JP2002343948A - Ｓｏｉウェーハの評価方法 - Google Patents
Ｓｏｉウェーハの評価方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ＳＯＩ層の結晶格子が、基板と同等か、又は近
似する状態のＳＯＩウェーハにおけるＳＯＩウェーハの
結晶品質を評価する方法の提供。 【解決手段】基板１０と当該基板１０の上にＳＯＩ層１
４が設けられたＳＯＩウェーハ１を評価する評価方法に
おいて、基板１０及びＳＯＩ層１４を構成する主たる元
素とは異なる元素をＳＯＩ層１４或いは基板に拡散する
ことにより、ＳＯＩ層１４の結晶格子と基板１０の結晶
格子とを異ならしめる。
似する状態のＳＯＩウェーハにおけるＳＯＩウェーハの
結晶品質を評価する方法の提供。 【解決手段】基板１０と当該基板１０の上にＳＯＩ層１
４が設けられたＳＯＩウェーハ１を評価する評価方法に
おいて、基板１０及びＳＯＩ層１４を構成する主たる元
素とは異なる元素をＳＯＩ層１４或いは基板に拡散する
ことにより、ＳＯＩ層１４の結晶格子と基板１０の結晶
格子とを異ならしめる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、試料結晶で回折さ
れたＸ線の強度と前記試料結晶へのＸ線の入射角度との
相関関係を示すＸ線回折のロッキングカーブを用いて、
基板と当該基板の上にＳＯＩ層が設けられたＳＯＩウェ
ーハの結晶の品質を評価する評価方法に関する。
れたＸ線の強度と前記試料結晶へのＸ線の入射角度との
相関関係を示すＸ線回折のロッキングカーブを用いて、
基板と当該基板の上にＳＯＩ層が設けられたＳＯＩウェ
ーハの結晶の品質を評価する評価方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子に用いられるＳＯＩウェーハ
の結晶には不純物、例えば、鉄や銅等の重金属が極微量
含有している場合がある。また、ＳＯＩウェーハが、機
械的ダメージ、点欠陥、及び２次欠陥等の欠陥を有する
場合がある。したがって、これらにより結晶品質が劣化
すると結晶の電気特性や結晶特性等が大きく影響される
ため、ＳＯＩウェーハの結晶品質を予め評価することは
重要である。
の結晶には不純物、例えば、鉄や銅等の重金属が極微量
含有している場合がある。また、ＳＯＩウェーハが、機
械的ダメージ、点欠陥、及び２次欠陥等の欠陥を有する
場合がある。したがって、これらにより結晶品質が劣化
すると結晶の電気特性や結晶特性等が大きく影響される
ため、ＳＯＩウェーハの結晶品質を予め評価することは
重要である。
【０００３】さて、ウェーハ表面に存在する薄膜の結晶
品質を評価する方法として、エッチングによる欠陥評価
法や２結晶法等がある。
品質を評価する方法として、エッチングによる欠陥評価
法や２結晶法等がある。
【０００４】しかし、両者とも、エッチング深さやＸ線
の進入深さより、薄膜の膜厚が薄い場合は、薄膜の情報
に基板の情報が混入する。すなわち、薄膜の膜厚が、エ
ッチング深さやＸ線の進入深さより薄い場合は、これら
の方法は使用できない。
の進入深さより、薄膜の膜厚が薄い場合は、薄膜の情報
に基板の情報が混入する。すなわち、薄膜の膜厚が、エ
ッチング深さやＸ線の進入深さより薄い場合は、これら
の方法は使用できない。
【０００５】そこで、エピタキシャル成長させた薄膜の
場合、薄膜の膜厚に関わらず薄膜を評価する方法とし
て、例えば、特開平９‐３１１１１１号公報に開示され
ているものが提案された。これは、試料結晶で回折され
たＸ線の強度と試料結晶へのＸ線の入射角度との相関関
係を示すＸ線回折のロッキングカーブにピークが現われ
る場合、エピタキシャル成長させた薄膜に起因するサテ
ライトピークが現われる角度でＸ線を照射し、Ｘ線トポ
グラフ測定を行うものである。
場合、薄膜の膜厚に関わらず薄膜を評価する方法とし
て、例えば、特開平９‐３１１１１１号公報に開示され
ているものが提案された。これは、試料結晶で回折され
たＸ線の強度と試料結晶へのＸ線の入射角度との相関関
係を示すＸ線回折のロッキングカーブにピークが現われ
る場合、エピタキシャル成長させた薄膜に起因するサテ
