JP5032870B2

JP5032870B2 - Manufacturing method of uneven circuit board

Info

Publication number: JP5032870B2
Application number: JP2007083089A
Authority: JP
Inventors: 博光高下; 大三馬場; 直仁福家
Original assignee: Panasonic Corp; Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Corp; Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2007-03-27
Filing date: 2007-03-27
Publication date: 2012-09-26
Anticipated expiration: 2027-03-27
Also published as: JP2008244177A

Description

本発明は、表面が凹凸面として形成された立体回路基板などの凹凸回路基板の製造方法に関するものである。 The present invention relates to a method for manufacturing a concavo-convex circuit board such as a three-dimensional circuit board whose surface is formed as a concavo-convex surface.

立体回路基板のような凹凸回路基板Ａには孔部２が設けられているので、この孔部２に各種部品６を実装することによって、高密度実装化及び小型薄型化を図ることができる。従来、このような凹凸回路基板Ａは、基本的には図１３に示すような工程を経て製造されている（例えば、特許文献１、２参照。）。すなわち、まず図１３（ａ）のように、表面に回路１１を設けた多層回路基板７にＢステージ状態の絶縁層１を重ね、銅箔等の金属層３を介してこの絶縁層１の側に凸部２４を設けた金型２５を配置する。そして図１３（ｂ）のように、プレス装置（図示省略）を用いて、金属層３を介して金型２５を絶縁層１に押し付けて加熱加圧成形を行った後脱型すると、図１３（ｃ）のような凹凸回路基板Ａを得ることができる。 Since the hole 2 is provided in the concavo-convex circuit board A such as a three-dimensional circuit board, by mounting various components 6 in the hole 2, high-density mounting and miniaturization and thinning can be achieved. Conventionally, such a concavo-convex circuit board A is basically manufactured through a process as shown in FIG. 13 (see, for example, Patent Documents 1 and 2). That is, first, as shown in FIG. 13A, an insulating layer 1 in a B-stage state is overlaid on a multilayer circuit board 7 provided with a circuit 11 on the surface, and this insulating layer 1 side is interposed through a metal layer 3 such as a copper foil. A mold 25 provided with a convex portion 24 is disposed. Then, as shown in FIG. 13B, using a press device (not shown), the mold 25 is pressed against the insulating layer 1 through the metal layer 3 to perform heat and pressure molding, and then removed from the mold. The uneven circuit board A as shown in (c) can be obtained.

しかし、上記のような製造方法にあっては、金属層３を介して金型２５を絶縁層１に押し付けるようにしているので、金型２５の凸部２４の形状に沿って絶縁層１を追従させて変形させるのが難しい。そのため、孔部２の開口縁をシャープに形成しようとしても、図１３（ｃ）のように実際には孔部２の開口縁はだれてしまうという問題がある。 However, in the manufacturing method as described above, the mold 25 is pressed against the insulating layer 1 through the metal layer 3, so that the insulating layer 1 is formed along the shape of the convex portion 24 of the mold 25. Difficult to follow and deform. Therefore, there is a problem that even if the opening edge of the hole 2 is formed sharply, the opening edge of the hole 2 actually deviates as shown in FIG.

このような問題は、例えば図１４に示すような工程を経て一応解決することができる。すなわち、図１４（ａ）（ｂ）のように絶縁層１を介して多層回路基板７及び金属層３を積層成形した後、図１４（ｃ）のように座ぐり加工を行って孔部２を設けるというものである。ところが、一般的に座ぐり加工は時間がかかる上に、図１４（ｃ）のように孔部２の底部に回路形成用金属層１４を平坦に露出させるためには高度の加工精度が要求されるので、実用的であるとはいえない。 Such a problem can be temporarily solved through a process as shown in FIG. That is, after the multilayer circuit board 7 and the metal layer 3 are laminated and formed through the insulating layer 1 as shown in FIGS. 14 (a) and 14 (b), the counterbore process is performed as shown in FIG. Is to provide. However, in general, the counterbore processing takes time, and a high degree of processing accuracy is required to flatly expose the circuit forming metal layer 14 at the bottom of the hole 2 as shown in FIG. Therefore, it cannot be said that it is practical.

そこで、現状は図１５に示すような方法で凹凸回路基板Ａの製造が行われている。すなわち、図１５（ａ）のように貫通孔２６をあらかじめ絶縁層１及び金属層３に設けておき、これらを多層回路基板７と共に加熱加圧して積層成形するというものである。このような方法であれば、短時間で孔部２を設けることができ、しかも孔部２の開口縁を図１５（ｂ）のようにシャープに形成することができるものである。
特開２００７−０５９８４４号公報特開２００７−０５９８４６号公報 Therefore, at present, the uneven circuit board A is manufactured by a method as shown in FIG. That is, as shown in FIG. 15A, through holes 26 are provided in the insulating layer 1 and the metal layer 3 in advance, and these are heated and pressed together with the multilayer circuit board 7 to be laminated. With such a method, the hole 2 can be provided in a short time, and the opening edge of the hole 2 can be formed sharply as shown in FIG.
JP 2007-059844 A JP 2007-059846 A

しかしながら、図１５に示すような方法にあっては、加熱加圧成形の際に図１５（ｂ）のように孔部２の内壁から絶縁層１の樹脂が滲み出し、孔部２の形状が変化するという問題がある。そして滲み出した樹脂が孔部２の底部の回路形成用金属層１４を一部でも覆ってしまうと、これが原因となって回路１１の形成が適切に行われなくなる。この場合、回路１１を形成する前にプラズマ法のようなデスミア処理を行うことも考えられるが、このような処理では不要な樹脂のみを除去するのが難しい。 However, in the method as shown in FIG. 15, the resin of the insulating layer 1 oozes out from the inner wall of the hole 2 as shown in FIG. There is a problem of changing. If the exuded resin covers even part of the circuit forming metal layer 14 at the bottom of the hole 2, the circuit 11 cannot be formed properly due to this. In this case, it is conceivable to perform a desmear process such as a plasma method before forming the circuit 11, but it is difficult to remove only unnecessary resin by such a process.

また、絶縁層１にセラミックを使用することも考えられる。すなわち、あらかじめ貫通孔２６が設けられたグリーンシートを複数枚重ね合わせて焼結するというものである。この場合、孔部２の内壁から樹脂が滲み出すことはないが、そもそもセラミック基板は寸法安定性が悪いという問題がある。 It is also conceivable to use ceramic for the insulating layer 1. That is, a plurality of green sheets provided with through holes 26 in advance are stacked and sintered. In this case, the resin does not ooze out from the inner wall of the hole 2, but the ceramic substrate has a problem that the dimensional stability is poor in the first place.

本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、絶縁層の樹脂が孔部の内壁から滲み出すのを抑制し、孔部の形状が変化するのを防止することができる凹凸回路基板の製造方法を提供することを目的とするものである。 The present invention has been made in view of the above points, and it is possible to suppress the resin of the insulating layer from seeping out from the inner wall of the hole and to prevent the shape of the hole from changing. The object is to provide a manufacturing method.

本発明の請求項１に係る凹凸回路基板の製造方法は、Ｂステージ状態の絶縁層１に少なくとも１つ以上の貫通した部品実装可能な孔部２を設け、この絶縁層１の片面又は両面に金属層３及び基板４から選ばれるものを積層した後、加熱加圧成形することによって絶縁層１を硬化させると共に、この絶縁層１に前記金属層３及び基板４から選ばれるものを接着させるようにした凹凸回路基板Ａの製造方法であって、加熱加圧成形の前に絶縁層１の孔部２を塞ぐように熱可塑性フィルム５を積層し、加熱加圧成形の１次工程により加熱加圧によって軟化した熱可塑性フィルム５の樹脂を孔部２に充填させ、加熱加圧成形の２次工程により絶縁層１を硬化させ、この加熱加圧成形の後に熱可塑性フィルム５を剥離して孔部２から樹脂を除去することを特徴とするものである。 In the method for manufacturing a concavo-convex circuit board according to claim 1 of the present invention, at least one or more through-holes 2 through which components can be mounted are provided in an insulating layer 1 in a B stage state, and one or both surfaces of the insulating layer 1 are provided. After laminating one selected from the metal layer 3 and the substrate 4, the insulating layer 1 is cured by heating and pressing, and the one selected from the metal layer 3 and the substrate 4 is adhered to the insulating layer 1. A method of manufacturing a concavo-convex circuit board A, in which a thermoplastic film 5 is laminated so as to close the hole 2 of the insulating layer 1 before heat-pressure molding, and heat treatment is performed in a primary process of heat- pressure molding. The resin of the thermoplastic film 5 softened by the pressure is filled in the hole 2, the insulating layer 1 is cured by the secondary process of heat and pressure molding, and the thermoplastic film 5 is peeled off after the heat and pressure molding. Removing resin from part 2 It is an feature.

請求項２に係る発明は、請求項１において、金属層３及び基板４から選ばれるものとして、部品６が実装されたものを用い、加熱加圧成形の際に前記部品６を絶縁層１の内部に埋め込むことを特徴とするものである。 The invention according to claim 2 uses the one in which the component 6 is mounted as selected from the metal layer 3 and the substrate 4 in claim 1, and the component 6 is made of the insulating layer 1 at the time of heat and pressure molding. It is characterized by being embedded inside.

請求項３に係る発明は、請求項１又は２において、基板４として、多層回路基板７及び凹凸を設けた多層回路基板８から選ばれるものを用いることを特徴とするものである。 A third aspect of the invention is characterized in that, in the first or second aspect, the substrate 4 is selected from the multilayer circuit substrate 7 and the multilayer circuit substrate 8 provided with unevenness.

請求項４に係る発明は、請求項１乃至３のいずれか１項において、加熱加圧成形の際に熱可塑性フィルム５の流動性が絶縁層１の流動性よりも高くなる状態が存在することを特徴とするものである。 According to a fourth aspect of the present invention, in any one of the first to third aspects, there is a state in which the fluidity of the thermoplastic film 5 is higher than the fluidity of the insulating layer 1 during the heat and pressure molding. It is characterized by.

請求項５に係る発明は、請求項１乃至４のいずれか１項において、熱可塑性フィルム５として、少なくとも孔部２に対向する面に離型層９が設けられたものを用いることを特徴とするものである。 The invention according to claim 5 is characterized in that, in any one of claims 1 to 4, the thermoplastic film 5 is provided with a release layer 9 provided on at least the surface facing the hole 2. To do.

本発明の請求項１に係る凹凸回路基板の製造方法によれば、加熱加圧成形の際に軟化した熱可塑性フィルムの樹脂が孔部に充填されることによって、絶縁層の樹脂が孔部の内壁から滲み出すのを抑制し、孔部の形状が変化するのを防止することができるものである。 According to the method for manufacturing a concavo-convex circuit board according to claim 1 of the present invention, the resin of the insulating layer is filled with the resin of the thermoplastic film softened during the heat and pressure molding, so that the resin of the insulating layer It is possible to suppress bleeding from the inner wall and prevent the shape of the hole from changing.

