JP2008244178A - Element packaging substrate and manufacturing method thereof, and infrared detector - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、熱絶縁用の凹部を表面に設けて形成される素子実装基板及びその製造方法並びに素子実装基板を用いて形成される赤外線検出器に関するものである。 The present invention relates to an element mounting board formed by providing a recess for thermal insulation on the surface, a manufacturing method thereof, and an infrared detector formed using the element mounting board.
熱絶縁用の凹部5を表面に設けて形成される素子実装基板Aは、赤外線検出器Bの製造等に用いられている(例えば、特許文献1参照。)。従来、このような素子実装基板Aは、基本的には図7に示すような工程を経て製造されている。すなわち、まず図7(a)のように、金属シート3、Bステージ状態の第1絶縁層1、表面に回路13が設けられた第1回路基板7、Bステージ状態の第2絶縁層8、表面に回路13が設けられ、かつ素子9が実装された第2回路基板10をこの順に積層し、金属シート3の側に凸部26を設けた金型27を配置する。そして図7(b)のように、プレス装置(図示省略)を用いて金型27を上記積層物に押し付けて加熱加圧成形を行った後脱型すると、図7(c)のように凹部5が表面に設けられた素子実装基板Aを得ることができる。
The element mounting board A formed by providing the
しかし、上記のような製造方法にあっては、金属シート3を介して金型27を第1絶縁層1に押し付けるようにしているので、金型27の凸部26の形状に沿って第1絶縁層1を追従させて変形させるのが難しく、実際には図8(a)のように凹部5の開口縁がだれてしまうという問題がある。そして赤外線検出器Bを製造するにあたって焦電素子12は凹部5を跨いで実装されるため、上記のように凹部5の開口縁がだれていると、図8(b)のように実装不良が発生したり、焦電素子12の感度が低下したりするものである。
However, in the manufacturing method as described above, since the
このような問題は、例えば図9に示すような工程を経て一応解決することができる。すなわち、図9(a)(b)のように金属シート3、第1絶縁層1、第1回路基板7、第2絶縁層8、第2回路基板10をこの順に重ねて加熱加圧して積層成形した後、図9(c)のように座ぐり加工を行って凹部5を設けるというものである。ところが、一般的に座ぐり加工は時間がかかる上に、凹部5の底面を平坦に露出させるためには高度の加工精度が要求されるので、実用的であるとはいえない。
Such a problem can be solved for example through a process as shown in FIG. That is, as shown in FIGS. 9A and 9B, the
そこで、現状は図10に示すような方法で素子実装基板Aの製造が行われている。すなわち、図10(a)のように貫通した孔4があらかじめ設けられた金属シート3、貫通した孔部2があらかじめ設けられた第1絶縁層1、第1回路基板7、第2絶縁層8、第2回路基板10をこの順に重ねて加熱加圧して積層成形するというものである。このような方法であれば、短時間で凹部5を設けることができ、しかも凹部5の開口縁がだれるのを防止することができるものである。
しかしながら、図10に示すような方法にあっては、加熱加圧成形の際に図11(a)のように凹部5の内壁から第1絶縁層1の樹脂が滲み出し、凹部5の形状が変化するという問題がある。そして赤外線検出器Bを製造するにあたって焦電素子12は図11(b)のように凹部5を跨いで実装されるが、焦電素子12と凹部5の底面との間隔が不均一になって、凹部5の形状、特に凹部5の断面積が変化してしまうと、焦電素子12の感度に悪影響を及ぼしてしまうものである。この場合、焦電素子12を実装する前にプラズマ法のようなデスミア処理を行って凹部5の形状を整えることも考えられるが、このような処理では不要な樹脂のみを除去するのが難しい。
However, in the method as shown in FIG. 10, the resin of the first
また、第1絶縁層1にセラミックを使用することも考えられる。すなわち、あらかじめ貫通した孔部2が設けられたグリーンシートを複数枚重ね合わせて焼結するというものである。この場合、凹部5の内壁から樹脂が滲み出すことはないが、そもそもセラミック基板は寸法安定性が悪いという問題がある。
It is also conceivable to use ceramic for the first
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、第1絶縁層の樹脂が孔部の内壁から滲み出すのを抑制し、凹部の形状が変化するのを防止することができる素子実装基板及びその製造方法並びに赤外線検出器を提供することを目的とするものである。 The present invention has been made in view of the above points, and an element mounting substrate that can prevent the resin of the first insulating layer from seeping out from the inner wall of the hole and prevent the shape of the recess from changing. It is an object of the present invention to provide an infrared detector.