ライトピークが現われる角度でＸ線を照射し、Ｘ線トポ
グラフ測定を行うものである。
【０００６】また、例えば、特開２０００‐１９５９１
６号公報に開示されているものが提案された。これは、
品質に影響を与えない程度で薄膜の組成にバラツキを与
えて、Ｘ線回折のロッキングカーブを得て、基板及びエ
ピタキシャル成長させた薄膜のロッキングカーブのピー
クをそれぞれ読み取り、評価を行うものである。
６号公報に開示されているものが提案された。これは、
品質に影響を与えない程度で薄膜の組成にバラツキを与
えて、Ｘ線回折のロッキングカーブを得て、基板及びエ
ピタキシャル成長させた薄膜のロッキングカーブのピー
クをそれぞれ読み取り、評価を行うものである。
【０００７】これらにより、薄膜の厚さに影響されず、
エピタキシャル成長させた薄膜のみの評価を行うことが
できる。
エピタキシャル成長させた薄膜のみの評価を行うことが
できる。
【０００８】また、ＳＯＩウェーハを評価する方法とし
て、Ｘ線回折のロッキングカーブを用いて、基板と、基
板の上のＳＯＩ層を評価するものがある。
て、Ｘ線回折のロッキングカーブを用いて、基板と、基
板の上のＳＯＩ層を評価するものがある。
【０００９】例えば、回折強度のピークになる角度が一
つに定まらない時は、基板とＳОＩ層の結晶格子が異な
っており、基板及びＳОＩ層を分離して評価できる。
つに定まらない時は、基板とＳОＩ層の結晶格子が異な
っており、基板及びＳОＩ層を分離して評価できる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＳＯＩ
ウェーハにおけるＳＯＩ層の結晶格子が、基板と同等
か、又は近似する状態のＳＯＩウェーハは、各々のピー
クが接近するため、ＳＯＩ層のみ、又は基板のみの評価
が困難であった。
ウェーハにおけるＳＯＩ層の結晶格子が、基板と同等
か、又は近似する状態のＳＯＩウェーハは、各々のピー
クが接近するため、ＳＯＩ層のみ、又は基板のみの評価
が困難であった。
【００１１】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、ＳＯＩ層の結晶格子が、基板と同等か、又は近似
する状態のＳＯＩウェーハにおいて、ＳＯＩ層と基板の
Ｘ線回折のロッキングカーブピークとを分離させ、それ
ぞれを評価する方法を提供することを目的とするもので
ある。
あり、ＳＯＩ層の結晶格子が、基板と同等か、又は近似
する状態のＳＯＩウェーハにおいて、ＳＯＩ層と基板の
Ｘ線回折のロッキングカーブピークとを分離させ、それ
ぞれを評価する方法を提供することを目的とするもので
ある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本願第１請求項記載の発明は、基板と当該基板の上
にＳＯＩ層が設けられたＳＯＩウェーハを評価する評価
方法において、前記基板及び前記ＳＯＩ層を構成する主
たる元素とは異なる元素を前記ＳＯＩ層或いは基板に拡
散することにより、前記ＳＯＩ層の結晶格子と前記基板
の結晶格子とを異ならしめるものである。この構成によ
ると、基板とＳＯＩ層との結晶格子を異ならしめ、これ
ら基板とＳＯＩ層を分離できる。ゆえに、基板及びＳＯ
Ｉ層の結晶の品質について、それぞれ評価することが可
能になる。なお、本願において、元素とは単体を構成す
る要素を意味し、ＳＯＩ層を構成する主たる元素とはシ
リコンである。
め、本願第１請求項記載の発明は、基板と当該基板の上
にＳＯＩ層が設けられたＳＯＩウェーハを評価する評価
方法において、前記基板及び前記ＳＯＩ層を構成する主
たる元素とは異なる元素を前記ＳＯＩ層或いは基板に拡
散することにより、前記ＳＯＩ層の結晶格子と前記基板
の結晶格子とを異ならしめるものである。この構成によ
ると、基板とＳＯＩ層との結晶格子を異ならしめ、これ
ら基板とＳＯＩ層を分離できる。ゆえに、基板及びＳＯ
Ｉ層の結晶の品質について、それぞれ評価することが可
能になる。なお、本願において、元素とは単体を構成す
る要素を意味し、ＳＯＩ層を構成する主たる元素とはシ
リコンである。
【００１３】本願第２請求項記載の発明は、試料結晶で
回折されたＸ線の強度と前記試料結晶へのＸ線の入射角