請求項２に係る発明によれば、容易に高密度実装化を図ることができるものである。 According to the invention which concerns on Claim 2, high-density mounting can be achieved easily.

請求項３に係る発明によれば、容易に多層化を図ることができるものである。 According to the invention which concerns on Claim 3, multilayering can be achieved easily.

請求項４に係る発明によれば、絶縁層の樹脂が孔部の内壁から滲み出る前に熱可塑性フィルムの樹脂を孔部に充填させることができ、絶縁層の樹脂の滲み出しを一層確実に防止することができるものである。 According to the invention of claim 4, the resin of the thermoplastic film can be filled into the hole before the resin of the insulating layer oozes out from the inner wall of the hole, and the oozing of the resin of the insulating layer is more reliably performed. It can be prevented.

請求項５に係る発明によれば、離型層によって熱可塑性フィルムの剥離を容易に行うことができるものである。 According to the invention which concerns on Claim 5, peeling of a thermoplastic film can be performed easily with a mold release layer.

以下、本発明の実施の形態を説明する。 Embodiments of the present invention will be described below.

（実施形態１）
図１は実施形態１を示すものであるが、本実施形態ではまずＢステージ状態の絶縁層１、金属層３、熱可塑性フィルム５を用意する。 (Embodiment 1)
FIG. 1 shows Embodiment 1. In this embodiment, first, an insulating layer 1, a metal layer 3, and a thermoplastic film 5 in a B stage state are prepared.

Ｂステージ状態の絶縁層１としては、例えば、熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂に無機充填材を５０〜９５質量％配合して調製した樹脂組成物や熱可塑性樹脂単体を厚み１０〜１０００μｍのシート状に成形したもの（有機グリーンシート）や、上記樹脂組成物をガラスクロス等の基材に含浸させて乾燥させたプリプレグを用いることができる。ここで、熱硬化性樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、アラルキルエポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂等を用いることができる。また熱可塑性樹脂としては、ポリイミド樹脂、液晶ポリマー樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリアミド樹脂等を用いることができる。また無機充填材としては、例えば、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、シリカ、チタン酸バリウム、酸化チタン、水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、グアニジン塩、ホウ酸亜鉛、モリブデン化合物、スズ酸亜鉛、タルク、硫酸バリウム、炭酸カルシウム、雲母粉等を用いることができる。また樹脂組成物にはジシアンジアミド、フェノール、酸無水物等の硬化剤を配合することができる。そしてこのＢステージ状態の絶縁層１には少なくとも１つ以上の貫通した孔部２が設けられている。孔部２は例えば平面視長孔状に形成することができるが、これに限定されるものではない。 As the B-stage insulating layer 1, for example, a sheet having a thickness of 10 to 1000 μm composed of a resin composition prepared by blending 50 to 95 mass% of an inorganic filler with a thermosetting resin or a thermoplastic resin or a thermoplastic resin alone. A prepreg formed into a shape (organic green sheet) or a prepreg obtained by impregnating a base material such as a glass cloth with the above resin composition and drying can be used. Here, as the thermosetting resin, for example, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, aralkyl epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, alkylphenol novolac type epoxy resin, biphenol type epoxy resin Naphthalene type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, epoxidized product of condensate of phenol and aromatic aldehyde having phenolic hydroxyl group, triglycidyl isocyanurate, alicyclic epoxy resin and the like can be used. As the thermoplastic resin, polyimide resin, liquid crystal polymer resin, polyether ether ketone resin, polyphenylene sulfide resin, polyamide resin, or the like can be used. Examples of the inorganic filler include aluminum oxide, magnesium oxide, boron nitride, aluminum nitride, silica, barium titanate, titanium oxide, magnesium hydroxide, aluminum hydroxide, antimony trioxide, antimony pentoxide, guanidine salt, and boron. Zinc acid, molybdenum compound, zinc stannate, talc, barium sulfate, calcium carbonate, mica powder and the like can be used. The resin composition may contain a curing agent such as dicyandiamide, phenol, or acid anhydride. The B-stage insulating layer 1 is provided with at least one or more through holes 2. For example, the hole 2 can be formed in a long hole shape in a plan view, but is not limited thereto.

また金属層３としては、例えば、厚み０．００１〜３ｍｍのアルミニウム、銅、ＳＵＳ等の金属板を用いることができる。 Moreover, as the metal layer 3, metal plates, such as aluminum, copper, SUS, etc. with a thickness of 0.001-3 mm, can be used, for example.

また熱可塑性フィルム５としては、例えば、ポリオレフィン樹脂等の熱可塑性樹脂を厚み１０〜１０００μｍのシート状に成形したものを用いることができるが、厚みはこの範囲に限定されるものではない。特に熱可塑性フィルム５としては、後述する加熱加圧成形の際にその流動性が絶縁層１の流動性よりも高くなる状態が少なくとも存在するようなものを用いるのが好ましい。具体的には、例えば、Ｂステージ状態の絶縁層１として上述した有機グリーンシートを用いる場合には、熱可塑性フィルム５としてポリオレフィン樹脂で成形されたものを用いるのが好ましい。さらに熱可塑性フィルム５の片面又は両面には、図１１（ａ）（ｂ）のように厚み１〜２００μｍの離型層９が設けられているのが好ましい。この離型層９は、例えば、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、ポリメチルペンテン等の離型性を有するポリオレフィン樹脂で形成することができる。 As the thermoplastic film 5, for example, a thermoplastic resin such as a polyolefin resin formed into a sheet having a thickness of 10 to 1000 μm can be used, but the thickness is not limited to this range. In particular, as the thermoplastic film 5, it is preferable to use a film that has at least a state in which the fluidity is higher than the fluidity of the insulating layer 1 in the heat and pressure molding described later. Specifically, for example, when the organic green sheet described above is used as the insulating layer 1 in the B stage state, it is preferable to use the thermoplastic film 5 formed of a polyolefin resin. Furthermore, it is preferable that a release layer 9 having a thickness of 1 to 200 μm is provided on one surface or both surfaces of the thermoplastic film 5 as shown in FIGS. The release layer 9 can be formed of a polyolefin resin having releasability such as a fluororesin, a silicone resin, or polymethylpentene.

ここで、熱可塑性フィルム５とＢステージ状態の絶縁層１の流動性の大小関係は、次のようにして事前に確認することができる。例えば、図１２（ａ）のように円形の熱可塑性フィルム５（１００ｍｍφ、厚み２００μｍ）を２枚の離型フィルム２８で挟み、さらにこれを２枚の成形プレート２７で挟んで、これをプレス装置（図示省略）によって加熱加圧成形する。このときの成形条件は、例えば、温度７０℃、圧力５ＭＰａ（５１．０ｋｇ／ｃｍ^２）、時間１０分に設定する。そして流動性は、成形前後の熱可塑性フィルム５の面積を算出し、これらの面積を用いて、次式のように数値化することができる。 Here, the magnitude relationship between the fluidity of the thermoplastic film 5 and the insulating layer 1 in the B-stage state can be confirmed in advance as follows. For example, as shown in FIG. 12A, a circular thermoplastic film 5 (100 mmφ, thickness 200 μm) is sandwiched between two release films 28, which are further sandwiched between two molding plates 27, and this is pressed. (Not shown) Heat and pressure molding is performed. The molding conditions at this time are set to, for example, a temperature of 70 ° C., a pressure of 5 MPa (51.0 kg / cm ² ), and a time of 10 minutes. The fluidity can be quantified by calculating the area of the thermoplastic film 5 before and after molding and using these areas as in the following equation.

流動性（％）＝〔成形後の面積／成形前の面積〕×１００
このようにして熱可塑性フィルム５の流動性を数値として求めることができる。一方、Ｂステージ状態の絶縁層１の流動性についても同様にして数値として求めることができる。下記［表１］は、温度７０℃、９０℃、１１０℃、１３０℃において、熱可塑性フィルム５とＢステージ状態の絶縁層１の流動性の大小関係の一例を示すものである。 Fluidity (%) = [Area after molding / Area before molding] × 100
In this way, the fluidity of the thermoplastic film 5 can be obtained as a numerical value. On the other hand, the fluidity of the insulating layer 1 in the B-stage state can be similarly obtained as a numerical value. [Table 1] below shows an example of the fluidity relationship between the thermoplastic film 5 and the B-stage insulating layer 1 at temperatures of 70 ° C., 90 ° C., 110 ° C., and 130 ° C.

上記のように、温度のみならず、圧力、時間を適宜に変更することによって、熱可塑性フィルム５とＢステージ状態の絶縁層１の流動性の大小関係を事前に確認することができる。 As described above, by changing not only the temperature but also the pressure and time as appropriate, the magnitude relationship between the fluidity of the thermoplastic film 5 and the insulating layer 1 in the B-stage state can be confirmed in advance.

そして凹凸回路基板Ａを製造するにあたっては、まず図１（ａ）のように絶縁層１の片面に金属層３を積層すると共に、他の片面において絶縁層１の孔部２を塞ぐように熱可塑性フィルム５を積層する。 In manufacturing the concavo-convex circuit board A, first, as shown in FIG. 1A, the metal layer 3 is laminated on one side of the insulating layer 1 and heat is applied so as to close the hole 2 of the insulating layer 1 on the other side. The plastic film 5 is laminated.

