JP4996303B2 - Device mounting substrate, manufacturing method thereof, and infrared detector - Google Patents

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Description

本発明は、熱絶縁用の凹部を表面に設けて形成される素子実装基板及びその製造方法並びに素子実装基板を用いて形成される赤外線検出器に関するものである。   The present invention relates to an element mounting board formed by providing a recess for thermal insulation on the surface, a manufacturing method thereof, and an infrared detector formed using the element mounting board.

熱絶縁用の凹部5を表面に設けて形成される素子実装基板Aは、赤外線検出器Bの製造等に用いられている(例えば、特許文献1参照。)。従来、このような素子実装基板Aは、基本的には図7に示すような工程を経て製造されている。すなわち、まず図7(a)のように、金属シート3、Bステージ状態の第1絶縁層1、表面に回路13が設けられた第1回路基板7、Bステージ状態の第2絶縁層8、表面に回路13が設けられ、かつ素子9が実装された第2回路基板10をこの順に積層し、金属シート3の側に凸部26を設けた金型27を配置する。そして図7(b)のように、プレス装置(図示省略)を用いて金型27を上記積層物に押し付けて加熱加圧成形を行った後脱型すると、図7(c)のように凹部5が表面に設けられた素子実装基板Aを得ることができる。   The element mounting board A formed by providing the heat insulating recess 5 on the surface is used for manufacturing the infrared detector B (see, for example, Patent Document 1). Conventionally, such an element mounting board A is basically manufactured through a process as shown in FIG. That is, first, as shown in FIG. 7A, the metal sheet 3, the first insulating layer 1 in the B stage state, the first circuit board 7 provided with the circuit 13 on the surface, the second insulating layer 8 in the B stage state, The second circuit board 10 on which the circuit 13 is provided on the surface and on which the element 9 is mounted is laminated in this order, and a mold 27 provided with a convex portion 26 on the metal sheet 3 side is disposed. Then, as shown in FIG. 7 (b), the mold 27 is pressed against the above laminate using a press device (not shown), and after heat and pressure molding, the mold is removed as shown in FIG. 7 (c). The element mounting board | substrate A with 5 provided in the surface can be obtained.

しかし、上記のような製造方法にあっては、金属シート3を介して金型27を第1絶縁層1に押し付けるようにしているので、金型27の凸部26の形状に沿って第1絶縁層1を追従させて変形させるのが難しく、実際には図8(a)のように凹部5の開口縁がだれてしまうという問題がある。そして赤外線検出器Bを製造するにあたって焦電素子12は凹部5を跨いで実装されるため、上記のように凹部5の開口縁がだれていると、図8(b)のように実装不良が発生したり、焦電素子12の感度が低下したりするものである。   However, in the manufacturing method as described above, since the mold 27 is pressed against the first insulating layer 1 through the metal sheet 3, the first along the shape of the convex portion 26 of the mold 27. It is difficult to deform the insulating layer 1 by following it, and there is a problem that the opening edge of the concave portion 5 is actually bent as shown in FIG. And since the pyroelectric element 12 is mounted across the recessed part 5 in manufacturing the infrared detector B, if the opening edge of the recessed part 5 is slanted as described above, a mounting defect as shown in FIG. Or the sensitivity of the pyroelectric element 12 is reduced.

このような問題は、例えば図9に示すような工程を経て一応解決することができる。すなわち、図9(a)(b)のように金属シート3、第1絶縁層1、第1回路基板7、第2絶縁層8、第2回路基板10をこの順に重ねて加熱加圧して積層成形した後、図9(c)のように座ぐり加工を行って凹部5を設けるというものである。ところが、一般的に座ぐり加工は時間がかかる上に、凹部5の底面を平坦に露出させるためには高度の加工精度が要求されるので、実用的であるとはいえない。   Such a problem can be solved for example through a process as shown in FIG. That is, as shown in FIGS. 9A and 9B, the metal sheet 3, the first insulating layer 1, the first circuit board 7, the second insulating layer 8, and the second circuit board 10 are stacked in this order by heating and pressing. After molding, the recess 5 is provided by spot facing as shown in FIG. However, in general, counterbore processing takes time, and a high degree of processing accuracy is required to flatly expose the bottom surface of the recess 5, so that it is not practical.

そこで、現状は図10に示すような方法で素子実装基板Aの製造が行われている。すなわち、図10(a)のように貫通した孔4があらかじめ設けられた金属シート3、貫通した孔部2があらかじめ設けられた第1絶縁層1、第1回路基板7、第2絶縁層8、第2回路基板10をこの順に重ねて加熱加圧して積層成形するというものである。このような方法であれば、短時間で凹部5を設けることができ、しかも凹部5の開口縁がだれるのを防止することができるものである。
特開平5−332829号公報
Therefore, at present, the element mounting board A is manufactured by the method shown in FIG. That is, as shown in FIG. 10A, the metal sheet 3 provided with the through holes 4 in advance, the first insulating layer 1, the first circuit board 7 and the second insulating layer 8 provided with the through holes 2 in advance. The second circuit board 10 is stacked in this order and heated and pressed to form a laminate. With such a method, the concave portion 5 can be provided in a short time, and the opening edge of the concave portion 5 can be prevented from sagging.
JP-A-5-332829

