JP4991167B2

JP4991167B2 - 情報記憶装置、情報記憶装置のライト電流調整方法及び書込制御回路

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Publication number: JP4991167B2
Application number: JP2006065452A
Authority: JP
Inventors: 雄一郎山崎
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2006-03-10
Filing date: 2006-03-10
Publication date: 2012-08-01
Anticipated expiration: 2026-03-10
Also published as: US7609470B2; US20070211365A1; JP2007242179A

Description

本発明は、磁気ディスク装置等の情報記憶装置に関し、特にＶＭＭの測定値に基づいてライト電流を自動調整するようにした情報記憶装置、情報記憶装置のライト電流調整方法及び書込制御回路に関するものである。なお、ＶＭＭ（Viterbi Metric Margin）はＣＳＭ（Channel Statistics Measurement）と呼ばれることがあるが、本明細書においては、ＶＭＭという用語をもちいることとする。

情報記憶装置として、例えば磁気ディスク装置を構成する磁気ディスク記録再生装置のライト電流値やオーバーシュート電流（Ｏ／Ｓと略す）の設定値は、ヘッドのライト能力や媒体の書き込み具合等により変化する。このため通常はマージン測定を行い、それが最適となる値に決定するといった手法が用いられる。この手法は主に媒体の特性やヘッドの書き込み性能の差異に対する最適化であり、ライタビリティーの面が重視されている。なお、従来技術の参考技術として、下記文献が知られる（例えば下記特許文献１参照）。
特開２００５−９３０５４号公報

しかしながら、近年の記録密度やトラック間隔の高密度化により、ヘッドのライト能力を重要視する反面、書き広がりにより、ライトしたトラックから隣接、周辺トラックへのイレーズが問題となってきている。つまり、ヘッド・媒体のライト能力を上げる一方、サイドイレーズが発生し易くなるといった現象が顕著となってきている。このサイドイレーズにより、具体的には以下のような問題が生じている。

先ず、第一の問題点として、従来のライト電流を最適化する際に用いられていた手法として知られるＶＭＭ（Viterbi Metric Margin）、オフセットマージン、ＴＰＩ(Track Per Inch)マージンのみでライト電流を設定すると、特にライタビリティーの高いヘッド・媒体の組み合わせにより、サイドイレーズが発生してしまうといった現象が起きてしまっていた。なお、ＶＭＭは２つのパスによるメトリック値の差がある閾値を下回った場合の数で定義され、１００セクタ（約４０万ビット）読み出し時の総和で与えられる。

サイドイレーズとは、本来のライトギャップからの磁界の他に、ライトの磁極から磁束が漏れ、本来書くべきトラック以外の箇所に磁束が漏れ、本来のデータをイレーズしてしまうといった現象である。ヘッドの磁極の形状によっては、その現象が起き易くなってしまうことがある。

図３はデータヘッドのライトコアＷＣに対する書き込み／読み出し領域１と、その両サイドにあるアウタ隣接トラック２、及びインナ隣接トラック３を示すと共に、ギャップライト領域４及びサイドイレーズが生じる領域５を示している。

第二の問題点としては、書き込みの開始直後の信号品質である。実際の書き込み開始時は、定常状態に比べると、書き込み性能は悪いのが通常である。これは、ライト電流が流れることにより、ライトヘッド付近の素子が突き出るが、ライト電流の流れ始めは、その突き出しによるライトヘッド付近の素子の浮上が高く、その後徐々に浮上が下がることによる影響が大きい。

ライト電流が定常状態になったとき、つまりライト動作が連続して起こっている場合は、この素子の突き出しもほぼ安定状態になっている。通常、ライト時の浮上では、媒体に対する浮上が低ければ、ライト能力は大きくなる。

ここで、ライトの開始直後をみると、このライト電流による素子の突き出しがまだ安定していない間であるので、結果として定常状態に比べ素子の浮上は高く、ライト能力も低い。通常、これらを先頭Ｏ／Ｗが悪いと言う。この状態でライトを行うと、先頭のマージンが極端に悪くなるケースがあり、信号品質は低下する。つまりこの場合では、第一の問題点を解決する方向とは逆に、ライト電流及びＯ／Ｓ値を増やす必要があるが、これらを考慮した最適値の決定は行なわれていなかったのが実情である。