その後、この積層物を２枚のプレート（図示省略）で挟み、必要に応じて積層物とプレートとの間に離型シートや金属箔を介在させ、プレス装置（図示省略）によって図１（ｂ）のように加熱加圧成形することによって、絶縁層１をＣステージ状態となるまで硬化させると共に、この絶縁層１に金属層３を接着させる。加熱加圧成形の工程は１次工程（主として熱可塑性フィルム５の樹脂を充填する工程）と２次工程（主として絶縁層１を硬化させる工程）とに分けることができる。１次工程における成形条件は、例えば、７０〜１５０℃、１〜１０ＭＰａ、５分〜１時間に設定することができる。なお、積層物のズレ防止のため、１次工程の温度に達するまでの間、０．１〜１ＭＰａ程度の圧力をかけてもよい。一方、２次工程における成形条件は、例えば、１５０〜２３０℃、１〜１０ＭＰａ、３０分〜５時間に設定することができる。そしてこのような加熱加圧によって熱可塑性フィルム５は軟化し、その樹脂が絶縁層１の孔部２に入り込んでこの孔部２を充填することになる。このように、加熱加圧成形の際に軟化した熱可塑性フィルム５の樹脂が孔部２に充填されることによって、絶縁層１の樹脂が孔部２の内壁から滲み出すのを抑制し、孔部２の形状が変化するのを防止することができるものである。しかも加熱加圧成形の際に熱可塑性フィルム５の流動性が絶縁層１の流動性よりも高くなる状態が少なくとも存在する場合には、絶縁層１の樹脂が孔部２の内壁から滲み出る前に熱可塑性フィルム５の樹脂を孔部２に充填させることができ、絶縁層１の樹脂の滲み出しを一層確実に防止することができるものである。なお、加熱加圧成形は、熱可塑性フィルム５の充填性や絶縁層１のボイド低減の点から、真空雰囲気下で行うのが好ましい。 Thereafter, the laminate is sandwiched between two plates (not shown), and if necessary, a release sheet or metal foil is interposed between the laminate and the plate. ), The insulating layer 1 is cured until it is in the C stage state, and the metal layer 3 is adhered to the insulating layer 1. The step of heat and pressure molding can be divided into a primary step (mainly a step of filling the resin of the thermoplastic film 5) and a secondary step (mainly a step of curing the insulating layer 1). The molding conditions in the primary step can be set to, for example, 70 to 150 ° C., 1 to 10 MPa, and 5 minutes to 1 hour. In addition, you may apply a pressure of about 0.1-1 MPa until it reaches the temperature of a primary process for prevention of the shift | offset | difference of a laminate. On the other hand, the molding conditions in the secondary process can be set to 150 to 230 ° C., 1 to 10 MPa, and 30 minutes to 5 hours, for example. The thermoplastic film 5 is softened by such heat and pressure, and the resin enters the hole 2 of the insulating layer 1 and fills the hole 2. Thus, by filling the hole 2 with the resin of the thermoplastic film 5 softened during the heat and pressure molding, the resin of the insulating layer 1 is prevented from seeping out from the inner wall of the hole 2, It is possible to prevent the shape of the portion 2 from changing. In addition, when there is at least a state in which the fluidity of the thermoplastic film 5 is higher than the fluidity of the insulating layer 1 during the heat and pressure molding, before the resin of the insulating layer 1 oozes out from the inner wall of the hole 2. In addition, the resin of the thermoplastic film 5 can be filled into the hole 2, and the resin ooze out of the insulating layer 1 can be more reliably prevented. In addition, it is preferable to perform heat-press molding in a vacuum atmosphere from the point of the filling property of the thermoplastic film 5, and the void reduction of the insulating layer 1. FIG.

そして加熱加圧成形の後に熱可塑性フィルム５が再び硬化したのを確認した上で、図１（ｃ）のように熱可塑性フィルム５を剥離して孔部２から樹脂を除去することによって、凹凸回路基板Ａを得ることができるものである。特に熱可塑性フィルム５として、上述した図１１のように、少なくとも孔部２に対向する面に離型層９が設けられたものを用いる場合には、この離型層９によって熱可塑性フィルム５の剥離を容易に行うことができるものである。 Then, after confirming that the thermoplastic film 5 has been cured again after the heat and pressure molding, the thermoplastic film 5 is peeled off as shown in FIG. The circuit board A can be obtained. In particular, as the thermoplastic film 5, as shown in FIG. 11 described above, in the case where a release layer 9 is provided on at least the surface facing the hole 2, the release layer 9 allows the thermoplastic film 5 to be formed. It can be easily peeled off.

（実施形態２）
図２は実施形態２を示すものであるが、本実施形態ではまずＢステージ状態の絶縁層１、２枚の金属層３、熱可塑性フィルム５を用意する。 (Embodiment 2)
FIG. 2 shows the second embodiment. In this embodiment, first, an B-stage insulating layer 1, two metal layers 3, and a thermoplastic film 5 are prepared.

Ｂステージ状態の絶縁層１としては、実施形態１と同様のものを用いることができる。 As the insulating layer 1 in the B stage state, the same layer as that of the first embodiment can be used.

また金属層３としては、例えば、厚み１〜７０μｍの銅箔等の金属箔を用いることができる。そしてこの２枚の金属層３には、絶縁層１に設けた孔部２と同形状・同数の孔１０が設けられている。 Moreover, as the metal layer 3, metal foil, such as copper foil with a thickness of 1-70 micrometers, can be used, for example. The two metal layers 3 are provided with holes 10 having the same shape and the same number as the holes 2 provided in the insulating layer 1.

また熱可塑性フィルム５としては、実施形態１と同様のものを用いることができる。 Moreover, as the thermoplastic film 5, the thing similar to Embodiment 1 can be used.

そして凹凸回路基板Ａを製造するにあたっては、まず図２（ａ）のように孔部２と孔１０を一致させながら絶縁層１の両面に金属層３を積層すると共に、片面において絶縁層１の孔部２を塞ぐように熱可塑性フィルム５を積層する。 When manufacturing the concavo-convex circuit board A, first, as shown in FIG. 2A, the metal layer 3 is laminated on both surfaces of the insulating layer 1 while matching the hole 2 and the hole 10, and the insulating layer 1 is formed on one surface. The thermoplastic film 5 is laminated so as to close the hole 2.

その後、この積層物を２枚のプレート（図示省略）で挟み、プレス装置（図示省略）によって図２（ｂ）のように加熱加圧成形することによって、絶縁層１をＣステージ状態となるまで硬化させると共に、この絶縁層１に金属層３を接着させる。このときの加熱加圧成形の工程は、実施形態１と同様に、１次工程と２次工程とに分けることができる。そしてこのような加熱加圧によって熱可塑性フィルム５は軟化し、その樹脂が絶縁層１の孔部２に入り込んでこの孔部２を充填することになる。このように、加熱加圧成形の際に軟化した熱可塑性フィルム５の樹脂が孔部２に充填されることによって、絶縁層１の樹脂が孔部２の内壁から滲み出すのを抑制し、孔部２の形状が変化するのを防止することができるものである。しかも加熱加圧成形の際に熱可塑性フィルム５の流動性が絶縁層１の流動性よりも高くなる状態が少なくとも存在する場合には、絶縁層１の樹脂が孔部２の内壁から滲み出る前に熱可塑性フィルム５の樹脂を孔部２に充填させることができ、絶縁層１の樹脂の滲み出しを一層確実に防止することができるものである。 Thereafter, the laminate is sandwiched between two plates (not shown), and is heated and pressed as shown in FIG. 2B by a press device (not shown) until the insulating layer 1 is in the C-stage state. While being cured, the metal layer 3 is adhered to the insulating layer 1. The heating and pressing process at this time can be divided into a primary process and a secondary process as in the first embodiment. The thermoplastic film 5 is softened by such heat and pressure, and the resin enters the hole 2 of the insulating layer 1 and fills the hole 2. Thus, by filling the hole 2 with the resin of the thermoplastic film 5 softened during the heat and pressure molding, the resin of the insulating layer 1 is prevented from seeping out from the inner wall of the hole 2, It is possible to prevent the shape of the portion 2 from changing. In addition, when there is at least a state in which the fluidity of the thermoplastic film 5 is higher than the fluidity of the insulating layer 1 during the heat and pressure molding, before the resin of the insulating layer 1 oozes out from the inner wall of the hole 2. In addition, the resin of the thermoplastic film 5 can be filled into the hole 2, and the resin ooze out of the insulating layer 1 can be more reliably prevented.

そして加熱加圧成形の後に熱可塑性フィルム５が再び硬化したのを確認した上で、図２（ｃ）のように熱可塑性フィルム５を剥離して孔部２から樹脂を除去することによって、凹凸回路基板Ａを得ることができるものである。特に熱可塑性フィルム５として、上述した図１１のように、少なくとも孔部２に対向する面に離型層９が設けられたものを用いる場合には、この離型層９によって熱可塑性フィルム５の剥離を容易に行うことができるものである。 Then, after confirming that the thermoplastic film 5 has been cured again after the heat and pressure molding, the thermoplastic film 5 is peeled off and the resin is removed from the holes 2 as shown in FIG. The circuit board A can be obtained. In particular, as the thermoplastic film 5, as shown in FIG. 11 described above, in the case where a release layer 9 is provided on at least the surface facing the hole 2, the release layer 9 allows the thermoplastic film 5 to be formed. It can be easily peeled off.

（実施形態３）
図３は実施形態３を示すものであるが、本実施形態ではまずＢステージ状態の絶縁層１、２枚の金属層３、熱可塑性フィルム５を用意する。 (Embodiment 3)
FIG. 3 shows the third embodiment. In this embodiment, first, an B-stage insulating layer 1, two metal layers 3, and a thermoplastic film 5 are prepared.

また金属層３としては、例えば、厚み１〜７０μｍの銅箔等の金属箔を用いることができる。そしてこの２枚の金属層３のうち１枚には、絶縁層１に設けた孔部２と同形状・同数の孔１０が設けられている。残り１枚の金属層３には孔１０は設けられていないが、絶縁層１に設けた孔部２に対応する箇所にメッシュが設けられていてもよい。このメッシュは電磁遮蔽などに利用することができる。 Moreover, as the metal layer 3, metal foil, such as copper foil with a thickness of 1-70 micrometers, can be used, for example. One of the two metal layers 3 is provided with holes 10 having the same shape and the same number as the holes 2 provided in the insulating layer 1. Although the hole 10 is not provided in the remaining one metal layer 3, a mesh may be provided at a location corresponding to the hole 2 provided in the insulating layer 1. This mesh can be used for electromagnetic shielding.

そして凹凸回路基板Ａを製造するにあたっては、まず図３（ａ）のように孔部２と孔１０を一致させながら絶縁層１の両面に金属層３を積層すると共に、孔１０を設けた金属層３の側において絶縁層１の孔部２を塞ぐように熱可塑性フィルム５を積層する。 In manufacturing the concavo-convex circuit board A, first, as shown in FIG. 3A, the metal layer 3 is laminated on both surfaces of the insulating layer 1 while the hole 2 and the hole 10 are aligned, and the metal provided with the hole 10 is provided. A thermoplastic film 5 is laminated so as to close the hole 2 of the insulating layer 1 on the layer 3 side.

その後、この積層物を２枚のプレート（図示省略）で挟み、プレス装置（図示省略）によって図３（ｂ）のように加熱加圧成形することによって、絶縁層１をＣステージ状態となるまで硬化させると共に、この絶縁層１に金属層３を接着させる。このときの加熱加圧成形の工程は、実施形態１と同様に、１次工程と２次工程とに分けることができる。そしてこのような加熱加圧によって熱可塑性フィルム５は軟化し、その樹脂が絶縁層１の孔部２に入り込んでこの孔部２を充填することになる。このように、加熱加圧成形の際に軟化した熱可塑性フィルム５の樹脂が孔部２に充填されることによって、絶縁層１の樹脂が孔部２の内壁から滲み出すのを抑制し、孔部２の形状が変化するのを防止することができるものである。しかも加熱加圧成形の際に熱可塑性フィルム５の流動性が絶縁層１の流動性よりも高くなる状態が少なくとも存在する場合には、絶縁層１の樹脂が孔部２の内壁から滲み出る前に熱可塑性フィルム５の樹脂を孔部２に充填させることができ、絶縁層１の樹脂の滲み出しを一層確実に防止することができるものである。 Thereafter, the laminate is sandwiched between two plates (not shown), and is heated and pressed as shown in FIG. 3B by a press device (not shown) until the insulating layer 1 is in the C stage state. While being cured, the metal layer 3 is adhered to the insulating layer 1. The heating and pressing process at this time can be divided into a primary process and a secondary process as in the first embodiment. The thermoplastic film 5 is softened by such heat and pressure, and the resin enters the hole 2 of the insulating layer 1 and fills the hole 2. Thus, by filling the hole 2 with the resin of the thermoplastic film 5 softened during the heat and pressure molding, the resin of the insulating layer 1 is prevented from seeping out from the inner wall of the hole 2, It is possible to prevent the shape of the portion 2 from changing. In addition, when there is at least a state in which the fluidity of the thermoplastic film 5 is higher than the fluidity of the insulating layer 1 during the heat and pressure molding, before the resin of the insulating layer 1 oozes out from the inner wall of the hole 2. In addition, the resin of the thermoplastic film 5 can be filled into the hole 2, and the resin ooze out of the insulating layer 1 can be more reliably prevented.