しかしながら、図10に示すような方法にあっては、加熱加圧成形の際に図11(a)のように凹部5の内壁から第1絶縁層1の樹脂が滲み出し、凹部5の形状が変化するという問題がある。そして赤外線検出器Bを製造するにあたって焦電素子12は図11(b)のように凹部5を跨いで実装されるが、焦電素子12と凹部5の底面との間隔が不均一になって、凹部5の形状、特に凹部5の断面積が変化してしまうと、焦電素子12の感度に悪影響を及ぼしてしまうものである。この場合、焦電素子12を実装する前にプラズマ法のようなデスミア処理を行って凹部5の形状を整えることも考えられるが、このような処理では不要な樹脂のみを除去するのが難しい。   However, in the method as shown in FIG. 10, the resin of the first insulating layer 1 oozes out from the inner wall of the concave portion 5 as shown in FIG. There is a problem of changing. When the infrared detector B is manufactured, the pyroelectric element 12 is mounted across the recess 5 as shown in FIG. 11B, but the distance between the pyroelectric element 12 and the bottom surface of the recess 5 becomes uneven. If the shape of the concave portion 5, particularly the cross-sectional area of the concave portion 5 is changed, the sensitivity of the pyroelectric element 12 is adversely affected. In this case, it is conceivable to adjust the shape of the recess 5 by performing a desmear process such as a plasma method before mounting the pyroelectric element 12, but it is difficult to remove only unnecessary resin by such a process.

また、第1絶縁層1にセラミックを使用することも考えられる。すなわち、あらかじめ貫通した孔部2が設けられたグリーンシートを複数枚重ね合わせて焼結するというものである。この場合、凹部5の内壁から樹脂が滲み出すことはないが、そもそもセラミック基板は寸法安定性が悪いという問題がある。   It is also conceivable to use ceramic for the first insulating layer 1. That is, a plurality of green sheets provided with holes 2 penetrating in advance are stacked and sintered. In this case, the resin does not ooze out from the inner wall of the recess 5, but the ceramic substrate has a problem that the dimensional stability is poor in the first place.

本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、第1絶縁層の樹脂が孔部の内壁から滲み出すのを抑制し、凹部の形状が変化するのを防止することができる素子実装基板及びその製造方法並びに赤外線検出器を提供することを目的とするものである。   The present invention has been made in view of the above points, and an element mounting substrate that can prevent the resin of the first insulating layer from seeping out from the inner wall of the hole and prevent the shape of the recess from changing. It is an object of the present invention to provide an infrared detector.

本発明に係る素子実装基板の製造方法は、Bステージ状態の第1絶縁層1に少なくとも1つ以上の貫通した孔部2を設けると共に、前記孔部2の内径より大きい内径の孔4を金属シート3に設け、前記金属シート3の前記孔4の内縁が前記第1絶縁層1の前記孔部2の内縁より外側に位置するように前記孔部2と前記孔4を一致させながら前記第1絶縁層1の片面に前記金属シート3を積層した後、加熱加圧成形することによって前記第1絶縁層1を硬化させ、この第1絶縁層1に前記金属シート3を接着させると共に、前記孔部2で熱絶縁用の凹部5を形成するようにした素子実装基板Aの製造方法であって、加熱加圧成形の前に前記第1絶縁層1の前記孔部2を塞ぐように熱可塑性フィルム6を前記金属シート3に積層し、加熱加圧によって軟化した前記熱可塑性フィルム6の樹脂を前記孔部2に充填させ、加熱加圧成形の後に前記熱可塑性フィルム6を剥離して前記孔部2から前記樹脂を除去することを特徴とするものである。 Method for manufacturing a device mounting board according to the present onset Ming, the first insulating layer 1 of the B-stage with at least one through-hole 2 provided, the hole 4 of the inner diameter larger than the inner diameter of the hole 2 only set in the metal sheet 3, while matching the hole 4 and the hole 2 so as to be positioned outside the said hole 2 of the inner edge of the hole 4 of the inner edge is the first insulation layer 1 of the metal sheet 3 after stacking the metal sheet 3 on one surface of the first insulating layer 1, curing the first insulating layer 1 by molding heat and pressure, along with adhering the metal sheet 3 on the first insulating layer 1 the in hole 2 a manufacturing method of the element mounting substrate a which is adapted to form a recess 5 for thermal insulation, so as to close the hole 2 of heating the first insulating layer prior to press-molding 1 the thermoplastic film 6 is laminated on the metal sheet 3, the heated and pressurized Which the softened resin of the thermoplastic film 6 is filled in the holes 2, by peeling off the thermoplastic film 6 after hot pressing and removing the resin from the hole 2 Te It is.

前記素子実装基板の製造方法において、加熱加圧成形の前に前記第1絶縁層1の前記金属シート3が積層された側と反対側に第1回路基板7、Bステージ状態の第2絶縁層8、素子9が実装された第2回路基板10をこの順に積層し、加熱加圧成形することによって前記第1絶縁層1及び前記第2絶縁層8を硬化させ、前記第1絶縁層1に前記第1回路基板7を接着させると共に、前記第2絶縁層8に前記素子9を埋め込みつつ前記第1回路基板7及び前記第2回路基板10を接着させることが好ましいIn the method for manufacturing the element mounting substrate, a second insulating layer of the first circuit board 7 on the side opposite to the first side of said metal sheet 3 of the insulating layer 1 are laminated, B-stage state before the hot pressing 8, by stacking the second circuit board 10 with the device 9 is mounted in this order to cure the first insulating layer 1 and the second insulating layer 8 by molding heat and pressure, to the first insulating layer 1 with adhering the first circuit board 7, the second is to adhere the device 9 embedded with the first circuit board 7 and the second circuit board 10 in the insulating layer 8 preferably.