度との相関関係を示すＸ線回折のロッキングカーブを用
いて、前記基板及び前記ＳＯＩ層の回折強度のピークを
それぞれ得るものであり、この構成によると、基板及び
ＳＯＩ層について、Ｘ線回折強度がピークとなるＸ線入
射角を異ならしめることが可能である。
回折されたＸ線の強度と前記試料結晶へのＸ線の入射角
度との相関関係を示すＸ線回折のロッキングカーブを用
いて、前記基板及び前記ＳＯＩ層の回折強度のピークを
それぞれ得るものであり、この構成によると、基板及び
ＳＯＩ層について、Ｘ線回折強度がピークとなるＸ線入
射角を異ならしめることが可能である。
【００１４】本願第３請求項記載の発明は、前記ＳＯＩ
層の回折強度がピークとなるＸ線の入射角度において、
前記基板の回折強度が前記ＳＯＩ層の回折強度の１／２
以下となるものであり、この構成によると、前記基板と
前記ＳＯＩ層との回折強度のピークとを明確に離隔し、
より正確に結晶の品質を評価することが可能になる。
層の回折強度がピークとなるＸ線の入射角度において、
前記基板の回折強度が前記ＳＯＩ層の回折強度の１／２
以下となるものであり、この構成によると、前記基板と
前記ＳＯＩ層との回折強度のピークとを明確に離隔し、
より正確に結晶の品質を評価することが可能になる。
【００１５】本願第４請求項記載の発明は、前記基板、
又は前記ＳＯＩ層の回折強度がピークとなるＸ線の入射
角度付近についてＸ線トポグラフ測定を行うものであ
り、この構成によると、トポグラフにより基板又はＳО
Ｉ層のみの欠陥の位置を判定することが可能になる。
又は前記ＳＯＩ層の回折強度がピークとなるＸ線の入射
角度付近についてＸ線トポグラフ測定を行うものであ
り、この構成によると、トポグラフにより基板又はＳО
Ｉ層のみの欠陥の位置を判定することが可能になる。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明の骨子は、基板及びＳＯＩ
層を構成する主たる元素（シリコンなど）とは異なる元
素、例えばリン又はリンの化合物をＳＯＩ層或いは基板
に拡散することで、Ｘ線ロッキングカーブの回折強度の
ピークを、基板及びＳＯＩ層のそれぞれについて得て、
各々について結晶品質を評価する方法を提供することで
ある。
層を構成する主たる元素（シリコンなど）とは異なる元
素、例えばリン又はリンの化合物をＳＯＩ層或いは基板
に拡散することで、Ｘ線ロッキングカーブの回折強度の
ピークを、基板及びＳＯＩ層のそれぞれについて得て、
各々について結晶品質を評価する方法を提供することで
ある。
【００１７】以下、本発明の好適な実施形態について、
図面を参照しながら説明する。
図面を参照しながら説明する。
【００１８】図１は、ＳＩＭＯＸウェーハ１のＳＯＩ層
１４に、基板１０及びＳＯＩ層１４に含有されない元素
であるリンを拡散する方法を示す概略図であり、図２
は、本発明の実施の形態に係るロッキングカーブであ
る。図３は、元素を拡散せず未処理のＳＩＭＯＸウェー
ハ１のロッキングカーブである。
１４に、基板１０及びＳＯＩ層１４に含有されない元素
であるリンを拡散する方法を示す概略図であり、図２
は、本発明の実施の形態に係るロッキングカーブであ
る。図３は、元素を拡散せず未処理のＳＩＭＯＸウェー
ハ１のロッキングカーブである。
【００１９】ＳＩＭОＸウェーハは、基板内部にＢОＸ
層を形成し、表層部をＳОＩ層としたウェーハである。
ＳОＩ層は基板と同一材料であるため、基板とＳОＩ層
の結晶格子は等しい。
層を形成し、表層部をＳОＩ層としたウェーハである。
ＳОＩ層は基板と同一材料であるため、基板とＳОＩ層
の結晶格子は等しい。
【００２０】ＳＩＭＯＸウェーハ１を２枚用意し、一方
は何ら処理をせず、他方は活性層であるＳＯＩ層１４
に、基板１０及びＳＯＩ層１４に含有されない元素を拡
散して、それぞれを評価する。
は何ら処理をせず、他方は活性層であるＳＯＩ層１４
に、基板１０及びＳＯＩ層１４に含有されない元素を拡
散して、それぞれを評価する。
【００２１】まず、一方のＳＩＭＯＸウェーハ１のＳＯ
Ｉ層１４に、基板１０及びＳＯＩ層１４に含有されない
元素を拡散する方法について説明する。
Ｉ層１４に、基板１０及びＳＯＩ層１４に含有されない