そして加熱加圧成形の後に熱可塑性フィルム５が再び硬化したのを確認した上で、図３（ｃ）のように熱可塑性フィルム５を剥離して孔部２から樹脂を除去することによって、凹凸回路基板Ａを得ることができるものである。特に熱可塑性フィルム５として、上述した図１１のように、少なくとも孔部２に対向する面に離型層９が設けられたものを用いる場合には、この離型層９によって熱可塑性フィルム５の剥離を容易に行うことができるものである。 Then, after confirming that the thermoplastic film 5 has been cured again after the heat and pressure molding, the thermoplastic film 5 is peeled off and the resin is removed from the hole 2 as shown in FIG. The circuit board A can be obtained. In particular, as the thermoplastic film 5, as shown in FIG. 11 described above, in the case where a release layer 9 is provided on at least the surface facing the hole 2, the release layer 9 allows the thermoplastic film 5 to be formed. It can be easily peeled off.

（実施形態４）
図４は実施形態４を示すものであるが、本実施形態ではまずＢステージ状態の絶縁層１、金属層３、基板４、熱可塑性フィルム５を用意する。 (Embodiment 4)
FIG. 4 shows a fourth embodiment. In this embodiment, first, an insulating layer 1, a metal layer 3, a substrate 4, and a thermoplastic film 5 in a B stage state are prepared.

また金属層３としては、例えば、厚み１〜７０μｍの銅箔等の金属箔を用いることができる。そしてこの金属層３には、絶縁層１に設けた孔部２と同形状・同数の孔１０が設けられている。 Moreover, as the metal layer 3, metal foil, such as copper foil with a thickness of 1-70 micrometers, can be used, for example. The metal layer 3 is provided with holes 10 having the same shape and the same number as the holes 2 provided in the insulating layer 1.

また基板４としては、例えば、多層回路基板７を用いることができる。この多層回路基板７の片面には回路１１が形成され、他の片面には全面にわたって金属層１２が設けられていると共に、回路１１及び金属層１２は、導電性ペーストが充填されたビアホールやスルーホールめっき等の層間接続部１３によって電気的に導通されている。このような多層回路基板７は、金属張積層板にサブトラクティブ法等を使用して作製することができる。 As the substrate 4, for example, a multilayer circuit substrate 7 can be used. A circuit 11 is formed on one surface of the multilayer circuit board 7, and a metal layer 12 is provided on the other surface. The circuit 11 and the metal layer 12 are formed of via holes or through holes filled with a conductive paste. It is electrically connected by an interlayer connection 13 such as hole plating. Such a multilayer circuit board 7 can be manufactured by using a subtractive method or the like on a metal-clad laminate.

そして凹凸回路基板Ａを製造するにあたっては、まず図４（ａ）のように孔部２と孔１０を一致させながら絶縁層１の片面に金属層３を積層すると共に、他の片面に多層回路基板７を積層する。このとき多層回路基板７の回路１１が形成された面は絶縁層１の側に向けている。さらに、孔１０を設けた金属層３の側において絶縁層１の孔部２を塞ぐように熱可塑性フィルム５を積層する。 In manufacturing the concavo-convex circuit board A, first, as shown in FIG. 4A, the metal layer 3 is laminated on one side of the insulating layer 1 while the hole 2 and the hole 10 are aligned, and a multilayer circuit is formed on the other side. The substrate 7 is laminated. At this time, the surface of the multilayer circuit board 7 on which the circuit 11 is formed faces the insulating layer 1 side. Further, a thermoplastic film 5 is laminated so as to close the hole 2 of the insulating layer 1 on the side of the metal layer 3 provided with the hole 10.

その後、この積層物を２枚のプレート（図示省略）で挟み、プレス装置（図示省略）によって図４（ｂ）のように加熱加圧成形することによって、絶縁層１をＣステージ状態となるまで硬化させると共に、この絶縁層１に金属層３及び多層回路基板７を接着させる。このときの加熱加圧成形の工程は、実施形態１と同様に、１次工程と２次工程とに分けることができる。そしてこのような加熱加圧によって熱可塑性フィルム５は軟化し、その樹脂が絶縁層１の孔部２に入り込んでこの孔部２を充填することになる。このように、加熱加圧成形の際に軟化した熱可塑性フィルム５の樹脂が孔部２に充填されることによって、絶縁層１の樹脂が孔部２の内壁から滲み出すのを抑制し、孔部２の形状が変化するのを防止することができるものである。しかも加熱加圧成形の際に熱可塑性フィルム５の流動性が絶縁層１の流動性よりも高くなる状態が少なくとも存在する場合には、絶縁層１の樹脂が孔部２の内壁から滲み出る前に熱可塑性フィルム５の樹脂を孔部２に充填させることができ、絶縁層１の樹脂の滲み出しを一層確実に防止することができるものである。 Thereafter, the laminate is sandwiched between two plates (not shown), and is heated and pressed as shown in FIG. 4B by a press device (not shown) until the insulating layer 1 is in the C-stage state. While being cured, the metal layer 3 and the multilayer circuit board 7 are bonded to the insulating layer 1. The heating and pressing process at this time can be divided into a primary process and a secondary process as in the first embodiment. The thermoplastic film 5 is softened by such heat and pressure, and the resin enters the hole 2 of the insulating layer 1 and fills the hole 2. Thus, by filling the hole 2 with the resin of the thermoplastic film 5 softened during the heat and pressure molding, the resin of the insulating layer 1 is prevented from seeping out from the inner wall of the hole 2, It is possible to prevent the shape of the portion 2 from changing. In addition, when there is at least a state in which the fluidity of the thermoplastic film 5 is higher than the fluidity of the insulating layer 1 during the heat and pressure molding, before the resin of the insulating layer 1 oozes out from the inner wall of the hole 2. In addition, the resin of the thermoplastic film 5 can be filled into the hole 2, and the resin ooze out of the insulating layer 1 can be more reliably prevented.

そして加熱加圧成形の後に熱可塑性フィルム５が再び硬化したのを確認した上で、図４（ｃ）のように熱可塑性フィルム５を剥離して孔部２から樹脂を除去することによって、凹凸回路基板Ａを得ることができるものである。特に熱可塑性フィルム５として、上述した図１１のように、少なくとも孔部２に対向する面に離型層９が設けられたものを用いる場合には、この離型層９によって熱可塑性フィルム５の剥離を容易に行うことができるものである。 Then, after confirming that the thermoplastic film 5 is cured again after the heat and pressure molding, the thermoplastic film 5 is peeled off as shown in FIG. The circuit board A can be obtained. In particular, as the thermoplastic film 5, as shown in FIG. 11 described above, in the case where a release layer 9 is provided on at least the surface facing the hole 2, the release layer 9 allows the thermoplastic film 5 to be formed. It can be easily peeled off.

本実施形態においては、絶縁層１に接着させる基板４として、多層回路基板７が用いられているので、容易に多層化を図ることができるものである。その後、図４（ｄ）のように凹凸回路基板Ａの最外層に回路１１を形成した後、図４（ｅ）のように孔部２の内部及び外部にチップ抵抗、チップコンデンサ、ＩＣ等の部品６を実装することができる。 In the present embodiment, since the multilayer circuit board 7 is used as the substrate 4 to be bonded to the insulating layer 1, multilayering can be easily achieved. Thereafter, after the circuit 11 is formed on the outermost layer of the concavo-convex circuit board A as shown in FIG. 4D, chip resistors, chip capacitors, ICs, etc. are formed inside and outside the hole 2 as shown in FIG. The component 6 can be mounted.

（実施形態５）
図５は実施形態５を示すものであるが、本実施形態ではまずＢステージ状態の絶縁層１、金属層３、基板４、熱可塑性フィルム５を用意する。 (Embodiment 5)
FIG. 5 shows the fifth embodiment. In this embodiment, first, an insulating layer 1, a metal layer 3, a substrate 4, and a thermoplastic film 5 in a B stage state are prepared.

また基板４としては、例えば、チップ抵抗、チップコンデンサ、ＩＣ等の部品６が実装・内蔵された多層回路基板７を用いることができる。この多層回路基板７の片面には回路１１が形成され、この面に部品６が実装されている。また他の片面には面一となるように回路１１が埋め込まれて形成され、この回路１１と導通するように部品６が多層回路基板７に内蔵されている。さらに多層回路基板７の両面の回路１１は、導電性ペーストが充填されたビアホールやスルーホールめっき等の層間接続部１３によって電気的に導通されている。 As the substrate 4, for example, a multilayer circuit substrate 7 in which components 6 such as a chip resistor, a chip capacitor, and an IC are mounted and incorporated can be used. A circuit 11 is formed on one surface of the multilayer circuit board 7, and a component 6 is mounted on this surface. A circuit 11 is embedded and formed on the other side so as to be flush with each other, and a component 6 is built in the multilayer circuit board 7 so as to be electrically connected to the circuit 11. Further, the circuits 11 on both surfaces of the multilayer circuit board 7 are electrically connected by an interlayer connection portion 13 such as via hole or through hole plating filled with a conductive paste.

そして凹凸回路基板Ａを製造するにあたっては、まず図５（ａ）のように孔部２と孔１０を一致させながら絶縁層１の片面に金属層３を積層すると共に、他の片面に多層回路基板７を積層する。このとき多層回路基板７の部品６が実装された面は絶縁層１の側に向けている。さらに、孔１０を設けた金属層３の側において絶縁層１の孔部２を塞ぐように熱可塑性フィルム５を積層する。 In manufacturing the concavo-convex circuit board A, first, as shown in FIG. 5A, the metal layer 3 is laminated on one side of the insulating layer 1 while the hole 2 and the hole 10 are aligned, and a multilayer circuit is formed on the other side. The substrate 7 is laminated. At this time, the surface of the multilayer circuit board 7 on which the component 6 is mounted faces the insulating layer 1 side. Further, a thermoplastic film 5 is laminated so as to close the hole 2 of the insulating layer 1 on the side of the metal layer 3 provided with the hole 10.