前記素子実装基板の製造方法において、加熱加圧成形の際に前記熱可塑性フィルム6の流動性が前記第1絶縁層1の流動性よりも高くなる状態が少なくとも存在することが好ましいIn the method for manufacturing the element mounting substrate, it is preferable that a state in which fluidity is higher than the fluidity of the first insulating layer 1 of the thermoplastic film 6 during the hot pressing is present at least.

前記素子実装基板の製造方法において、前記熱可塑性フィルム6として、少なくとも前記孔部2に対向する面に離型層11が設けられたものを用いることが好ましいIn the method for manufacturing the element mounting substrate, as the thermoplastic film 6, it is preferable to use a release layer 11 on a surface facing at least in the hole 2 it is provided.

本発明に係る素子実装基板は、前記素子実装基板の製造方法を使用して製造されたことを特徴とするものである。 Element mounting board according to the present onset Ming, is characterized in that it is manufactured using the manufacturing method of the element mounting substrate.

本発明に係る赤外線検出器は、前記素子実装基板Aの前記凹部5を跨いで焦電素子12を実装すると共に、この素子実装基板Aを用いて形成されたことを特徴とするものである。 Infrared detector according to the present onset Ming, as well as implementing the pyroelectric element 12 across the recess 5 of the element mounting substrate A, and is characterized in that it has been formed using the element mounting substrate A .

本発明によれば、加熱加圧成形の際に軟化した熱可塑性フィルムの樹脂が孔部に充填されることによって、第1絶縁層の樹脂が孔部の内壁から滲み出すのを抑制し、凹部の形状が変化するのを防止することができるものである。また金属シートの孔の内径が第1絶縁層の孔部の内径より大きいことによって、加熱加圧成形の際に金属シートの孔の内縁部が第1絶縁層の孔部内に引きずり込まれるのを防止することができるものである。 According to the onset bright, by the resin of the softened thermoplastic film upon hot pressing is filled in the hole, the resin of the first insulating layer is inhibited from oozing out from the inner wall of the hole, It is possible to prevent the shape of the recess from changing. Further, since the inner diameter of the hole of the metal sheet is larger than the inner diameter of the hole portion of the first insulating layer, the inner edge portion of the hole of the metal sheet is dragged into the hole portion of the first insulating layer at the time of heating and pressing. It can be prevented.

以下、本発明の実施の形態を説明する。   Embodiments of the present invention will be described below.

図1は本発明の実施の形態の一例を示すものであり、本例ではまずBステージ状態の第1絶縁層1及び第2絶縁層8、金属シート3、第1回路基板7、第2回路基板10、熱可塑性フィルム6を用意する。   FIG. 1 shows an example of an embodiment of the present invention. In this example, first, first and second insulating layers 1 and 8 in a B-stage state, a metal sheet 3, a first circuit board 7, and a second circuit are shown. A substrate 10 and a thermoplastic film 6 are prepared.

Bステージ状態の第1絶縁層1及び第2絶縁層8としては、例えば、熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂に無機充填材を50〜95質量%配合して調製した樹脂組成物や熱可塑性樹脂単体を厚み10〜1000μmのシート状に成形したもの(有機グリーンシート)や、上記樹脂組成物をガラスクロス等の基材に含浸させて乾燥させたプリプレグを用いることができる。ここで、熱硬化性樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、アラルキルエポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂等を用いることができる。また熱可塑性樹脂としては、ポリイミド樹脂、液晶ポリマー樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリアミド樹脂等を用いることができる。また無機充填材としては、例えば、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、シリカ、チタン酸バリウム、酸化チタン、水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、グアニジン塩、ホウ酸亜鉛、モリブデン化合物、スズ酸亜鉛、タルク、硫酸バリウム、炭酸カルシウム、雲母粉等を用いることができる。また樹脂組成物にはジシアンジアミド、フェノール、酸無水物等の硬化剤を配合することができる。そしてBステージ状態の第1絶縁層1には少なくとも1つ以上の貫通した孔部2が設けられている。孔部2は例えば平面視長孔状に形成することができるが、これに限定されるものではない。一方、Bステージ状態の第2絶縁層8には孔部2が設けられていない。   As the first insulating layer 1 and the second insulating layer 8 in the B stage state, for example, a resin composition or a thermoplastic resin prepared by blending 50 to 95% by mass of an inorganic filler with a thermosetting resin or a thermoplastic resin. A single body formed into a sheet having a thickness of 10 to 1000 μm (organic green sheet), or a prepreg obtained by impregnating a base material such as glass cloth with the resin composition and drying can be used. Here, as the thermosetting resin, for example, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, aralkyl epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, alkylphenol novolac type epoxy resin, biphenol type epoxy resin Naphthalene type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, epoxidized product of condensate of phenol and aromatic aldehyde having phenolic hydroxyl group, triglycidyl isocyanurate, alicyclic epoxy resin and the like can be used. As the thermoplastic resin, polyimide resin, liquid crystal polymer resin, polyether ether ketone resin, polyphenylene sulfide resin, polyamide resin, or the like can be used. Examples of the inorganic filler include aluminum oxide, magnesium oxide, boron nitride, aluminum nitride, silica, barium titanate, titanium oxide, magnesium hydroxide, aluminum hydroxide, antimony trioxide, antimony pentoxide, guanidine salt, and boron. Zinc acid, molybdenum compound, zinc stannate, talc, barium sulfate, calcium carbonate, mica powder and the like can be used. The resin composition may contain a curing agent such as dicyandiamide, phenol, or acid anhydride. The first insulating layer 1 in the B stage state is provided with at least one through hole 2. For example, the hole 2 can be formed in a long hole shape in a plan view, but is not limited thereto. On the other hand, the hole 2 is not provided in the second insulating layer 8 in the B stage state.

