JP5008877B2 - IC test method - Google Patents
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Description
本発明は、ＩＣテスト方法に関する。 The present invention relates to IC test how.
従来、高温ウエハテストあるいは低温ウエハテストでは、ウエハを検査プローバーのステージ上に搭載し、ステージの温度を制御することでウエハを任意の温度にして、ウエハ内に形成してあるＩＣチップの各電極に電気特性測定用プローブを接触し、電気信号を印加あるいは測定した結果とテスト条件とを比較して、ＩＣチップの合否判定を行っていた。 Conventionally, in a high-temperature wafer test or a low-temperature wafer test, the wafer is mounted on an inspection prober stage, and the temperature of the stage is controlled to bring the wafer to an arbitrary temperature. Each electrode of the IC chip formed in the wafer The test of the IC chip was made by comparing the test result with the result of applying or measuring the electrical signal with the probe for measuring the electrical characteristics.
図６は、従来の高温ウエハテストあるいは低温ウエハテストで用いる検査プローバー１とＬＳＩテスタ１２との関係を示す概念図であり、図７は、従来のプローブカードの平面図である。
FIG. 6 is a conceptual diagram showing the relationship between the
図４において検査プローバー１にはウエハ２を搭載するステージ１３が設けられ、ステージ１３の内部には温度センサ１４、加熱冷却部５が内蔵されており、それぞれがデータバスケーブル４を介して温度制御コントローラ３に接続されている。
In FIG. 4, the
温度センサ１４で検出した温度データは、データバスケーブル４を介して温度コントローラ３に送信され、その温度データを基にデータバスケーブル４を介して加熱冷却部５を制御することにより、ステージ１３およびウエハ２を任意の温度に制御している。
The temperature data detected by the
更に、ステージ１３上には図７に示すような電気特性測定用プローブ７が具備されたプローブカード６が設けられており、プローブカード６は接続リング８およびテストボード９を介してテストヘッド１０に接続されている。
Further, a
また、テストヘッド１０は、データバスケーブル１１を介してＬＳＩテスタ１２に接続されている。
The
このＬＳＩテスタ１２には、テストプログラムが格納されており、テストプログラムにはテスト条件が格納されている。電気的テスト時には、ステージ１３を駆動してウエハ２を矢印Ｐ２方向に移動させ、ウエハ２面内のＩＣチップの電極（パッド）を電気特性測定用プローブ７に接触させる。
テストプログラムに格納されたテスト条件を基にテストヘッド１０を介してウエハ２−ＬＳＩテスタ１２間で送信される電気特性測定データとを比較して合否判定を行っている。
The LSI tester 12 stores a test program, and the test program stores test conditions. During the electrical test, the stage 13 is driven to move the
Based on the test conditions stored in the test program, pass / fail judgment is performed by comparing with electrical characteristic measurement data transmitted between the
しかしながら、温度制御コントローラ３にてステージ１３の温度を制御しても、設定温度に対してステージ１３の面内では場所による温度ばらつきが生じている。
However, even if the temperature of the stage 13 is controlled by the
これに対して、電気特性測定を行う際にウエハ面内のＩＣチップの四隅に対し、プローブカードに具備した温度センサプローブを接触させる事により、ＩＣチップの表面温度を測定し、その温度データによりテスト条件を決定する方法が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
ところで、従来の高温ウエハテストあるいは低温ウエハテストにおいては、温度制御コントローラにてステージ温度を制御しても、ステージの面内では場所による温度のばらつきが生じている。 By the way, in the conventional high-temperature wafer test or low-temperature wafer test, even if the temperature of the stage is controlled by the temperature controller, the temperature varies depending on the place in the plane of the stage.
従ってステージ上に搭載したウエハ面内の各ＩＣチップの温度もばらついており、温度傾斜を持つテストにおいて適切なテスト条件の基にＩＣチップの合否判定ができない。 Therefore, the temperature of each IC chip on the wafer surface mounted on the stage varies, and it is impossible to determine whether the IC chip is acceptable or not based on an appropriate test condition in a test having a temperature gradient.
また、特許文献１記載の技術では、温度センサプローブを直接ＩＣチップに接触させるためＩＣ表面を傷つけ、場合によっては破壊してしまう。接触タイプの温度センサプローブは、正確に温度測定をするため対象物に接触後、温度が安定する一定の時間が必要である。電気特性測定と温度測定を同一ＩＣチップで同時実施すると温度センサプローブの温度安定待ちが必要となる。そのために、テスト条件を決定できずテスト時間が長くなってしまう。
Further, in the technique described in
そこで、本発明の目的は、テスト時間を短縮することのできるＩＣテスト方法を提供することにある。 An object of the present invention is to provide an IC test how capable of shortening the test time.
