JP4989929B2 - Optical semiconductor device - Google Patents

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Description

本発明は、光半導体装置に関するものであり、詳しくは、半導体発光素子を発光源あるいは半導体受光素子を受光源とする光半導体装置に関する。   The present invention relates to an optical semiconductor device, and more particularly to an optical semiconductor device using a semiconductor light emitting element as a light source or a semiconductor light receiving element as a light receiving source.

半導体発光素子を発光源とする光半導体装置は、代表例として図１３に示すような構成のものが提案されている。それは、一対のリードフレーム５０ａ、５０ｂの一方の端面にはんだ、導電性接着剤等の導電性接合部材（図示せず）を介してＬＥＤチップ５１を載設してＬＥＤチップ５１の一方の電極と該ＬＥＤチップ５１が載設されたリードフレーム５０ａとの電気的導通を図り、一方の端部をＬＥＤチップ５１の他方の電極に接続（１ｓｔボンディング）したボンディングワイヤ５２の他方の端部を前記ＬＥＤチップ５１が載設されたリードフレーム５０ａとは分離・独立した他方のリードフレーム５０ｂの端面に接続（２ｎｄボンディング）してＬＥＤチップ５１の他方の電極と該ボンディングワイヤ５２が接続されたリードフレーム５０ｂとをボンディングワイヤ５２を介して電気的導通を図る。   As a typical example, an optical semiconductor device using a semiconductor light emitting element as a light source has been proposed as shown in FIG. That is, an LED chip 51 is mounted on one end face of a pair of lead frames 50a and 50b via a conductive bonding member (not shown) such as solder, conductive adhesive, etc. Electrical connection with the lead frame 50a on which the LED chip 51 is mounted is achieved, and the other end of the bonding wire 52 having one end connected to the other electrode of the LED chip 51 (first bonding) is connected to the LED. A lead frame 50b in which the other electrode of the LED chip 51 and the bonding wire 52 are connected by connecting (2nd bonding) to the end surface of the other lead frame 50b separated and independent from the lead frame 50a on which the chip 51 is mounted. Are electrically connected to each other through a bonding wire 52.

この場合、ボンディングワイヤ５２の１ｓｔボンディングはボールボンディング、２ｎｄボンディングはウェッジボンディングであり、以下同様に、１ｓｔボンディングはボールボンディング、２ｎｄボンディングはウェッジボンディングであることを意味する。   In this case, 1st bonding of the bonding wire 52 is ball bonding, 2nd bonding is wedge bonding, and 1st bonding means ball bonding and 2nd bonding is wedge bonding.

そして、ＬＥＤチップ５１、ボンディングワイヤ５２およびそれらが夫々載設、配線された近傍のリードフレーム５０ａ、５０ｂを透光性樹脂からなる封止樹脂５３で樹脂封止する。この場合、封止樹脂５３はＬＥＤチップ５１を水分、塵埃及びガス等の外部環境から保護するとともに、ボンディングワイヤ５２を振動及び衝撃等の機械的応力から保護する。また、ＬＥＤチップ５１の光出射面と該ＬＥＤチップ５１の光出射面を形成する半導体材料に近い屈折率の封止樹脂５３とで界面を形成することにより、ＬＥＤチップ５１からの発光が封止樹脂５３内に効率良く出射される。   Then, the LED chip 51, the bonding wire 52, and the lead frames 50a and 50b in the vicinity where they are mounted and wired are sealed with a sealing resin 53 made of a translucent resin. In this case, the sealing resin 53 protects the LED chip 51 from an external environment such as moisture, dust, and gas, and protects the bonding wire 52 from mechanical stress such as vibration and impact. Further, by forming an interface between the light emitting surface of the LED chip 51 and the sealing resin 53 having a refractive index close to that of the semiconductor material forming the light emitting surface of the LED chip 51, light emission from the LED chip 51 is sealed. The light is efficiently emitted into the resin 53.

このような構成の光半導体装置５４は図１４に示す方法によって他の電子部品とともにプリント基板５５に実装される。この実装は自動実装機（インサータ）によって行なわれ、プリント基板５５に設けられたスルーホール５６にリードフレーム５０ａ、５０ｂを挿入した後にプリント基板５５の部品実装面（部品面）の反対面（はんだ面）側から余分なリードフレームを切断し先端部５０ａ′、５０ｂ′をクリンチして光半導体装置５４をプリント基板５５に仮固定する。   The optical semiconductor device 54 having such a configuration is mounted on the printed board 55 together with other electronic components by the method shown in FIG. This mounting is performed by an automatic mounting machine (inserter). After inserting the lead frames 50a and 50b into the through holes 56 provided in the printed circuit board 55, the surface opposite to the component mounting surface (component surface) of the printed circuit board 55 (solder surface) The excess lead frame is cut from the side), and the tip portions 50a ′ and 50b ′ are clinched to temporarily fix the optical semiconductor device 54 to the printed circuit board 55.

そして、光半導体装置５４が仮固定されたプリント基板５５を、はんだディップ槽から噴出しているフローはんだにプリント基板５５のはんだ面側を浸すことによって光半導体装置５４のリードフレーム５０ａ、５０ｂの先端部５０ａ′、５０ｂ′とプリント基板５５の表面に設けられた回路パターンとをはんだ接合して電気的導通が図られる。   Then, the tips of the lead frames 50a and 50b of the optical semiconductor device 54 are immersed by immersing the solder surface side of the printed circuit board 55 in the flow solder ejected from the solder dip tank. The portions 50a ′ and 50b ′ and a circuit pattern provided on the surface of the printed circuit board 55 are soldered to achieve electrical conduction.

このとき、図１５にあるようにリードフレーム５０ａ、５０ｂをクリンチする際に発生するリードフレーム５０ａ、５０ｂの曲げ残留応力は、リードフレ−ム５０ａ、５０ｂを封止する封止樹脂のリードフレーム５０ａ、５０ｂ近傍が光半導体装置の実装時のはんだ接合熱で軟化することによって解放され、そのため図１６に示すように、特にボンディングワイヤ５２の２ｎｄボンディングが施された側のリードフレーム５０ｂの封止樹脂内に位置する部分が変位してボンディングワイヤ５２の断線が誘発されることになる。   At this time, as shown in FIG. 15, the bending residual stress of the lead frames 50a and 50b generated when the lead frames 50a and 50b are clinched is caused by the lead frames 50a and 50a made of sealing resin for sealing the lead frames 50a and 50b. The vicinity of 50b is released by being softened by the soldering heat at the time of mounting the optical semiconductor device. Therefore, as shown in FIG. 16, in the sealing resin of the lead frame 50b on the side where the 2nd bonding of the bonding wire 52 is performed. The portion located in the position is displaced, and the disconnection of the bonding wire 52 is induced.

また、図１７にあるように光半導体装置が仮固定されたプリント基板をはんだフローする際に発生するプリント基板の熱膨張に起因するリードフレームの引っ張り応力は、上記同様リードフレ−ム５０ａ、５０ｂを封止する封止樹脂のリードフレーム５０ａ、５０ｂ近傍が光半導体装置の実装時のはんだ接合熱で軟化することによって解放され、そのため図１８に示すように、特にボンディングワイヤ５２の２ｎｄボンディングが施された側のリードフレーム５０ｂが変位してボンディングワイヤ５２の断線が誘発されることになる。   As shown in FIG. 17, the tensile stress of the lead frame due to the thermal expansion of the printed circuit board that occurs when the printed circuit board on which the optical semiconductor device is temporarily fixed is soldered is applied to the lead frames 50a and 50b as described above. The vicinity of the lead frames 50a and 50b of the sealing resin to be sealed is released by being softened by the soldering heat at the time of mounting the optical semiconductor device. Therefore, as shown in FIG. 18, especially the 2nd bonding of the bonding wire 52 is performed. The lead frame 50b on the other side is displaced, and the disconnection of the bonding wire 52 is induced.

上記リードフレーム５０ａ、５０ｂの曲げ残留応力および引っ張り応力ともにリードフレーム５０ａ、５０ｂの樹脂封止部分が長くなるにつれて大きくなり、そのため、特にボンディングワイヤ５２の２ｎｄボンディングが施された側のリードフレーム５０ｂの変位量が増大することによってボンディングワイヤ５２の断線が起こり易くなる。   Both the bending residual stress and the tensile stress of the lead frames 50a and 50b become larger as the resin-sealed portions of the lead frames 50a and 50b become longer. For this reason, in particular, the lead frame 50b on the side where the 2nd bonding of the bonding wire 52 is performed. As the amount of displacement increases, disconnection of the bonding wire 52 is likely to occur.