その後、この積層物を２枚のプレート（図示省略）で挟み、プレス装置（図示省略）によって図５（ｂ）のように加熱加圧成形することによって、絶縁層１をＣステージ状態となるまで硬化させると共に、この絶縁層１に金属層３及び多層回路基板７を接着させる。このときの加熱加圧成形の工程は、実施形態１と同様に、１次工程と２次工程とに分けることができる。そしてこのような加熱加圧によって熱可塑性フィルム５は軟化し、その樹脂が絶縁層１の孔部２に入り込んでこの孔部２を充填することになる。このように、加熱加圧成形の際に軟化した熱可塑性フィルム５の樹脂が孔部２に充填されることによって、絶縁層１の樹脂が孔部２の内壁から滲み出すのを抑制し、孔部２の形状が変化するのを防止することができるものである。しかも加熱加圧成形の際に熱可塑性フィルム５の流動性が絶縁層１の流動性よりも高くなる状態が少なくとも存在する場合には、絶縁層１の樹脂が孔部２の内壁から滲み出る前に熱可塑性フィルム５の樹脂を孔部２に充填させることができ、絶縁層１の樹脂の滲み出しを一層確実に防止することができるものである。 Thereafter, the laminate is sandwiched between two plates (not shown), and is heated and pressed as shown in FIG. 5B by a pressing device (not shown) until the insulating layer 1 is in the C stage state. While being cured, the metal layer 3 and the multilayer circuit board 7 are bonded to the insulating layer 1. The heating and pressing process at this time can be divided into a primary process and a secondary process as in the first embodiment. The thermoplastic film 5 is softened by such heat and pressure, and the resin enters the hole 2 of the insulating layer 1 and fills the hole 2. Thus, by filling the hole 2 with the resin of the thermoplastic film 5 softened during the heat and pressure molding, the resin of the insulating layer 1 is prevented from seeping out from the inner wall of the hole 2, It is possible to prevent the shape of the portion 2 from changing. In addition, when there is at least a state in which the fluidity of the thermoplastic film 5 is higher than the fluidity of the insulating layer 1 during the heat and pressure molding, before the resin of the insulating layer 1 oozes out from the inner wall of the hole 2. In addition, the resin of the thermoplastic film 5 can be filled into the hole 2, and the resin ooze out of the insulating layer 1 can be more reliably prevented.

そして加熱加圧成形の後に熱可塑性フィルム５が再び硬化したのを確認した上で、図５（ｃ）のように熱可塑性フィルム５を剥離して孔部２から樹脂を除去することによって、凹凸回路基板Ａを得ることができるものである。特に熱可塑性フィルム５として、上述した図１１のように、少なくとも孔部２に対向する面に離型層９が設けられたものを用いる場合には、この離型層９によって熱可塑性フィルム５の剥離を容易に行うことができるものである。 Then, after confirming that the thermoplastic film 5 has been cured again after the heat and pressure molding, the thermoplastic film 5 is peeled and the resin is removed from the hole 2 as shown in FIG. The circuit board A can be obtained. In particular, as the thermoplastic film 5, as shown in FIG. 11 described above, in the case where a release layer 9 is provided on at least the surface facing the hole 2, the release layer 9 allows the thermoplastic film 5 to be formed. It can be easily peeled off.

本実施形態においては、絶縁層１に接着させる基板４として、部品６が実装された多層回路基板７が用いられているので、加熱加圧成形の際に部品６が絶縁層１の内部に埋め込まれることによって、容易に高密度実装化及び多層化を図ることができるものである。その後、図５（ｄ）のように凹凸回路基板Ａの最外層に回路１１を形成することができる。 In the present embodiment, since the multilayer circuit board 7 on which the component 6 is mounted is used as the substrate 4 to be bonded to the insulating layer 1, the component 6 is embedded in the insulating layer 1 during the heat and pressure molding. As a result, high-density mounting and multilayering can be easily achieved. Thereafter, the circuit 11 can be formed on the outermost layer of the concavo-convex circuit board A as shown in FIG.

（実施形態６）
図６は実施形態６を示すものであるが、本実施形態ではまずＢステージ状態の絶縁層１、金属層３、基板４、熱可塑性フィルム５を用意する。 (Embodiment 6)
FIG. 6 shows a sixth embodiment. In this embodiment, first, an insulating layer 1, a metal layer 3, a substrate 4, and a thermoplastic film 5 in a B stage state are prepared.

また基板４としては、例えば、多層回路基板７を用いることができる。この多層回路基板７の片面には回路１１及び回路形成用金属層１４が形成され、他の片面には全面にわたって金属層１２が設けられていると共に、回路１１、回路形成用金属層１４及び金属層１２は、導電性ペーストが充填されたビアホールやスルーホールめっき等の層間接続部１３によって電気的に導通されている。このような多層回路基板７は、金属張積層板にサブトラクティブ法等を使用して作製することができる。 As the substrate 4, for example, a multilayer circuit substrate 7 can be used. A circuit 11 and a circuit forming metal layer 14 are formed on one side of the multilayer circuit board 7, and a metal layer 12 is provided on the other side of the entire surface, and the circuit 11, the circuit forming metal layer 14, and the metal The layer 12 is electrically connected by an interlayer connection 13 such as a via hole or through-hole plating filled with a conductive paste. Such a multilayer circuit board 7 can be manufactured by using a subtractive method or the like on a metal-clad laminate.

そして凹凸回路基板Ａを製造するにあたっては、まず図６（ａ）のように孔部２と孔１０を一致させながら絶縁層１の片面に金属層３を積層すると共に、他の片面に多層回路基板７を積層する。このとき多層回路基板７の回路１１が形成された面は絶縁層１の側に向けており、回路形成用金属層１４は絶縁層１の孔部２に納まるようにしてある。さらに、孔１０を設けた金属層３の側において絶縁層１の孔部２を塞ぐように熱可塑性フィルム５を積層する。 In manufacturing the concavo-convex circuit board A, first, as shown in FIG. 6A, the metal layer 3 is laminated on one side of the insulating layer 1 while the hole 2 and the hole 10 are aligned, and a multilayer circuit is formed on the other side. The substrate 7 is laminated. At this time, the surface of the multilayer circuit board 7 on which the circuit 11 is formed faces the insulating layer 1, and the circuit forming metal layer 14 is placed in the hole 2 of the insulating layer 1. Further, a thermoplastic film 5 is laminated so as to close the hole 2 of the insulating layer 1 on the side of the metal layer 3 provided with the hole 10.

その後、この積層物を２枚のプレート（図示省略）で挟み、プレス装置（図示省略）によって図６（ｂ）のように加熱加圧成形することによって、絶縁層１をＣステージ状態となるまで硬化させると共に、この絶縁層１に金属層３及び多層回路基板７を接着させる。このときの加熱加圧成形の工程は、実施形態１と同様に、１次工程と２次工程とに分けることができる。そしてこのような加熱加圧によって熱可塑性フィルム５は軟化し、その樹脂が絶縁層１の孔部２に入り込んでこの孔部２を充填することになる。このように、加熱加圧成形の際に軟化した熱可塑性フィルム５の樹脂が孔部２に充填されることによって、絶縁層１の樹脂が孔部２の内壁から滲み出すのを抑制し、孔部２の形状が変化するのを防止することができるものである。しかも加熱加圧成形の際に熱可塑性フィルム５の流動性が絶縁層１の流動性よりも高くなる状態が少なくとも存在する場合には、絶縁層１の樹脂が孔部２の内壁から滲み出る前に熱可塑性フィルム５の樹脂を孔部２に充填させることができ、絶縁層１の樹脂の滲み出しを一層確実に防止することができるものである。 Thereafter, the laminate is sandwiched between two plates (not shown), and is heated and pressed as shown in FIG. 6B by a press device (not shown) until the insulating layer 1 is in the C stage state. While being cured, the metal layer 3 and the multilayer circuit board 7 are bonded to the insulating layer 1. The heating and pressing process at this time can be divided into a primary process and a secondary process as in the first embodiment. The thermoplastic film 5 is softened by such heat and pressure, and the resin enters the hole 2 of the insulating layer 1 and fills the hole 2. Thus, by filling the hole 2 with the resin of the thermoplastic film 5 softened during the heat and pressure molding, the resin of the insulating layer 1 is prevented from seeping out from the inner wall of the hole 2, It is possible to prevent the shape of the portion 2 from changing. In addition, when there is at least a state in which the fluidity of the thermoplastic film 5 is higher than the fluidity of the insulating layer 1 during the heat and pressure molding, before the resin of the insulating layer 1 oozes out from the inner wall of the hole 2. In addition, the resin of the thermoplastic film 5 can be filled into the hole 2, and the resin ooze out of the insulating layer 1 can be more reliably prevented.

そして加熱加圧成形の後に熱可塑性フィルム５が再び硬化したのを確認した上で、図６（ｃ）のように熱可塑性フィルム５を剥離して孔部２から樹脂を除去することによって、凹凸回路基板Ａを得ることができるものである。特に熱可塑性フィルム５として、上述した図１１のように、少なくとも孔部２に対向する面に離型層９が設けられたものを用いる場合には、この離型層９によって熱可塑性フィルム５の剥離を容易に行うことができるものである。 Then, after confirming that the thermoplastic film 5 has been cured again after the heat and pressure molding, the thermoplastic film 5 is peeled off and the resin is removed from the hole 2 as shown in FIG. The circuit board A can be obtained. In particular, as the thermoplastic film 5, as shown in FIG. 11 described above, in the case where a release layer 9 is provided on at least the surface facing the hole 2, the release layer 9 allows the thermoplastic film 5 to be formed. It can be easily peeled off.

本実施形態においては、絶縁層１に接着させる基板として、多層回路基板７が用いられているので、容易に多層化を図ることができるものである。その後、図６（ｄ）のように凹凸回路基板Ａの最外層に回路１１を形成すると共に、孔部２の内部の回路形成用金属層１４をエッチングすることによって回路１１を形成した後、図６（ｅ）のように孔部２の内部及び外部にチップ抵抗、チップコンデンサ、ＩＣ等の部品６を実装することができる。 In the present embodiment, since the multilayer circuit board 7 is used as the substrate to be bonded to the insulating layer 1, the multilayer can be easily achieved. Thereafter, as shown in FIG. 6D, the circuit 11 is formed on the outermost layer of the concavo-convex circuit board A, and the circuit 11 is formed by etching the circuit forming metal layer 14 inside the hole 2. Components 6 such as a chip resistor, a chip capacitor, and an IC can be mounted inside and outside the hole 2 as in 6 (e).

（実施形態７）
図７は実施形態７を示すものであるが、本実施形態ではまずＢステージ状態の絶縁層１、金属層３、基板４、熱可塑性フィルム５を用意する。 (Embodiment 7)
FIG. 7 shows the seventh embodiment. In this embodiment, first, an insulating layer 1, a metal layer 3, a substrate 4, and a thermoplastic film 5 in a B stage state are prepared.