上記課題を解決するため、本発明は、ウエハを検査プローバーのステージ上に搭載し、前記ウエハ面内のＩＣチップの各電極にプローブカードのプローブを接触して電気的テストを行う際に、前記ＩＣチップの周辺に温度センサプローブを接触して取得した温度データから未測定ＩＣチップのテスト条件を事前に決定し、電気的テストを行うＩＣテスト方法において、ウエハ面内を一定領域でブロックに分け、そのブロックに対して、前記取得した温度データを１つのテスト条件として事前に決定し、電気的テストを行うことを特徴とする。 In order to solve the above-described problems, the present invention provides a method in which an electrical test is performed by mounting a wafer on a stage of an inspection prober and contacting a probe of a probe card to each electrode of an IC chip in the wafer surface. determining the test conditions of unmeasured IC chip in advance from the temperature data obtained by contacting the temperature sensor probe around the IC chip, blocking the electrical test in line cormorants I C test method, the surface of the wafer at a constant region The obtained temperature data is determined in advance as one test condition for the block, and an electrical test is performed .
本発明によれば、ウエハ面内のＩＣチップの周辺に温度センサプローブを接触して取得した温度データから、未測定ＩＣチップのテスト条件を事前に決定し、電気的テストを行うことにより、ＩＣチップの実温度に適応したテスト条件による正確な合否判定ができるので、テスト時間を短縮することのできるＩＣテスト方法の提供を実現することができる。 According to the present invention, the test conditions of the unmeasured IC chip are determined in advance from the temperature data acquired by contacting the temperature sensor probe around the IC chip in the wafer surface, and the electrical test is performed. since it is an accurate acceptance judgment by the test conditions adapted to the actual temperature of the chips, it is possible to realize the provision of an IC test how capable of shortening the test time.
本発明に係るＩＣテスト方法の一実施の形態は、ウエハを検査プローバーのステージ上に搭載し、前記ウエハ面内のＩＣチップの各電極にプローブカードのプローブを接触して電気的テストを行う際に、前記ＩＣチップの周辺に温度センサプローブを接触して取得した温度データから未測定ＩＣチップのテスト条件を事前に決定し、電気的テストを行うＩＣテスト方法において、ウエハ面内を一定領域でブロックに分け、そのブロックに対して、前記取得した温度データを１つのテスト条件として事前に決定し、電気的テストを行うことを特徴とする。 Form state of an embodiment of an IC test method according to the present invention, a wafer is mounted on the stage of the inspection prober, for electrical test by contacting a probe of the probe card to each electrode of the IC chip in the wafer surface when the determine the test conditions of unmeasured IC chip in advance from the temperature data obtained by contacting the temperature sensor probe around the IC chip, the electrical test line cormorants I C test method, the surface of the wafer The block is divided into a predetermined area, and the obtained temperature data is determined in advance as one test condition for the block, and an electrical test is performed .
上記構成によれば、ウエハ面内のＩＣチップの周辺に温度センサプローブを接触して取得した温度データから、未測定ＩＣチップのテスト条件を事前に決定し、電気的テストを行うことにより、ＩＣチップの実温度に適応したテスト条件による正確な合否判定ができるので、テスト時間を短縮することができる。 According to the above configuration, the test conditions of the unmeasured IC chip are determined in advance from the temperature data acquired by contacting the temperature sensor probe around the IC chip in the wafer surface, and the electrical test is performed. Since it is possible to make an accurate pass / fail determination under test conditions adapted to the actual temperature of the chip, the test time can be shortened.
本発明に係るＩＣテスト方法の他の実施の形態は、上記構成に加え、温度センサプローブをダイシングラインに接触させて温度測定を行うのが好ましい。 Form state of another embodiment of an IC test method according to the present invention, in addition to the structure described above, preferably carried out the temperature measurement by contacting the temperature sensor probe dicing lines.
上記構成によれば、ウエハ面内のＩＣチップ外のダイシングラインに温度センサプローブを接触することにより、ＩＣチップを損傷することなくＩＣチップの実温度を測定することができる。 According to the above configuration, the actual temperature of the IC chip can be measured without damaging the IC chip by bringing the temperature sensor probe into contact with the dicing line outside the IC chip in the wafer surface.