本発明の請求項1に係る素子実装基板の製造方法は、Bステージ状態の第1絶縁層1に少なくとも1つ以上の貫通した孔部2を設けると共に、金属シート3に孔4を設け、孔部2と孔4を一致させながら第1絶縁層1の片面に金属シート3を積層した後、加熱加圧成形することによって第1絶縁層1を硬化させ、この第1絶縁層1に前記金属シート3を接着させると共に、前記孔部2で熱絶縁用の凹部5を形成するようにした素子実装基板Aの製造方法であって、加熱加圧成形の前に第1絶縁層1の孔部2を塞ぐように熱可塑性フィルム6を金属シート3に積層し、加熱加圧によって軟化した熱可塑性フィルム6の樹脂を孔部2に充填させ、加熱加圧成形の後に熱可塑性フィルム6を剥離して孔部2から樹脂を除去することを特徴とするものである。
In the method for manufacturing an element mounting board according to
請求項2に係る発明は、請求項1において、加熱加圧成形の前に第1絶縁層1の金属シート3が積層された側と反対側に第1回路基板7、Bステージ状態の第2絶縁層8、素子9が実装された第2回路基板10をこの順に積層し、加熱加圧成形することによって第1絶縁層1及び第2絶縁層8を硬化させ、第1絶縁層1に第1回路基板7を接着させると共に、第2絶縁層8に素子9を埋め込みつつ第1回路基板7及び第2回路基板10を接着させることを特徴とするものである。
The invention according to
請求項3に係る発明は、請求項1又は2において、加熱加圧成形の際に熱可塑性フィルム6の流動性が第1絶縁層1の流動性よりも高くなる状態が少なくとも存在することを特徴とするものである。
The invention according to
請求項4に係る発明は、請求項1乃至3のいずれか1項において、熱可塑性フィルム6として、少なくとも孔部2に対向する面に離型層11が設けられたものを用いることを特徴とするものである。
The invention according to claim 4 is characterized in that, in any one of
本発明の請求項5に係る素子実装基板は、請求項1乃至4のいずれか1項に記載の方法を使用して製造されたことを特徴とするものである。 An element mounting board according to a fifth aspect of the present invention is manufactured using the method according to any one of the first to fourth aspects.
本発明の請求項6に係る赤外線検出器は、請求項5に記載の素子実装基板Aの凹部5を跨いで焦電素子12を実装すると共に、この素子実装基板Aを用いて形成されたことを特徴とするものである。
The infrared detector according to
本発明の請求項1に係る素子実装基板の製造方法によれば、加熱加圧成形の際に軟化した熱可塑性フィルムの樹脂が孔部に充填されることによって、第1絶縁層の樹脂が孔部の内壁から滲み出すのを抑制し、凹部の形状が変化するのを防止することができるものである。
According to the method for manufacturing an element mounting board of
請求項2に係る発明によれば、容易に多層化及び高密度実装化を図ることができるものである。
According to the invention which concerns on
請求項3に係る発明によれば、第1絶縁層の樹脂が孔部の内壁から滲み出る前に熱可塑性フィルムの樹脂を孔部に充填させることができ、第1絶縁層の樹脂の滲み出しを一層確実に防止することができるものである。
According to the invention of
請求項4に係る発明によれば、離型層によって熱可塑性フィルムの剥離を容易に行うことができるものである。 According to the invention which concerns on Claim 4, peeling of a thermoplastic film can be performed easily by a mold release layer.
本発明の請求項5に係る素子実装基板によれば、第1絶縁層の樹脂が凹部の内面に滲み出していないものである。
According to the element mounting substrate of
本発明の請求項6に係る赤外線検出器によれば、検出感度を高めることができるものである。
According to the infrared detector of
以下、本発明の実施の形態を説明する。 Embodiments of the present invention will be described below.
