記中心部材から前記第2の可動切片に伸びる第2アームを有し、回転することで前記第1アームにより上下動して前記第1の可動切片の前記第1の固定切片及び前記第2の固定切片への接触及び0.5mm以上離脱を行うことで前記ON/OFFを行い、前記第2アームにより上下動して前記第2の可動切片の前記第1の固定切片及び前記第3の固定切片への接触及び0.5mm以上離脱を行うことで前記ON/OFFを行うシーソー機構と、を備えることを特徴とするものである。
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の高周波スイッチであって、前記第1の可動切片、前記第2の可動切片、前記第1の固定切片、前記第2の固定切片、及び前記第3の固定切片のそれぞれは幅がW(mm)の伝送ラインであって、前記第1の可動切片又は前記第2の可動切片によるONのときに接続状態にある各前記伝送ラインは、前記第1の固定切片、前記第2の固定切片、及び前記第3の固定切片が設けられた前記ハウジングの一面と該一面に対し反対側のグランドされた面との厚みをh(mm)としたとき、比h/Wと、前記ハウジングの比誘電率εrとに基づく、同じ特性インピーダンスを有するマイクロストリップライン構造であることを特徴とするものである。
請求項3に記載の発明は、請求項1又は請求項2に記載の高周波スイッチであって、前記シーソー機構は、前記第1アーム側と前記第2アーム側へ方向を変えてスライド移動可能にされ、前記第1アーム及び前記第2アームを選択的に前記ハウジングの底部側へ押圧可能にされたスライダを有し、前記スライダにより前記第1アームが押圧されることにより前記第1アームが前記ハウジング底部側に近づき、前記第1の可動切片と前記第1及び前記第2の固定切片とが接触しONにされるとともに、前記第2アームが前記ハウジングの底部側から離れ、前記第2の可動切片が前記1及び前記第3の固定切片から離れOFFにすることを特徴とするものである。
請求項4に記載の発明は、請求項3に記載の高周波スイッチであって、前記シーソー機構は、前記スライダの前記ハウジングの底部側に設けた第1弾性部材と、前記第1の可動切片及び前記第2の可動切片のそれぞれを、前記ハウジングの底部側から押圧する第2弾性部材とを有することを特徴とするものである。
請求項5に記載の発明は、請求項1乃至請求項4のいずれか一つに記載の高周波スイッチであって、前記第1の可動切片又は前記第2の可動切片の離脱によってOFFされたときに、前記第1の可動切片と前記第1及び第2の固定切片との距離あるいは前記第2の可動切片と前記第1及び第3の固定切片との距離が0.5mm以上確保され、前記第1及び第2の可動切片を各々略平板状に形成するとともに、前記第1乃至第3の固定切片の前記第1及び第2の可動切片と当接する箇所に凸部を設けたことを特徴とするものである。
請求項6に記載の発明は、請求項1乃至5のいずれか一つに記載の高周波スイッチであって、前記ハウジングの上に前記第1乃至第3の固定切片と対向する位置にさらに第4乃至第6の固定切片が配置され、前記第4の固定切片と前記第5の固定切片とのON/OFFを行う第3の可動切片と、前記第4の固定切片と前記第6の固定切片とのON/OFFを行う第4の可動切片とをさらに有し、前記シーソー機構は、前記第3及び第4の可動切片のそれぞれ対応する前記固定切片からの接触及び離脱を行うことを特徴とするものである。
請求項7に記載の発明は、請求項6に記載の高周波スイッチであって、前記ハウジングに配置された前記固定切片と該固定切片に対応する前記可動切片の組をさらに複数有することを特徴とするものである。
請求項1乃至3のいずれか一つに記載の高周波スイッチによると、マイクロストリップラインに近似した構造で高周波信号を伝送することが可能となる。これにより、広い周波数範囲において特性インピーダンスを一定に保持し、高周波信号の伝送による損失を抑えることが可能となる。また、固定切片間の距離が所定距離を有している。これにより、固定切片間における高周波信号の漏れを軽減すること、すなわちアイソレーションを確保することが可能となる
請求項4に記載の高周波スイッチによると、それぞれのアームを挟む2つの弾性部材によりアームを動かすことができる。これにより、1つずつの弾性部材を小型にでき、スイッチ内部の空間を広くすること、及び弾性部材へのエネルギーの漏れを少なくしてスイッチ内部の電磁界分布を均一にすることが可能となる。また、第2弾性部材を非導伝体のシリコンゴムとすると、第2弾性部材への高周波信号による電磁界の広がりを押さえることができ、アイソレーションを向上させることが可能となる。また、第2弾性部材をコイルバネとすると、第2弾性部材と高周波信号の伝送路との距離を長く取れるため、第2弾性部材への高周波信号による電磁界の広がりを押さえることができ、アイソレーションを向上させることが可能となる。