本発明に係るＩＣテスト方法の他の実施の形態は、上記構成に加え、ダイシングラインの複数箇所に複数の温度センサプローブを接触させて温度測定を行うのが好ましい。 Form state of another embodiment of an IC test method according to the present invention, in addition to the structure described above, preferably carried out the temperature measured by contacting a plurality of temperature sensor probe at a plurality of locations of the dicing lines.
上記構成によれば、複数箇所の温度を検知することにより、より正確な温度測定ができる。 According to the said structure, more exact temperature measurement can be performed by detecting the temperature of several places.
本発明に係るＩＣテスト方法の他の実施の形態は、上記構成に加え、ウエハ面内を一定領域でブロックに分け、そのブロックによりテスト条件を事前に決定し、電気的テストを行うのが好ましい。 Form state of another embodiment of an IC test method according to the present invention, in addition to the structure described above is divided into blocks within a wafer plane in certain areas, to determine in advance the test conditions by the block, to perform the electrical test preferable.
本発明に係るプローブカードの一実施の形態は、検査プローバー上に搭載されたウエハ面内のＩＣチップの各電極に接触して電気的テストを行うプローブと、ウエハ面内のダイシングラインに接触して温度データを取得するための温度センサプローブとを具備したことを特徴とする。 Shape status of one embodiment of a probe card according to the present invention, a probe for electrically testing in contact with the electrodes of the IC chip in the wafer surface which is mounted on the test prober contacts the dicing line of the wafer surface And a temperature sensor probe for acquiring temperature data.
上記構成によれば、ウエハ面内のＩＣチップの周辺に温度センサプローブを接触して取得した温度データから、未測定ＩＣチップのテスト条件を事前に決定し、電気的テストを行うことにより、ＩＣチップの実温度に適応したテスト条件による正確な合否判定ができるので、テスト時間を短縮することができる。 According to the above configuration, the test conditions of the unmeasured IC chip are determined in advance from the temperature data acquired by contacting the temperature sensor probe around the IC chip in the wafer surface, and the electrical test is performed. Since it is possible to make an accurate pass / fail determination under test conditions adapted to the actual temperature of the chip, the test time can be shortened.
本発明に係るプローブカードの他の実施の形態は、上記構成に加え、温度センサプローブを複数個具備するのが好ましい。 Form state of another embodiment of a probe card according to the present invention, in addition to the structure described above, preferably a plurality including a temperature sensor probe.
上記構成によれば、温度センサプローブを複数個具備する事で、複数箇所の温度検知が可能である。 According to the said structure, the temperature detection of several places is possible by comprising multiple temperature sensor probes.
本発明に係るプローブカードの他の実施の形態は、上記構成に加え、温度センサプローブは、接触により温度測定ができる熱電対あるいはＩＣ温度センサの構成となっているのが好ましい。 Form state of another embodiment of a probe card according to the present invention, in addition to the structure described above, the temperature sensor probes are preferably has a thermocouple or the IC temperature sensor configured to be temperature measured by the contact.
上記構成によれば、接触有効面積に合わせて適切な温度センサプローブを選択することで、ウエハ面内のＩＣチップの損傷を回避することができ、精度よくＩＣチップの実温度を測定することが可能である。 According to the above configuration, by selecting an appropriate temperature sensor probe according to the effective contact area, damage to the IC chip in the wafer surface can be avoided, and the actual temperature of the IC chip can be accurately measured. Is possible.
本発明に係る検査プローバーの一実施の形態は、ウエハを搭載するステージと、前記ウエハ面内のＩＣチップの各電極にプローブを接触させるプローブカードとを備えた検査プローバーにおいて、前記プローブカードに設けられ、前記ウエハ面内のダイシングラインに接触して温度データを取得するための温度センサプローブと、該温度センサプローブからの信号を演算処理する演算器とを具備したことを特徴とする。 Shape status of one embodiment of a test prober according to the present invention, a stage for mounting a wafer in a test prober and a probe card contacting a probe to the electrodes of IC chips in the wafer plane, the probe card And a temperature sensor probe for obtaining temperature data in contact with a dicing line in the wafer surface, and an arithmetic unit for calculating a signal from the temperature sensor probe.