更に、図１９にあるように光半導体装置が仮固定されたプリント基板をはんだフローする際の熱、および光半導体装置をプリント基板に実装した後の繰り返される点滅による断続的な温度変化において、ボンディングワイヤ５２と該ボンディングワイヤ５２を封止する封止樹脂との熱膨張係数の差によってボンディングワイヤ５２が受ける樹脂応力が変化し、図２０に示すようにボンディングワイヤ５２の断線、ボンディングワイヤ５２の接合部からの剥がれ等が発生して電気的不良を起こすことになる。   Further, as shown in FIG. 19, bonding is caused by heat generated when the printed circuit board on which the optical semiconductor device is temporarily fixed is solder-flowed and intermittent temperature changes due to repeated flashing after the optical semiconductor device is mounted on the printed circuit board. The resin stress received by the bonding wire 52 changes due to the difference in thermal expansion coefficient between the wire 52 and the sealing resin that seals the bonding wire 52. As shown in FIG. 20, the bonding wire 52 is disconnected and the bonding wire 52 is bonded. Peeling from the part occurs and causes electrical failure.

これらの問題が発生する要因は、リードフレームに施されるボンディングワイヤの２ｎｄボンディング（ウェッジボンディング）がＬＥＤチップの上側電極に施される１ｓｔボンディング（ボールボンディング）よりも接合力が弱いことに起因する要素が大きい。   The cause of these problems is due to the fact that the 2nd bonding (wedge bonding) of the bonding wire applied to the lead frame is weaker than the first bonding (ball bonding) applied to the upper electrode of the LED chip. The element is big.

そこで、上記問題を解決する手段として以下のような光半導体装置が提案されている。それは、リードフレームとして一般的に使用される鉄材よりも熱伝導率が低い金属材料でリードフレームを形成することによって、光半導体装置をプリント基板にはんだ実装する際にリードフレームの、ボンディングワイヤの２ｎｄボンディング部が封止樹脂の耐熱温度以上にならないように抑制し、リードフレームの、ボンディングワイヤの２ｎｄボンディング部近傍の封止樹脂が軟化するのを防止するようにしたものである（例えば、特許文献１参照。）。   Therefore, the following optical semiconductor devices have been proposed as means for solving the above problems. This is because the lead frame is formed of a metal material having a lower thermal conductivity than an iron material generally used as a lead frame, so that the 2nd of the bonding wire of the lead frame when the optical semiconductor device is solder mounted on the printed circuit board. The bonding portion is suppressed so as not to exceed the heat resistance temperature of the sealing resin, and the sealing resin in the vicinity of the 2nd bonding portion of the bonding wire of the lead frame is prevented from being softened (for example, Patent Documents). 1).

また、ＬＥＤチップが載設されたリードフレームおよび／またはボンディングワイヤの２ｎｄボンディングが施されたリードフレームの樹脂封止部分に移動抵抗部を設け、光半導体装置をプリント基板にはんだ実装する際にリードフレームのＬＥＤ載設部および／またはボンディングワイヤの２ｎｄボンディング部近傍の封止樹脂が軟化しても各リードフレームが移動しないように夫々のリードフレームと封止樹脂の結合を強化したものもある（例えば、特許文献２参照。）。
特開２００１−５７４４３号公報 特開２００１−２４２３７号公報 Also, a moving resistance portion is provided in the resin-sealed portion of the lead frame on which the LED chip is mounted and / or the lead frame to which the 2nd bonding of the bonding wire is applied, and the lead is used when the optical semiconductor device is solder-mounted on the printed circuit board. In some cases, the bonding between each lead frame and the sealing resin is strengthened so that each lead frame does not move even if the sealing resin in the vicinity of the LED mounting portion of the frame and / or the 2nd bonding portion of the bonding wire softens ( For example, see Patent Document 2.)
JP 2001-57443 A JP 2001-24237 A

ところで、上記提案のいずれのボンディングワイヤ断線対策にも以下のような問題点がある。それは、まず、ＬＥＤチップが載設される側のリードフレームはＬＥＤチップを載設するためのはんだあるいは導電性接着剤等の導電性接合部材、載設されるＬＥＤチップおよびＬＥＤチップを収容するための大きな逆円錐台形状のカップ部が設けられ、そのため熱容量が比較的大きいために光半導体装置をプリント基板に実装する際の熱がリードフレームの、ＬＥＤチップの載設部まで届き難く、よってリードフレームのＬＥＤチップ載設部近傍の封止樹脂は硬いままに保持される。   By the way, any of the above-mentioned proposals for bonding wire breakage has the following problems. First, the lead frame on the side on which the LED chip is mounted is for accommodating a conductive bonding member such as solder or conductive adhesive for mounting the LED chip, the mounted LED chip and the LED chip. A large inverted frustoconical cup portion is provided, so that the heat capacity is relatively large, so that heat when mounting the optical semiconductor device on the printed circuit board does not easily reach the LED chip mounting portion of the lead frame. The sealing resin in the vicinity of the LED chip mounting portion of the frame is held hard.

一方、ボンディングワイヤの２ｎｄボンディングが施される側のリードフレームは熱容量が小さいために光半導体装置をプリント基板に実装する際の熱がリードフレームの、ボンディングワイヤの２ｎｄボンディング部まで届き易く、よってリードフレ−ムのボンディングワイヤ２ｎｄボンディング部近傍の封止樹脂が軟化するために応力の影響を受けやすい。   On the other hand, since the lead frame on the bonding wire 2nd bonding side has a small heat capacity, heat when mounting the optical semiconductor device on the printed circuit board easily reaches the 2nd bonding portion of the bonding wire of the lead frame. Since the sealing resin near the bonding portion of the bonding wire 2nd is softened, it is easily affected by stress.

また、光半導体装置をプリント基板に実装する際の熱によってリードフレームが受ける該リードフレームの長手方向に略直角な方向の応力は、ＬＥＤチップが載設された側のリードフレームおよびボンディングワイヤの２ｎｄボンディングが施された側のリードフレームともに差はほとんどない。一方、リードフレームが受ける該リードフレームの長手方向の応力も同様に、ＬＥＤチップが載設された側のリードフレームおよびボンディングワイヤの２ｎｄボンディングが施された側のリードフレームともに差はほとんどないが、ボンディングワイヤの２ｎｄボンディングが施された側のリードフレームはＬＥＤチップが載設された側のリードフレームに対してカップ部がない分保持力が小さく、変位量が大きくなる。   In addition, the stress in the direction substantially perpendicular to the longitudinal direction of the lead frame that the lead frame receives due to heat when the optical semiconductor device is mounted on the printed circuit board is 2nd of the lead frame and the bonding wire on the side where the LED chip is mounted. There is almost no difference between the lead frames on the bonded side. On the other hand, the stress in the longitudinal direction of the lead frame received by the lead frame is also almost the same between the lead frame on the side where the LED chip is mounted and the lead frame on which the 2nd bonding of the bonding wire is performed. The lead frame on the side on which the 2nd bonding of the bonding wire is performed has a smaller holding force and a larger amount of displacement than the lead frame on the side on which the LED chip is mounted because there is no cup portion.

さらに、リードフレームと該リードフレームを封止する封止樹脂との接触面積は、ＬＥＤチップが載設された側のリードフレームよりもボンディングワイヤの２ｎｄボンディングが施された側のリードフレームの方が小さく、この点からもその分保持力が小さく、変位量が大きくなる。   Furthermore, the contact area between the lead frame and the sealing resin that seals the lead frame is larger for the lead frame on the side where the 2nd bonding of the bonding wire is performed than for the lead frame on which the LED chip is mounted. From this point, the holding force is small and the amount of displacement is large.

そこで、本発明は上記問題に鑑みて創案なされたもので、その目的とするところは、封止樹脂内に配線されたボンディングワイヤの断線を低減した、電気的信頼性の高い光半導体装置を提供することにある。   Accordingly, the present invention was devised in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide an optical semiconductor device with high electrical reliability in which disconnection of a bonding wire wired in a sealing resin is reduced. There is to do.

上記課題を解決するために、本発明の請求項１に記載された発明は、一対の電極を有する光半導体素子と、前記光半導体素子を載設する第一のリードフレームと、前記第一のリードフレームと分離して形成された第二のリードフレームと、前記光半導体素子の一方の電極に、一方の端部を接続されたボンディングワイヤと、前記光半導体素子、前記ボンディングワイヤ、および、前記第一のリードフレームと前記第二のリードフレームの一部を覆う第一の封止樹脂と、を有する光半導体装置であり、前記ボンディングワイヤの他方の端部が前記第二のリードフレームに形成された第二リードフレーム凹部に接続され、前記第二リードフレーム凹部は、軟質樹脂からなる第二の封止樹脂が充填され、前記第二リードフレーム凹部の内底面と前記ボンディングワイヤとの接続部が、前記第二の封止樹脂により覆われ、前記第一の封止樹脂は、硬度Ｄ８７〜９２のエポキシ樹脂からなり、前記第二の封止樹脂は、硬度Ｄ２０〜３０のシリコーン樹脂からなることを特徴とするものである。 In order to solve the above-mentioned problems, an invention described in claim 1 of the present invention includes an optical semiconductor element having a pair of electrodes, a first lead frame on which the optical semiconductor element is mounted, and the first A second lead frame formed separately from the lead frame; a bonding wire having one end connected to one electrode of the optical semiconductor element; the optical semiconductor element; the bonding wire; An optical semiconductor device having a first lead frame and a first sealing resin covering a part of the second lead frame, the other end of the bonding wire being formed on the second lead frame Connected to the second lead frame recess, the second lead frame recess is filled with a second sealing resin made of a soft resin, and the inner bottom surface of the second lead frame recess and the Connection of the down loading wire is covered with the second sealing resin, the first sealing resin, an epoxy resin of hardness D87～92, the second sealing resin, the hardness D20~ It consists of 30 silicone resins .