また金属シート3としては、例えば、厚み1〜70μmの銅箔等の金属箔を用いることができる。そしてこの金属シート3には、第1絶縁層1に設けた孔部2と同形状・同数の孔4が設けられている。特に図3のように金属シート3の孔4の内縁と第1絶縁層1の孔部2の内縁との距離wが20〜150μmであることが好ましい。金属シート3の孔4の内径が第1絶縁層1の孔部2の内径以下であると、加熱加圧成形の際に金属シート3の孔4の内縁部が第1絶縁層1の孔部2内に引きずり込まれ、これによって凹部5の形状が変化するおそれがあるが、上記のように金属シート3の孔4の内径が第1絶縁層1の孔部2の内径より大きいと、加熱加圧成形の際に金属シート3の孔4の内縁部が第1絶縁層1の孔部2内に引きずり込まれるのを防止することができるものである。   Moreover, as the metal sheet 3, metal foils, such as copper foil with a thickness of 1-70 micrometers, can be used, for example. The metal sheet 3 is provided with holes 4 having the same shape and the same number as the holes 2 provided in the first insulating layer 1. In particular, as shown in FIG. 3, the distance w between the inner edge of the hole 4 of the metal sheet 3 and the inner edge of the hole 2 of the first insulating layer 1 is preferably 20 to 150 μm. When the inner diameter of the hole 4 of the metal sheet 3 is equal to or smaller than the inner diameter of the hole 2 of the first insulating layer 1, the inner edge of the hole 4 of the metal sheet 3 is the hole of the first insulating layer 1 during the heat and pressure molding. However, if the inner diameter of the hole 4 of the metal sheet 3 is larger than the inner diameter of the hole 2 of the first insulating layer 1 as described above, It is possible to prevent the inner edge portion of the hole 4 of the metal sheet 3 from being dragged into the hole portion 2 of the first insulating layer 1 during the pressure forming.

また第1回路基板7及び第2回路基板10としては、金属張積層板にサブトラクティブ法等を使用して作製された多層回路基板等を用いることができる。第1回路基板7の両面には回路13が形成されていると共に、この両面の回路13はスルーホールめっき等の層間接続部14によって電気的に導通されている。第2回路基板10の片面には回路13が形成されてチップ抵抗やチップコンデンサ等の素子9が実装され、他の片面には全面にわたって金属シート3が設けられていると共に、回路13及び金属シート3はスルーホールめっき等の層間接続部14によって電気的に導通されている。   In addition, as the first circuit board 7 and the second circuit board 10, a multilayer circuit board or the like manufactured by using a subtractive method or the like on a metal-clad laminate can be used. Circuits 13 are formed on both surfaces of the first circuit board 7, and the circuits 13 on both surfaces are electrically connected by an interlayer connection 14 such as through-hole plating. A circuit 13 is formed on one side of the second circuit board 10 and an element 9 such as a chip resistor or a chip capacitor is mounted on the other side. The metal sheet 3 is provided on the entire other side, and the circuit 13 and the metal sheet are also provided. 3 is electrically connected by an interlayer connection 14 such as through-hole plating.

また熱可塑性フィルム6としては、例えば、ポリオレフィン樹脂等の熱可塑性樹脂を厚み10〜1000μmのシート状に成形したものを用いることができるが、厚みはこの範囲に限定されるものではない。特に熱可塑性フィルム6としては、後述する加熱加圧成形の際にその流動性が第1絶縁層1の流動性よりも高くなる状態が少なくとも存在するようなものを用いるのが好ましい。具体的には、例えば、Bステージ状態の第1絶縁層1として上述した有機グリーンシートを用いる場合には、熱可塑性フィルム6としてポリオレフィン樹脂で成形されたものを用いるのが好ましい。さらに熱可塑性フィルム6の片面又は両面には、図4(a)(b)のように厚み1〜200μmの離型層11が設けられているのが好ましい。この離型層11は、例えば、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、ポリメチルペンテン等の離型性を有するポリオレフィン樹脂で形成することができる。   As the thermoplastic film 6, for example, a thermoplastic resin such as a polyolefin resin formed into a sheet having a thickness of 10 to 1000 μm can be used, but the thickness is not limited to this range. In particular, as the thermoplastic film 6, it is preferable to use a film that has at least a state in which the fluidity is higher than the fluidity of the first insulating layer 1 during the heat and pressure molding described later. Specifically, for example, when the organic green sheet described above is used as the first insulating layer 1 in the B-stage state, it is preferable to use a thermoplastic film 6 formed of a polyolefin resin. Furthermore, it is preferable that a release layer 11 having a thickness of 1 to 200 μm is provided on one side or both sides of the thermoplastic film 6 as shown in FIGS. The release layer 11 can be formed of a polyolefin resin having releasability such as a fluororesin, a silicone resin, or polymethylpentene.