上記構成によれば、ウエハ面内のＩＣチップの周辺に温度センサプローブを接触して取得した温度データから、未測定ＩＣチップのテスト条件を事前に決定し、電気的テストを行うことにより、ＩＣチップの実温度に適応したテスト条件による正確な合否判定ができるので、テスト時間を短縮することができる。 According to the above configuration, the test conditions of the unmeasured IC chip are determined in advance from the temperature data acquired by contacting the temperature sensor probe around the IC chip in the wafer surface, and the electrical test is performed. Since it is possible to make an accurate pass / fail determination under test conditions adapted to the actual temperature of the chip, the test time can be shortened.
本発明に係る検査プローバーの他の実施の形態は、上記構成に加え、温度センサプローブを複数個具備するのが好ましい。 Form state of another embodiment of the inspection prober according to the present invention, in addition to the structure described above, preferably a plurality including a temperature sensor probe.
上記構成によれば、温度センサプローブを複数個具備する事で、複数箇所の温度検知が可能である。 According to the said structure, the temperature detection of several places is possible by comprising multiple temperature sensor probes.
本発明に係る検査プローバーの他の実施の形態は、上記構成に加え、温度センサプローブは、接触により温度測定ができる熱電対あるいはＩＣ温度センサの構成となっているのが好ましい。 Form state of another embodiment of the inspection prober according to the present invention, in addition to the structure described above, the temperature sensor probes are preferably has a thermocouple or the IC temperature sensor configured to be temperature measured by the contact.
上記構成によれば、接触有効面積に合わせて適切な温度センサプローブを選択することで、ウエハ面内のＩＣチップの損傷を回避することができ、精度よくＩＣチップの実温度を測定することが可能である。 According to the above configuration, by selecting an appropriate temperature sensor probe according to the effective contact area, damage to the IC chip in the wafer surface can be avoided, and the actual temperature of the IC chip can be accurately measured. Is possible.
本発明に係るＩＣテスト装置の一実施形態は、ウエハを搭載するステージ及びウエハ面内のＩＣチップの各電極にプローブを接触させるプローブカードを有する検査プローバーと、検査プローバーからのＩＣチップの信号を解析するＩＣテスターとを備えたＩＣテスト装置において、プローブカードに設けられ、ウエハ面内のダイシングラインに接触して温度データを取得するための温度センサプローブと、温度センサプローブからの信号を演算処理する演算器とを具備したことを特徴とする。 An exemplary form status of the IC testing device according to the present invention, a test prober having a probe card contacting probe to each electrode of the IC chip of the stage and the wafer plane for mounting the wafer, IC chip signal from the test prober IC test equipment equipped with an IC tester that analyzes the temperature sensor probe provided on the probe card for contacting the dicing line in the wafer surface to obtain temperature data, and calculating the signal from the temperature sensor probe And an arithmetic unit for processing.
上記構成によれば、ウエハ面内のＩＣチップの周辺に温度センサプローブを接触して取得した温度データから、未測定ＩＣチップのテスト条件を事前に決定し、電気的テストを行うことにより、ＩＣチップの実温度に適応したテスト条件による正確な合否判定ができるので、テスト時間を短縮することができる。 According to the above configuration, the test conditions of the unmeasured IC chip are determined in advance from the temperature data acquired by contacting the temperature sensor probe around the IC chip in the wafer surface, and the electrical test is performed. Since it is possible to make an accurate pass / fail determination under test conditions adapted to the actual temperature of the chip, the test time can be shortened.
本発明に係るＩＣテスト装置の他の実施形態は、上記構成に加え、温度センサプローブを複数個具備するのが好ましい。 Another embodiment forms state of the IC testing device according to the present invention, in addition to the structure described above, preferably a plurality including a temperature sensor probe.
上記構成によれば、ウエハ面内のＩＣチップ外のダイシングラインに温度センサプローブを接触することにより、ＩＣチップを損傷することなくＩＣチップの実温度を測定することができる。 According to the above configuration, the actual temperature of the IC chip can be measured without damaging the IC chip by bringing the temperature sensor probe into contact with the dicing line outside the IC chip in the wafer surface.
本発明に係るＩＣテスト装置の他の実施形態は、上記構成に加え、温度センサプローブは、接触により温度測定ができる熱電対あるいはＩＣ温度センサの構成となっているのが好ましい。 Another embodiment forms state of the IC testing device according to the present invention, in addition to the structure described above, the temperature sensor probes are preferably has a thermocouple or the IC temperature sensor configured to be temperature measured by the contact.
上記構成によれば、ウエハ面内の複数箇所の温度を検知することにより、より正確な温度測定ができる。 According to the above configuration, more accurate temperature measurement can be performed by detecting temperatures at a plurality of locations in the wafer surface.