本発明は、上述した第一の問題点を解決するためになされたものであり、書き広がりによる隣接トラックのイレーズ発生を抑制することにより、信号品質の向上を図ることができる情報記憶装置、情報記憶装置のライト電流調整方法及び書込制御回路を提供することを目的としている。

上述した課題を解決するため、本発明は、記憶媒体と該記憶媒体に情報を書き込むヘッドを有し、該記録媒体の書き込みのためのライト電流値を制御することができる書込制御手段を備えた情報記憶装置であって、前記記録媒体の該当箇所でのデータの信号品質を示す値としてそれぞれのＶＭＭ値を測定するＶＭＭ測定部と、前記ＶＭＭ測定部により測定された該当箇所での複数のライト回数ごとのＶＭＭ実測値からの線形補間により予測される、実測のライト回数を超えるライト回数におけるＶＭＭ予測値に基づいて、前記該当箇所の隣接シリンダにおけるイレーズの発生有無を予測するサイドイレーズ発生予測部と、を更に備え、前記書込制御手段が、前記サイドイレーズ発生予測部の予測結果に基づいて、媒体への書き込み時のデータの書き広がりを防止するように前記該当箇所のライト電流値を制御するものである。

また、本発明は、記録媒体の書き込みのためのライト電流値を制御することができる書込制御手段を備えた情報記憶装置のライト電流調整方法であって、前記記録媒体の該当箇所でのデータの信号品質を示す値としてそれぞれのＶＭＭ値を測定するＶＭＭ測定ステップと、前記ＶＭＭ測定ステップにおいて測定された該当箇所での複数のライト回数ごとのＶＭＭ実測値からの線形補間により予測される、実測のライト回数を超えるライト回数におけるＶＭＭ予測値に基づいて、前記該当箇所の隣接シリンダにおけるイレーズの発生有無を予測するサイドイレーズ発生予測ステップと、を更に含み、前記書込制御手段により、前記サイドイレーズ発生予測ステップでの予測結果に基づいて、媒体への書き込み時のデータの書き広がりを防止するように前記該当箇所のライト電流値を制御するものである。

また、本発明は、記録媒体への書き込みのためのライト電流値を制御する書込制御回路であって、前記記録媒体の該当箇所でのデータの信号品質を示す値としてそれぞれのＶＭＭ値を測定するＶＭＭ測定部と、前記ＶＭＭ測定部により測定された該当箇所での複数のライト回数ごとのＶＭＭ実測値からの線形補間により予測される、実測のライト回数を超えるライト回数におけるＶＭＭ予測値に基づいて、前記該当箇所の隣接シリンダにおけるイレーズの発生有無を予測するサイドイレーズ発生予測部と、前記サイドイレーズ発生予測部の予測結果に基づいて、媒体への書き込み時のデータの書き広がりを防止するように前記該当箇所のライト電流値を制御する書込制御手段とを備えるものである。

本発明によれば、書き広がりによる隣接トラックのイレーズ発生を抑制することにより、信号品質の向上を図ることができるという効果を奏する。

以下、本発明の実施の形態を図を用いて説明する。

図１は本発明の実施の形態における情報記憶装置の全体構成を示す斜視図、図２は同ブロック図である。本装置は、ベース１１に対してスピンドルモータ１２を取り付け、該スピンドルモータ１２により回転可能に媒体１３が設けられる。媒体表面上には、ヘッド１４が揺動自在に設けられ、このヘッド１４はアクチュエータ（ボイスコイルモータ）１５により駆動される。アクチュエータ１５はサーボ制御回路１６により制御され、スピンドルモータ１２はスピンドルモータ駆動回路１７により駆動される。

ヘッド１４のスライダー部には、データヘッド１４ａとサーボヘッド１４ｂが形成され、サーボヘッド１４ｂにより検出されたサーボデータがサーボ制御回路１６に与えられる。データヘッド１４ａには、プリアンプ１８が接続され、データチャネル１９、ＨＤＤインタフェース２０を介して、ホスト２１に接続されている。プリアンプ１８は主にヘッドからの読み取り信号を増幅するＩＣであり、そこから出力される信号はＲＷＬＳＩ（リードチャネル）で増幅されることになる。また、プリアンプ１８により本発明の実施の形態におけるライト電流の調整設定を行う。