ここで、熱可塑性フィルム6とBステージ状態の第1絶縁層1の流動性の大小関係は、次のようにして事前に確認することができる。例えば、図6(a)のように円形の熱可塑性フィルム6(100mmφ、厚み200μm)を2枚の離型フィルム29で挟み、さらにこれを2枚の成形プレート28で挟んで、これをプレス装置(図示省略)によって加熱加圧成形する。このときの成形条件は、例えば、温度70℃、圧力5MPa(51.0kg/cm)、時間10分に設定する。そして流動性は、成形前後の熱可塑性フィルム6の面積を算出し、これらの面積を用いて、次式のように数値化することができる。 Here, the magnitude relationship between the fluidity of the thermoplastic film 6 and the first insulating layer 1 in the B-stage state can be confirmed in advance as follows. For example, as shown in FIG. 6A, a circular thermoplastic film 6 (100 mmφ, thickness 200 μm) is sandwiched between two release films 29, which are further sandwiched between two molding plates 28, and this is pressed. (Not shown) Heat and pressure molding is performed. The molding conditions at this time are set to, for example, a temperature of 70 ° C., a pressure of 5 MPa (51.0 kg / cm 2 ), and a time of 10 minutes. The fluidity can be quantified by calculating the area of the thermoplastic film 6 before and after molding and using these areas as in the following equation.

流動性(%)=〔成形後の面積/成形前の面積〕×100
このようにして熱可塑性フィルム6の流動性を数値として求めることができる。一方、Bステージ状態の第1絶縁層1の流動性についても同様にして数値として求めることができる。下記[表1]は、温度70℃、90℃、110℃、130℃において、熱可塑性フィルム6とBステージ状態の第1絶縁層1の流動性の大小関係の一例を示すものである。
Fluidity (%) = [Area after molding / Area before molding] × 100
In this way, the fluidity of the thermoplastic film 6 can be obtained as a numerical value. On the other hand, the fluidity of the first insulating layer 1 in the B-stage state can be similarly obtained as a numerical value. [Table 1] below shows an example of the fluidity relationship between the thermoplastic film 6 and the first insulating layer 1 in the B-stage state at temperatures of 70 ° C., 90 ° C., 110 ° C., and 130 ° C.

Figure 0004996303
Figure 0004996303

上記のように、温度のみならず、圧力、時間を適宜に変更することによって、熱可塑性フィルム6とBステージ状態の第1絶縁層1の流動性の大小関係を事前に確認することができる。   As described above, by changing not only the temperature but also the pressure and time as appropriate, the magnitude relationship between the fluidity of the thermoplastic film 6 and the first insulating layer 1 in the B stage state can be confirmed in advance.

そして素子実装基板Aを製造するにあたっては、まず図1(a)のように孔部2と孔4を一致させながらBステージ状態の第1絶縁層1の片面に金属シート3を積層すると共に、第1絶縁層1の金属シート3が積層された側と反対側に第1回路基板7、Bステージ状態の第2絶縁層8、素子9が実装された第2回路基板10をこの順に積層する。このとき第2回路基板10の素子9が実装された面は第2絶縁層8の側に向けている。さらに、孔4を設けた金属シート3の側において第1絶縁層1の孔部2を塞ぐように熱可塑性フィルム6を金属シート3に積層する。   In manufacturing the element mounting substrate A, first, as shown in FIG. 1A, the metal sheet 3 is laminated on one surface of the first insulating layer 1 in the B stage state while the hole 2 and the hole 4 are matched, A first circuit board 7, a B-stage second insulating layer 8, and a second circuit board 10 on which an element 9 is mounted are laminated in this order on the side of the first insulating layer 1 opposite to the side where the metal sheet 3 is laminated. . At this time, the surface of the second circuit board 10 on which the element 9 is mounted faces the second insulating layer 8 side. Further, a thermoplastic film 6 is laminated on the metal sheet 3 so as to close the hole 2 of the first insulating layer 1 on the side of the metal sheet 3 provided with the holes 4.