また、本発明の請求項２に記載された発明は、請求項１において、前記光半導体素子は、前記第一のリードフレームに形成された第一リードフレーム凹部に載設され、前記第一リードフレーム凹部は、前記第二の封止樹脂が充填され、前記光半導体素子と前記ボンディングワイヤとの接続部が前記第二の封止樹脂により覆われていることを特徴とするものである。 According to a second aspect of the present invention, in the first aspect, the optical semiconductor element is mounted in a first lead frame recess formed in the first lead frame , and the first The lead frame recess is filled with the second sealing resin, and a connecting portion between the optical semiconductor element and the bonding wire is covered with the second sealing resin .

また、本発明の請求項３に記載された発明は、請求項１または２において、前記第一のリードフレームと前記第二のリードフレームは、平行に併設され、前記第一の封止樹脂は、前記第一のリードフレームと前記第二のリードフレームとが導出される樹脂底面を有し、前記樹脂底面から前記光半導体素子と前記ボンディングワイヤとの接続部までの距離と、前記樹脂底面から前記第二リードフレーム凹部内底面と前記ボンディングワイヤとの接続部までの距離が、互いに異なることを特徴とするものである。 According to a third aspect of the present invention, in the first or second aspect, the first lead frame and the second lead frame are provided in parallel, and the first sealing resin is And a resin bottom surface from which the first lead frame and the second lead frame are led out, a distance from the resin bottom surface to a connection portion between the optical semiconductor element and the bonding wire, and from the resin bottom surface. The distance between the bottom surface of the second lead frame recess and the connecting portion between the bonding wires is different from each other.

また、本発明の請求項４に記載された発明は、請求項３において、前記樹脂底面から前記光半導体素子と前記ボンディングワイヤとの接続部までの距離は、前記樹脂底面から前記第二リードフレーム凹部内底面と前記ボンディングワイヤとの接続部までの距離よりも長いことを特徴とするものである。 According to a fourth aspect of the present invention, in the third aspect , the distance from the resin bottom surface to the connecting portion between the optical semiconductor element and the bonding wire is the second lead frame from the resin bottom surface. It is characterized by being longer than the distance between the bottom surface of the recess and the connecting portion between the bonding wires.

また、本発明の請求項５に記載された発明は、請求項１または２において、前記第一のリードフレームと前記第二のリードフレームは、前記第一の封止樹脂の底面から導出されることを特徴とするものである。 According to a fifth aspect of the present invention, in the first or second aspect , the first lead frame and the second lead frame are led out from a bottom surface of the first sealing resin. It is characterized by this.

また、本発明の請求項６に記載された発明は、請求項２において、前記第二リードフレーム凹部は、前記第一のリードフレーム凹部より小さいことを特徴とするものである。 According to a sixth aspect of the present invention, in the second aspect, the second lead frame concave portion is smaller than the first lead frame concave portion.

本発明の光半導体装置は、平行に併設された複数のリードフレームの夫々の一方の端部に開口を有する凹部を形成し、前記凹部のうちの少なくとも１つの凹部の内底面に光半導体素子を載設し、前記光半導体素子の上側電極に一方の端部を接続したボンディングワイヤの他方の端部を前記光半導体素子が載設された凹部を有する前記リードフレームとは分離・独立した前記リードフレームに形成した凹部の内底面に接続し、前記各リードフレームの凹部側端部を透光性樹脂からなる封止樹脂で一体に樹脂封止した。   In the optical semiconductor device of the present invention, a recess having an opening is formed at one end of each of a plurality of lead frames arranged in parallel, and an optical semiconductor element is provided on the inner bottom surface of at least one of the recesses. The lead which is mounted and separated and independent of the lead frame having the concave portion on which the optical semiconductor element is mounted at the other end of the bonding wire having one end connected to the upper electrode of the optical semiconductor element It connected to the inner bottom face of the recessed part formed in the flame | frame, and the recessed part side edge part of each said lead frame was integrally resin-sealed with sealing resin which consists of translucent resin.

その結果、封止樹脂内に配線されたボンディングワイヤの断線を低減した、電気的信頼性の高い光半導体装置を提供することができた。   As a result, it was possible to provide an optical semiconductor device with high electrical reliability in which disconnection of the bonding wire wired in the sealing resin was reduced.

本発明は、封止樹脂内に配線されたボンディングワイヤの断線を低減した、電気的信頼性の高い光半導体装置を提供する目的を、平行に併設された複数のリードフレームの夫々の一方の端部に開口を有する凹部を形成し、前記凹部のうちの少なくとも１つの凹部の内底面に光半導体素子を載設し、前記光半導体素子の上側電極に一方の端部を接続したボンディングワイヤの他方の端部を前記光半導体素子が載設された凹部を有する前記リードフレームとは分離・独立した前記リードフレームに形成した凹部の内底面に接続し、前記各リードフレームの凹部側端部を透光性樹脂からなる封止樹脂で一体に樹脂封止することによって実現した。   An object of the present invention is to provide an optical semiconductor device with high electrical reliability in which disconnection of bonding wires wired in a sealing resin is reduced, and one end of each of a plurality of lead frames provided in parallel. The other of the bonding wires in which a recess having an opening is formed, an optical semiconductor element is mounted on the inner bottom surface of at least one of the recesses, and one end is connected to the upper electrode of the optical semiconductor element Is connected to the inner bottom surface of the recess formed in the lead frame that is separated and independent from the lead frame having the recess on which the optical semiconductor element is mounted, and the recess side end of each lead frame is transparently connected. This was realized by integrally sealing with a sealing resin made of a light resin.

以下、この発明の好適な実施例を図１〜図１２を参照しながら、詳細に説明する（同一部分については同じ符号を付す）。尚、以下に述べる実施例は、本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの実施例に限られるものではない。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 12 (the same parts are given the same reference numerals). In addition, since the Example described below is a suitable specific example of this invention, various technically preferable restrictions are attached | subjected, The range of this invention limits this invention especially in the following description. As long as there is no description of that, it is not restricted to these Examples.

図１は本発明の光半導体装置に係わる実施例１の断面図、図２は図１のＡ部拡大図である。   FIG. 1 is a cross-sectional view of a first embodiment relating to the optical semiconductor device of the present invention, and FIG. 2 is an enlarged view of a portion A in FIG.

平行に併設された一対のリードフレーム１ａ、１ｂの夫々の一方の端部に、逆円錐台形状に凹んだ凹部２ａ、２ｂが形成され、夫々の凹部２ａ、２ｂ同士は大きさが異なるとともに内底面３ａ、３ｂ同士はいずれもリードフレーム１ａ、１ｂの長手方向に垂直で、且つ互いにリードフレーム１ａ、１ｂの長手方向に対して異なる位置に位置している。   Concave portions 2a and 2b, which are recessed in an inverted truncated cone shape, are formed at one end of each of the pair of lead frames 1a and 1b arranged in parallel, and the respective concave portions 2a and 2b are different in size and inside. The bottom surfaces 3a and 3b are both perpendicular to the longitudinal direction of the lead frames 1a and 1b and are located at different positions with respect to the longitudinal direction of the lead frames 1a and 1b.

そして、一方のリードフレーム１ａの端部に形成された、２つの凹部２ａ、２ｂのうちの大きい方の凹部２ａの内底面３ａには、はんだ、導電性接着剤等の導電性接合部材（図示せず）を介して光半導体素子４が載設され、光半導体素子４の下側電極と該光半導体素子が載設された凹部２ａ内底面３ａを有するリードフレーム１ａとが導電性接合部材を介して電気的に導通している。   The inner bottom surface 3a of the larger one of the two recesses 2a and 2b formed at the end of one lead frame 1a has a conductive joining member such as solder or conductive adhesive (see FIG. The optical semiconductor element 4 is placed via a lead frame 1a having a bottom electrode 3a on which the lower electrode of the optical semiconductor element 4 and the concave portion 2a on which the optical semiconductor element is placed serves as a conductive bonding member. Are electrically connected to each other.

また、一方の端部を光半導体素子４の上側電極に１ｓｔボンディングされてボールボンディング部５を形成したボンディングワイヤ６の他方の端部が、前記光半導体素子４が載設されたリードフレーム１ａとは異なる他方のリードフレーム１ｂの端部に形成された、２つの凹部２ａ、２ｂのうちの小さい方の凹部２ｂの内底面３ｂに２ｎｄボンディングされてウェッジボンディング部７を形成し、光半導体素子４の上側電極とボンディングワイヤ６のウェッジボンディング部７が形成された凹部２ｂ内底面３ｂを有するリードフレーム１ｂとがボンディングワイヤ６を介して電気的に導通している。   Also, the other end of the bonding wire 6 in which one end is first bonded to the upper electrode of the optical semiconductor element 4 to form the ball bonding part 5 is the lead frame 1a on which the optical semiconductor element 4 is mounted. Are bonded to the inner bottom surface 3b of the smaller one of the two recesses 2a, 2b formed at the end of the other lead frame 1b, thereby forming a wedge bonding part 7, and the optical semiconductor element 4 The lead frame 1 b having the inner bottom surface 3 b of the recess 2 b in which the wedge bonding portion 7 of the bonding wire 6 is formed is electrically connected to the upper electrode of the bonding wire 6 through the bonding wire 6.