また基板４としては、例えば、凹凸を設けた多層回路基板８を用いることができる。この多層回路基板８の片面には回路１１が形成され、他の片面には全面にわたって金属層１２が設けられていると共に、回路１１及び金属層１２は、導電性ペーストが充填されたビアホールやスルーホールめっき等の層間接続部１３によって電気的に導通されている。さらにこの多層回路基板８には、絶縁層１の孔部２の内径以下の内径を有する貫通孔１５が打ち抜き加工（パンチング）等によって設けられている。このような多層回路基板８は、金属張積層板にサブトラクティブ法等を使用して作製することができる。 Moreover, as the board | substrate 4, the multilayer circuit board 8 provided with the unevenness | corrugation can be used, for example. A circuit 11 is formed on one side of the multilayer circuit board 8 and a metal layer 12 is provided on the other side. The circuit 11 and the metal layer 12 are formed of via holes or through holes filled with a conductive paste. It is electrically connected by an interlayer connection 13 such as hole plating. Furthermore, the multilayer circuit board 8 is provided with a through hole 15 having an inner diameter equal to or smaller than the inner diameter of the hole 2 of the insulating layer 1 by punching or the like. Such a multilayer circuit board 8 can be produced by using a subtractive method or the like on a metal-clad laminate.

そして凹凸回路基板Ａを製造するにあたっては、まず図７（ａ）のように孔部２と孔１０を一致させながら絶縁層１の片面に金属層３を積層すると共に、他の片面に多層回路基板８を積層する。このとき多層回路基板８の回路１１が形成された面は絶縁層１の側に向けており、貫通孔１５は絶縁層１の孔部２と連通するようにしてある。さらに、孔１０を設けた金属層３の側において絶縁層１の孔部２を塞ぐように熱可塑性フィルム５を積層する。 In manufacturing the concavo-convex circuit board A, first, as shown in FIG. 7A, the metal layer 3 is laminated on one side of the insulating layer 1 while the hole 2 and the hole 10 are aligned, and a multilayer circuit is formed on the other side. The substrate 8 is stacked. At this time, the surface of the multilayer circuit board 8 on which the circuit 11 is formed faces the insulating layer 1, and the through hole 15 communicates with the hole 2 of the insulating layer 1. Further, a thermoplastic film 5 is laminated so as to close the hole 2 of the insulating layer 1 on the side of the metal layer 3 provided with the hole 10.

その後、この積層物を２枚のプレート（図示省略）で挟み、プレス装置（図示省略）によって図７（ｂ）のように加熱加圧成形することによって、絶縁層１をＣステージ状態となるまで硬化させると共に、この絶縁層１に金属層３及び多層回路基板８を接着させる。このときの加熱加圧成形の工程は、実施形態１と同様に、１次工程と２次工程とに分けることができる。そしてこのような加熱加圧によって熱可塑性フィルム５は軟化し、その樹脂が絶縁層１の孔部２に入り込んでこの孔部２を充填し、さらに多層回路基板８の貫通孔１５に入り込んでこの貫通孔１５も充填することになる。このように、加熱加圧成形の際に軟化した熱可塑性フィルム５の樹脂が孔部２に充填されることによって、絶縁層１の樹脂が孔部２の内壁から滲み出すのを抑制し、孔部２の形状が変化するのを防止することができるものである。しかも加熱加圧成形の際に熱可塑性フィルム５の流動性が絶縁層１の流動性よりも高くなる状態が少なくとも存在する場合には、絶縁層１の樹脂が孔部２の内壁から滲み出る前に熱可塑性フィルム５の樹脂を孔部２に充填させることができ、絶縁層１の樹脂の滲み出しを一層確実に防止することができるものである。 Thereafter, the laminate is sandwiched between two plates (not shown), and is heated and pressed as shown in FIG. 7B by a press device (not shown) until the insulating layer 1 is in the C stage state. While being cured, the metal layer 3 and the multilayer circuit board 8 are bonded to the insulating layer 1. The heating and pressing process at this time can be divided into a primary process and a secondary process as in the first embodiment. The thermoplastic film 5 is softened by such heating and pressurization, and the resin enters the hole 2 of the insulating layer 1 to fill the hole 2, and further enters the through hole 15 of the multilayer circuit board 8 The through hole 15 is also filled. Thus, by filling the hole 2 with the resin of the thermoplastic film 5 softened during the heat and pressure molding, the resin of the insulating layer 1 is prevented from seeping out from the inner wall of the hole 2, It is possible to prevent the shape of the portion 2 from changing. In addition, when there is at least a state in which the fluidity of the thermoplastic film 5 is higher than the fluidity of the insulating layer 1 during the heat and pressure molding, before the resin of the insulating layer 1 oozes out from the inner wall of the hole 2. In addition, the resin of the thermoplastic film 5 can be filled into the hole 2, and the resin ooze out of the insulating layer 1 can be more reliably prevented.

そして加熱加圧成形の後に熱可塑性フィルム５が再び硬化したのを確認した上で、図７（ｃ）のように熱可塑性フィルム５を剥離して孔部２から樹脂を除去することによって、凹凸回路基板Ａを得ることができるものである。特に熱可塑性フィルム５として、上述した図１１のように、少なくとも孔部２に対向する面に離型層９が設けられたものを用いる場合には、この離型層９によって熱可塑性フィルム５の剥離を容易に行うことができるものである。 Then, after confirming that the thermoplastic film 5 has been cured again after the heat and pressure molding, the thermoplastic film 5 is peeled off and the resin is removed from the hole 2 as shown in FIG. The circuit board A can be obtained. In particular, as the thermoplastic film 5, as shown in FIG. 11 described above, in the case where a release layer 9 is provided on at least the surface facing the hole 2, the release layer 9 allows the thermoplastic film 5 to be formed. It can be easily peeled off.

本実施形態においては、絶縁層１に接着させる基板４として、多層回路基板８が用いられているので、容易に多層化を図ることができるものである。 In the present embodiment, since the multilayer circuit board 8 is used as the substrate 4 to be bonded to the insulating layer 1, multilayering can be easily achieved.

（実施形態８）
図８は実施形態８を示すものであるが、本実施形態ではまず２枚のＢステージ状態の絶縁層１，１６、２枚の金属層３，１８、基板４、熱可塑性フィルム５を用意する。 (Embodiment 8)
FIG. 8 shows an eighth embodiment. In this embodiment, first, two B-stage insulating layers 1 and 16, two metal layers 3 and 18, a substrate 4, and a thermoplastic film 5 are prepared. .

基板４としては、例えば、凹凸を設けた多層回路基板８を用いることができる。この多層回路基板８の両面には回路１１が形成されていると共に、この両面の回路１１は、導電性ペーストが充填されたビアホールやスルーホールめっき等の層間接続部１３によって電気的に導通されている。さらにこの多層回路基板８には、貫通孔１５が打ち抜き加工（パンチング）等によって設けられている。このような多層回路基板８は、金属張積層板にサブトラクティブ法等を使用して作製することができる。 As the substrate 4, for example, a multilayer circuit substrate 8 provided with unevenness can be used. Circuits 11 are formed on both surfaces of the multilayer circuit board 8, and the circuits 11 on both surfaces are electrically connected by an interlayer connection portion 13 such as a via hole or a through-hole plating filled with a conductive paste. Yes. Further, the multilayer circuit board 8 is provided with through holes 15 by punching or the like. Such a multilayer circuit board 8 can be produced by using a subtractive method or the like on a metal-clad laminate.

また２枚のＢステージ状態の絶縁層１，１６としては、実施形態１と同様のものを用いることができる。ただし、一方の絶縁層１に設けられた孔部２の内径は多層回路基板８の貫通孔１５の内径以上の大きさであり、他方の絶縁層１６に設けられた孔部１７の内径は多層回路基板８の貫通孔１５の内径以下の大きさである。 The two B-stage insulating layers 1 and 16 can be the same as those in the first embodiment. However, the inner diameter of the hole 2 provided in one insulating layer 1 is larger than the inner diameter of the through hole 15 of the multilayer circuit board 8, and the inner diameter of the hole 17 provided in the other insulating layer 16 is multi-layer. The size is equal to or smaller than the inner diameter of the through hole 15 of the circuit board 8.

また金属層３，１８としては、例えば、厚み１〜７０μｍの銅箔等の金属箔を用いることができる。そしてこの２枚の金属層３，１８にはそれぞれ、各絶縁層１，１６に設けた孔部２，１７と同形状・同数の孔１０，１９が設けられている。 As the metal layers 3 and 18, for example, a metal foil such as a copper foil having a thickness of 1 to 70 μm can be used. The two metal layers 3 and 18 are provided with holes 10 and 19 having the same shape and the same number as the holes 2 and 17 provided in the insulating layers 1 and 16, respectively.

そして凹凸回路基板Ａを製造するにあたっては、まず図８（ａ）のように孔部２と孔１０を一致させながら絶縁層１の片面に金属層３を積層すると共に、他の片面に多層回路基板８を積層する。このとき多層回路基板８の貫通孔１５は絶縁層１の孔部２と連通するようにしてある。また、孔部１７と孔１９を一致させながら絶縁層１６の片面に金属層１８を積層すると共に、他の片面を多層回路基板８の側に向けて積層する。このとき絶縁層１６の孔部１７は多層回路基板８の貫通孔１５と連通するようにしてある。さらに、孔１０を設けた金属層３の側において絶縁層１の孔部２、多層回路基板８の貫通孔１５、絶縁層１６の孔部１７を塞ぐように熱可塑性フィルム５を積層する。 In manufacturing the concavo-convex circuit board A, first, as shown in FIG. 8A, the metal layer 3 is laminated on one side of the insulating layer 1 while the hole 2 and the hole 10 are aligned, and a multilayer circuit is formed on the other side. The substrate 8 is stacked. At this time, the through hole 15 of the multilayer circuit board 8 communicates with the hole 2 of the insulating layer 1. In addition, the metal layer 18 is laminated on one side of the insulating layer 16 while the hole 17 and the hole 19 are aligned, and the other side is laminated toward the multilayer circuit board 8 side. At this time, the hole 17 of the insulating layer 16 communicates with the through hole 15 of the multilayer circuit board 8. Further, the thermoplastic film 5 is laminated so as to close the hole 2 of the insulating layer 1, the through hole 15 of the multilayer circuit board 8, and the hole 17 of the insulating layer 16 on the metal layer 3 side where the hole 10 is provided.