すなわち、本発明はウエハ面内のＩＣチップの実温度を測定し適切なテスト条件を選択することができる機構を設け、正確な合否判定ができるものである。
特許文献１記載の発明のように、プローブカードに具備した温度センサプローブをＩＣチップの四隅に接触させることによって、実温度を測定する方法が知られているが、 本発明では、ウエハ面内のＩＣチップ外にて温度測定することにより、ＩＣチップの破損を回避することができる。本発明では、事前にテスト条件を決定する方法によりコスト増大につながるテスト時間の短縮を実現するものである。
In other words, the present invention is provided with a mechanism capable of measuring the actual temperature of the IC chip in the wafer surface and selecting an appropriate test condition, thereby enabling accurate pass / fail judgment.
As in the invention described in
なお、上述した実施の形態は、本発明の好適な実施の形態の一例を示すものであり、本発明はそれに限定されることなく、その要旨を逸脱しない範囲内において、種々変形実施が可能である。 The above-described embodiment shows an example of a preferred embodiment of the present invention, and the present invention is not limited thereto, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. is there.
次に本発明に係る実施例について図１を参照して説明する。
図１は、本発明に係る検査プローバーの一実施例を示す概念図である。
尚、図４に示した従来例と同様の部材には共通の符号を用いた。
図１に示した実施例と図４に示した従来例との相違点は、図４に示した従来技術のウエハテストで用いる検査プローバー１とＬＳＩテスタ１２とを、図１に示すように電気特性測定用プローブ７と温度センサプローブ１５とを具備したプローブカード６に変更し、その温度センサプローブ１５で検知した結果を読み取って演算する演算器１６と、その演算器１６からデータバスケーブル１７を介してＬＳＩテスタ１２に接続する温度測定系を追加した点である。
Next, an embodiment according to the present invention will be described with reference to FIG.
FIG. 1 is a conceptual diagram showing an embodiment of an inspection prober according to the present invention.
In addition, the same code | symbol was used for the member similar to the prior art example shown in FIG.
The difference between the embodiment shown in FIG. 1 and the conventional example shown in FIG. 4 is that the
すなわち、図１に示すＩＣテスト装置は、ウエハ２を搭載すると共に鉛直方向（矢印Ｐ１方向）に移動可能なステージ１３及びウエハ面内のＩＣチップの各電極に電気特性測定用プローブ７を接触させるプローブカード６を有する検査プローバー１と、検査プローバー１からのＩＣチップの信号を解析するＩＣテスタ（ＬＳＩテスタ）１２とを備えたＩＣテスト装置であって、プローブカード６に設けられ、ウエハ面内のダイシングラインに接触して温度データを取得するための温度センサプローブ１５と、温度センサプローブ１５からの信号を演算処理する演算器１６とを具備した装置である。
That is, in the IC test apparatus shown in FIG. 1, the electrical
このようにＩＣテスト装置を構成することで、ウエハ面内のＩＣチップの実温度を測定し、実温度に対応した適切なテスト条件で正確な合否判定が可能となる。 By configuring the IC test apparatus in this way, it is possible to measure the actual temperature of the IC chip in the wafer surface and perform accurate pass / fail determination under appropriate test conditions corresponding to the actual temperature.
図２は、電気特性測定用プローブ６と温度センサプローブ１５を具備した、本発明に係るプローブカード６の一例を示す平面図である。
図３は、電気特性測定時中のＩＣチップＡ２０と温度測定中の未測定ＩＣチップＢ２１とを示す平面図である。
FIG. 2 is a plan view showing an example of the
FIG. 3 is a plan view showing an IC chip A20 during measurement of electrical characteristics and an unmeasured IC chip B21 during temperature measurement.
未測定ＩＣチップＢ２１では周辺のダイシングライン１８に温度センサプローブ１５を接触させて表面温度を検知する。検知した結果は必要に応じて演算処理を行いデータバスケーブル１７（図１参照）を介してＬＳＩテスタ１２に送信する。受信した温度データを基に未測定ＩＣチップＢ２１のテスト条件が決定する。
ＩＣチップＡ２０の電気特性測定終了後、ＩＣチップＢ２１を事前に決定したテスト条件を基に電気特性測定する。同時に上述と同じく未測定ＩＣチップＣ２２の温度を測定、テスト条件を決定する。これを全てのＩＣチップの測定が終了するまで繰り返し実行する。
In the unmeasured IC chip B21, the temperature sensor probe 15 is brought into contact with the
After the measurement of the electrical characteristics of the IC chip A20, the electrical characteristics are measured based on the test conditions determined in advance for the IC chip B21. At the same time, as described above, the temperature of the unmeasured IC chip C22 is measured and the test conditions are determined. This is repeated until the measurement of all IC chips is completed.