さらに、光半導体素子４、ボンディングワイヤ６およびそれらが夫々載設、配線された近傍のリードフレーム１ａ、１ｂが透光性樹脂からなる封止樹脂８で覆われるように樹脂封止されており、同時に光半導体素子４の光出射方向の光軸上には封止樹脂８による凸形状のレンズ面９が形成されている。   Furthermore, the optical semiconductor element 4, the bonding wire 6 and the lead frames 1a and 1b in the vicinity where they are mounted and wired, respectively, are sealed with a sealing resin 8 made of a translucent resin, At the same time, a convex lens surface 9 made of the sealing resin 8 is formed on the optical axis in the light emitting direction of the optical semiconductor element 4.

なお、光半導体素子４は発光素子または受光素子のいずれかであり、発光素子の場合はＬＥＤ、受光素子の場合はフォトダイオード、フォトトランジスタ等の素子が使用される。   The optical semiconductor element 4 is either a light emitting element or a light receiving element, and an element such as an LED is used for the light emitting element, and a photodiode, a phototransistor or the like is used for the light receiving element.

また、封止樹脂８は上記「背景技術」で述べたように光半導体素子４を水分、塵埃及びガス等の外部環境から保護するとともに、ボンディングワイヤ６を振動及び衝撃等の機械的応力から保護する。また、光半導体素子４が発光素子の場合は該発光素子の光出射面と該発光素子の光出射面を形成する半導体材料に近い屈折率の封止樹脂８とで界面を形成することにより、発光素子からの出射光が封止樹脂８内に効率良く出射される。   The sealing resin 8 protects the optical semiconductor element 4 from the external environment such as moisture, dust and gas as well as the bonding wire 6 from mechanical stresses such as vibration and impact as described in the above “Background Art”. To do. Further, when the optical semiconductor element 4 is a light emitting element, by forming an interface between the light emitting surface of the light emitting element and the sealing resin 8 having a refractive index close to the semiconductor material forming the light emitting surface of the light emitting element, Light emitted from the light emitting element is efficiently emitted into the sealing resin 8.

この場合、光半導体素子４が載設された凹部２ａ内底面３ａとボンディングワイヤ６のウェッジボンディング部７が形成された凹部２ｂ内底面３ｂとの相互位置関係、およびと封止樹脂の底面（封止樹脂外周においてレンズ面と対向する面）１１からウェッジボンディング部７が形成された側のリードフレーム１ｂの凹部２ｂの内底面３ｂに形成された接続部までの距離は夫々以下のような関係にある。   In this case, the mutual positional relationship between the inner bottom surface 3a of the recess 2a where the optical semiconductor element 4 is placed and the inner bottom surface 3b of the recess 2b where the wedge bonding portion 7 of the bonding wire 6 is formed, and the bottom surface of the sealing resin (sealing) The distance from the surface (the surface facing the lens surface on the outer periphery of the stop resin) 11 to the connection portion formed on the inner bottom surface 3b of the concave portion 2b of the lead frame 1b on the side where the wedge bonding portion 7 is formed is as follows. is there.

まず、光半導体素子４が載設された凹部２ａ内底面３ａとボンディングワイヤ６のウェッジボンディング部７が形成された凹部２ｂ内底面３ｂとの相互位置関係は、ウェッジボンディング部７が形成された凹部２ｂ内底面３ｂが光半導体素子４が載設された凹部２ａ内底面３ａに対して光半導体素子４の光出射方向側（レンズ面側）に位置している。   First, the mutual positional relationship between the inner bottom surface 3a of the concave portion 2a on which the optical semiconductor element 4 is placed and the inner bottom surface 3b of the concave portion 2b on which the wedge bonding portion 7 of the bonding wire 6 is formed is the concave portion in which the wedge bonding portion 7 is formed. The inner bottom surface 3b of 2b is located on the light emitting direction side (lens surface side) of the optical semiconductor element 4 with respect to the inner bottom surface 3a of the recess 2a on which the optical semiconductor element 4 is mounted.

また、封止樹脂８の底面（封止樹脂においてレンズ面と対向する面）１１からボンディングワイヤ６のウェッジボンディング部７が形成された側のリードフレーム１ｂの凹部２ｂの内底面３ｂに形成された接続部（ウェッジボンディング部７）までの距離は、封止樹脂の底面１１から光半導体素子４が載設された側のリードフレーム１ａの凹部２ａに載設された光半導体素子４上の接続部（ボールボンディング部５）までの距離よりも長いが、図１３で示す従来例の光半導体装置よりも短い。つまり、ボンディングワイヤ６のウェッジボンディング部７が形成された側のリードフレーム１ｂの樹脂封止されている部分の長さは従来例よりも短くなっている。   Further, it is formed on the inner bottom surface 3b of the recess 2b of the lead frame 1b on the side where the wedge bonding portion 7 of the bonding wire 6 is formed from the bottom surface 11 of the sealing resin 8 (the surface facing the lens surface in the sealing resin). The distance to the connection part (wedge bonding part 7) is the connection part on the optical semiconductor element 4 mounted on the recess 2a of the lead frame 1a on the side where the optical semiconductor element 4 is mounted from the bottom surface 11 of the sealing resin. Although it is longer than the distance to (ball bonding part 5), it is shorter than the conventional optical semiconductor device shown in FIG. That is, the length of the resin-sealed portion of the lead frame 1b on the side where the wedge bonding portion 7 of the bonding wire 6 is formed is shorter than that of the conventional example.

以上説明した構成からなる本実施例は、以下のような効果を有する。まず、ボンディングワイヤ６の２ｎｄボンディングによるウェッジボンディング部７はリードフレーム１ｂの凹部２ｂ内底面３ｂに形成される。このため、ボンディングワイヤ６のウェッジボンディング部を含む近傍が受ける、光半導体装置のプリント基板実装時の熱による樹脂応力、および光半導体装置をプリント基板に実装した後の繰り返される点滅による断続的な温度変化による樹脂応力の変化は、ウェッジボンディング部７を囲む凹部２ａの内周面で囲まれた部分に位置する封止樹脂８に起因するところが大きい。   The present embodiment having the above-described configuration has the following effects. First, the wedge bonding portion 7 by 2nd bonding of the bonding wire 6 is formed on the inner bottom surface 3b of the recess 2b of the lead frame 1b. For this reason, the resin stress due to heat when the optical semiconductor device is mounted on the printed circuit board received by the vicinity including the wedge bonding portion of the bonding wire 6 and intermittent temperature due to repeated flashing after the optical semiconductor device is mounted on the printed circuit board. The change in the resin stress due to the change is largely caused by the sealing resin 8 located in the portion surrounded by the inner peripheral surface of the recess 2a surrounding the wedge bonding portion 7.

従って、従来例のように囲いの無い平坦部に設けられたウェッジボンディング部７に加わる応力および応力変化を生じる封止樹脂の体積に比べて本実施例のように内周面で囲まれた凹部２ｂ内に設けられたウェッジボンディング部７に加わる応力および応力変化を生じる封止樹脂８の体積の方が小さい。そのため、本実施例はウェッジボンディング部が受ける樹脂応力が低減されてボンディングワイヤ６の断線も抑制され、電気的な信頼性が向上する。   Therefore, as compared with the volume of the sealing resin that causes stress and stress change applied to the wedge bonding portion 7 provided in the flat portion having no enclosure as in the conventional example, the concave portion surrounded by the inner peripheral surface as in this embodiment. The stress applied to the wedge bonding part 7 provided in 2b and the volume of the sealing resin 8 that causes the stress change are smaller. Therefore, in this embodiment, the resin stress received by the wedge bonding portion is reduced, the disconnection of the bonding wire 6 is also suppressed, and the electrical reliability is improved.

また、従来例に対して封止樹脂８の底面（封止樹脂においてレンズ面と対向する面）１１からウェッジボンディング部７までの距離を短くすることによって、ウェッジボンディング部７を含むリードフレーム１ｂの樹脂封止されている部分の長さを短くし、ウェッジボンディング部が受ける樹脂応力の低減を図っている。   Further, by reducing the distance from the bottom surface 11 of the sealing resin 8 (the surface facing the lens surface in the sealing resin) 11 to the wedge bonding portion 7 as compared with the conventional example, the lead frame 1b including the wedge bonding portion 7 is reduced. The length of the resin-sealed portion is shortened to reduce the resin stress received by the wedge bonding portion.