その後、この積層物を２枚のプレート（図示省略）で挟み、プレス装置（図示省略）によって図８（ｂ）のように加熱加圧成形することによって、絶縁層１，１６をＣステージ状態となるまで硬化させ、絶縁層１に金属層３及び多層回路基板８を接着させると共に、絶縁層１６に金属層１８及び多層回路基板８を接着させる。このときの加熱加圧成形の工程は、実施形態１と同様に、１次工程と２次工程とに分けることができる。そしてこのような加熱加圧によって熱可塑性フィルム５は軟化し、その樹脂が絶縁層１の孔部２に入り込んでこの孔部２を充填した後、多層回路基板８の貫通孔１５に入り込んでこの貫通孔１５も充填し、さらに絶縁層１６の孔部１７に入り込んでこの孔部１７も充填することになる。このように、加熱加圧成形の際に軟化した熱可塑性フィルム５の樹脂が孔部２，１７に充填されることによって、絶縁層１，１６の樹脂が孔部２，１７の内壁から滲み出すのを抑制し、孔部２，１７の形状が変化するのを防止することができるものである。しかも加熱加圧成形の際に熱可塑性フィルム５の流動性が絶縁層１，１６の流動性よりも高くなる状態が少なくとも存在する場合には、絶縁層１，１６の樹脂が孔部２，１７の内壁から滲み出る前に熱可塑性フィルム５の樹脂を孔部２，１７に充填させることができ、絶縁層１，１６の樹脂の滲み出しを一層確実に防止することができるものである。 Thereafter, the laminate is sandwiched between two plates (not shown), and is heated and pressed as shown in FIG. 8B by a press device (not shown), so that the insulating layers 1 and 16 are brought into the C stage state. The metal layer 3 and the multilayer circuit board 8 are bonded to the insulating layer 1, and the metal layer 18 and the multilayer circuit board 8 are bonded to the insulating layer 16. The heating and pressing process at this time can be divided into a primary process and a secondary process as in the first embodiment. The thermoplastic film 5 is softened by such heating and pressurization, and the resin enters the hole 2 of the insulating layer 1 and fills the hole 2, and then enters the through hole 15 of the multilayer circuit board 8. The through hole 15 is also filled, and further enters the hole 17 of the insulating layer 16 to fill the hole 17. In this way, the resin of the thermoplastic film 5 softened during the heat and pressure molding is filled in the holes 2 and 17, so that the resin of the insulating layers 1 and 16 oozes out from the inner walls of the holes 2 and 17. Can be prevented, and the shape of the holes 2 and 17 can be prevented from changing. In addition, when there is at least a state in which the fluidity of the thermoplastic film 5 is higher than the fluidity of the insulating layers 1 and 16 during the heat and pressure molding, the resin of the insulating layers 1 and 16 has the holes 2 and 17. The resin of the thermoplastic film 5 can be filled in the holes 2 and 17 before oozing out from the inner wall of the resin, and the oozing of the resin of the insulating layers 1 and 16 can be more reliably prevented.

そして加熱加圧成形の後に熱可塑性フィルム５が再び硬化したのを確認した上で、図８（ｃ）のように熱可塑性フィルム５を剥離して孔部２，貫通孔１５，孔部１７から樹脂を除去することによって、凹凸回路基板Ａを得ることができるものである。特に熱可塑性フィルム５として、上述した図１１のように、少なくとも孔部２に対向する面に離型層９が設けられたものを用いる場合には、この離型層９によって熱可塑性フィルム５の剥離を容易に行うことができるものである。 Then, after confirming that the thermoplastic film 5 has been cured again after the heat and pressure molding, the thermoplastic film 5 is peeled off as shown in FIG. By removing the resin, the concavo-convex circuit board A can be obtained. In particular, as the thermoplastic film 5, as shown in FIG. 11 described above, in the case where a release layer 9 is provided on at least the surface facing the hole 2, the release layer 9 allows the thermoplastic film 5 to be formed. It can be easily peeled off.

（実施形態９）
図９は実施形態９を示すものであるが、本実施形態ではまずＢステージ状態の絶縁層１、金属層３、基板４、熱可塑性フィルム５を用意する。 (Embodiment 9)
FIG. 9 shows the ninth embodiment. In this embodiment, first, an insulating layer 1, a metal layer 3, a substrate 4, and a thermoplastic film 5 in a B stage state are prepared.

また基板４としては、例えば、断面視階段状に形成された貫通孔２０によって凹凸を設けた多層回路基板８を用いることができる。この多層回路基板８の片面（貫通孔２０の開口が大きい方）には回路１１及び回路形成用金属層１４が形成され、他の片面（貫通孔２０の開口が小さい方）には全面にわたって金属層１２が設けられている。さらに多層回路基板８の内部にも回路１１が形成され、貫通孔２０の途中に形成された段差部２１には回路形成用金属層１４が形成されている。そして回路１１、回路形成用金属層１４及び金属層１２は、導電性ペーストが充填されたビアホールやスルーホールめっき等の層間接続部１３によって電気的に導通されている。このような多層回路基板８は、金属張積層板にサブトラクティブ法等を使用して作製することができる。 Further, as the substrate 4, for example, a multilayer circuit substrate 8 provided with irregularities by through holes 20 formed in a stepped shape when viewed in cross section can be used. The circuit 11 and the circuit forming metal layer 14 are formed on one side of the multilayer circuit board 8 (the one with the larger opening of the through hole 20), and the other side (the one with the smaller opening of the through hole 20) has a metal over the entire surface. A layer 12 is provided. Further, a circuit 11 is formed inside the multilayer circuit board 8, and a circuit forming metal layer 14 is formed at a step portion 21 formed in the middle of the through hole 20. The circuit 11, the circuit forming metal layer 14, and the metal layer 12 are electrically connected by an interlayer connection portion 13 such as a via hole or a through hole plating filled with a conductive paste. Such a multilayer circuit board 8 can be produced by using a subtractive method or the like on a metal-clad laminate.

そして凹凸回路基板Ａを製造するにあたっては、まず図９（ａ）のように孔部２と孔１０を一致させながら絶縁層１の片面に金属層３を積層すると共に、他の片面に多層回路基板８を積層する。このとき多層回路基板８の回路１１が形成された面は絶縁層１の側に向けており、貫通孔２０は絶縁層１の孔部２と連通するようにしてある。さらに、孔１０を設けた金属層３の側において絶縁層１の孔部２を塞ぐように熱可塑性フィルム５を積層する。 In manufacturing the concavo-convex circuit board A, first, as shown in FIG. 9A, the metal layer 3 is laminated on one side of the insulating layer 1 while the hole 2 and the hole 10 are matched, and a multilayer circuit is formed on the other side. The substrate 8 is stacked. At this time, the surface of the multilayer circuit board 8 on which the circuit 11 is formed faces the insulating layer 1, and the through hole 20 communicates with the hole 2 of the insulating layer 1. Further, a thermoplastic film 5 is laminated so as to close the hole 2 of the insulating layer 1 on the side of the metal layer 3 provided with the hole 10.

その後、この積層物を２枚のプレート（図示省略）で挟み、プレス装置（図示省略）によって図９（ｂ）のように加熱加圧成形することによって、絶縁層１をＣステージ状態となるまで硬化させると共に、この絶縁層１に金属層３及び多層回路基板８を接着させる。このときの加熱加圧成形の工程は、実施形態１と同様に、１次工程と２次工程とに分けることができる。そしてこのような加熱加圧によって熱可塑性フィルム５は軟化し、その樹脂が絶縁層１の孔部２に入り込んでこの孔部２を充填し、さらに多層回路基板８の貫通孔２０に入り込んでこの貫通孔２０も充填することになる。このように、加熱加圧成形の際に軟化した熱可塑性フィルム５の樹脂が孔部２に充填されることによって、絶縁層１の樹脂が孔部２の内壁から滲み出すのを抑制し、孔部２の形状が変化するのを防止することができるものである。しかも加熱加圧成形の際に熱可塑性フィルム５の流動性が絶縁層１の流動性よりも高くなる状態が少なくとも存在する場合には、絶縁層１の樹脂が孔部２の内壁から滲み出る前に熱可塑性フィルム５の樹脂を孔部２に充填させることができ、絶縁層１の樹脂の滲み出しを一層確実に防止することができるものである。 Thereafter, the laminate is sandwiched between two plates (not shown), and is heated and pressed as shown in FIG. 9B by a press device (not shown) until the insulating layer 1 is in the C stage state. While being cured, the metal layer 3 and the multilayer circuit board 8 are bonded to the insulating layer 1. The heating and pressing process at this time can be divided into a primary process and a secondary process as in the first embodiment. The thermoplastic film 5 is softened by such heating and pressurization, and the resin enters the hole 2 of the insulating layer 1 to fill the hole 2, and further enters the through hole 20 of the multilayer circuit board 8 The through hole 20 is also filled. Thus, by filling the hole 2 with the resin of the thermoplastic film 5 softened during the heat and pressure molding, the resin of the insulating layer 1 is prevented from seeping out from the inner wall of the hole 2, It is possible to prevent the shape of the portion 2 from changing. In addition, when there is at least a state in which the fluidity of the thermoplastic film 5 is higher than the fluidity of the insulating layer 1 during the heat and pressure molding, before the resin of the insulating layer 1 oozes out from the inner wall of the hole 2. In addition, the resin of the thermoplastic film 5 can be filled into the hole 2, and the resin ooze out of the insulating layer 1 can be more reliably prevented.

そして加熱加圧成形の後に熱可塑性フィルム５が再び硬化したのを確認した上で、図９（ｃ）のように熱可塑性フィルム５を剥離して孔部２から樹脂を除去することによって、凹凸回路基板Ａを得ることができるものである。特に熱可塑性フィルム５として、上述した図１１のように、少なくとも孔部２に対向する面に離型層９が設けられたものを用いる場合には、この離型層９によって熱可塑性フィルム５の剥離を容易に行うことができるものである。 Then, after confirming that the thermoplastic film 5 has been cured again after the heat and pressure molding, the thermoplastic film 5 is peeled off and the resin is removed from the hole 2 as shown in FIG. The circuit board A can be obtained. In particular, as the thermoplastic film 5, as shown in FIG. 11 described above, in the case where a release layer 9 is provided on at least the surface facing the hole 2, the release layer 9 allows the thermoplastic film 5 to be formed. It can be easily peeled off.

本実施形態においては、絶縁層１に接着させる基板４として、多層回路基板８が用いられているので、容易に多層化を図ることができるものである。その後、図９（ｄ）のように凹凸回路基板Ａの最外層に回路１１を形成すると共に、孔部２の内部の回路形成用金属層１４をエッチングすることによって回路１１を形成した後、図９（ｅ）のように孔部２の内部及び外部にチップ抵抗、チップコンデンサ、ＩＣ等の部品６を実装することができる。 In the present embodiment, since the multilayer circuit board 8 is used as the substrate 4 to be bonded to the insulating layer 1, multilayering can be easily achieved. 9D, the circuit 11 is formed on the outermost layer of the concavo-convex circuit board A, and the circuit 11 is formed by etching the circuit forming metal layer 14 inside the hole 2. As shown in 9 (e), components 6 such as a chip resistor, a chip capacitor, and an IC can be mounted inside and outside the hole 2.

（実施形態１０）
図１０は実施形態１０を示すものであるが、本実施形態ではまず２枚のＢステージ状態の絶縁層１，２１、金属層３、２枚の基板４，２２、熱可塑性フィルム５を用意する。 (Embodiment 10)
FIG. 10 shows the tenth embodiment. In this embodiment, first, two B-stage insulating layers 1 and 21, a metal layer 3, two substrates 4 and 22, and a thermoplastic film 5 are prepared. .