元素を拡散する方法について説明する。
【００２２】ＳＩＭＯＸウェーハ１はシリコンで構成さ
れており、図１に示すように、シリコンの基板１０の上
に、ＢＯＸ層である埋め込み酸化膜１２、及び活性層で
あるＳＯＩ層１４等が形成されている。なお、埋め込み
酸化膜１２は厚さ約０．１μｍ、ＳＯＩ層１４は厚さ約
０．１μｍである。
れており、図１に示すように、シリコンの基板１０の上
に、ＢＯＸ層である埋め込み酸化膜１２、及び活性層で
あるＳＯＩ層１４等が形成されている。なお、埋め込み
酸化膜１２は厚さ約０．１μｍ、ＳＯＩ層１４は厚さ約
０．１μｍである。
【００２３】基板１０及びＳＯＩ層１４に含有されない
元素として、例えばリンを使用する。
元素として、例えばリンを使用する。
【００２４】ＳＩＭＯＸウェーハ１のＳＯＩ層１４に、
リンを含有する溶剤２０を接触させる。
リンを含有する溶剤２０を接触させる。
【００２５】そして、例えば、９００°Ｃの温度、窒素
及び酸素の混合気体の雰囲気下で１２分間、ＳＩＭＯＸ
ウェーハ１に熱処理を施す。
及び酸素の混合気体の雰囲気下で１２分間、ＳＩＭＯＸ
ウェーハ１に熱処理を施す。
【００２６】すると、溶剤２０に含有されるリンが接触
部２０ａを介して、ＳＩＭＯＸウェーハ１へ拡散する。
しかし、リンの拡散はＳＯＩ層１４を経て、埋め込み酸
化膜１２で停止する。従って、基板１０のシリコンはリ
ンの影響を受けない。
部２０ａを介して、ＳＩＭＯＸウェーハ１へ拡散する。
しかし、リンの拡散はＳＯＩ層１４を経て、埋め込み酸
化膜１２で停止する。従って、基板１０のシリコンはリ
ンの影響を受けない。
【００２７】ＳОＩ中に基板及びＳОＩ層の組成元素と
は異なる元素を拡散させると、元素は組成元素の格子位
置又は格子間位置に入る。そして、拡散された元素は組
成元素と格子位置が異なるため、結晶格子が変化する。
は異なる元素を拡散させると、元素は組成元素の格子位
置又は格子間位置に入る。そして、拡散された元素は組
成元素と格子位置が異なるため、結晶格子が変化する。
【００２８】なお、拡散したリンの濃度は、１×１０
１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３である。
１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３である。
【００２９】この濃度は、図２に示すように、ＳＯＩ層
の回折強度がピークとなるＸ線の入射角度ａにおいて、
基板の回折強度ｙがＳＯＩ層の回折強度ｘの１／２以下
となる濃度である。
の回折強度がピークとなるＸ線の入射角度ａにおいて、
基板の回折強度ｙがＳＯＩ層の回折強度ｘの１／２以下
となる濃度である。
【００３０】このとき、以下の現象がＳＩＭＯＸウェー
ハ１で起きる。
ハ１で起きる。
【００３１】ＳＯＩ層１４中に高濃度のリンを拡散させ
ると、リンが基板１０のシリコンの格子位置に置き換わ
る。しかしながら、リンとシリコンとは格子定数が異な
るため結晶格子が変化し、ＳＯＩ層１４と基板１０とで
異なった結晶格子になる。
ると、リンが基板１０のシリコンの格子位置に置き換わ
る。しかしながら、リンとシリコンとは格子定数が異な
るため結晶格子が変化し、ＳＯＩ層１４と基板１０とで
異なった結晶格子になる。
【００３２】これにより、ＳＯＩ層１４の結晶格子を基
板の結晶格子と異ならしめることができる。すなわち、
拡散させるリンの濃度が高いとＳＯＩ層１４と基板１０
との回折強度のピークが離隔し、低いと接近する。
板の結晶格子と異ならしめることができる。すなわち、
拡散させるリンの濃度が高いとＳＯＩ層１４と基板１０
との回折強度のピークが離隔し、低いと接近する。
【００３３】図２は、リンを拡散したＳＩＭＯＸウェー
ハ１のロッキングカーブである。図２から、基板１０及
びＳＯＩ層１４の回折強度のピークを得ることができ
る。
ハ１のロッキングカーブである。図２から、基板１０及
びＳＯＩ層１４の回折強度のピークを得ることができ
る。
【００３４】そして、ＳＯＩ層１４のロッキングカーブ
の半値幅（ＦＷＨＭ）又は半値半幅（ＨＷＨＭ）を測定
することで、ＳＯＩ層１４のみの回折強度を得ることが
でき、結晶の品質を評価する。