その後、この積層物を2枚のプレート(図示省略)で挟み、必要に応じて積層物とプレートとの間に離型シートや金属箔を介在させ、プレス装置(図示省略)によって図1(b)のように加熱加圧成形することによって、第1絶縁層1及び第2絶縁層8をCステージ状態となるまで硬化させ、第1絶縁層1に金属シート3及び第1回路基板7を接着させる。また第2絶縁層8に第1回路基板7を接着させ、さらに第2絶縁層8に素子9を埋め込みつつ第2回路基板10を接着させる。加熱加圧成形の工程は1次工程(主として熱可塑性フィルム6の樹脂を充填する工程)と2次工程(主として第1絶縁層1を硬化させる工程)とに分けることができる。1次工程における成形条件は、例えば、70〜150℃、1〜10MPa、5分〜1時間に設定することができる。なお、積層物のズレ防止のため、1次工程の温度に達するまでの間、0.1〜1MPa程度の圧力をかけてもよい。一方、2次工程における成形条件は、例えば、150〜230℃、1〜10MPa、30分〜5時間に設定することができる。そしてこのような加熱加圧によって熱可塑性フィルム6は軟化し、その樹脂が第1絶縁層1の孔部2に入り込んでこの孔部2を充填することになる。このように、加熱加圧成形の際に軟化した熱可塑性フィルム6の樹脂が孔部2に充填されることによって、第1絶縁層1の樹脂が孔部2の内壁から滲み出すのを抑制し、凹部5の形状が変化するのを防止することができるものである。しかも加熱加圧成形の際に熱可塑性フィルム6の流動性が第1絶縁層1の流動性よりも高くなる状態が少なくとも存在する場合には、第1絶縁層1の樹脂が孔部2の内壁から滲み出る前に熱可塑性フィルム6の樹脂を孔部2に充填させることができ、第1絶縁層1の樹脂の滲み出しを一層確実に防止することができるものである。なお、加熱加圧成形は、熱可塑性フィルム6の充填性や第1絶縁層1及び第2絶縁層8のボイド低減の点から、真空雰囲気下で行うのが好ましい。   Thereafter, the laminate is sandwiched between two plates (not shown), and if necessary, a release sheet or metal foil is interposed between the laminate and the plate. The first insulating layer 1 and the second insulating layer 8 are cured until they are in the C-stage state, and the metal sheet 3 and the first circuit board 7 are bonded to the first insulating layer 1. Let The first circuit board 7 is bonded to the second insulating layer 8, and the second circuit board 10 is bonded to the second insulating layer 8 while embedding the elements 9. The step of heat and pressure molding can be divided into a primary step (mainly a step of filling the resin of the thermoplastic film 6) and a secondary step (mainly a step of curing the first insulating layer 1). The molding conditions in the primary step can be set to, for example, 70 to 150 ° C., 1 to 10 MPa, and 5 minutes to 1 hour. In addition, you may apply a pressure of about 0.1-1 MPa until it reaches the temperature of a primary process for prevention of the shift | offset | difference of a laminate. On the other hand, the molding conditions in the secondary process can be set to 150 to 230 ° C., 1 to 10 MPa, and 30 minutes to 5 hours, for example. The thermoplastic film 6 is softened by such heat and pressure, and the resin enters the hole 2 of the first insulating layer 1 and fills the hole 2. As described above, the resin of the thermoplastic film 6 softened during the heat and pressure molding is filled in the hole 2, thereby suppressing the resin of the first insulating layer 1 from seeping out from the inner wall of the hole 2. The shape of the recess 5 can be prevented from changing. In addition, when there is at least a state in which the fluidity of the thermoplastic film 6 is higher than the fluidity of the first insulating layer 1 during the heat and pressure molding, the resin of the first insulating layer 1 is the inner wall of the hole 2. The resin of the thermoplastic film 6 can be filled in the hole 2 before it oozes out from the resin, and the oozing of the resin of the first insulating layer 1 can be prevented more reliably. In addition, it is preferable to perform heat-press molding in a vacuum atmosphere from the point of the filling property of the thermoplastic film 6 and the void reduction of the 1st insulating layer 1 and the 2nd insulating layer 8.

そして加熱加圧成形の後に熱可塑性フィルム6が再び硬化したのを確認した上で、図1(c)のように熱可塑性フィルム6を剥離して孔部2から樹脂を除去することによって、この孔部2で熱絶縁用の凹部5が形成された素子実装基板Aを得ることができるものである。特に熱可塑性フィルム6として、上述した図4のように、少なくとも孔部2に対向する面に離型層11が設けられたものを用いる場合には、この離型層11によって熱可塑性フィルム6の剥離を容易に行うことができるものである。   Then, after confirming that the thermoplastic film 6 has been cured again after the heat and pressure molding, the thermoplastic film 6 is peeled off as shown in FIG. It is possible to obtain the element mounting substrate A in which the hole 2 has the recess 5 for heat insulation. In particular, as the thermoplastic film 6, as shown in FIG. 4 described above, in the case where a release layer 11 is provided at least on the surface facing the hole 2, the release layer 11 allows the thermoplastic film 6 to be formed. It can be easily peeled off.

このようにして製造された素子実装基板Aにあっては、第1回路基板7及び第2回路基板10が用いられていると共に、第2回路基板10に実装された素子9が第2絶縁層8に埋め込まれているので、容易に多層化及び高密度実装化を図ることができるものである。   In the element mounting board A manufactured in this way, the first circuit board 7 and the second circuit board 10 are used, and the element 9 mounted on the second circuit board 10 has the second insulating layer. 8 can be easily multi-layered and mounted with high density.