図1は本発明の実施の形態の一例を示すものであり、本例ではまずBステージ状態の第1絶縁層1及び第2絶縁層8、金属シート3、第1回路基板7、第2回路基板10、熱可塑性フィルム6を用意する。
FIG. 1 shows an example of an embodiment of the present invention. In this example, first, first and second
Bステージ状態の第1絶縁層1及び第2絶縁層8としては、例えば、熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂に無機充填材を50〜95質量%配合して調製した樹脂組成物や熱可塑性樹脂単体を厚み10〜1000μmのシート状に成形したもの(有機グリーンシート)や、上記樹脂組成物をガラスクロス等の基材に含浸させて乾燥させたプリプレグを用いることができる。ここで、熱硬化性樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、アラルキルエポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂等を用いることができる。また熱可塑性樹脂としては、ポリイミド樹脂、液晶ポリマー樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリアミド樹脂等を用いることができる。また無機充填材としては、例えば、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、シリカ、チタン酸バリウム、酸化チタン、水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、グアニジン塩、ホウ酸亜鉛、モリブデン化合物、スズ酸亜鉛、タルク、硫酸バリウム、炭酸カルシウム、雲母粉等を用いることができる。また樹脂組成物にはジシアンジアミド、フェノール、酸無水物等の硬化剤を配合することができる。そしてBステージ状態の第1絶縁層1には少なくとも1つ以上の貫通した孔部2が設けられている。孔部2は例えば平面視長孔状に形成することができるが、これに限定されるものではない。一方、Bステージ状態の第2絶縁層8には孔部2が設けられていない。
As the first
また金属シート3としては、例えば、厚み1〜70μmの銅箔等の金属箔を用いることができる。そしてこの金属シート3には、第1絶縁層1に設けた孔部2と同形状・同数の孔4が設けられている。特に図3のように金属シート3の孔4の内縁と第1絶縁層1の孔部2の内縁との距離wが20〜150μmであることが好ましい。金属シート3の孔4の内径が第1絶縁層1の孔部2の内径以下であると、加熱加圧成形の際に金属シート3の孔4の内縁部が第1絶縁層1の孔部2内に引きずり込まれ、これによって凹部5の形状が変化するおそれがあるが、上記のように金属シート3の孔4の内径が第1絶縁層1の孔部2の内径より大きいと、加熱加圧成形の際に金属シート3の孔4の内縁部が第1絶縁層1の孔部2内に引きずり込まれるのを防止することができるものである。
Moreover, as the
また第1回路基板7及び第2回路基板10としては、金属張積層板にサブトラクティブ法等を使用して作製された多層回路基板等を用いることができる。第1回路基板7の両面には回路13が形成されていると共に、この両面の回路13はスルーホールめっき等の層間接続部14によって電気的に導通されている。第2回路基板10の片面には回路13が形成されてチップ抵抗やチップコンデンサ等の素子9が実装され、他の片面には全面にわたって金属シート3が設けられていると共に、回路13及び金属シート3はスルーホールめっき等の層間接続部14によって電気的に導通されている。
In addition, as the
また熱可塑性フィルム6としては、例えば、ポリオレフィン樹脂等の熱可塑性樹脂を厚み10〜1000μmのシート状に成形したものを用いることができるが、厚みはこの範囲に限定されるものではない。特に熱可塑性フィルム6としては、後述する加熱加圧成形の際にその流動性が第1絶縁層1の流動性よりも高くなる状態が少なくとも存在するようなものを用いるのが好ましい。具体的には、例えば、Bステージ状態の第1絶縁層1として上述した有機グリーンシートを用いる場合には、熱可塑性フィルム6としてポリオレフィン樹脂で成形されたものを用いるのが好ましい。さらに熱可塑性フィルム6の片面又は両面には、図4(a)(b)のように厚み1〜200μmの離型層11が設けられているのが好ましい。この離型層11は、例えば、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、ポリメチルペンテン等の離型性を有するポリオレフィン樹脂で形成することができる。
As the
ここで、熱可塑性フィルム6とBステージ状態の第1絶縁層1の流動性の大小関係は、次のようにして事前に確認することができる。例えば、図6(a)のように円形の熱可塑性フィルム6(100mmφ、厚み200μm)を2枚の離型フィルム29で挟み、さらにこれを2枚の成形プレート28で挟んで、これをプレス装置(図示省略)によって加熱加圧成形する。このときの成形条件は、例えば、温度70℃、圧力5MPa(51.0kg/cm2)、時間10分に設定する。そして流動性は、成形前後の熱可塑性フィルム6の面積を算出し、これらの面積を用いて、次式のように数値化することができる。
Here, the magnitude relationship between the fluidity of the
流動性(%)=〔成形後の面積/成形前の面積〕×100
このようにして熱可塑性フィルム6の流動性を数値として求めることができる。一方、Bステージ状態の第1絶縁層1の流動性についても同様にして数値として求めることができる。下記[表1]は、温度70℃、90℃、110℃、130℃において、熱可塑性フィルム6とBステージ状態の第1絶縁層1の流動性の大小関係の一例を示すものである。
Fluidity (%) = [Area after molding / Area before molding] × 100
In this way, the fluidity of the
上記のように、温度のみならず、圧力、時間を適宜に変更することによって、熱可塑性フィルム6とBステージ状態の第1絶縁層1の流動性の大小関係を事前に確認することができる。
As described above, by changing not only the temperature but also the pressure and time as appropriate, the magnitude relationship between the fluidity of the
