JP5003434B2 - デバイス形成用ウエーハの評価方法 - Google Patents
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Description
特許文献1には、シリコンウエーハにゲッタリング能力を付加するために施されるバックサイドダメージを評価する方法であって、バックサイドダメージを有するシリコンウエーハについて、X線二結晶法を用いてロッキングカーブの幅又は幅の増加量を測定することを特徴とするシリコンウエーハの評価方法が開示されている。一般に、ロッキングカーブの測定はX線回折法の一つであるX線二結晶法を用いて行なわれるが、その際にシリコンウエーハの測定面から得られるX線回折強度は、表面からミクロンオーダーの深さまでの情報が含まれている。特許文献1のように、ウエーハの裏面にシリカ等の粉末を吹き付けてダメージを与えるバックサイドダメージの場合、そのダメージ層の深さは数μm程度であるため、前記のように、バックサイドダメージを有するシリコンウエーハについてロッキングカーブの幅又は幅の増加量を測定すれば、ダメージ層を主体とする回折強度の情報が得られる。従って、その情報からバックサイドダメージを有するシリコンウエーハのゲッタリング能力を評価することが可能となる。
次に、イオン注入ダメージを有するシリコンウエーハの元素がイオン注入された表面側から、X線回折法を用いてロッキングカーブを測定する。また、リファレンスウエーハにおいても同様にロッキングカーブを測定しておく。
この際、回折強度プロファイル中の正のピークの有無を確認することにより、デバイス形成用ウエーハのゲッタリング能力を判断することができる。
この場合、得られた評価用ウエーハのロッキングカーブのピーク位置から、ピーク位置よりもX線の入射が高角度側の角度範囲の回折強度を、評価用ウエーハとリファレンスウエーハとで比較する。
この際、回折強度プロファイル中の正のピークの有無を確認することにより、デバイス形成用ウエーハのゲッタリング能力を判断することができる。
また、イオン注入する元素は、シリコン中で電気的に不活性である中性元素とするのが好ましい。
直径200mm、面方位{100}の鏡面研磨されたシリコン単結晶ウエーハの表面に25nmの熱酸化膜(スクリーン酸化膜)を形成し、その表面に加速電圧100keV、ドーズ量(a)〜(k)の11条件でアルゴンをイオン注入した。尚、ドーズ量はそれぞれ、(a)は1E12(1×1012/cm2を表す。以下同様。)、(b)は5E12、(c)は1E13、(d)は3E13、(e)は6E13、(f)は1E14、(g)は1.5E14、(h)は2E14、(i)は2.5E14、(j)は3E14、(k)は2.5E15とした。これらの各ドーズ量でイオン注入された直後のウエーハのロッキングカーブを測定し、それぞれ図1(a)〜(k)に示した。尚、リファレンスとしてイオン注入を行なわなかった同一仕様のウエーハのロッキングカーブも、図1(a)〜(k)のそれぞれに重ねて示した。
また、図1〜3で用いたウエーハと同一仕様のシリコン単結晶ウエーハの表面に25nmの熱酸化膜(スクリーン酸化膜)を形成し、その表面にドーズ量を1E14に固定し、注入エネルギーを(a)40keV、(b)60keV、(c)80keV、(d)100keVの4条件でアルゴンをイオン注入した。そして、図1〜3と同様にロッキングカーブの測定(図4(A))と、低角度側(図4(B))及び高角度側(図4(C))の回折強度変化割合を算出したものを図4とした。
図1〜3で用いたウエーハと同一仕様のシリコン単結晶ウエーハの表面に15nmの熱酸化膜(スクリーン酸化膜)を形成し、その表面に注入する元素を中性元素であるシリコン(図5(a))、酸素(図5(b))、炭素(図5(c))、また、ドーパント元素であるアンチモン(図6(a))、砒素(図6(b))とし、ドーズ量1E14、注入エネルギーを80keVとしてイオン注入した。そして、図1〜3と同様にロッキングカーブの測定(図5(A)、6(A))と、低角度側(図5(B)、6(B))及び高角度側(図5(C)、6(C))の回折強度変化割合を算出したものを図5、6とした。
そして、SOI層表面側から6、7層目(埋め込み酸化膜側から1、2層目)に検出されたNi濃度の和をイオン注入ダメージ層にゲッタリングされたNi濃度とし、それを初期汚染濃度で除した値の百分率をゲッタリング能力と定義して各条件のゲッタリング能力を比較し、図7(A)(B)(C)に記載した。