図３においては電気特性測定ＩＣチップＡ２０の右側ＩＣチップのダイシングラインに、温度センサプローブを接触させているが右側のＩＣチップに限るものではない。 左、上、下、斜め、隣り合わないＩＣチップのダイシングラインに接触させても良い。
ここまでは、温度センサプローブ１本で温度データを取得する実施例の説明である。
In FIG. 3, the temperature sensor probe is brought into contact with the dicing line of the right IC chip of the electrical characteristic measurement IC chip A20, but the invention is not limited to the right IC chip. You may make it contact the dicing line of the IC chip which is not left, upper, lower, diagonal, and adjacent.
Up to this point, the description has been given of the embodiment in which the temperature data is acquired by one temperature sensor probe.
図４は、本発明に係るＩＣテスト装置に用いられるプローブカードの他の実施例を示す平面図である。
図４に示す実施例と図３に示した実施例との相違点は、プローブカード６が複数の温度センサプローブ１５を有する点である。
図４に示すように複数箇所のダイシングライン１８の温度を検知し、複数ある検知結果を演算処理した平均値を温度データとして取り扱うことで、ウエハ面内のＩＣチップの実温度測定精度を向上させることができる。
FIG. 4 is a plan view showing another embodiment of the probe card used in the IC test apparatus according to the present invention.
The difference between the embodiment shown in FIG. 4 and the embodiment shown in FIG. 3 is that the
As shown in FIG. 4, the temperature of a plurality of dicing
また、ＩＣのチップサイズが小さい場合（例えば１辺が１ｍｍ以下のＩＣチップなど）は、近傍のチップ間の温度差が非常に小さくなるため、一定の領域を同一温度として１ブロックと扱うこともできる。
一例として、１ｍｍ角のチップの場合で説明する。
１０ｍｍ角を１ブロックとすると、そのブロック内にはＩＣチップ１００個が入る。この１００個は個々に温度測定せず、同一の温度データから得たテスト条件を適応する。この方法はＩＣチップ２個以上を同時に測定する場合に有効である。
In addition, when the chip size of the IC is small (for example, an IC chip having one side of 1 mm or less), the temperature difference between neighboring chips becomes very small, so a certain area can be treated as one block with the same temperature. it can.
As an example, a 1 mm square chip will be described.
Assuming that a 10 mm square is one block, 100 IC chips are placed in the block. These 100 pieces are not individually measured for temperature, and test conditions obtained from the same temperature data are applied. This method is effective when simultaneously measuring two or more IC chips.
図５は、ＩＣチップＡ２０およびＩＣチップＡ’２３を同時に電気特性を測定する場合の平面図である。
図５に示した実施例と図３に示した実施例との相違点は、ウエハ面内を一定領域でブロックに分け、そのブロックによりテスト条件を事前に決定し、電気的テストを行う点である。
ＩＣチップＡ２０及びＩＣチップＡ’２３の一定領域としての２チップ分を１ブロックとして扱う。
ＩＣチップＡ２０及びＩＣチップＡ’２３の電気特性測定をする間に、温度センサプローブ１５で 未測定ＩＣチップＢ２４及びＩＣチップＢ’２５のデータを取得し、１つのテスト条件を適応する。
温度センサプローブは前述のように複数でもよいが、２チップに対して最終的に１つの温度データを算出し、テスト条件を決定する。ＩＣチップＢ２４及びＩＣチップＢ’２５は算出された１つのデータに基づき、同一のテスト条件でテストされる。これにより、温度測定の回数削減ができ、かつ同時測定を異なるテスト条件で実施する煩雑さをなくすことができる。
FIG. 5 is a plan view when the electrical characteristics of the IC chip A20 and the IC chip A′23 are measured simultaneously.
The difference between the embodiment shown in FIG. 5 and the embodiment shown in FIG. 3 is that the wafer surface is divided into blocks in a certain area, test conditions are determined in advance by the blocks, and an electrical test is performed. is there.
Two chips as fixed areas of the IC chip A20 and the IC chip A'23 are handled as one block.
While measuring the electrical characteristics of the IC chip A20 and the IC chip A′23, the temperature sensor probe 15 acquires data of the unmeasured IC chip B24 and the IC chip B′25, and applies one test condition.