請求項5に記載の高周波スイッチによると、可動切片を固定切片から十分離すことが可能となる。これにより、可動切片と固定切片間の距離(コンタクトの高さ)を確保でき、高周波信号の漏れを軽減することが可能となる。また、平板状の可動切片と凸部を有する固定切片により、確実な接触面を確保することが可能となる
請求項6又は請求項7に記載の高周波スイッチによると、2つ以上の伝送路の切替を行うことが可能となる。
〔第1の実施形態〕
以下、この発明の第1の実施形態に係る高周波スイッチについて説明する。図1は本実施形態に係る高周波スイッチの概略斜視図である。図2は本実施形態に係る高周波スイッチの内部構造を示す平面図である。図3は図2のIII−III線から見た本実施形態に係る高周波スイッチの断面図である。図4は本実施形態に係る高周波スイッチの内部構造を示す斜視図である。以下では図3に示すハウジング008から見てスライダ001がある方向を上といい、逆の方向を下という。以下では、図2における固定切片007a〜007fのそれぞれを区別しない場合には単に固定切片007という。また、図2における可動切片010a〜010dのそれぞれを区別しない場合には単に可動切片010という。
(構成)
図1及び図3に示すように、スライダ001は可動切片010とは反対側に突出しており、操作者がつかめる構造になっている。そして、スライダ001は図1及び図3における左右方向にスライドすることでシーソー部材004の図2における第1アーム004b及び第2アーム004cの間を往復可能に配置されている。また、スライダ001は、図3に示すように下側に孔を有している。さらに、スライダ001はシーソー部材004が水平のときに接触しない程度に近接して配置されている。図3はスライダ001がシーソー部材004の図3における左側端部に移動した場合を示している。また、図1に示すカバー011は高周波スイッチの全体を覆う部材であり、スライダ001が突き抜けて往復運動可能な大きさの孔を有する。
第1弾性部材002は図1及び図3に示すように本実施形態ではコイルバネで構成されている。そして、第1弾性部材002はスライダ001の下の孔に配置されている。さらに、本実施形態では図3及び図1に示すようにその第1弾性部材002の下側でシーソー部材004との間にボール003が配置されている。第1弾性部材002の最大伸長とボール003の大きさを加えた長さL1はスライダ001の孔の上面からシーソー部材004の上面までの距離以上の長さを有する。ここで、本実施形態では弾性部材としてコイルバネを利用しているが、これは他のものでも良く、例えば、シリコンゴムなどを使用することも可能である。ここで、本実施形態では往復運動の滑らかさを考え第1弾性部材002とボール003とを使用してシーソー部材004を押圧する構成にしているが、これはシーソー部材004を押圧する構成ならば他の構成でもよく、例えば、第1弾性部材002とボール003を一体とする先端部が球状あるいは円弧状(R形状)に形成された柱状の弾性体(シリコンゴムなど)を、スライダ001の下の孔に配置してもよい。
シーソー部材004は図1及び図3に示すように回動軸004a、第1アーム004b、及び第2アーム004cで構成されている。また、シーソー部材004は図4に示すように上側に溝009を有する。溝009は中央溝009a、円形溝009b、及び円形溝009cで構成されている。ボール003はスライダ001の移動によって、シーソー部材004における溝009に沿ってボール003は移動し、第1アーム004b及び第2アーム004c上にあるそれぞれの円形溝009b及び円形溝009cで停止する。本実施形態ではボール003の移動時のズレを抑えるとともに、移動完了時に段差による音を発生させるため溝の中間である中間溝009aを円形溝009b及び円形溝009cに比べ浅くし溝を細くしているが、ボール003が溝009に沿って移動可能であれば溝009の形状は他の形状でもよい。
さらに、シーソー部材004は図1及び図3に示すように回動軸004aが回転可能に固定され、その回動軸004aに接続された左右の第1アーム004b及び第2アーム004cが、回動軸004aが回転することで上下動するように、すなわちシーソー状に動くよう構成されている。さらに、図2に示すようにシーソー部材004はその両側端部に可動切片押圧部材005を有している。