図1によれば、ドーズ量が(a)1E12ではリファレンスとの間にロッキングカーブの差は見られないが、(b)5E12以上のドーズ量では低角度側、高角度側共に差が見られることがわかる。特に低角度側は、(b)5E12〜(f)1E14まではドーズ量の増加と共に低角度側にサブピークの形成が顕著に現れてくるが、1E14を超えるとそのサブピークの強度が低下することがわかる。
また、図7のゲッタリング能力評価では、初期の汚染量が約5×1012atoms/cm2であるので、それより高い濃度をゲッタリングする能力を有していても、それを評価することができない。従って、ゲッタリング能力が約100%の場合は、5×1012atoms/cm2以上をゲッタリングする能力を有していることを意味している。実際には、ドーズ量が5E12以上の場合、強度変化割合に応じてゲッタリング能力が変化していると推定される。
3a…第1スリット、 4…第2スリット板、 4a…第2スリット、
5…第3スリット板、 5a…第3スリット、 6…カウンター、
W…サンプル。
Claims (8)
- 少なくとも、一方の表面から元素をイオン注入することによってイオン注入ダメージ層が形成されたシリコンウエーハを用いて作製されるデバイス形成用ウエーハを評価する方法であって、前記イオン注入ダメージ層を有する前記シリコンウエーハの前記元素がイオン注入された表面側から、X線回折法を用いてロッキングカーブを測定し、該ロッキングカーブのピーク位置から該ピーク位置よりも低角度側の角度範囲の回折強度を、該角度範囲と同一の角度範囲におけるイオン注入ダメージ層を有さないリファレンスウエーハのロッキングカーブの回折強度と比較することによって、前記イオン注入ダメージ層を有するシリコンウエーハを用いて作製されるデバイス形成用ウエーハのゲッタリング能力を評価することを特徴とするデバイス形成用ウエーハの評価方法。
- 前記回折強度を比較する低角度側の角度範囲を前記ピーク位置から0.2度までとすることを特徴とする請求項1に記載のデバイス形成用ウエーハの評価方法。
- 前記回折強度の比較は、前記角度範囲において、前記イオン注入ダメージ層を有するシリコンウエーハの回折強度から前記リファレンスウエーハの回折強度を差し引いた回折強度差プロファイルを求めることによって行い、該回折強度差プロファイル中の正のピークの有無により前記デバイス形成用ウエーハのゲッタリング能力の有無を判断することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のデバイス形成用ウエーハの評価方法。
- 少なくとも、一方の表面から元素をイオン注入することによってイオン注入ダメージ層が形成されたシリコンウエーハを用いて作製されるデバイス形成用ウエーハを評価する方法であって、前記イオン注入ダメージ層を有する前記シリコンウエーハの前記元素がイオン注入された表面側から、X線回折法を用いてロッキングカーブを測定し、該ロッキングカーブのピーク位置から該ピーク位置よりも高角度側の角度範囲の回折強度を、該角度範囲と同一の角度範囲におけるイオン注入ダメージ層を有さないリファレンスウエーハのロッキングカーブの回折強度と比較することによって、前記イオン注入ダメージ層を有するシリコンウエーハを用いて作製されるデバイス形成用ウエーハのゲッタリング能力を評価することを特徴とするデバイス形成用ウエーハの評価方法。
- 前記回折強度を比較する高角度側の角度範囲を前記ピーク位置から0.1度までとすることを特徴とする請求項4に記載のデバイス形成用ウエーハの評価方法。
- 前記回折強度の比較は、前記角度範囲において、前記リファレンスウエーハの回折強度から前記イオン注入ダメージ層を有するシリコンウエーハの回折強度を差し引いた回折強度差プロファイルを求めることによって行い、該回折強度差プロファイル中の正のピークの有無により前記デバイス形成用ウエーハのゲッタリング能力の有無を判断することを特徴とする請求項4又は請求項5に記載のデバイス形成用ウエーハの評価方法。
- 前記評価するデバイス形成用ウエーハはSOIウエーハとすることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか一項に記載のデバイス形成用ウエーハの評価方法。
- 前記イオン注入する元素を、シリコン中で電気的に不活性である中性元素とすることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか一項に記載のデバイス形成用ウエーハの評価方法。
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