以上の構成において、本発明の実施の形態では、サイドイレーズの発生を防止（軽減）すると共に、書き込み初期時における書き込み信号品質を向上させる。なお、ライト電流のパラメータとして、本実施の形態では、Ｏ／Ｓ値のみを調整する場合について説明しているが、ライト電流の他のパラメータである定常電流値、Ｏ／Ｓ値の幅については、同様概念で扱うことができ、ここでの説明は省略する。

先ず、上述した第一の課題であるサイドイレーズを防止（発生軽減）する手段について説明する。本発明の実施の形態では、ある回数でのライト動作を行い、サイドイレーズが許容されるかどうかの確認を行う。この確認方法として、ライト回数に対するＶＭＭを測定する。

ライト回数の増加に対し、サイドイレーズによる影響から、その箇所のＶＭＭはほぼ線形的に変化する。従って、ＶＭＭを測定することにより、サイドイレーズの発生有無を判断・予測できるのである。あるライト電流値においてサイドイレーズが発生すると判断された場合、そのライト電流を減らすよう調整し、再度その試験を行う。この結果、サイドイレーズが発生しないライト電流が設定されることになる。

次に、第二の課題である、サイドイレーズの問題とは対照的に、書き込み性能が悪くなるヘッド・媒体の組み合わせについて、書き込みの開始直後の信号品質を向上させるという課題について説明する。これについては、書き込み始めのマージン（以下、先頭ＶＭＭと略す）を測定する。これにより、書き込みが悪いヘッドに関しては、そのマージンがある値より悪くなった場合、ライト電流を上げるといった動作が入り、書き込み性能を向上させる。

このような構成をとることにより、ライト系のライト電流（定常値又はＯ／Ｓ値又はその幅）を調整したにも関わらず、サイドイレーズが発生するといった現象が起こる場合に、サイドイレーズが発生しなくなる適切なライト電流値もしくはオーバーシュートを設定できる。また同時に、書き込み性能をチェックすることにより、ライト電流の下げすぎにも考慮しながら最適値を決定できるため、先頭の書き込み不良のような現象も極力避けることができる。

以下、本発明の実施の形態の動作として、上述の第一の課題と第二の課題を同時に解消できるようにした場合の動作について説明する。

図４は、本発明の実施の形態において、ライト電流（ここではＯ／Ｓ値）の最適化を行う全体の流れを示すフローチャートである。

この流れで、先ず着目する第一点目が、先頭Ｏ/Ｗ（ライト動作の開始直後におけるライト性能）を考慮した調整方法である。まず、先頭ＶＭＭのためのＯ／Ｓ値の調整範囲を設定する（ステップＳ１）。

そして、先頭の信号品質を観測する手段として、ＶＭＭの値を測定する。このとき、セクタ毎の先頭ＶＭＭ（数ブロック）を測定し、ある値を満たさない場合は、ライト電流・オーバーシュートを上げることになる。これにより先頭のＶＭＭが落ちないようなライト電流、オーバーシュートの設定になる（ステップＳ２）。

次に第二点目として、サイドイレーズが発生しないように、Ｏ／Ｓ値を調整する。まずサイドイレーズ用のＯ／Ｓ値の調整範囲を設定する（ステップＳ３）。

そして、サイドイレーズ耐力を測定し、サイドイレーズが発生した場合は、上記で行ったライト電流、オーバーシュートのアップとは逆に下げる方向に動かすことになる。そして、サイドイレーズによりアンリカバードエラーとならないＯ／Ｓ値が決定される（ステップＳ４）。

次に、先頭ＶＭＭの値を測定し、良好な先頭Ｏ／Ｗを得るためのＯ／Ｓ値の調整を行ってライト電流の最適化を行う方法について説明する。図５は同動作を示すフローチャートである。