第2弾性部材006は本実施形態では金属の板バネで構成されている。図6に示すように第2弾性部材006は可動切片押圧部材005の下に配置され、可動切片押圧部材005の下から上向きに常に押圧しており、可動切片010を固定切片007から乖離させる方向に力を働かせる。図6は図2のIV‐IV線から見た本実施形態に係る高周波スイッチの断面図である。
可動切片押圧部材005は長尺状の部材であり、図2に示すようにシーソー部材004の略両側端部に対象に固定され、さらに、可動切片押圧部材005の略両端部に2つの可動切片010をそれぞれ並行に保持している。ここで、本実施形態では可動切片押圧部材005に2つの可動切片010を配置してH型を構成しているが、これは可動切片押圧部材005の片側端部のみに可動切片010を設けてT型にした構成でも良い。このようにT型にした場合、H型の構成で片側をダミーの可動切片010とした場合と比較しても十分に安定した接点圧を得ることが可能である。可動切片押圧部材005は上下方向に移動可能に配置されている。
ここで、第1弾性部材002、シーソー部材004、第2弾性部材006、及び可動切片押圧部材005で構成される機構が本発明における「シーソー機構」である。そして、これらの第1弾性部材002、シーソー部材004、第2弾性部材006、及び可動切片押圧部材005により、可動切片010を上下動させている。したがって、図3に示すように、第1弾性部材002で上から押圧されている第2アーム004cは可動切片010b及び可動切片010dを下向きに押さえ、可動切片010bは固定切片007a及び固定切片007c間をONにし、可動切片010dは固定切片007d及び固定切片007f間をONにしている。また、図3に示すように、第2弾性部材006で下から押圧されている第1アーム004bは可動切片010a及び可動切片010cを上向きに押し上げ、可動切片010aは固定切片007a及び固定切片007bをOFFにし、可動切片010cは固定切片007d及び固定切片007eをOFFにしている。
図2に示すように第1の可動切片である可動切片010aは第1の固定切片007aと第2の固定切片007bと接触する導体である。図2に示すように第2の可動切片である可動切片010bは第1の固定切片007aと第3の固定切片007cと接触する導体である。図2に示すように第3の可動切片である可動切片010cは第4の固定切片007dと第5の固定切片007eと接触する導体である。図2に示すように第4の可動切片である可動切片010dは第の固定切片007dと第の固定切片007fと接触する導体である。すなわち、それぞれの可動切片010は対応する固定切片007の組をON/OFFする導体である。そして、可動切片010は平らな一枚の板の導体である。この可動切片010は図5に示すように幅Wと高さtを有している。図5は図2のV‐V線から見た本実施形態に係る高周波スイッチの断面図である。
さらに、本実施形態では、可動切片010は固定切片007から最大に離れたときには固定切片からの距離(以下では、「OFFコンタクトの高さ」という。)が0.55mmとなる。これは、本実施形態ではシーソー構造を利用して可動切片010に直接上下方向に移動するため単純な構造とすることができ、それにより図5の領域500で示すように固定切片010の上方に十分な空間を確保したことによるものである。ここで、OFFコンタクトの高さは0.5mm以上であることが好ましい。
固定切片007は、図2に示すように本実施形態では固定切片007a、007b、007c、007d、007e、及び007fの6つが配置されている。そして、各固定切片007は、特性インピーダンス(例えば50Ω。)を有する電子回路などに伝送経路を介して接続される。また、各固定切片007はハウジング008に固定されている。そして、各固定切片007間の距離、すなわち007a及び007c、007a及び007b、007d及び007e、並びに007d及び007fの距離(以下では、「接点間ギャップ」という。)は2.2mm以上離して配置することが好ましい。本実施形態では2.6mm離して配置している。これにより、浮遊容量や浮遊インダクタの影響を低減させ、端子間のアイソレーションの確保が可能となる。
さらに、固定切片007は、可動切片010と接触する部分に凸部を有している。これにより、一枚の平らな板状を有する可動切片010が固定切片007に接触する場合に確実な接触面を確保することが可能となる。したがって、一枚の平らな板状を有する可動切片010であっても、確実な高周波信号の伝送を確保することが可能となる。この点、一般的なスライドスイッチでは、可動切片010は断面略へ字状に形成されており、かつその先端部が円弧状に形成されているため、OFFコンタクトの高さを十分確保することができない。