さらに、光半導体素子が載置される側のリードフレーム１ａと同様にボンディングワイヤ６のウェッジボンディング部７が形成される側のリードフレーム１ｂにも逆円錐台形状に凹んだ凹部２ｂが形成されている。よって、ウェッジボンディング部７が形成される側のリードフレーム１ｂの熱容量、リードフレーム１ａ、１ｂの長手方向の封止樹脂８に対する保持力、およびリードフレーム１ｂと該リードフレーム１ｂを封止する封止樹脂８との接触面積の夫々を、光半導体素子４が載置された側のリードフレーム１ａの値に近づけることにより、リードフレーム１ｂの変位量を低減して信頼性を向上させている。   Further, similarly to the lead frame 1a on the side where the optical semiconductor element is placed, the lead frame 1b on the side where the wedge bonding part 7 of the bonding wire 6 is formed also has a recess 2b recessed in an inverted truncated cone shape. Yes. Therefore, the heat capacity of the lead frame 1b on the side where the wedge bonding portion 7 is formed, the holding force of the lead frames 1a and 1b with respect to the sealing resin 8 in the longitudinal direction, and the sealing for sealing the lead frame 1b and the lead frame 1b Each of the contact areas with the resin 8 is brought close to the value of the lead frame 1a on the side where the optical semiconductor element 4 is placed, thereby reducing the amount of displacement of the lead frame 1b and improving the reliability.

図３は本発明の光半導体装置に係わる実施例２の断面図、図４は図３のＡ部拡大図である。   FIG. 3 is a cross-sectional view of a second embodiment relating to the optical semiconductor device of the present invention, and FIG. 4 is an enlarged view of part A of FIG.

本実施例は、光半導体素子４上の接続部（ボールボンディング部５）とボンディングワイヤ６の接続部（ウェッジボンディング部７）が形成された側に設けられた凹部２ｂ内底面３ｂとの相互位置関係が異なる以外は上記実施例１と同様である。   In this embodiment, the mutual position between the connecting portion (ball bonding portion 5) on the optical semiconductor element 4 and the inner bottom surface 3b of the recess 2b provided on the side where the connecting portion (wedge bonding portion 7) of the bonding wire 6 is formed. It is the same as that of the said Example 1 except the relationship being different.

この場合、夫々の凹部２ａ、２ｂの内底面３ａ、３ｂ同士はいずれもリードフレーム１ａ、１ｂの長手方向に垂直で、且つ光半導体素子４が載設された凹部２ａ内底面３ａがボンディングワイヤ６のウェッジボンディング部７が形成された凹部２ｂ内底面３ｂに対して光半導体素子４の光出射方向側（レンズ面側）に位置している。これは、ウェッジボンディング部７が形成された凹部２ｂが光半導体素子４が載設された凹部２ａよりも小さいために可能な構成である。   In this case, the inner bottom surfaces 3a and 3b of the recesses 2a and 2b are both perpendicular to the longitudinal direction of the lead frames 1a and 1b, and the inner bottom surface 3a of the recess 2a on which the optical semiconductor element 4 is mounted is the bonding wire 6. The wedge bonding portion 7 is positioned on the light emitting direction side (lens surface side) of the optical semiconductor element 4 with respect to the inner bottom surface 3b of the recess 2b. This is possible because the recess 2b in which the wedge bonding part 7 is formed is smaller than the recess 2a in which the optical semiconductor element 4 is mounted.

つまり、本実施例は封止樹脂８の底面１１からボンディングワイヤ６のウェッジボンディング部７が形成された側のリードフレーム１ｂの凹部２ｂの内底面３ｂに形成された接続部（ウェッジボンディング部７）までの距離が、封止樹脂の底面１１から光半導体素子４上の接続部（ボールボンディング部５）までの距離よりも短く、且つ上記実施例１よりも短くなっており、これは封止樹脂内に位置するリードフレーム１ｂの長さが短くなったことを意味し、よって、封止樹脂内のリードフレーム１ｂが受ける樹脂応力が低減して変位量が抑制される。   In other words, in this embodiment, the connection portion (wedge bonding portion 7) formed on the inner bottom surface 3b of the recess 2b of the lead frame 1b on the side where the wedge bonding portion 7 of the bonding wire 6 is formed from the bottom surface 11 of the sealing resin 8 is used. Is shorter than the distance from the bottom surface 11 of the sealing resin to the connection portion (ball bonding portion 5) on the optical semiconductor element 4, and is shorter than that of the first embodiment. This means that the length of the lead frame 1b positioned inside is shortened, and thus the resin stress received by the lead frame 1b in the sealing resin is reduced, and the amount of displacement is suppressed.

その結果、本実施例の効果は実施例１と同様の効果を有するとともに、実施例１以上にボンディングワイヤ６の断線が抑制されて、電気的な信頼性がさらに向上する。なお、その他の構成は実施例１と同様であるので説明は省略する。   As a result, the effect of the present embodiment is the same as that of the first embodiment, and the disconnection of the bonding wire 6 is suppressed more than the first embodiment, and the electrical reliability is further improved. Since other configurations are the same as those of the first embodiment, description thereof is omitted.

図５は本発明の光半導体装置に係わる実施例３の断面図である。   FIG. 5 is a cross-sectional view of Embodiment 3 relating to the optical semiconductor device of the present invention.

本実施例は、上記実施例１に対してボンディングワイヤ６のウェッジボンディング部７が形成された側のリ−ドフレーム１ｂの凹部内にシリコーン樹脂等の軟質樹脂１２を充填し、さらにそれを封止樹脂８で樹脂封止したものである。軟質樹脂１２として、硬度 Ｄ ２０〜３０（ＪＩＳ Ｋ ６２５３ タイプＤ デュロメータ）が好ましい。本実施例においては、ボンディングワイヤ６として直径２５μｍからなる金線、軟質樹脂１２として硬度 Ｄ ２８のシリコーン樹脂、封止樹脂８としてＤ ８７〜９２のエポキシ樹脂を用い、良好に断線を防ぐことができたことが確認できたが、必ずしもこれらの硬度に限られるものではない。   In this embodiment, a soft resin 12 such as a silicone resin is filled in the concave portion of the lead frame 1b on the side where the wedge bonding portion 7 of the bonding wire 6 is formed with respect to the first embodiment, and further sealed. The resin is sealed with a stop resin 8. The soft resin 12 preferably has a hardness of D 20-30 (JIS K 6253 type D durometer). In this embodiment, a gold wire having a diameter of 25 μm is used as the bonding wire 6, a silicone resin having a hardness of D 28 is used as the soft resin 12, and an epoxy resin having a D 87 to 92 is used as the sealing resin 8, thereby preventing disconnection well. Although it was confirmed that it was possible, it is not necessarily limited to these hardnesses.

本実施例は上記実施例１と同様の効果を発揮するとともに、ボンディングワイヤ６のウェッジボンディング部７が軟質樹脂１２で覆われることによって、光半導体装置のプリント基板実装時の熱による樹脂応力、および光半導体装置をプリント基板に実装した後の繰り返される点滅による断続的な温度変化から生じる樹脂応力によるウェッジボンディング部７への負担が低減され、実施例１以上にボンディングワイヤ６の断線が抑制されて、電気的な信頼性がさらに向上する。また、軟質樹脂１２を用いることにより、軟質樹脂が接続部近傍のボンディングワイヤの変位に追従し、ボンディングワイヤにかかる応力を低減するため、ボンディングワイヤの断線が抑制される。   The present embodiment exhibits the same effect as the first embodiment, and the wedge bonding portion 7 of the bonding wire 6 is covered with the soft resin 12, so that the resin stress due to heat at the time of mounting the printed circuit board of the optical semiconductor device, and The burden on the wedge bonding part 7 due to the resin stress caused by intermittent temperature changes due to repeated flashing after mounting the optical semiconductor device on the printed circuit board is reduced, and disconnection of the bonding wire 6 is suppressed more than in the first embodiment. Electrical reliability is further improved. Further, by using the soft resin 12, the soft resin follows the displacement of the bonding wire in the vicinity of the connecting portion and reduces the stress applied to the bonding wire, so that the disconnection of the bonding wire is suppressed.

図６は本発明の光半導体装置に係わる実施例４の断面図である。   FIG. 6 is a cross-sectional view of Embodiment 4 relating to the optical semiconductor device of the present invention.

本実施例は、上記実施例２に対してボンディングワイヤ６のウェッジボンディングが形成されたリ−ドフレーム１ｂの凹部内にシリコーン樹脂等の軟質樹脂１２を充填し、さらにそれを封止樹脂８で樹脂封止したものである。軟質樹脂１２は、硬度 Ｄ ２０〜３０のシリコーン樹脂、封止樹脂８としてＤ ８７〜９２のエポキシ樹脂が好ましく用いられるが、必ずしもこれらの硬度に限られるものではない。   In the present embodiment, a soft resin 12 such as a silicone resin is filled in the concave portion of the lead frame 1b in which the wedge bonding of the bonding wire 6 is formed in the second embodiment, and the sealing resin 8 It is resin-sealed. The soft resin 12 is preferably a silicone resin having a hardness of D 20 to 30 and an epoxy resin of D 87 to 92 as the sealing resin 8, but is not necessarily limited to these hardnesses.