そして素子実装基板Aを製造するにあたっては、まず図1(a)のように孔部2と孔4を一致させながらBステージ状態の第1絶縁層1の片面に金属シート3を積層すると共に、第1絶縁層1の金属シート3が積層された側と反対側に第1回路基板7、Bステージ状態の第2絶縁層8、素子9が実装された第2回路基板10をこの順に積層する。このとき第2回路基板10の素子9が実装された面は第2絶縁層8の側に向けている。さらに、孔4を設けた金属シート3の側において第1絶縁層1の孔部2を塞ぐように熱可塑性フィルム6を金属シート3に積層する。
In manufacturing the element mounting substrate A, first, as shown in FIG. 1A, the
その後、この積層物を2枚のプレート(図示省略)で挟み、必要に応じて積層物とプレートとの間に離型シートや金属箔を介在させ、プレス装置(図示省略)によって図1(b)のように加熱加圧成形することによって、第1絶縁層1及び第2絶縁層8をCステージ状態となるまで硬化させ、第1絶縁層1に金属シート3及び第1回路基板7を接着させる。また第2絶縁層8に第1回路基板7を接着させ、さらに第2絶縁層8に素子9を埋め込みつつ第2回路基板10を接着させる。加熱加圧成形の工程は1次工程(主として熱可塑性フィルム6の樹脂を充填する工程)と2次工程(主として第1絶縁層1を硬化させる工程)とに分けることができる。1次工程における成形条件は、例えば、70〜150℃、1〜10MPa、5分〜1時間に設定することができる。なお、積層物のズレ防止のため、1次工程の温度に達するまでの間、0.1〜1MPa程度の圧力をかけてもよい。一方、2次工程における成形条件は、例えば、150〜230℃、1〜10MPa、30分〜5時間に設定することができる。そしてこのような加熱加圧によって熱可塑性フィルム6は軟化し、その樹脂が第1絶縁層1の孔部2に入り込んでこの孔部2を充填することになる。このように、加熱加圧成形の際に軟化した熱可塑性フィルム6の樹脂が孔部2に充填されることによって、第1絶縁層1の樹脂が孔部2の内壁から滲み出すのを抑制し、凹部5の形状が変化するのを防止することができるものである。しかも加熱加圧成形の際に熱可塑性フィルム6の流動性が第1絶縁層1の流動性よりも高くなる状態が少なくとも存在する場合には、第1絶縁層1の樹脂が孔部2の内壁から滲み出る前に熱可塑性フィルム6の樹脂を孔部2に充填させることができ、第1絶縁層1の樹脂の滲み出しを一層確実に防止することができるものである。なお、加熱加圧成形は、熱可塑性フィルム6の充填性や第1絶縁層1及び第2絶縁層8のボイド低減の点から、真空雰囲気下で行うのが好ましい。
Thereafter, the laminate is sandwiched between two plates (not shown), and if necessary, a release sheet or metal foil is interposed between the laminate and the plate. The first insulating
そして加熱加圧成形の後に熱可塑性フィルム6が再び硬化したのを確認した上で、図1(c)のように熱可塑性フィルム6を剥離して孔部2から樹脂を除去することによって、この孔部2で熱絶縁用の凹部5が形成された素子実装基板Aを得ることができるものである。特に熱可塑性フィルム6として、上述した図4のように、少なくとも孔部2に対向する面に離型層11が設けられたものを用いる場合には、この離型層11によって熱可塑性フィルム6の剥離を容易に行うことができるものである。
Then, after confirming that the
このようにして製造された素子実装基板Aにあっては、第1回路基板7及び第2回路基板10が用いられていると共に、第2回路基板10に実装された素子9が第2絶縁層8に埋め込まれているので、容易に多層化及び高密度実装化を図ることができるものである。
In the element mounting board A manufactured in this way, the
赤外線検出器Bを製造するにあたっては、まず図2(a)のように素子実装基板Aの最外層に回路13を形成する。このとき凹部5の開口縁上面の回路13は、焦電素子12を実装するためのランド15として形成される。その後、図2(b)のように銀ペースト等の導電性ペースト16を用いて焦電素子12の両側の電極とランド15とを接合することによって、素子実装基板Aの凹部5を跨いで焦電素子12を実装する。このようにして焦電素子12が実装された素子実装基板Aを用いて図5に示すような赤外線検出器Bを形成することができる。
In manufacturing the infrared detector B, first, the
すなわち、この赤外線検出器Bは、上記素子実装基板Aと、これを収納するキャンパッケージからなるパッケージ17とを備えて形成されている。
That is, the infrared detector B is formed to include the element mounting substrate A and a
パッケージ17は、絶縁材料からなるスペーサ18を介して素子実装基板Aが実装される金属製のステム19と、素子実装基板Aを覆うようにステム19に固着される金属製のキャップ20とを備えて形成され、素子実装基板Aの所定箇所と電気的に接続される複数本の端子ピン21がステム19を貫通する形で設けられている。ステム19は円盤状に形成され、キャップ20は後面が開放された有底円筒状に形成されており、後面がステム19により閉塞されている。なお、スペーサ18と素子実装基板A及びステム19とは接着剤により固着されている。
The
また、キャップ20において焦電素子12の前方に位置する前壁には、矩形状の窓部22が形成されており、焦電素子12の受光面へ赤外線を集光する光学部材として、赤外線レンズ23が窓部22を覆うようにキャップ20の内側から配設されている。
A
また、キャップ20及びステム19は鋼板により形成されており、ステム19の周部に形成されたフランジ部24に対して、キャップ20の後端縁から外方に延設された外鍔部25を溶接により封着してある。
Further, the
上記のようにして形成された赤外線検出器Bにあっては、内部に収納されている素子実装基板Aにおいて熱絶縁用の凹部5の開口縁がだれていないので、焦電素子12の実装性を高く得ることができるものである。また、素子実装基板Aにおいて第1絶縁層1の樹脂が凹部5の内面に滲み出していないので、凹部5の形状、特に凹部5の断面積は成形前後において変化しておらず、これによって焦電素子12の検出感度を高めることができるものである。