２枚のＢステージ状態の絶縁層１，２１としては、実施形態１と同様のものを用いることができる。ただし、１枚の絶縁層２１には孔部２が設けられていない。 As the two B-stage insulating layers 1 and 21, the same layers as those in the first embodiment can be used. However, the hole 2 is not provided in one insulating layer 21.

また基板４としては、例えば、多層回路基板７を用いることができ、基板２２としては、例えば、チップ抵抗、チップコンデンサ、ＩＣ等の部品６が実装された多層回路基板２３を用いることができる。一方の多層回路基板７の両面には回路１１が形成されていると共に、この両面の回路１１は、導電性ペーストが充填されたビアホールやスルーホールめっき等の層間接続部１３によって電気的に導通されている。他方の多層回路基板２２の片面には回路１１が形成されて部品６が実装され、他の片面には全面にわたって金属層１２が設けられていると共に、回路１１及び金属層１２は、導電性ペーストが充填されたビアホールやスルーホールめっき等の層間接続部１３によって電気的に導通されている。このような多層回路基板７，２３は、金属張積層板にサブトラクティブ法等を使用して作製することができる。 As the substrate 4, for example, a multilayer circuit substrate 7 can be used, and as the substrate 22, for example, a multilayer circuit substrate 23 on which components 6 such as a chip resistor, a chip capacitor, and an IC are mounted can be used. Circuits 11 are formed on both surfaces of one multilayer circuit board 7, and the circuits 11 on both surfaces are electrically connected by an interlayer connection portion 13 such as a via hole or through-hole plating filled with a conductive paste. ing. The circuit 11 is formed on one side of the other multilayer circuit board 22 and the component 6 is mounted on the other side. The metal layer 12 is provided on the entire other side, and the circuit 11 and the metal layer 12 are made of conductive paste. Are electrically connected by an interlayer connection 13 such as via hole or through hole plating filled with. Such multilayer circuit boards 7 and 23 can be manufactured by using a subtractive method or the like on a metal-clad laminate.

そして凹凸回路基板Ａを製造するにあたっては、まず図１０（ａ）のように孔部２と孔１０を一致させながら絶縁層１の片面に金属層３を積層すると共に、他の片面に多層回路基板７を積層する。また、多層回路基板７に絶縁層２１を介して他方の多層回路基板２３を積層する。さらに、孔１０を設けた金属層３の側において絶縁層１の孔部２を塞ぐように熱可塑性フィルム５を積層する。 In manufacturing the concavo-convex circuit board A, first, as shown in FIG. 10A, the metal layer 3 is laminated on one side of the insulating layer 1 while the hole 2 and the hole 10 are aligned, and a multilayer circuit is formed on the other side. The substrate 7 is laminated. The other multilayer circuit board 23 is laminated on the multilayer circuit board 7 with the insulating layer 21 interposed therebetween. Further, a thermoplastic film 5 is laminated so as to close the hole 2 of the insulating layer 1 on the side of the metal layer 3 provided with the hole 10.

その後、この積層物を２枚のプレート（図示省略）で挟み、プレス装置（図示省略）によって図１０（ｂ）のように加熱加圧成形することによって、絶縁層１，２１をＣステージ状態となるまで硬化させ、絶縁層１に金属層３及び多層回路基板７を接着させると共に、絶縁層２１に多層回路基板７，２３を接着させる。このときの加熱加圧成形の工程は、実施形態１と同様に、１次工程と２次工程とに分けることができる。そしてこのような加熱加圧によって熱可塑性フィルム５は軟化し、その樹脂が絶縁層１の孔部２に入り込んでこの孔部２を充填することになる。このように、加熱加圧成形の際に軟化した熱可塑性フィルム５の樹脂が孔部２に充填されることによって、絶縁層１の樹脂が孔部２の内壁から滲み出すのを抑制し、孔部２の形状が変化するのを防止することができるものである。しかも加熱加圧成形の際に熱可塑性フィルム５の流動性が絶縁層１の流動性よりも高くなる状態が少なくとも存在する場合には、絶縁層１の樹脂が孔部２の内壁から滲み出る前に熱可塑性フィルム５の樹脂を孔部２に充填させることができ、絶縁層１の樹脂の滲み出しを一層確実に防止することができるものである。 Thereafter, the laminate is sandwiched between two plates (not shown), and is heated and pressed as shown in FIG. 10B by a press device (not shown), so that the insulating layers 1 and 21 are brought into the C stage state. The metal layer 3 and the multilayer circuit board 7 are bonded to the insulating layer 1, and the multilayer circuit boards 7 and 23 are bonded to the insulating layer 21. The heating and pressing process at this time can be divided into a primary process and a secondary process as in the first embodiment. The thermoplastic film 5 is softened by such heat and pressure, and the resin enters the hole 2 of the insulating layer 1 and fills the hole 2. Thus, by filling the hole 2 with the resin of the thermoplastic film 5 softened during the heat and pressure molding, the resin of the insulating layer 1 is prevented from seeping out from the inner wall of the hole 2, It is possible to prevent the shape of the portion 2 from changing. In addition, when there is at least a state in which the fluidity of the thermoplastic film 5 is higher than the fluidity of the insulating layer 1 during the heat and pressure molding, before the resin of the insulating layer 1 oozes out from the inner wall of the hole 2. In addition, the resin of the thermoplastic film 5 can be filled into the hole 2, and the resin ooze out of the insulating layer 1 can be more reliably prevented.

そして加熱加圧成形の後に熱可塑性フィルム５が再び硬化したのを確認した上で、図１０（ｃ）のように熱可塑性フィルム５を剥離して孔部２から樹脂を除去することによって、凹凸回路基板Ａを得ることができるものである。特に熱可塑性フィルム５として、上述した図１１のように、少なくとも孔部２に対向する面に離型層９が設けられたものを用いる場合には、この離型層９によって熱可塑性フィルム５の剥離を容易に行うことができるものである。 Then, after confirming that the thermoplastic film 5 has been cured again after the heat and pressure molding, the thermoplastic film 5 is peeled and the resin is removed from the hole 2 as shown in FIG. The circuit board A can be obtained. In particular, as the thermoplastic film 5, as shown in FIG. 11 described above, in the case where a release layer 9 is provided on at least the surface facing the hole 2, the release layer 9 allows the thermoplastic film 5 to be formed. It can be easily peeled off.

本実施形態においては、絶縁層１に接着させる基板４として、多層回路基板７のほか、部品６が実装された多層回路基板２３が用いられているので、加熱加圧成形の際に部品６が絶縁層２１の内部に埋め込まれることによって、容易に高密度実装化及び多層化を図ることができるものである。 In the present embodiment, since the multilayer circuit board 23 on which the component 6 is mounted is used in addition to the multilayer circuit board 7 as the substrate 4 to be bonded to the insulating layer 1, the component 6 is formed at the time of heat and pressure molding. By being embedded in the insulating layer 21, high-density mounting and multilayering can be easily achieved.

実施形態１を示すものであり、（ａ）〜（ｃ）は断面図である。Embodiment 1 is shown, and (a) to (c) are cross-sectional views. 実施形態２を示すものであり、（ａ）〜（ｃ）は断面図である。Embodiment 2 is shown, and (a) to (c) are cross-sectional views. 実施形態３を示すものであり、（ａ）〜（ｃ）は断面図である。Embodiment 3 is shown, and (a) to (c) are cross-sectional views. 実施形態４を示すものであり、（ａ）〜（ｅ）は断面図である。Embodiment 4 is shown, and (a) to (e) are cross-sectional views. 実施形態５を示すものであり、（ａ）〜（ｄ）は断面図である。Embodiment 5 is shown, and (a) to (d) are cross-sectional views. 実施形態６を示すものであり、（ａ）〜（ｅ）は断面図である。Embodiment 6 is shown, (a)-(e) is sectional drawing. 実施形態７を示すものであり、（ａ）〜（ｃ）は断面図である。Embodiment 7 is shown, (a)-(c) is sectional drawing. 実施形態８を示すものであり、（ａ）〜（ｃ）は断面図である。Embodiment 8 is shown, and (a) to (c) are cross-sectional views. 実施形態９を示すものであり、（ａ）〜（ｅ）は断面図である。Embodiment 9 is shown, and (a) to (e) are cross-sectional views. 実施形態１０を示すものであり、（ａ）〜（ｃ）は断面図である。Embodiment 10 is shown, and (a) to (c) are cross-sectional views. 熱可塑性フィルムの他の一例を示すものであり、（ａ）（ｂ）は断面図である。The other example of a thermoplastic film is shown, (a) (b) is sectional drawing. 流動性の評価方法を示すものであって、熱可塑性フィルム単体又はＢステージ状態の絶縁層単体を加圧する場合の断面図である。It shows a fluidity evaluation method and is a cross-sectional view in the case of pressurizing a thermoplastic film alone or an insulating layer alone in a B-stage state. 従来の技術の一例を示すものであり、（ａ）〜（ｃ）は断面図である。An example of the prior art is shown, and (a) to (c) are cross-sectional views. 従来の技術の他の一例を示すものであり、（ａ）〜（ｃ）は断面図である。It shows another example of the prior art, and (a) to (c) are sectional views. 従来の技術のさらに他の一例を示すものであり、（ａ）（ｂ）は断面図である。FIG. 4 shows still another example of the prior art, and (a) and (b) are cross-sectional views.

Explanation of symbols

Ａ凹凸回路基板
１絶縁層
２孔部
３金属層
４基板
５熱可塑性フィルム
６部品
７多層回路基板
８多層回路基板
９離型層 A Concavity and convexity circuit board 1 Insulating layer 2 Hole 3 Metal layer 4 Board 5 Thermoplastic film 6 Parts 7 Multilayer circuit board 8 Multilayer circuit board 9 Release layer

Claims

At least one or more through-holes capable of mounting components are provided in the B-stage insulating layer, and a metal layer and a substrate are laminated on one or both sides of the insulating layer, followed by heat-pressure molding. Is a method for manufacturing a concavo-convex circuit board in which the insulating layer is cured and the metal layer and the substrate selected from the above are adhered to the insulating layer. A thermoplastic film is laminated so as to close, the hole is filled with the resin of the thermoplastic film softened by heat and pressure in the primary process of heat and pressure molding, and the insulating layer is cured in the secondary process of heat and pressure molding A method for producing a concavo-convex circuit board, comprising: removing the resin from the hole by peeling the thermoplastic film after the heat and pressure molding.

2. The uneven circuit board according to claim 1, wherein a metal layer and a substrate are used, and a component mounted is used, and the component is embedded in an insulating layer at the time of heat and pressure molding. Production method.

The method for producing a concavo-convex circuit board according to claim 1 or 2, wherein the substrate is selected from a multilayer circuit board and a multilayer circuit board provided with irregularities.

The concavo-convex circuit board according to any one of claims 1 to 3, wherein there is at least a state in which the fluidity of the thermoplastic film is higher than the fluidity of the insulating layer during the heat and pressure molding. Production method.

The method for producing a concavo-convex circuit board according to any one of claims 1 to 4, wherein a thermoplastic film having a release layer provided on at least a surface facing the hole is used.