本実施例は上記実施例２と同様の効果を発揮するとともに、ボンディングワイヤ６のウェッジボンディング部７が軟質樹脂１２で覆われることによって、光半導体装置のプリント基板実装時の熱による樹脂応力、および光半導体装置をプリント基板に実装した後の繰り返される点滅による断続的な温度変化から生じる樹脂応力によるウェッジボンディング部７への負担が低減され、実施例１以上にボンディングワイヤ６の断線が抑制されて、電気的な信頼性がさらに向上する。   The present embodiment exhibits the same effect as the second embodiment, and the wedge bonding portion 7 of the bonding wire 6 is covered with the soft resin 12, so that the resin stress due to heat when the optical semiconductor device is mounted on the printed board, and The burden on the wedge bonding part 7 due to the resin stress caused by intermittent temperature changes due to repeated flashing after mounting the optical semiconductor device on the printed circuit board is reduced, and disconnection of the bonding wire 6 is suppressed more than in the first embodiment. Electrical reliability is further improved.

図７は本発明の光半導体装置に係わる実施例５の断面図である。   FIG. 7 is a cross-sectional view of Embodiment 5 relating to the optical semiconductor device of the present invention.

本実施例は、実施例３に対して光半導体素子４を載置した凹部内にもシリコーン樹脂等の軟質樹脂１２を充填し、さらにそれを封止樹脂８で樹脂封止したものである。軟質樹脂１２はボンディングワイヤ６のウェッジボンディング部７が形成された凹部内に充填された軟質樹脂１２と同様の材料を使用した。軟質樹脂１２は、硬度 Ｄ ２０〜３０のシリコーン樹脂、封止樹脂８としてＤ ８７〜９２のエポキシ樹脂が好ましく用いられるが、必ずしもこれらの硬度に限られるものではない。   In the present embodiment, a soft resin 12 such as a silicone resin is filled in the concave portion in which the optical semiconductor element 4 is placed as compared with the third embodiment and is further sealed with a sealing resin 8. The soft resin 12 was made of the same material as the soft resin 12 filled in the recess in which the wedge bonding portion 7 of the bonding wire 6 was formed. The soft resin 12 is preferably a silicone resin having a hardness of D 20 to 30 and an epoxy resin of D 87 to 92 as the sealing resin 8, but is not necessarily limited to these hardnesses.

この結果、光半導体素子４の上側電極に１ｓｔボンディングによって形成されたボールボンディング部５が軟質樹脂１２で覆われることによって、光半導体装置のプリント基板実装時の熱による樹脂応力、および光半導体装置をプリント基板に実装した後の繰り返される点滅による断続的な温度変化から生じる樹脂応力によるボールボンディング部５への負担が低減され、実施例３以上にボンディングワイヤ６の断線が抑制されて、電気的な信頼性が向上する。
図８は本発明の光半導体装置に係わる実施例６の断面図である。 As a result, the ball bonding portion 5 formed by 1st bonding on the upper electrode of the optical semiconductor element 4 is covered with the soft resin 12, so that the resin stress due to heat when the optical semiconductor device is mounted on the printed circuit board and the optical semiconductor device are reduced. The burden on the ball bonding part 5 due to the resin stress resulting from the intermittent temperature change due to repeated blinking after mounting on the printed circuit board is reduced, and the disconnection of the bonding wire 6 is suppressed more than in the third embodiment. Reliability is improved.
FIG. 8 is a cross-sectional view of Embodiment 6 relating to the optical semiconductor device of the present invention.

本実施例は、実施例４に対して光半導体素子４を載置した凹部内にもシリコーン樹脂等の軟質樹脂１２を充填し、さらにそれを封止樹脂８で樹脂封止したものである。軟質樹脂１２はボンディングワイヤ６のウェッジボンディング部７が形成された凹部内に充填された軟質樹脂１２と同様の材料を使用した。軟質樹脂１２は、硬度 Ｄ ２０〜３０のシリコーン樹脂、封止樹脂８としてＤ ８７〜９２のエポキシ樹脂が好ましく用いられるが、必ずしもこれらの硬度に限られるものではない。   In the present embodiment, a soft resin 12 such as a silicone resin is filled in a recess where the optical semiconductor element 4 is placed, and the resin is sealed with a sealing resin 8. The soft resin 12 was made of the same material as the soft resin 12 filled in the recess in which the wedge bonding portion 7 of the bonding wire 6 was formed. The soft resin 12 is preferably a silicone resin having a hardness of D 20 to 30 and an epoxy resin of D 87 to 92 as the sealing resin 8, but is not necessarily limited to these hardnesses.

この結果、光半導体素子４の上側電極に１ｓｔボンディングによって形成されたボールボンディング部５が軟質樹脂１２で覆われることによって、光半導体装置のプリント基板実装時の熱による樹脂応力、および光半導体装置をプリント基板に実装した後の繰り返される点滅による断続的な温度変化から生じる樹脂応力によるボールボンディング部５への負担が低減され、実施例４以上にボンディングワイヤ６の断線が抑制されて、電気的な信頼性が向上する。   As a result, the ball bonding portion 5 formed by 1st bonding on the upper electrode of the optical semiconductor element 4 is covered with the soft resin 12, so that the resin stress due to heat when the optical semiconductor device is mounted on the printed circuit board and the optical semiconductor device are reduced. The burden on the ball bonding portion 5 due to resin stress caused by intermittent temperature changes due to repeated blinking after mounting on the printed circuit board is reduced, and disconnection of the bonding wire 6 is suppressed more than in the fourth embodiment. Reliability is improved.

以上は、本発明の光半導体装置において、一対のリードフレーム１ａ、１ｂの夫々の一方の端部に形成された２つの凹部２ａ、２ｂのうちの大きい方の凹部２ａの内底面３ａに載設された光半導体素子４の上側電極にボンディングワイヤ６の１ｓｔボンディングによってボールボンディング部５を形成し、２つの凹部２ａ、２ｂのうちの小さい方の凹部２ｂの内底面３ｂにボンディングワイヤ６の２ｎｄボンディングによってウェッジボンディング部７を形成したが、ボンディングワイヤ６のボンディングの順序を逆にすることも可能である。   In the optical semiconductor device of the present invention, the above is mounted on the inner bottom surface 3a of the larger recess 2a of the two recesses 2a, 2b formed at one end of each of the pair of lead frames 1a, 1b. The ball bonding portion 5 is formed on the upper electrode of the optical semiconductor element 4 by the first bonding of the bonding wire 6, and the 2nd bonding of the bonding wire 6 to the inner bottom surface 3 b of the smaller one of the two recesses 2 a and 2 b is performed. The wedge bonding portion 7 is formed by the above, but the bonding order of the bonding wires 6 can be reversed.

具体的には、図９および図１０に示すように、一対のリードフレーム１ａ、１ｂの夫々の一方の端部に形成された２つの凹部２ａ、２ｂのうちの小さい方の凹部２ｂの内底面３ｂにボンディングワイヤ６の１ｓｔボンディングによってボールボンディング部５を形成し、２つの凹部２ａ、２ｂのうちの大きい方の凹部２ａの内底面３ａに載設された光半導体素子４の上側電極にボンディングワイヤ６の２ｎｄボンディングによってウェッジボンディング部７を形成するものである。   Specifically, as shown in FIGS. 9 and 10, the inner bottom surface of the smaller one of the two recesses 2a and 2b formed at one end of each of the pair of lead frames 1a and 1b. The ball bonding portion 5 is formed on the surface 3b by the first bonding of the bonding wire 6, and the bonding wire is applied to the upper electrode of the optical semiconductor element 4 mounted on the inner bottom surface 3a of the larger concave portion 2a of the two concave portions 2a and 2b. 6, the wedge bonding portion 7 is formed by 2nd bonding.

そして、このようにボンディングワイヤ６が配線されたリードフレーム１ａ、１ｂを使用して、上記実施例１〜６の夫々と同様の構成とした光半導体装置を実現することが可能である。つまり、ボンディングワイヤ６のボールボンディング部５が形成された小さい方の凹部２ｂおよび光半導体素子４が載設されて該光半導体素子４の上側電極にボンディングワイヤ６のウェッジボンディング部７が形成された大きい方の凹部２ａの両方の凹部２ａ、２ｂを共に封止樹脂８で満たす構成、あるいはボンディングワイヤ６のボールボンディング部５が形成された小さい方の凹部２ｂおよび光半導体素子４が載設されて該光半導体素子４の上側電極にボンディングワイヤ６のウェッジボンディング部７が形成された大きい方の凹部２ａのうちのいずれか一方を軟質樹脂１２で満たし、他方を封止樹脂８で満たす構成、あるいはボンディングワイヤ６のボールボンディング部５が形成された小さい方の凹部２ｂおよび光半導体素子４が載設されて該光半導体素子４の上側電極にボンディングワイヤ６のウェッジボンディング部７が形成された大きい方の凹部２ａの両方の凹部２ａ、２ｂを共に軟質樹脂１２で満たす構成、が可能である。   Using the lead frames 1a and 1b on which the bonding wires 6 are wired in this way, it is possible to realize an optical semiconductor device having the same configuration as each of the first to sixth embodiments. That is, the smaller concave portion 2b in which the ball bonding portion 5 of the bonding wire 6 is formed and the optical semiconductor element 4 are mounted, and the wedge bonding portion 7 of the bonding wire 6 is formed on the upper electrode of the optical semiconductor element 4. A structure in which both the concave portions 2a and 2b of the larger concave portion 2a are filled with the sealing resin 8, or the smaller concave portion 2b in which the ball bonding portion 5 of the bonding wire 6 is formed and the optical semiconductor element 4 are mounted. A structure in which one of the larger recesses 2a in which the wedge bonding portion 7 of the bonding wire 6 is formed on the upper electrode of the optical semiconductor element 4 is filled with the soft resin 12, and the other is filled with the sealing resin 8, or The smaller concave portion 2b in which the ball bonding portion 5 of the bonding wire 6 is formed and the optical semiconductor element 4 are Configuration to meet set has been both recesses 2a of the larger recess 2a of the wedge bonding portion 7 is formed of the bonding wire 6 to the upper electrode of the optical semiconductor element 4, 2b together with the soft resin 12, are possible.