まず、あるＯ／Ｓ初期値を設定する。その設定値において、先頭ＶＭＭを測定する（ステップＳ１１）。もし、先頭ＶＭＭがある値以下でない場合（ステップＳ１２，Ｎｏ）、その値が以前より良いか否かが判断され（ステップＳ１３）、良いと判断された場合（ステップＳ１３，Ｙｅｓ）、その値が上限未満である場合（ステップＳ１４，Ｙｅｓ）、Ｏ／Ｓ値を１ランク上げて、先頭ＶＭＭの測定を繰り返す（ステップＳ１５）。

ステップＳ１２において、先頭ＶＭＭの値がある値以下である場合（ステップＳ１２，Ｙｅｓ）、Ｏ／Ｓ値が初期値のままであるか否か判断され（ステップＳ１６）、初期値のままである場合（ステップＳ１６，Ｙｅｓ）はＯ／Ｓ値を変更することなく正常終了する。一方、初期値のままでない場合（ステップＳ１６，Ｎｏ）は、先頭ＶＭＭ条件を満たす現在のＯ／Ｓ値を設定する（ステップＳ１７）。

ステップＳ１３において、先頭ＶＭＭの値が以前より良くない場合（ステップＳ１３、Ｎｏ）はＯ／Ｓ値を変更しないで処理を終了する。また、ステップＳ１４においてＯ／Ｓ値が上限未満でない場合（ステップＳ１４，Ｎｏ）は、先頭ＶＭＭを満たさないが、以前より状況の良い現在のＯ／Ｓ値を設定し（ステップＳ１８）、処理を終了する。

こうして、先頭ＶＭＭがある値を満たしたとき、その測定は終了する。つまり、先頭書き込みの性能は確保できるライト電流（Ｏ／Ｓ値）になる。なお、処理の終了後はＲＷ調整ルーチンへ移るが、このＲＷ調整ルーチンは従来と全く同じなのでここでの説明は省略する。

上述した処理によれば、最初のＶＭＭ測定後の判定で元々スライス（許容値）以内に収まっている場合は、Ｏ／Ｓ値の変更はしない。また、Ｏ／Ｓ値を変更すると、変更前に対してＶＭＭが悪くなってしまう場合においても、Ｏ／Ｓ値は変更しない。Ｏ／Ｓ値が変更される条件としては、変更により先頭ＶＭＭがあるスライス以内に収まった場合と、Ｏ／Ｓ値を変更して先頭ＶＭＭが改善する場合である。

こうして最適化されたＯ／Ｓ値は、最終的に再度Ｒｅａｄ／Ｗｒｉｔｅ(Ｒ／Ｗ)のキャリブレーションが実施されることになる。このＲ／Ｗキャリブレーションは従来と同じであり、ここでの説明は省略する。

次に、サイドイレーズの耐力測定について説明する。図６は、サイドイレーズを防止するための処理を示すフローチャートである。上述した先頭ＶＭＭの値から良好なＯ／Ｗを得、書き込み初期時のライト信号品質低下防止のために、設定されたＯ／Ｓ値において、次にサイドイレーズが許容値を満たすかどうかを測定する。サイドイレーズの特徴としては、ライトする回数とともに、隣接シリンダへの影響が大きくなる。これを見るため、ライト前後でＶＭＭの値を測定し、測定値を比較する。

測定方法は、先ず測定シリンダの周辺シリンダのＶＭＭの値を測定する。そして、測定シリンダにて、ライトを繰り返す。その後、その測定シリンダの周辺シリンダのＶＭＭの値を再度測定する（ステップＳ３１）。このようにすることで、ライト回数に対するマージン（ＶＭＭ）が分かる。

図３の処理では、ライト回数を２０００、２００００回とした時のＶＭＭの値を測定しており、このＶＭＭから、そのヘッドは将来サイドイレーズが許容されるかどうかを線形補間により予測する（ステップＳ３２）。

実際の動作では、例えば顧客先などで、同一箇所でのライト動作は上記のライト回数では収まらない。つまり何百万回のライト動作が入る場合がある。しかしサイドイレーズを何百万回も測定していたのでは、測定時間がかかってしまい、最適化できない。そこでこれを解決するために、予測ＶＭＭを用いるようにしている。

上記で述べたライト回数から少なくとも２点間のＶＭＭ値が分かる。これで、ライト回数に対するＶＭＭの線形補間を行う。

図７は、ライト回数に対するＶＭＭの値である。この場合、１０００回から１０万回までは、ライト回数に対しＶＭＭは実測値である。ここでは、各Ｏ／Ｓ値でのＶＭＭ値を示してある。