ハウジング008は比誘電率εrの誘電体である。そして、可動切片010が対応する固定切片007と接触し高周波信号が伝送されるときに、図7に示すような特性インピーダンス(例えば50Ω)になるようなマイクロストリップラインに近似した寸法構造をとるように構成するため、可動切片を平らな板状とし、ハウジング008は図5に示すように厚さをhとし、さらにハウジング008の下の面はグランドとしている。これにより、広い周波数帯で特性インピーダンスの変化を軽減させることができる。図7は本実施形態に係る高周波スイッチが近似するマイクロストリップライン構造の模式図である。この点、前述の一般的な先端が分かれた可動切片010では、高周波信号の伝送路の線路幅が異なるため各点で特性インピーダンスが変化してしまい、マイクロストリップラインに近似した構造にすることは困難である。
ここで、図7に示すマイクロストリップラインは以下の特性インピーダンスの計算式[
数1]を満たすものである。
η=(μ/ε1/2=120π
h:ハウジング厚み(mm)
W:ストリップライン幅(mm)
εr:ハウジングの比誘電率
(動作)
次に、本実施形態に係る高周波スイッチの機構を、操作者がスライダ001を図2における左側端部から右側端部にスライドさせることにより伝送経路を切り替える場合で説明する。以下では図2における左を左側、図2における右を右側という。
まず操作者がスライドさせる前の最初の状態について説明する。スライダ001は第2アーム004c上に位置し、スライダ001の孔に配置された第1弾性部材002が下に向けてボール003を押圧している。ボール003は円形溝009cに収まり、第2アーム004cを押圧している。シーソー部材004はボール003から第2アーム004cに下向きの力を受けて、第2アーム004cを下げるとともに、シーソー構造により第1アーム004bが持ち上がっている。この状態では、可動切片押圧部材005はシーソー部材004から下向きに力を受け押し下げられている。これにより、第2アーム004cに接続された可動切片押圧部材005が保持する可動切片010bは固定切片007aと固定切片007cとを、可動切片010dは固定切片007dと固定切片007fとに接触しそれらをONの状態にしている。さらに、第1アーム004bに接続された可動切片押圧部材005は第2弾性部材006から上向きの力を受け、押し上げられている。これにより、第1アーム004bに接続された可動切片押圧部材005に保持されている可動切片010aは固定切片007a及び007bから、可動切片010cは007d及び007eから0.5mm以上乖離させられ、それぞれをOFFの状態にしている。
次に、操作者によってスライダ001を左側から右側にスライドさせられている時について説明する。スライダ001がスライドすると、第1弾性部材002はボール003を押圧しながら移動する。このとき、ボール003は側面を孔で、上から第1弾性部材002で、下からシーソー部材004で孔から外れないように保持されながら溝009に沿って移動する。ボール003は、深くなっている円形溝009cから浅くなっている中間溝009aの細くなっている部分に押し上げられる。そして、ボール003は中間溝009aを通過した後、深くて広くなっている円形溝009bに移動する。このとき、浅い中間溝009aから深い円形溝009bにボール003が落ちるので、その段差により音が鳴り、操作者はシーソー部材004の第1アーム004b側への移動が完了したことが確認できる。このボール003が第2アーム004c側から第1アーム004b側へ移動すると、ボール003により上から押圧される部分が第2アーム004cから第1アーム004bに移るため、シーソー構造であるシーソー部材004は回動軸004aを支点としてボール003から押圧を受ける第1アーム004bが下がっていき、第2アーム004cが持ち上がる。これにつれて、第1アーム004bに接続された可動切片押圧部材005は徐々にシーソー部材004により上から押し下げられ、第1アーム004b側の可動切片010a及び可動切片010cはそれぞれ固定切片007a、007b、007d、及び007eに徐々に近づいていく。また、第2アーム004cに接続された可動切片押圧部材005は第2弾性部材006により下から徐々に押し上げられ、第2アーム004c側の可動切片010b及び可動切片010dはそれぞれ固定切片007c、007d、007a、及び007fから徐々に離れていく。