Although a plurality of temperature sensor probes may be used as described above, one temperature data is finally calculated for two chips to determine a test condition. The IC chip B24 and the IC chip B′25 are tested under the same test conditions based on the calculated one data. Thereby, the frequency | count of temperature measurement can be reduced and the complexity which implements simultaneous measurement on different test conditions can be eliminated.
図５に示す実施例においては右側ＩＣチップのダイシングライン１８に、温度センサプローブ１５を接触させているが右側のＩＣチップに限るものではない。
左、上、下、斜め、同時測定ＩＣチップ間、隣り合わないＩＣチップのダイシングラインに接触させても良い。
In the embodiment shown in FIG. 5, the temperature sensor probe 15 is brought into contact with the dicing
You may make it contact the dicing line of the IC chip which is not adjacent to the left, the upper, the lower, the diagonal, between the simultaneous measurement IC chips.
また、図５に示す実施例では温度センサプローブ１本で温度データを取得する例を示しているが、上述と同じく複数箇所のダイシングラインの温度を検知し、複数ある検知結果を演算処理した平均値を温度データとして取り扱うことで、ＩＣチップの実温度測定精度が向上できる。 Further, in the embodiment shown in FIG. 5, the temperature data is acquired by using one temperature sensor probe. However, the average of the temperature of a plurality of dicing lines detected as described above, and a plurality of detection results is calculated. By treating the value as temperature data, the actual temperature measurement accuracy of the IC chip can be improved.
ウエハ表面温度の測定に使用する温度センサプローブとしては、精度において非接触型温度センサよりも 接触型温度センサの方が優れており、また接触有効面積が小さく安価で容易に入手可能な熱電対あるいはＩＣ温度センサの構成にすることが望ましい。 また、確実にＩＣチップ外の接触有効面積に接触させるには、その接触有効面積に合わせて適切な種類 およびサイズの温度センサプローブを選定することが有効である。
例えば、接触有効面積が１ｍｍ2以下の場合は熱電対、１ｍｍ2以上の場合は熱電対あるいはＩＣ温度センサを選択することが望ましい。
これにより、ＩＣチップを損傷することなく、精度良くＩＣチップの実温度を測定することができる。
As a temperature sensor probe used for measuring the wafer surface temperature, the contact type temperature sensor is superior to the non-contact type temperature sensor in terms of accuracy, and a thermocouple or an easily available thermocouple with a small effective contact area. It is desirable to have an IC temperature sensor configuration. In order to ensure contact with the effective contact area outside the IC chip, it is effective to select a temperature sensor probe of an appropriate type and size according to the effective contact area.
For example, it is desirable to select a thermocouple when the effective contact area is 1 mm 2 or less, and a thermocouple or an IC temperature sensor when it is 1 mm 2 or more.
Thereby, the actual temperature of the IC chip can be accurately measured without damaging the IC chip.
〔効果の説明〕
本発明においては、ウエハ面内のＩＣチップの実温度に適応したテスト条件による正確な合否判定ができる。
[Explanation of effects]
In the present invention, it is possible to make an accurate pass / fail judgment based on test conditions adapted to the actual temperature of the IC chip in the wafer surface.
本発明においては、ウエハ面内のＩＣチップ外のダイシングラインに温度センサプローブを接触することによりＩＣチップを損傷することなくＩＣチップの実温度を測定することができる。 In the present invention , the actual temperature of the IC chip can be measured without damaging the IC chip by contacting the temperature sensor probe with a dicing line outside the IC chip in the wafer surface.
本発明においては、ウエハ面内の複数箇所の温度を検知することにより、より正確な温度測定ができる。 In the present invention , more accurate temperature measurement can be performed by detecting temperatures at a plurality of locations in the wafer surface.
本発明においては、ウエハ面内を一定領域にブロック分けすることで請求項１のＩＣテスト方法を簡易化することができる。
In the present invention , the IC test method according to
本発明においては、温度センサプローブを確実にダイシングラインへ接触することで、温度測定が可能である。 In the present invention , the temperature can be measured by reliably contacting the temperature sensor probe to the dicing line.
本発明においては、温度センサプローブを複数個具備する事で、複数箇所の温度検知が可能である。 In the present invention , by providing a plurality of temperature sensor probes, temperature detection at a plurality of locations is possible.
本発明においては、接触有効面積に合わせて適切な温度センサプローブを選択することで、ＩＣチップの損傷を回避することができ、精度よくＩＣチップの実温度を測定することが可能である。 In the present invention , by selecting an appropriate temperature sensor probe according to the effective contact area, damage to the IC chip can be avoided, and the actual temperature of the IC chip can be accurately measured.