例えば、サイドイレーズの許容値に相当するＶＭＭ=３.４とした場合、図８に示すように、１０万回では、Ｏ／Ｓ値＝０,１,２全て、サイドイレーズは満足すると言えるが、１０００万回では、Ｏ／Ｓ=２で許容値を超えるため、サイドイレーズの許容を満たさないということになる。

これにより、ライト回数が何百、何千万回でも、予測ＶＭＭが判り、実動作においてそれが行われた場合でも、予測ＶＭＭが許容を満たすかどうかで、サイドイレーズの発生の有無を予測できる。そして、許容値を超えた場合は、あらかじめリジェクトできるので、サイドイレーズの発生を抑止できる。

こうして予測されたＶＭＭにより、その値が許容値を満足するかどうかの判別を行う（ステップＳ３３）。ここで、許容を満たさない場合（ステップＳ３３，Ｎｏ）は、Ｏ／Ｓ値を下げることになるが（ステップＳ３５）、この制約としては、Ｏ／Ｓ値を下げても書き込みが落ちないか判断する必要がある（ステップＳ３４）。これは、先の先頭ＶＭＭのルーチンにて、Ｏ／Ｓ値が上げられていない場合、（元々Ｏ／Ｓ値は変わっていいない場合）にのみ、本サイドイレーズのルーチンで下げることが可能である（ステップＳ３４，Ｙｅｓ）。

予測ＶＭＭが許容値を満たした場合（ステップＳ３３，Ｙｅｓ）、元々のＯ／Ｓ値から変更ない場合（ステップＳ３６，Ｎｏ）は、そのまま終了する。変更がある場合（ステップＳ３６，Ｙｅｓ）は、再度Ｒ／Ｗのキャリブレーションを実行し（ステップＳ３７）終了する。

図９に調整パラメータのチェックルーチンを示す。このルーチンは、上述した図５、図６の動作の前に行われ、ここで設定された値において、上述した先頭ＶＭＭの値及びＶＭＭの予測が行われる。

内容はＲ／Ｗパラメータのライトプリコンペ（以下ＷＰＣと略）値のチェック後に、ライト電流のＯ／Ｓ（幅を含む）調整するルーチンである。先ず、Ｒ／Ｗ調整されたパラメータにおいて、そのＷＰＣ値のチェックを行う（ステップＳ９１）。

ＷＰＣ値は０１１、１１１１０１のような各ビットの補正量に対応した値が設定できるものであるが、それぞれについてチェックを行うことができる。ＷＰＣチェック後において、ＷＰＣ値がある範囲を超える場合（ステップＳ９２，Ｎｏ）、ライト電流のＯ／Ｓが小さすぎる場合は（書き込み能力不足）、Ｏ／Ｓ値を１ランク上げて、Ｏ／Ｓの最適化が行われると共に、これとは逆に、ＷＰＣがある範囲以下の場合は、ライト電流のＯ／Ｓが大きすぎるため（十分書き込み能力がある）、Ｏ／Ｓ値を１ランク下げる（ステップＳ９３）。そして図５、図６のルーチンに進む。

このように、ＲＷ調整されたライトプリコンペ値から、最適なＯ／Ｓ値が決定されることになる。

上述したように、本発明の実施の形態によれば、ライト電流値・オーバーシュート値の決定において、前述のようにサイドイレーズの発生の有無を予測することで、書き広がりによる隣接トラックのイレーズ発生を抑止できるといった効果がある。このようなライト系の最適化スライス調整を行うことで、量産時のヘッドのライト能力・媒体との組み合わせにより、書き込み能力が変わった場合にも対応できるため、性能の向上を図ることができると共に、顧客先での装置におけるライト品質向上、信頼性の向上を図ることができる。