さらに、操作者によるスライダ001の右への移動が完了した状態について説明する。スライダ001はシーソー部材004の第1アーム004b上に位置し、スライダ001の孔に配置された第1弾性部材002が下に向けてボール003を押圧している。ボール003は円形溝009bに収まり、第1アーム004bを押圧する。シーソー部材004は、ボール003から第1アーム004bに下向きの力を受けて第1アーム004b側を下げるとともに、回動軸004aが回転することでシーソー構造により他方の端である第2アームが持ち上がっている。この状態では、第1アーム004bに接続された可動切片押圧部材005は第1アーム004bから下向きに力を受け押し下げられる。これにより、第1アーム004b側の可動切片010aは固定切片007aと固定切片007bとを、可動切片010cは固定切片007dと固定切片007eとに接触しそれぞれをONの状態にしている。さらに、第2アーム004cに接続された可動切片押圧部材005は第2弾性部材006から上向きの力を受け押し上げられる。これにより、可動切片010bは固定切片007a及び007cから、可動切片010dは固定切片007d及び007fから0.5mm以上乖離させられ、それぞれをOFFの状態にしている。
このように、本実施形態に係る高周波スイッチが動作することで、最初ONになっている固定切片007a及び固定切片007c、並びに固定切片007d及び固定切片007fをOFFにし、OFFであった固定切片007a及び固定切片007b、並びに固定切片007d及び固定切片007eをONにすることができる。
(実施例)
接点間ギャップを0.4mmから3.0mmまで変更してアイソレーションをシミュレーション計算した場合の結果を図8に示す。図8のグラフは縦軸にアイソレーションを表わし、横軸に接点間ギャップを表わす。
図8は、例えば固定切片007aと007bがONされたときの007cへの信号のリークをシミュレーション計算したグラフ、いわばアイソレーションのグラフの図である。図8に示すように、例えば接点間ギャップが0.5mmの場合にはリークした信号のレベルが約−17dBで、言い換えればアイソレーションが確保できず、接点間ギャップが2.0mmの場合にはリークした信号のレベルが約−28dBで、言い換えればアイソレーションが確保できる。そして、接点間ギャップが2.2mmを越えるとリークした信号のレベルの変化の度合いが小さくなる。
このように、接点間ギャップを2.2mm以上とした場合に−30dB以上のアイソレーションを確保することが可能となる。
次に、OFFコンタクト高さを0.1mmから1.5mmまで変更してアイソレーションをシミュレーション計算した場合の結果を図9に示す。図9のグラフは縦軸にアイソレーションを表わし、横軸にOFFコンタクト高さを表わす。
図9に示すように、例えばOFFコンタクト高さが0.2mmの場合にはアイソレーションが−23dBで確保できず、OFFコンタクト高さが0.6mmの場合にはアイソレーションが−31dBと確保できる。そして、オフコンタクト高さが0.5mmを越えるとアイソレーションの変化の度合いが小さくなる。
このように、OFFコンタクト高さを0.5mm以上とした場合に−30dB以上のアイソレーションを確保することが可能となる。
次に、図10を参照して本実施形態に係る高周波スイッチの実施例、及び背景技術で説明した特許文献1のような円弧状に動作する高周波スイッチの比較例について説明する。図10はVSWR(Voltage Standing Wave Ratio)のシミュレーションの計測結果を表わしたグラフの図である。図10のグラフは縦軸をVSWRの値を表わし、横軸は周波数を表わす。
本実施形態に係る高周波スイッチにおいて、接点間ギャップを2.6mmとしてシミュレーションを行う。また、比較例として図11に示すように可変切片が円弧状に固定切片間を移動する高周波スイッチで、接点間ギャップを2.3mmとしてシミュレーションを行う。図11は円弧状に可変切片が動作する高周波スイッチの断面図である。
図10における、四角付きの線で表わされるグラフ101は本実施形態に係る高周波スイッチのシミュレーション結果を表すグラフである。また、三角付きの線で表わされるグラフ102は円弧状に動作する高周波スイッチのシミュレーション結果を表すグラフである。
グラフ102で示されるように、円弧状に動作する高周波スイッチではVSWRが3GHzまでの高周波数帯域ではVSWRの値が非常に大きくなってしまっている。これに対し、グラフ101で示されるように、本実施形態に係る高周波スイッチでは3GHzまでの高周波数帯域でもVSWRが低く抑えられている。
これは、従来の円弧状に動作するスライド機構では図11のように切片や導体の周囲の空間が狭くなるため不要な部材があることにより導体上の空気領域が狭くなるため、マイクロストリップライン構造を構成することが困難となる。さらに、寄生成分による特性インピーダンス劣化で反射が生じてしまう。これに対し、本実施形態に係る高周波スイッチでは2つの可動切片を直接上下に可動できる機構でスイッチの構造を簡素化したことにより導体上の空間領域を十分に確保でき、マイクロストリップライン構造を維持でき、信号を正しく伝送できるとともに、特性インピーダンスの劣化も抑えることが可能となる。