本発明においては、ＩＣチップの周辺に温度センサプローブを接触して取得した温度データから、未測定ＩＣチップのテスト条件を事前に決定し、電気的テストを行うことにより、ＩＣチップの実温度に適応したテスト条件による正確な合否判定ができるので、テスト時間を短縮することができる。 In the present invention , the test condition of the unmeasured IC chip is determined in advance from the temperature data acquired by contacting the temperature sensor probe around the IC chip, and the actual temperature of the IC chip is obtained by performing an electrical test. Since it is possible to make an accurate pass / fail decision based on the adapted test conditions, the test time can be shortened.
本発明においては、プローブカードが温度センサプローブを複数個具備する事で、複数箇所の温度検知が可能である。 In the present invention , since the probe card includes a plurality of temperature sensor probes, temperature detection at a plurality of locations is possible.
本発明においては、接触有効面積に合わせて適切な温度センサプローブを選択することで、ＩＣチップの損傷を回避することができ、精度よくＩＣチップの実温度を測定することが可能である。 In the present invention , by selecting an appropriate temperature sensor probe according to the effective contact area, damage to the IC chip can be avoided, and the actual temperature of the IC chip can be accurately measured.
本発明においては、ウエハ面内のＩＣチップの周辺に温度センサプローブを接触して取得した温度データから、未測定ＩＣチップのテスト条件を事前に決定し、電気的テストを行うことにより、ＩＣチップの実温度に適応したテスト条件による正確な合否判定ができるので、テスト時間を短縮することができる。 In the present invention , the test conditions of the unmeasured IC chip are determined in advance from the temperature data acquired by contacting the temperature sensor probe around the IC chip in the wafer surface, and an electrical test is performed. The test time can be shortened because accurate pass / fail judgment can be made under the test conditions adapted to the actual temperature.
本発明においては、ウエハ面内のＩＣチップ外のダイシングラインに温度センサプローブを接触することにより、ＩＣチップを損傷することなくＩＣチップの実温度を測定することができる。 In the present invention , the actual temperature of the IC chip can be measured without damaging the IC chip by bringing the temperature sensor probe into contact with the dicing line outside the IC chip in the wafer surface.
本発明においては、ウエハ面内の複数箇所の温度を検知することにより、より正確な温度測定ができる。 In the present invention , more accurate temperature measurement can be performed by detecting temperatures at a plurality of locations in the wafer surface.
本発明は、ＩＣテスト方法、プローブカード、検査プローバー、及びＩＣテスト装置に利用できる。 The present invention can be used for an IC test method, a probe card, an inspection prober, and an IC test apparatus.
１ 検査プローバー
２ ウエハ
３ 温度制御コントローラ
４、１１、１７ データバスケーブル
５ ヒーター及び冷却部
６ プローブカード
７ 電気特性測定用プローブ
８ 接続リング
９ テストボード
１０ テストヘッド
１２ ＬＳＩテスタ
１３ ステージ
１４ 温度センサ
１５ 温度センサプローブ
１６ 演算器
DESCRIPTION OF
Claims (3)
ウエハ面内を一定領域でブロックに分け、そのブロックに対して、前記取得した温度データを１つのテスト条件として事前に決定し、電気的テストを行うことを特徴とするＩＣテスト方法。 When a wafer is mounted on an inspection prober stage and an electrical test is performed by contacting a probe of a probe card to each electrode of the IC chip within the wafer surface, a temperature sensor probe is brought into contact with the periphery of the IC chip. in the temperature test condition of unmeasured IC chip determined in advance from the data, cormorants line electrical testing I C test methods acquired Te,
An IC test method characterized in that the wafer surface is divided into blocks in a certain area, the obtained temperature data is determined in advance as one test condition, and an electrical test is performed on the block .
前記温度センサプローブをダイシングラインに接触させて温度測定を行うことを特徴とするＩＣテスト方法。 The IC test method according to claim 1, wherein
An IC test method, wherein the temperature is measured by bringing the temperature sensor probe into contact with a dicing line.
前記ダイシングラインの複数箇所に複数の温度センサプローブを接触させて温度測定を行うことを特徴とするＩＣテスト方法。 The IC test method according to claim 2, wherein
IC test how, characterized in that the temperature measured by contacting a plurality of temperature sensor probe at a plurality of positions of the dicing lines.
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