の半値幅（ＦＷＨＭ）又は半値半幅（ＨＷＨＭ）を測定
することで、ＳＯＩ層１４のみの回折強度を得ることが
でき、結晶の品質を評価する。
【００３５】次に、未処理のＳＩＭＯＸウェーハ１につ
いて説明する。
いて説明する。
【００３６】未処理のＳＩＭＯＸウェーハ１には、基板
１０及びＳＯＩ層１４に含有されない元素が、何ら拡散
されていない。
１０及びＳＯＩ層１４に含有されない元素が、何ら拡散
されていない。
【００３７】図３は、未処理のＳＩＭＯＸウェーハ１の
ロッキングカーブである。
ロッキングカーブである。
【００３８】図３に示すように、ＳＯＩ層１４の結晶格
子が基板１０と同等か、又は近似する状態なので、基板
１０及びＳＯＩ層１４の回折強度のピークが重なる。
子が基板１０と同等か、又は近似する状態なので、基板
１０及びＳＯＩ層１４の回折強度のピークが重なる。
【００３９】したがって、基板１０及びＳＯＩ層１４の
回折強度を読取ることができず、結晶の品質が評価でき
ない。また、基板とＳОＩ層の結晶格子が等しい貼り合
せウェーハを同様に評価しても、同様な結果が得られ結
晶の品質が評価できない。
回折強度を読取ることができず、結晶の品質が評価でき
ない。また、基板とＳОＩ層の結晶格子が等しい貼り合
せウェーハを同様に評価しても、同様な結果が得られ結
晶の品質が評価できない。
【００４０】ついで、Ｘ線トポグラフ測定を行う方法に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００４１】ロッキングカーブ測定は、ロッキングカー
ブから、試料結晶の一点からの回折強度の角度を求め
る。すなわち、試料結晶で回折されたＸ線の強度の角度
分布を求める局所的な測定評価方法である。
ブから、試料結晶の一点からの回折強度の角度を求め
る。すなわち、試料結晶で回折されたＸ線の強度の角度
分布を求める局所的な測定評価方法である。
【００４２】これに対し、Ｘ線トポグラフ測定は、試料
全体から回折像を撮影するので、試料結晶を全体的に評
価し、欠陥の位置を判定する測定評価方法である。
全体から回折像を撮影するので、試料結晶を全体的に評
価し、欠陥の位置を判定する測定評価方法である。
【００４３】リンを拡散したＳＩＭＯＸウェーハ１に、
基板１０から得られるＸ線回折のロッキングカーブのピ
ーク付近、又はＳＯＩ層１４から得られるＸ線ロッキン
グカーブのピーク付近に対応する入射角度でＸ線トポグ
ラフ測定を行う。
基板１０から得られるＸ線回折のロッキングカーブのピ
ーク付近、又はＳＯＩ層１４から得られるＸ線ロッキン
グカーブのピーク付近に対応する入射角度でＸ線トポグ
ラフ測定を行う。
【００４４】これにより、局所的な結晶品質のみなら
ず、基板又はＳОＩ層のみの欠陥の位置を判定すること
ができる。
ず、基板又はＳОＩ層のみの欠陥の位置を判定すること
ができる。
【００４５】このように、本発明のＳＯＩウェーハの評
価方法によれば、ＳＯＩ層１４の結晶格子が、基板１０
と同等か、又は近似する状態のＳＯＩウェーハ１におい
てＸ線の回折強度を評価する方法を提供することができ
る。
価方法によれば、ＳＯＩ層１４の結晶格子が、基板１０
と同等か、又は近似する状態のＳＯＩウェーハ１におい
てＸ線の回折強度を評価する方法を提供することができ
る。
【００４６】尚、本実施形態ではＳＩＭＯＸウェーハを
評価対象に用いたが、これに限らず、貼り合せＳОＩウ
ェーハを用いてもよい。
評価対象に用いたが、これに限らず、貼り合せＳОＩウ
ェーハを用いてもよい。
【００４７】また、本実施例ではリンをＳОＩ層中に拡
散したが、基板に拡散させてもよい。
散したが、基板に拡散させてもよい。
【００４８】また、結晶格子を異ならしめるために、本
実施形態ではリンを用いたが、これに限らず、他の元素
を用いてもよい。
実施形態ではリンを用いたが、これに限らず、他の元素
を用いてもよい。
【００４９】また、熱処理による拡散を行ったが、その
温度、時間は、何ら本発明を限定するものではない。例
えばイオンインプラントなどの他の手法により、元素を
ＳОＩ層中に入れてもよい。
温度、時間は、何ら本発明を限定するものではない。例
えばイオンインプラントなどの他の手法により、元素を