〔第2の実施形態〕
本実施形態に係る高周波スイッチは、第1の実施形態において第2弾性部材006として金属の板バネを使用していたものを、図12(A)に示すようなシリコンゴムを使用したものである。
本実施形態における高周波スイッチではシリコンゴムの弾性力により可動切片押圧部材005が押し上げられることで、可能切片010が固定切片007から乖離させられる。
図13は第2弾性部材の材料を変更した場合の、金属の板バネ、絶縁体であるモールドの板バネ、シリコンゴム、及びコイルバネに変えたときにおける、固定切片007間のクロストークをシミュレーション計算したグラフを表す図である。なお、ここでいう絶縁であるモールドの板バネとは、金属材料からなる板バネを非磁性部材(例えば、絶縁性樹脂)により被覆することにより磁性を軽減したものを指している。
図13は、例えば、固定切片007aと固定切片007bと(以下この段落では、「第1回路側」という。)がオンにされ、007dと007eと(以下この段落では、「第2回路側」という。)がオンにされたとき、第1回路側(第2回路側)の信号が第2回路側(第1回路側)へリークする信号の大きさを縦軸としてクロストークのレベル(dB)にとり、横軸を周波数(GHz)にとったグラフである。また、丸付きの線で表わされるグラフ130は第2弾性部材006として金属の板バネを使用した場合のグラフであり、四角付きの線で表わされるグラフ131は第2弾性部材006としてシリコンゴムを使用した場合のグラフである。図13のグラフで示されるように、弾性部材006としてシリコンゴムを使用したときのほうが金属の板バネを使用した場合よりも電気的な絶縁が良好である。これは、第2弾性部材006として非導電体であるシリコンゴムを使用した場合のほうが、金属の板バネを使用した場合に比べ、第2弾性部材006への電磁界の影響が軽減されるためである。
図14は第2弾性部材006を金属の板バネ、絶縁体であるモールドの板バネ、シリコンゴム、及びコイルバネに変えたときにおける、本発明に係る高周波スイッチにおけるアイソレーション(端子間絶縁性)を表わすグラフの図であり、縦軸をアイソレーションのレベル(dB)にとり、横軸を周波数(GHz)にとったグラフである。図15は第2弾性部材006を金属の板バネ、モールドの板バネ、シリコンゴム、及びコイルバネに変えたときにおける、本発明に係る高周波スイッチにおけるVSWR(リターンロス)を表わすグラフであり、縦軸をリターンロス(dB)にとり、横軸を周波数(GHz)にとったグラフである。図16は第2弾性部006を金属の板バネ、モールドの板バネ、シリコンゴム、及びコイルバネに変えたときにおける、本発明に係る高周波スイッチにおけるインサーションロス(信号損失)を表わすグラフであり、縦軸をインサーションロスのレベル(dB)にとり、横軸を周波数(GHz)にとったグラフである。丸付きの線で表わされる、グラフ140、グラフ150、及びグラフ160は第2弾性部材006として金属の板バネを使用した場合のグラフであり、四角付きの線で表わされる、グラフ141、グラフ151、及びグラフ161は第2弾性部材006としてシリコンゴムを使用した場合のグラフである。図14、図15、及び図16のグラフで示されるように、3GHz以下では弾性部材006としてシリコンゴムを使用したときと金属の板バネを使用した場合とではほぼ同様の値をとっており、インサーションロス、VSWR(リターンロス)、及びアイソレーションにおいてはほぼ変化がない。
このように、シリコンゴムを第2弾性部材006として使用した場合のほうが、金属の板バネを使用した場合に比べ、クロストークにおいて良好であり、他回路への信号の漏れが少ない高周波スイッチを構成できる。
〔第3の実施形態〕
本実施形態に係る高周波スイッチは、第1の実施形態において第2弾性部材006として金属の板バネを使用していたものを、図12(B)に示すようなコイルバネを使用したものである。
本実施形態における高周波スイッチではコイルバネの弾性力により可動切片押圧部材005が押し上げられることで、可切片010が固定切片007から乖離させられる。