赤外線検出器Bを製造するにあたっては、まず図2(a)のように素子実装基板Aの最外層に回路13を形成する。このとき凹部5の開口縁上面の回路13は、焦電素子12を実装するためのランド15として形成される。その後、図2(b)のように銀ペースト等の導電性ペースト16を用いて焦電素子12の両側の電極とランド15とを接合することによって、素子実装基板Aの凹部5を跨いで焦電素子12を実装する。このようにして焦電素子12が実装された素子実装基板Aを用いて図5に示すような赤外線検出器Bを形成することができる。   In manufacturing the infrared detector B, first, the circuit 13 is formed on the outermost layer of the element mounting board A as shown in FIG. At this time, the circuit 13 on the upper surface of the opening edge of the recess 5 is formed as a land 15 for mounting the pyroelectric element 12. Thereafter, the electrodes 15 on both sides of the pyroelectric element 12 and the land 15 are bonded using a conductive paste 16 such as silver paste as shown in FIG. The electric element 12 is mounted. In this way, an infrared detector B as shown in FIG. 5 can be formed using the element mounting board A on which the pyroelectric elements 12 are mounted.

すなわち、この赤外線検出器Bは、上記素子実装基板Aと、これを収納するキャンパッケージからなるパッケージ17とを備えて形成されている。   That is, the infrared detector B is formed to include the element mounting substrate A and a package 17 made of a can package for storing the element mounting substrate A.

パッケージ17は、絶縁材料からなるスペーサ18を介して素子実装基板Aが実装される金属製のステム19と、素子実装基板Aを覆うようにステム19に固着される金属製のキャップ20とを備えて形成され、素子実装基板Aの所定箇所と電気的に接続される複数本の端子ピン21がステム19を貫通する形で設けられている。ステム19は円盤状に形成され、キャップ20は後面が開放された有底円筒状に形成されており、後面がステム19により閉塞されている。なお、スペーサ18と素子実装基板A及びステム19とは接着剤により固着されている。   The package 17 includes a metal stem 19 on which the element mounting board A is mounted via a spacer 18 made of an insulating material, and a metal cap 20 fixed to the stem 19 so as to cover the element mounting board A. A plurality of terminal pins 21 that are formed and are electrically connected to predetermined portions of the element mounting board A are provided so as to penetrate the stem 19. The stem 19 is formed in a disc shape, and the cap 20 is formed in a bottomed cylindrical shape with an open rear surface, and the rear surface is closed by the stem 19. The spacer 18, the element mounting board A, and the stem 19 are fixed with an adhesive.

また、キャップ20において焦電素子12の前方に位置する前壁には、矩形状の窓部22が形成されており、焦電素子12の受光面へ赤外線を集光する光学部材として、赤外線レンズ23が窓部22を覆うようにキャップ20の内側から配設されている。   A rectangular window 22 is formed on the front wall of the cap 20 located in front of the pyroelectric element 12. An infrared lens is used as an optical member for condensing infrared rays on the light receiving surface of the pyroelectric element 12. 23 is arrange | positioned from the inner side of the cap 20 so that the window part 22 may be covered.

また、キャップ20及びステム19は鋼板により形成されており、ステム19の周部に形成されたフランジ部24に対して、キャップ20の後端縁から外方に延設された外鍔部25を溶接により封着してある。   Further, the cap 20 and the stem 19 are formed of a steel plate, and an outer flange portion 25 extending outward from the rear end edge of the cap 20 with respect to the flange portion 24 formed on the peripheral portion of the stem 19. Sealed by welding.

上記のようにして形成された赤外線検出器Bにあっては、内部に収納されている素子実装基板Aにおいて熱絶縁用の凹部5の開口縁がだれていないので、焦電素子12の実装性を高く得ることができるものである。また、素子実装基板Aにおいて第1絶縁層1の樹脂が凹部5の内面に滲み出していないので、凹部5の形状、特に凹部5の断面積は成形前後において変化しておらず、これによって焦電素子12の検出感度を高めることができるものである。   In the infrared detector B formed as described above, since the opening edge of the recessed portion 5 for thermal insulation is not tilted in the element mounting substrate A housed therein, the mountability of the pyroelectric element 12 is improved. Can be obtained high. In addition, since the resin of the first insulating layer 1 does not ooze out to the inner surface of the recess 5 in the element mounting substrate A, the shape of the recess 5, particularly the cross-sectional area of the recess 5, has not changed before and after the molding. The detection sensitivity of the electric element 12 can be increased.

本発明の実施の形態の一例を示すものであり、(a)〜(c)は断面図である。An example of embodiment of this invention is shown and (a)-(c) is sectional drawing. 図1に示す工程に続く工程を示すものであり、(a)(b)は断面図である。FIG. 2 shows a step that follows the step shown in FIG. 1, and (a) and (b) are cross-sectional views. 本発明の実施の形態の他の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows another example of embodiment of this invention. 熱可塑性フィルムの他の一例を示すものであり、(a)(b)は断面図である。The other example of a thermoplastic film is shown, (a) (b) is sectional drawing. 赤外線検出器の一例を示すものであり、(a)は斜視図、(b)はキャップをステムから外した状態を示す斜視図である。An example of an infrared detector is shown, (a) is a perspective view, (b) is a perspective view which shows the state which removed the cap from the stem. 流動性の評価方法を示すものであって、熱可塑性フィルム単体又はBステージ状態の第1絶縁層単体を加圧する場合の断面図である。It shows a method for evaluating fluidity, and is a cross-sectional view when a thermoplastic film alone or a first insulating layer alone in a B-stage state is pressurized. 従来の技術の一例を示すものであり、(a)〜(c)は断面図である。An example of the prior art is shown, and (a) to (c) are cross-sectional views. 図7に示す工程に続く工程を示すものであり、(a)(b)は断面図である。FIG. 8 shows a step that follows the step shown in FIG. 7, and (a) and (b) are cross-sectional views. 従来の技術の他の一例を示すものであり、(a)〜(c)は断面図である。It shows another example of the prior art, and (a) to (c) are sectional views. 従来の技術のさらに他の一例を示すものであり、(a)(b)は断面図である。FIG. 4 shows still another example of the prior art, and (a) and (b) are cross-sectional views. 図10に示す工程に続く工程を示すものであり、(a)(b)は断面図である。FIG. 11 shows a step that follows the step shown in FIG. 10, and (a) and (b) are cross-sectional views.