この場合、上記実施例１〜６に対して一対のリードフレーム１ａ、１ｂのうちの光半導体素子４が載設されていない側のリードフレーム１ｂとボンディングワイヤ６との接続部にボンディングワイヤ６の直径の約３倍のボールボンディング部５が形成される。そのため、ボールボンディング部５との接合強度が向上するために、このボールボンディング部５近傍のボンディングワイヤ６の断線による接続不良が低減される。   In this case, the bonding wire 6 is connected to the bonding portion between the lead frame 1b and the bonding wire 6 on the side where the optical semiconductor element 4 of the pair of lead frames 1a and 1b is not mounted. A ball bonding portion 5 having a diameter approximately three times as large is formed. Therefore, since the bonding strength with the ball bonding portion 5 is improved, connection failure due to the disconnection of the bonding wire 6 in the vicinity of the ball bonding portion 5 is reduced.

また、一対のリードフレーム１ａ、１ｂの夫々の一方の端部に形成された２つの凹部２ａ、２ｂのうちの大きい方の凹部２ａの内底面３ａに載設された光半導体素子４の上側電極と、２つの凹部２ａ、２ｂのうちの小さい方の凹部２ｂの内底面３ｂのいずれか一方にボンディングワイヤの１ｓｔボンディングによってボールボンディング部５を形成し、他方に２ｎｄボンディングによって形成されたウェッジボンディング部７に再度１ｓｔボンディングによってボールボンディング部５を形成することも可能である。   Further, the upper electrode of the optical semiconductor element 4 mounted on the inner bottom surface 3a of the larger concave portion 2a of the two concave portions 2a and 2b formed at one end of each of the pair of lead frames 1a and 1b. And a ball bonding part 5 formed on the inner bottom surface 3b of the smaller one of the two concave parts 2a and 2b by the first bonding of the bonding wire and the second part by the second bonding. It is also possible to form the ball bonding portion 5 in the first bonding by 7 again.

具体的には、図１１および図１２に示すように、一対のリードフレーム１ａ、１ｂの夫々の一方の端部に形成された２つの凹部２ａ、２ｂのうちの大きい方の凹部２ａの内底面３ａに載設された光半導体素子４の上側電極にボンディングワイヤ６のボールボンディング部５が形成され、同時に２つの凹部２ａ、２ｂのうちの小さい方の凹部２ｂの内底面３ｂにもボールボンディング５が形成される。つまり、ボンディングワイヤの両端部がともにボールボンディング部５を形成するものである。   Specifically, as shown in FIGS. 11 and 12, the inner bottom surface of the larger recess 2a of the two recesses 2a and 2b formed at one end of each of the pair of lead frames 1a and 1b. A ball bonding portion 5 of the bonding wire 6 is formed on the upper electrode of the optical semiconductor element 4 mounted on 3a, and at the same time, the ball bonding 5 is also applied to the inner bottom surface 3b of the smaller one of the two recesses 2a and 2b. Is formed. That is, both end portions of the bonding wire form the ball bonding portion 5 together.

そして、このようにボンディングワイヤ６が配線されたリードフレーム１ａ、１ｂを使用して、上記実施例１〜６の夫々と同様の構成とした光半導体装置を実現することが可能である。つまり、ボンディングワイヤ６のボールボンディング部５が形成された小さい方の凹部２ｂおよび光半導体素子４が載設されて該光半導体素子４の上側電極にボンディングワイヤ６のボールボンディング部５が形成された大きい方の凹部２ａの両方の凹部２ａ、２ｂを共に封止樹脂８で満たす構成、あるいはボンディングワイヤ６のボールボンディング部５が形成された小さい方の凹部２ｂおよび光半導体素子４が載設されて該光半導体素子４の上側電極にボンディングワイヤ６のボールボンディング部５が形成された大きい方の凹部２ａのうちのいずれか一方を軟質樹脂１２で満たし、他方を封止樹脂８で満たす構成、あるいはボンディングワイヤ６のボールボンディング部５が形成された小さい方の凹部２ｂおよび光半導体素子４が載設されて該光半導体素子４の上側電極にボンディングワイヤ６のボールボンディング部５が形成された大きい方の凹部２ａの両方の凹部２ａ、２ｂを共に軟質樹脂１２で満たす構成、が可能である。   Using the lead frames 1a and 1b on which the bonding wires 6 are wired in this way, it is possible to realize an optical semiconductor device having the same configuration as each of the first to sixth embodiments. That is, the smaller concave portion 2b in which the ball bonding portion 5 of the bonding wire 6 is formed and the optical semiconductor element 4 are mounted, and the ball bonding portion 5 of the bonding wire 6 is formed on the upper electrode of the optical semiconductor element 4. A structure in which both the concave portions 2a and 2b of the larger concave portion 2a are filled with the sealing resin 8, or the smaller concave portion 2b in which the ball bonding portion 5 of the bonding wire 6 is formed and the optical semiconductor element 4 are mounted. A structure in which one of the larger recesses 2a in which the ball bonding portion 5 of the bonding wire 6 is formed on the upper electrode of the optical semiconductor element 4 is filled with the soft resin 12, and the other is filled with the sealing resin 8. The smaller concave portion 2b in which the ball bonding portion 5 of the bonding wire 6 is formed and the optical semiconductor element 4 are mounted. Is to fill in both soft resin 12 both recesses 2a of the recess 2a towards the ball great bonding part 5 is formed of a bonding wire 6 to the upper electrode, 2b of the optical semiconductor element 4 configuration are possible.

この場合、上記実施例１〜６に対して一対のリードフレーム１ａ、１ｂのうちの光半導体素子４が載設されていない側のリードフレーム１ｂとボンディングワイヤ６のボールボンディング部５との接合強度が向上するために、このボールボンディング部５近傍のボンディングワイヤ６の断線による接続不良が低減される。   In this case, the bonding strength between the lead frame 1b of the pair of lead frames 1a and 1b on which the optical semiconductor element 4 is not mounted and the ball bonding portion 5 of the bonding wire 6 with respect to the first to sixth embodiments. Therefore, connection failure due to disconnection of the bonding wire 6 in the vicinity of the ball bonding portion 5 is reduced.

この場合、ボンディングワイヤ６の両端部の夫々をボールボンディング部５とすることによってボンディングワイヤ６の両端の接合強度高めることは、製造上の工数が増加するために生産効率は良くないが、種々の応力に対してボンディングワイヤ６の断線を阻止して電気的信頼性を確保するためには極めて有効な手法である。   In this case, increasing the bonding strength at both ends of the bonding wire 6 by making each of the both ends of the bonding wire 6 into the ball bonding portion 5 increases the number of manufacturing steps, but the production efficiency is not good. This is an extremely effective technique for preventing electrical disconnection of the bonding wire 6 against stress and ensuring electrical reliability.

以上の実施例においては、光半導体素子４の一対の電極が上下に配置されているが、本発明はこの構成に限られるものではなく、一対の電極が上側に形成され、両電極が２本のボンディングワイヤと夫々接続される光半導体素子４を用いることもできる。この場合は、光半導体素子４は第一のリードフレーム上に載設され、一方のボンディングワイヤは第二のリードフレームの凹部の内底面に接続され、他方のボンディングワイヤは第一のリードフレームの凹部の縁、あるいは、第三のリードフレームの凹部に接続される。   In the above embodiment, the pair of electrodes of the optical semiconductor element 4 are arranged one above the other. However, the present invention is not limited to this configuration, the pair of electrodes are formed on the upper side, and two electrodes are provided. It is also possible to use an optical semiconductor element 4 connected to each of the bonding wires. In this case, the optical semiconductor element 4 is mounted on the first lead frame, one bonding wire is connected to the inner bottom surface of the recess of the second lead frame, and the other bonding wire is connected to the first lead frame. It is connected to the edge of the recess or the recess of the third lead frame.