図13における、下向き三角付きの線で表わされるグラフ132は第2弾性部材006としてコイルバネを使用した場合のグラフである。図13のグラフで示されるように、弾性部材006としてコイルバネを使用したときのほうが金属の板バネを使用した場合よりもクロストークが良好である。これは、第2弾性部材006としてコイルバネを使用した場合には、可動切片010及び固定切片007を第2弾性部材006から距離を離すことができるため、金属の板バネを使用した場合に比べ、第2弾性部材006への電磁界の影響が軽減され、他回路への信号の漏れを抑えられるからである。
図14、図15、及び図16における、下向き三角付きの線で表わされる、グラフ142、グラフ152、及びグラフ162は第2弾性部材006としてコイルバネを使用した場合のグラフである。図14、図15、及び図16のグラフで示されるように、3GHz以下では弾性部材006としてシリコンゴムを使用したときと金属の板バネを使用した場合とではほぼ同様の値をとっており、インサーションロス、VSWR(リターンロス)、及びアイソレーションにおいてはほぼ変化がない。
さらに、コイルバネの大きさを変えた場合、すなわち第2弾性部材006であるコイルバネから固定切片007をONの状態にしている可動切片010までの距離が1.0mmの場合、及び第2弾性部材006であるコイルバネから固定切片007をONの状態にしている可動切片010までの距離が0.85mmの場合におけるインサーションロス、VSWR、クロストーク、及びアイソレーションをシミュレーション計算したが、それぞれの特性に影響は見られなかった。したがって、必要とされる弾性力に合わせ大きなコイルバネを使用して第2弾性部材006の弾性力を強めることも可能である。
このように、コイルバネを第2弾性部材006として使用した場合のほうが、金属の板バネを使用した場合に比べ、クロストークにおいて良好であり、他回路への信号の漏れが少ない高周波スイッチを構成でき、さらに、大きさもある程度変更可能であるため、弾性力の調整も可能である。
また、図13〜図16における、上向き三角付きの線で表わされる、グラフ133、グラフ143、グラフ153、及びグラフ163は第2弾性部材006としてモールドの板バネを使用した場合のグラフである。すなわち、第2弾性部材006をモールドの板バネに変えた場合も、金属の板バネに比べ第2弾性部材006への電磁界の影響が軽減され、他回路への信号の漏れを抑えられるとともに、インサーションロス、VSWR(リターンロス)、及びアイソレーションにおいてはほぼ変化がないため、第2弾性部材006としてモールドの板バネを使用してもよい。
さらに、コイルバネ、板バネなど、加工性及び耐久性の観点から金属材料を用いるのが一般的であるが、金属は磁性体の材料であるためわずかに磁性を帯び、曲げるなどの形状変化によりさらに磁性を帯びてしまうことが考えられる。そこで、第2弾性部材006を金属材料で形成する場合には熱処理を施すことで、磁性を軽減することが好ましい。また、金属材料からなる第2弾性部材006を非磁性部材によって被覆することにより、金属材料により耐久性を維持しつつ、高周波信号の伝送における磁気的影響を最小限に抑えることが可能となる。
第1の実施形態に係る高周波スイッチの概略斜視図 第1の実施形態に係る高周波スイッチの内部構造を示す平面図 図2のIII‐III線から見た第1の実施形態に係る高周波スイッチの断面図 第1の実施形態に係る高周波スイッチの内部構造を示す斜視図 図2のIV‐IV線から見た第1の実施形態に係る高周波スイッチの断面図 図2のV‐V線から見た第1の実施形態に係る高周波スイッチの断面図 本実施形態に係る高周波スイッチが近似するマイクロストリップライン構造の模式図 第1の実施形態に係る高周波スイッチの接点間ギャップを0.4mmから3.0mmまで変更してアイソレーションをシミュレーション計算した結果のグラフの図 第1の実施形態に係る高周波スイッチのOFFコンタクト高さを0.1mmから1.5mmまで変更してアイソレーションをシミュレーション計算した結果のグラフの図 VSWRのシミュレーション計算の結果を表わしたグラフの図 円弧状に可変切片が動作する高周波スイッチの断面図 (A)第2の実施形態に係る高周波スイッチの断面図 (B)第3の実施形態に係る高周波スイッチの断面図 第2弾性部材の材料を変えた場合のクロストークをシミュレーション計算したグラフ 第2弾性部材の材料を変えた場合のアイソレーションをシミュレーション計算したグラフ 第2弾性部材の材料を変えた場合のVSWR(リターンロス)をシミュレーション計算したグラフ 第2弾性部材の材料を変えた場合のインサーションロスをシミュレーション計算したグラフ 従来の高周波スイッチの一例の断面図
符号の説明
001 スライダ
002 第1弾性部材
003 ボール
004 シーソー部材
004a 回動軸
004b 第1アーム
004c 第2アーム
005 可動切片押圧部材
006 第2弾性部材