符号の説明Explanation of symbols

A 素子実装基板
B 赤外線検出器
1 第1絶縁層
2 孔部
3 金属シート
4 孔
5 凹部
6 熱可塑性フィルム
7 第1回路基板
8 第2絶縁層
9 素子
10 第2回路基板
11 離型層
12 焦電素子
A element mounting board B infrared detector 1 first insulating layer 2 hole 3 metal sheet 4 hole 5 recess 6 thermoplastic film 7 first circuit board 8 second insulating layer 9 element 10 second circuit board 11 release layer 12 focus Electrical element

Claims (6)

Bステージ状態の第1絶縁層に少なくとも1つ以上の貫通した孔部を設けると共に、前記孔部の内径より大きい内径の孔を金属シートに設け、前記金属シートの前記孔の内縁が前記第1絶縁層の前記孔部の内縁より外側に位置するように前記第1絶縁層の片面に前記金属シートを積層した後、加熱加圧成形することによって前記第1絶縁層を硬化させ、この第1絶縁層に前記金属シートを接着させると共に、前記孔部で熱絶縁用の凹部を形成するようにした素子実装基板の製造方法であって、加熱加圧成形の前に前記第1絶縁層の前記孔部を塞ぐように熱可塑性フィルムを前記金属シートに積層し、加熱加圧によって軟化した前記熱可塑性フィルムの樹脂を前記孔部に充填させ、加熱加圧成形の後に前記熱可塑性フィルムを剥離して前記孔部から前記樹脂を除去することを特徴とする素子実装基板の製造方法。 Provided with at least one or more through-holes in the first insulating layer in a B-stage state, only set an inner diameter larger than the inner diameter of the hole of the hole in the metal sheet, the inner edge of the hole of the metal sheet is the first 1 after laminating the metal sheet on one surface of the first insulating layer so as to be positioned outside the inner edge of the hole of the insulating layer, curing the first insulating layer by molding heat and pressure, the first A method of manufacturing an element mounting board in which the metal sheet is bonded to one insulating layer and a recess for thermal insulation is formed in the hole, wherein the first insulating layer is formed before heat and pressure molding. the thermoplastic film so as to close the hole portion laminated on the metal sheet, the resin of the thermoplastic film softened by heat and pressure is filled in the holes, peeling the thermoplastic film after the hot pressing the hole and Element mounting substrate manufacturing method characterized by removing et the resin. 加熱加圧成形の前に前記第1絶縁層の前記金属シートが積層された側と反対側に第1回路基板、Bステージ状態の第2絶縁層、素子が実装された第2回路基板をこの順に積層し、加熱加圧成形することによって前記第1絶縁層及び前記第2絶縁層を硬化させ、前記第1絶縁層に前記第1回路基板を接着させると共に、前記第2絶縁層に前記素子を埋め込みつつ前記第1回路基板及び前記第2回路基板を接着させることを特徴とする請求項1に記載の素子実装基板の製造方法。 The first circuit board on the side opposite to the side on which the metal sheet is stacked in the first insulating layer prior to hot pressing, the second insulating layer of B-stage state, the second circuit board device is mounted this stacked in this order to cure the first insulating layer and the second insulating layer by molding heat and pressure, along with adhering the first circuit board to the first insulating layer, the element to the second insulating layer element mounting substrate manufacturing method according to claim 1, characterized in that adhering the first circuit board and the second circuit board while embedded. 加熱加圧成形の際に前記熱可塑性フィルムの流動性が前記第1絶縁層の流動性よりも高くなる状態が少なくとも存在することを特徴とする請求項1又は2に記載の素子実装基板の製造方法。 Manufacturing of the element mounting substrate according to claim 1 or 2 state fluidity is higher than the fluidity of the first insulating layer of the thermoplastic film during hot pressing is characterized in that at least the presence Method. 前記熱可塑性フィルムとして、少なくとも前記孔部に対向する面に離型層が設けられたものを用いることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の素子実装基板の製造方法。 The method for manufacturing an element mounting substrate according to any one of claims 1 to 3, wherein a film having a release layer provided on at least a surface facing the hole is used as the thermoplastic film. 請求項1乃至4のいずれか1項に記載の方法を使用して製造されたことを特徴とする素子実装基板。   An element mounting board manufactured using the method according to claim 1. 請求項5に記載の素子実装基板の前記凹部を跨いで焦電素子を実装すると共に、この素子実装基板を用いて形成されたことを特徴とする赤外線検出器。 An infrared detector, wherein a pyroelectric element is mounted across the concave portion of the element mounting board according to claim 5 and formed using the element mounting board.
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