（付記１）記憶媒体と該記憶媒体に情報を書き込むヘッドを有し、該記録媒体の書き込みのためのライト電流値を制御することができる書込制御手段を備えた情報記憶装置であって、
前記記録媒体の該当箇所でのデータの信号品質を示すそれぞれのＶMM値を測定するＶＭＭ測定部と、
前記ＶＭＭ測定部により測定された該当箇所での複数のライト回数ごとのＶMM実測値から予測される、実測のライト回数を超えるライト回数におけるＶＭＭ予測値に基づいて、前記該当箇所の隣接シリンダにおけるイレーズの発生有無を予測するサイドイレーズ発生予測部と、
を更に備え、
前記書込制御手段は、前記サイドイレーズ発生予測部の予測結果に基づいて、媒体への書き込み時のデータの書き広がりを防止するように前記該当箇所のライト電流値を制御する情報記憶装置。
（付記２）付記１に記載の情報記憶装置において、
前記サイドイレーズ発生予測部は、線形補間によりサイドイレーズの許容値に対してサイドイレーズの発生有無を予測する情報記憶装置。
（付記３）付記１または付記２に記載の情報記憶装置において、
前記書込制御手段は、ライト電流値として定常電流値、オーバーシュート値、もしくはオーバーシュート幅の少なくともいずれか一つを調整する情報記憶装置。
（付記４）付記１乃至付記３のいずれかに記載の情報記憶装置において、
ライト系のパラメータであるライトプリコンペ値を調整するライトプリコンペ値調整部を備え、
前記ＶＭＭ測定部は、前記ライトプリコンペ値調整部により調整されたライト電流の設定値に対してＶＭＭを測定する情報記憶装置。
（付記５）記録媒体の書き込みのためのライト電流値を制御することができる書込制御手段を備えた情報記憶装置のライト電流調整方法であって、
前記記録媒体の該当箇所でのデータの信号品質を示すそれぞれのＶMM値を測定するＶＭＭ測定ステップと、
前記ＶＭＭ測定ステップにおいて測定された該当箇所での複数のライト回数ごとのＶMM実測値から予測される、実測のライト回数を超えるライト回数におけるＶＭＭ予測値に基づいて、前記該当箇所の隣接シリンダにおけるイレーズの発生有無を予測するサイドイレーズ発生予測ステップと、
を更に含み、
前記書込制御手段により、前記サイドイレーズ発生予測ステップでの予測結果に基づいて、媒体への書き込み時のデータの書き広がりを防止するように前記該当箇所のライト電流値を制御する情報記憶装置のライト電流調整方法。
（付記６）付記５に記載の情報記憶装置のライト電流調整方法において、
前記サイドイレーズ発生予測ステップは、線形補間によりサイドイレーズの許容値に対して将来のサイドイレーズの発生有無を予測する情報記憶装置のライト電流調整方法。
（付記７）付記５または付記６に記載の情報記憶装置のライト電流調整方法において、
前記書込制御手段によりライト電流値を制御する際、ライト電流値として定常電流値、オーバーシュート値、もしくはオーバーシュート幅の少なくともいずれか一つを調整する情報記憶装置のライト電流調整方法。
（付記８）付記５乃至付記７のいずれかに記載の情報記憶装置のライト電流調整方法において、
ライト系のパラメータであるライトプリコンペ値を調整するライトプリコンペ値調整ステップを備え、
前記ＶＭＭ測定ステップは、前記ライトプリコンペ値調整ステップにより調整されたライト電流の設定値に対してＶＭＭを測定する情報記憶装置のライト電流調整方法。
（付記９）記録媒体への書き込みのためのライト電流値を制御する書込制御回路であって、
前記記録媒体の該当箇所でのデータの信号品質を示すそれぞれのＶMM値を測定するＶＭＭ測定部と、
前記ＶＭＭ測定部により測定された該当箇所での複数のライト回数ごとのＶMM実測値から予測される、実測のライト回数を超えるライト回数におけるＶＭＭ予測値に基づいて、前記該当箇所の隣接シリンダにおけるイレーズの発生有無を予測するサイドイレーズ発生予測部と、
前記サイドイレーズ発生予測部の予測結果に基づいて、媒体への書き込み時のデータの書き広がりを防止するように前記該当箇所のライト電流値を制御する書込制御手段と
を備える書込制御回路。
（付記１０）付記９に記載の書込制御回路において、
前記サイドイレーズ発生予測部は、線形補間によりサイドイレーズの許容値に対してサイドイレーズの発生有無を予測する書込制御回路。
（付記１１）付記９または付記１０に記載の書込制御回路において、
前記書込制御手段は、ライト電流値として定常電流値、オーバーシュート値、もしくはオーバーシュート幅の少なくともいずれか一つを調整する書込制御回路。
（付記１２）付記９乃至付記１１のいずれかに記載の書込制御回路において、
ライト系のパラメータであるライトプリコンペ値を調整するライトプリコンペ値調整部を備え、
前記ＶＭＭ測定部は、前記ライトプリコンペ値調整部により調整されたライト電流の設定値に対してＶＭＭを測定する書込制御回路。