007a、007b、007c、007d、007e、007f 固定切片
008 ハウジング
009 溝
009a 中間溝
009b、009c 円形溝
010a、010b、010c、010d 可動切片

Claims (7)

  1. ハウジングに配置された第1の固定切片と、
    前記ハウジングに前記第1の固定切片を挟み該第1の固定切片から2.2mm以上離して配置された第2及び第3の固定切片と、
    前記第1の固定切片と第2の固定切片の上方にそれらを跨いで設けられ、前記第1の固定切片と前記第2の固定切片とのON/OFFを行う第1の可動切片と、
    前記第1の固定切片と第3の固定切片の上方にそれらを跨いで設けられ、前記第1の固定切片と前記第3の固定切片とのON/OFFを行う第2の可動切片と、
    転可能な中心部材、前記中心部材から前記第1の可動切片に伸びる第1アーム、及び前記中心部材から前記第2の可動切片に伸びる第2アームを有し、回転することで前記第1アームにより上下動して前記第1の可動切片の前記第1の固定切片及び前記第2の固定切片への接触及び0.5mm以上離脱を行うことで前記ON/OFFを行い、前記第2アームにより上下動して前記第2の可動切片の前記第1の固定切片及び前記第3の固定切片への接触及び0.5mm以上離脱を行うことで前記ON/OFFを行うシーソー機構と、を備えることを特徴とする高周波スイッチ。
  2. 前記第1の可動切片、前記第2の可動切片、前記第1の固定切片、前記第2の固定切片、及び前記第3の固定切片のそれぞれは幅がW(mm)の伝送ラインであって、前記第1の可動切片又は前記第2の可動切片によるONのときに接続状態にある各前記伝送ラインは、前記第1の固定切片、前記第2の固定切片、及び前記第3の固定切片が設けられた前記ハウジングの一面と該一面に対し反対側のグランドされた面との厚みをh(mm)としたとき、比h/Wと、前記ハウジングの比誘電率εrとに基づく、同じ特性インピーダンスを有するマイクロストリップライン構造であることを特徴とする請求項1に記載の高周波スイッチ。
  3. 前記シーソー機構は、
    前記第1アーム側と前記第2アーム側へ方向を変えてスライド移動可能にされ、前記第1アーム及び前記第2アームを選択的に前記ハウジングの底部側へ押圧可能にされたスライダを有し、
    前記スライダにより前記第1アームが押圧されることにより前記第1アームが前記ハウジング底部側に近づき、前記第1の可動切片と前記第1及び前記第2の固定切片とが接触しONにされるとともに、
    前記第2アームが前記ハウジングの底部側から離れ、前記第2の可動切片が前記第1及び前記第3の固定切片から離れOFFにする
    ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の高周波スイッチ。
  4. 前記シーソー機構は、
    前記スライダの前記ハウジングの底部側に設けた第1弾性部材と、
    前記第1の可動切片及び前記第2の可動切片のそれぞれを、前記ハウジングの底部側から押圧する第2弾性部材と
    を有することを特徴とする請求項3に記載の高周波スイッチ。
  5. 前記第1の可動切片又は前記第2の可動切片の離脱によってOFFされたときに、前記第1の可動切片と前記第1及び第2の固定切片との距離あるいは前記第2の可動切片と前記第1及び第3の固定切片との距離が0.5mm以上確保され、前記第1及び第2の可動切片を各々略平板状に形成するとともに、前記第1乃至第3の固定切片の前記第1及び第2の可動切片と当接する箇所に凸部を設けたことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一つに記載の高周波スイッチ。
  6. 前記ハウジングの上に前記第1乃至第3の固定切片と対向する位置にさらに第4乃至第6の固定切片が配置され、
    前記第4の固定切片と前記第5の固定切片とのON/OFFを行う第3の可動切片と、
    前記第4の固定切片と前記第6の固定切片とのON/OFFを行う第4の可動切片と
    をさらに有し、
    前記シーソー機構は、
    前記第3及び第4の可動切片のそれぞれ対応する前記固定切片からの接触及び離脱を行うことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一つに記載の高周波スイッチ。
  7. 前記ハウジングに配置された前記固定切片と該固定切片に対応する前記可動切片の組をさらに複数有することを特徴とする請求項6に記載の高周波スイッチ。
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