ＳОＩ層中に入れてもよい。
【００５０】また、本実施形態においては、リン又はリ
ンの化合物は、基板及びＳＯＩ層を構成する主たる元素
とは異なるものの、不純物として微量含まれる場合もあ
る。
ンの化合物は、基板及びＳＯＩ層を構成する主たる元素
とは異なるものの、不純物として微量含まれる場合もあ
る。
【００５１】
【発明の効果】以上説明したように、本願第１請求項記
載の発明は、基板と当該基板の上にＳＯＩ層が設けられ
たＳＯＩウェーハを評価する評価方法において、前記基
板及び前記ＳＯＩ層を構成する主たる元素とは異なる元
素を前記ＳＯＩ層或いは基板に拡散することにより、前
記ＳＯＩ層の結晶格子と前記基板の結晶格子とを異なら
しめるものである。この構成によると、基板及びＳＯＩ
層の結晶の品質について、それぞれ評価することができ
る。
載の発明は、基板と当該基板の上にＳＯＩ層が設けられ
たＳＯＩウェーハを評価する評価方法において、前記基
板及び前記ＳＯＩ層を構成する主たる元素とは異なる元
素を前記ＳＯＩ層或いは基板に拡散することにより、前
記ＳＯＩ層の結晶格子と前記基板の結晶格子とを異なら
しめるものである。この構成によると、基板及びＳＯＩ
層の結晶の品質について、それぞれ評価することができ
る。
【００５２】本願第２請求項記載の発明は、試料結晶で
回折されたＸ線の強度と前記試料結晶へのＸ線の入射角
度との相関関係を示すＸ線回折のロッキングカーブを用
いて、前記基板及び前記ＳＯＩ層の回折強度のピークを
それぞれ得るものであり、この構成によると、基板及び
ＳＯＩ層について、Ｘ線回折強度がピークとなるＸ線入
射角を異ならしめることができる。
回折されたＸ線の強度と前記試料結晶へのＸ線の入射角
度との相関関係を示すＸ線回折のロッキングカーブを用
いて、前記基板及び前記ＳＯＩ層の回折強度のピークを
それぞれ得るものであり、この構成によると、基板及び
ＳＯＩ層について、Ｘ線回折強度がピークとなるＸ線入
射角を異ならしめることができる。
【００５３】本願第３請求項記載の発明は、前記ＳＯＩ
層の回折強度がピークとなるＸ線の入射角度において、
前記基板の回折強度が前記ＳＯＩ層の回折強度の１／２
以下となるものであり、この構成によると、前記基板と
前記ＳＯＩ層との回折強度のピークとを明確に離隔し、
より正確に結晶の品質を評価することができる。
層の回折強度がピークとなるＸ線の入射角度において、
前記基板の回折強度が前記ＳＯＩ層の回折強度の１／２
以下となるものであり、この構成によると、前記基板と
前記ＳＯＩ層との回折強度のピークとを明確に離隔し、
より正確に結晶の品質を評価することができる。
【００５４】本願第４請求項記載の発明は、前記基板、
又は前記ＳＯＩ層の回折強度がピークとなるＸ線の入射
角度付近についてＸ線トポグラフ測定を行うものであ
り、この構成によると、トポグラフにより基板又はＳО
Ｉ層のみの欠陥の位置を判定することができる。
又は前記ＳＯＩ層の回折強度がピークとなるＸ線の入射
角度付近についてＸ線トポグラフ測定を行うものであ
り、この構成によると、トポグラフにより基板又はＳО
Ｉ層のみの欠陥の位置を判定することができる。
【図１】 本発明の実施の形態にかかるＳＯＩウェーハ
にリンを拡散する方法を示す概略図である。
にリンを拡散する方法を示す概略図である。
【図２】 ロッキングカーブ測定の評価結果を示す説明
図である。
図である。
【図３】 ロッキングカーブ測定の評価結果を示す説明
図である。
図である。
１ ＳＯＩウェーハ １０ 基板 １２ 埋め込み酸化膜 １４ 活性層 ２０ 溶剤
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｎ Ｆターム(参考） 2G001 AA01 BA18 BA27 CA01 DA09 KA03 LA11 MA05 NA07 RA03 4M106 AA01 AA20 BA20 CB19 DH25 DH34 DJ18 DJ20 DJ32
Claims (4)
- 【請求項１】 基板と当該基板の上にＳＯＩ層が設けら
れたＳＯＩウェーハを評価する評価方法において、 前記基板及び前記ＳＯＩ層を構成する主たる元素とは異
なる元素を前記ＳＯＩ層或いは基板に拡散することによ