本発明の実施の形態における磁気ディスク装置の全体斜視図である。図１に示した磁気ディスク装置の全体ブロック図である。磁気ディスクのトラックを示す図である。本実施の形態の全体動作を示すフローチャートである。先頭ＶＭＭのチェックルーチンを示すフローチャートである。サイドイレーズ耐力チェックルーチンを示すフローチャートである。ＶＭＭの予測グラフを示す図である。ＶＭＭの予測表を示す図である。ライトプリコンペ値チェックルーチンを示すフローチャートである。

符号の説明

１書き込み／読み出し領域、２アウタ隣接トラック、３インナ隣接トラック、４ギャップライト領域、５サイドイレーズが生じる領域、１２スピンドルモータ、１３媒体（磁気ディスク）、１４ヘッド、１４ａデータヘッド、１４ｂサーボヘッド、１５ボイスコイルモータ、１６サーボ制御回路、１７スピンドルモータ駆動回路、１８プリアンプ、１９データチャネル。

Claims

記憶媒体と該記憶媒体に情報を書き込むヘッドを有し、該記録媒体の書き込みのためのライト電流値を制御することができる書込制御手段を備えた情報記憶装置であって、
前記記録媒体の該当箇所でのデータの信号品質を示す値としてそれぞれのＶＭＭ値を測定するＶＭＭ測定部と、
前記ＶＭＭ測定部により測定された該当箇所での複数のライト回数ごとのＶＭＭ実測値からの線形補間により予測される、実測のライト回数を超えるライト回数におけるＶＭＭ予測値に基づいて、前記該当箇所の隣接シリンダにおけるイレーズの発生有無を予測するサイドイレーズ発生予測部と、
を更に備え、
前記書込制御手段は、前記サイドイレーズ発生予測部の予測結果に基づいて、媒体への書き込み時のデータの書き広がりを防止するように前記該当箇所のライト電流値を制御する情報記憶装置。
記録媒体の書き込みのためのライト電流値を制御することができる書込制御手段を備えた情報記憶装置のライト電流調整方法であって、
前記記録媒体の該当箇所でのデータの信号品質を示す値としてそれぞれのＶＭＭ値を測定するＶＭＭ測定ステップと、
前記ＶＭＭ測定ステップにおいて測定された該当箇所での複数のライト回数ごとのＶＭＭ実測値からの線形補間により予測される、実測のライト回数を超えるライト回数におけるＶＭＭ予測値に基づいて、前記該当箇所の隣接シリンダにおけるイレーズの発生有無を予測するサイドイレーズ発生予測ステップと、
を更に含み、
前記書込制御手段により、前記サイドイレーズ発生予測ステップでの予測結果に基づいて、媒体への書き込み時のデータの書き広がりを防止するように前記該当箇所のライト電流値を制御する情報記憶装置のライト電流調整方法。
記録媒体への書き込みのためのライト電流値を制御する書込制御回路であって、
前記記録媒体の該当箇所でのデータの信号品質を示す値としてそれぞれのＶＭＭ値を測定するＶＭＭ測定部と、
前記ＶＭＭ測定部により測定された該当箇所での複数のライト回数ごとのＶＭＭ実測値からの線形補間により予測される、実測のライト回数を超えるライト回数におけるＶＭＭ予測値に基づいて、前記該当箇所の隣接シリンダにおけるイレーズの発生有無を予測するサイドイレーズ発生予測部と、
前記サイドイレーズ発生予測部の予測結果に基づいて、媒体への書き込み時のデータの書き広がりを防止するように前記該当箇所のライト電流値を制御する書込制御手段と
を備える書込制御回路。