In the infrared detector B formed as described above, since the opening edge of the recessed
A 素子実装基板
B 赤外線検出器
1 第1絶縁層
2 孔部
3 金属シート
4 孔
5 凹部
6 熱可塑性フィルム
7 第1回路基板
8 第2絶縁層
9 素子
10 第2回路基板
11 離型層
12 焦電素子
A element mounting substrate B
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011112508A (en) * | 2009-11-26 | 2011-06-09 | Nippon Ceramic Co Ltd | Pyroelectric infrared detection device |
JP2012119352A (en) * | 2010-11-29 | 2012-06-21 | Kyocera Corp | Infrared element mounting structure and substrate for mounting infrared element |
JP2016039272A (en) * | 2014-08-08 | 2016-03-22 | 株式会社ニコン | Substrate lamination device and substrate lamination method |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0252128U (en) * | 1988-10-05 | 1990-04-13 | ||
JPH1079446A (en) * | 1996-09-02 | 1998-03-24 | Hitachi Chem Co Ltd | Manufacturing method of multilayer board for semiconductor element mounting use |
JP2000150704A (en) * | 1998-11-10 | 2000-05-30 | Hitachi Chem Co Ltd | Manufacture of semiconductor element mounting multilayer wiring board |
JP2001024105A (en) * | 1999-07-13 | 2001-01-26 | Nitto Denko Corp | Die releasing material |
JP2001033307A (en) * | 1999-07-16 | 2001-02-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Infrared radiation detecting element and its manufacture |
JP2004311736A (en) * | 2003-04-08 | 2004-11-04 | Nec Toppan Circuit Solutions Inc | Method for manufacturing built-up multilayer wiring board incorporating chip comp0nents |
-
2007
- 2007-03-27 JP JP2007083090A patent/JP4996303B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0252128U (en) * | 1988-10-05 | 1990-04-13 | ||
JPH1079446A (en) * | 1996-09-02 | 1998-03-24 | Hitachi Chem Co Ltd | Manufacturing method of multilayer board for semiconductor element mounting use |
JP2000150704A (en) * | 1998-11-10 | 2000-05-30 | Hitachi Chem Co Ltd | Manufacture of semiconductor element mounting multilayer wiring board |
JP2001024105A (en) * | 1999-07-13 | 2001-01-26 | Nitto Denko Corp | Die releasing material |
JP2001033307A (en) * | 1999-07-16 | 2001-02-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Infrared radiation detecting element and its manufacture |
JP2004311736A (en) * | 2003-04-08 | 2004-11-04 | Nec Toppan Circuit Solutions Inc | Method for manufacturing built-up multilayer wiring board incorporating chip comp0nents |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011112508A (en) * | 2009-11-26 | 2011-06-09 | Nippon Ceramic Co Ltd | Pyroelectric infrared detection device |
JP2012119352A (en) * | 2010-11-29 | 2012-06-21 | Kyocera Corp | Infrared element mounting structure and substrate for mounting infrared element |
JP2016039272A (en) * | 2014-08-08 | 2016-03-22 | 株式会社ニコン | Substrate lamination device and substrate lamination method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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