り、前記ＳＯＩ層の結晶格子と前記基板の結晶格子とを
異ならしめることを特徴とするＳＯＩウェーハの評価方
法。 - 【請求項２】 試料結晶で回折されたＸ線の強度と前記
試料結晶へのＸ線の入射角度との相関関係を示すＸ線回
折のロッキングカーブを用いて、前記基板及び前記ＳＯ
Ｉ層の回折強度のピークをそれぞれ得ることを特徴とす
る請求項１記載のＳＯＩウェーハの評価方法。 - 【請求項３】 前記ＳＯＩ層の回折強度がピークとなる
Ｘ線の入射角度において、前記基板の回折強度が前記Ｓ
ＯＩ層の回折強度の１／２以下となることを特徴とする
請求項２記載のＳＯＩウェーハの評価方法。 - 【請求項４】 前記基板、又は前記ＳＯＩ層の回折強度
がピークとなるＸ線の入射角度付近についてＸ線トポグ
ラフ測定を行うことを特徴とする請求項２又は３記載の
ＳＯＩウェーハの評価方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001141592A JP2002343948A (ja) | 2001-05-11 | 2001-05-11 | Ｓｏｉウェーハの評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001141592A JP2002343948A (ja) | 2001-05-11 | 2001-05-11 | Ｓｏｉウェーハの評価方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002343948A true JP2002343948A (ja) | 2002-11-29 |
Family
ID=18988025
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001141592A Pending JP2002343948A (ja) | 2001-05-11 | 2001-05-11 | Ｓｏｉウェーハの評価方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002343948A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006170791A (ja) * | 2004-12-15 | 2006-06-29 | Anritsu Corp | Ｘ線回折測定解析方法及びプログラム |
| JP2009130341A (ja) * | 2007-11-28 | 2009-06-11 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | デバイス形成用ウエーハの評価方法 |
| JP2009147072A (ja) * | 2007-12-13 | 2009-07-02 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | イオン注入条件の管理方法 |
-
2001
- 2001-05-11 JP JP2001141592A patent/JP2002343948A/ja active Pending
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|---|---|---|---|---|
| JP2006170791A (ja) * | 2004-12-15 | 2006-06-29 | Anritsu Corp | Ｘ線回折測定解析方法及びプログラム |
| JP2009130341A (ja) * | 2007-11-28 | 2009-06-11 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | デバイス形成用ウエーハの評価方法 |
| JP2009147072A (ja) * | 2007-12-13 | 2009-07-02 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | イオン注入条件の管理方法 |
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