また、以上の実施例における光半導体装置は、第一のリードフレームと第二のリードフレームが平行に併設され、いずれのリードフレームも封止樹脂の同一面から導出されているが、本発明はこの構成に限られるものではなく、図２１のように、第一のリードフレーム１ａと第二のリードフレーム１ｂが封止樹脂８の対向する面から夫々導出される構成として応用可能である。   In the optical semiconductor device in the above embodiment, the first lead frame and the second lead frame are provided in parallel, and both lead frames are led out from the same surface of the sealing resin. The present invention is not limited to this configuration, and can be applied as a configuration in which the first lead frame 1a and the second lead frame 1b are led out from the opposing surfaces of the sealing resin 8 as shown in FIG.

本発明の光半導体装置に係わる実施例１を示す断面図である。It is sectional drawing which shows Example 1 regarding the optical semiconductor device of this invention. 図１のＡ部拡大図である。It is the A section enlarged view of FIG. 本発明の光半導体装置に係わる実施例２を示す断面図である。It is sectional drawing which shows Example 2 regarding the optical semiconductor device of this invention. 図３のＡ部拡大図である。It is the A section enlarged view of FIG. 本発明の光半導体装置に係わる実施例３を示す断面図である。It is sectional drawing which shows Example 3 regarding the optical semiconductor device of this invention. 本発明の光半導体装置に係わる実施例４を示す断面図である。It is sectional drawing which shows Example 4 regarding the optical semiconductor device of this invention. 本発明の光半導体装置に係わる実施例５を示す断面図である。It is sectional drawing which shows Example 5 regarding the optical semiconductor device of this invention. 本発明の光半導体装置に係わる実施例６を示す断面図である。It is sectional drawing which shows Example 6 concerning the optical semiconductor device of this invention. 本発明の光半導体装置に係わる他の実施例を構成するボンディングワイヤの配線構造を示す部分断面図である。It is a fragmentary sectional view which shows the wiring structure of the bonding wire which comprises the other Example concerning the optical semiconductor device of this invention. 本発明の光半導体装置に係わる他の実施例を構成するボンディングワイヤの配線構造を示す部分断面図である。It is a fragmentary sectional view which shows the wiring structure of the bonding wire which comprises the other Example concerning the optical semiconductor device of this invention. 本発明の光半導体装置に係わる他の実施例を構成するボンディングワイヤの配線構造を示す部分断面図である。It is a fragmentary sectional view which shows the wiring structure of the bonding wire which comprises the other Example concerning the optical semiconductor device of this invention. 本発明の光半導体装置に係わる他の実施例を構成するボンディングワイヤの配線構造を示す部分断面図である。It is a fragmentary sectional view which shows the wiring structure of the bonding wire which comprises the other Example concerning the optical semiconductor device of this invention. 従来の光半導体装置の断面図である。It is sectional drawing of the conventional optical semiconductor device. 従来の光半導体装置をプリント基板に仮固定した状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state which temporarily fixed the conventional optical semiconductor device to the printed circuit board. 従来の光半導体装置に加わる残留応力を示す部分断面図である。It is a fragmentary sectional view which shows the residual stress added to the conventional optical semiconductor device. 従来の光半導体装置に加わる残留応力による変位を示す部分断面図である。It is a fragmentary sectional view which shows the displacement by the residual stress added to the conventional optical semiconductor device. 従来の光半導体装置に加わる引っ張り応力を示す部分断面図である。It is a fragmentary sectional view which shows the tensile stress added to the conventional optical semiconductor device. 従来の光半導体装置に加わる引っ張り応力による変位を示す部分断面図である。It is a fragmentary sectional view which shows the displacement by the tensile stress added to the conventional optical semiconductor device. 従来の光半導体装置に加わる樹脂応力を示す部分断面図である。It is a fragmentary sectional view which shows the resin stress added to the conventional optical semiconductor device. 従来の光半導体装置に加わる樹脂応力による変位を示す部分断面図である。It is a fragmentary sectional view which shows the displacement by the resin stress added to the conventional optical semiconductor device. 本発明の光半導体装置に係わる実施例に基づく応用例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the application example based on the Example concerning the optical semiconductor device of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

１ａ、１ｂ リードフレーム
２ａ、２ｂ 凹部
３ａ、３ｂ 内底面
４ 光半導体素子
５ ボールボンディング部
６ ボンディングワイヤ
７ ウェッジボンディング部
８ 封止樹脂
９ レンズ面
１０ａ、１０ｂ 開口端面
１１ 底面
１２ 軟質樹脂 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1a, 1b Lead frame 2a, 2b Recessed part 3a, 3b Inner bottom face 4 Optical semiconductor element 5 Ball bonding part 6 Bonding wire 7 Wedge bonding part 8 Sealing resin 9 Lens surface 10a, 10b Open end face 11 Bottom face 12 Soft resin

Claims (6)

一対の電極を有する光半導体素子と、
前記光半導体素子を載設する第一のリードフレームと、
前記第一のリードフレームと分離して形成された第二のリードフレームと、
前記光半導体素子の一方の電極に、一方の端部を接続されたボンディングワイヤと、
前記光半導体素子、前記ボンディングワイヤ、および、前記第一のリードフレームと前記第二のリードフレームの一部を覆う第一の封止樹脂と、を有する光半導体装置であり、前記ボンディングワイヤの他方の端部が前記第二のリードフレームに形成された第二リードフレーム凹部に接続され、
前記第二リードフレーム凹部は、軟質樹脂からなる第二の封止樹脂が充填され、前記第二リードフレーム凹部の内底面と前記ボンディングワイヤとの接続部が、前記第二の封止樹脂により覆われ、前記第一の封止樹脂は、硬度Ｄ８７〜９２のエポキシ樹脂からなり、前記第二の封止樹脂は、硬度Ｄ２０〜３０のシリコーン樹脂からなることを特徴とする光半導体装置。 An optical semiconductor element having a pair of electrodes;
A first lead frame for mounting the optical semiconductor element;
A second lead frame formed separately from the first lead frame;
A bonding wire having one end connected to one electrode of the optical semiconductor element;
An optical semiconductor device having the optical semiconductor element, the bonding wire, and a first sealing resin that covers the first lead frame and a part of the second lead frame, and the other of the bonding wires Is connected to a second lead frame recess formed in the second lead frame,
The second lead frame recess is filled with a second sealing resin made of a soft resin, and the connection between the inner bottom surface of the second lead frame recess and the bonding wire is covered with the second sealing resin. The first sealing resin is made of an epoxy resin having a hardness of D87 to 92, and the second sealing resin is made of a silicone resin having a hardness of D20 to 30 . 前記光半導体素子は、前記第一のリードフレームに形成された第一リードフレーム凹部に載設され、
前記第一リードフレーム凹部は、前記第二の封止樹脂が充填され、前記光半導体素子と前記ボンディングワイヤとの接続部が前記第二の封止樹脂により覆われていることを特徴とする請求項１に記載の光半導体装置。 The optical semiconductor element is placed in a first lead frame recess formed in the first lead frame,
The first lead frame recess is filled with the second sealing resin, and a connecting portion between the optical semiconductor element and the bonding wire is covered with the second sealing resin. Item 4. The optical semiconductor device according to Item 1. 前記第一のリードフレームと前記第二のリードフレームは、平行に併設され、
前記第一の封止樹脂は、前記第一のリードフレームと前記第二のリードフレームとが導出される樹脂底面を有し、
前記樹脂底面から前記光半導体素子と前記ボンディングワイヤとの接続部までの距離と、前記樹脂底面から前記第二リードフレーム凹部内底面と前記ボンディングワイヤとの接続部までの距離が、互いに異なることを特徴とする請求項１または２に記載の光半導体装置。 The first lead frame and the second lead frame are provided in parallel,
The first sealing resin has a resin bottom surface from which the first lead frame and the second lead frame are led out,
The distance from the resin bottom surface to the connecting portion between the optical semiconductor element and the bonding wire is different from the distance from the resin bottom surface to the connecting portion between the bottom surface of the second lead frame recess and the bonding wire. The optical semiconductor device according to claim 1 or 2, characterized in that: 前記樹脂底面から前記光半導体素子と前記ボンディングワイヤとの接続部までの距離は、前記樹脂底面から前記第二リードフレーム凹部内底面と前記ボンディングワイヤとの接続部までの距離よりも長いことを特徴とする請求項３に記載の光半導体装置。   The distance from the resin bottom surface to the connection portion between the optical semiconductor element and the bonding wire is longer than the distance from the resin bottom surface to the connection portion between the bottom surface of the second lead frame recess and the bonding wire. The optical semiconductor device according to claim 3. 前記第一のリードフレームと前記第二のリードフレームは、前記第一の封止樹脂の底面から導出されることを特徴とする請求項１または２に記載の光半導体装置。   The optical semiconductor device according to claim 1, wherein the first lead frame and the second lead frame are led out from a bottom surface of the first sealing resin. 前記第二リードフレーム凹部は、前記第一のリードフレーム凹部より小さいことを特徴とする請求項２に記載の光半導体装置。   The optical semiconductor device according to claim 2, wherein the second lead frame recess is smaller than the first lead frame recess.
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JP2009206222A (en) * 2008-02-27 2009-09-10 Stanley Electric Co Ltd Semiconductor light emitting device
JP2018060932A (en) * 2016-10-06 2018-04-12 ローム株式会社 LED package

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60133653U (en) * 1984-02-17 1985-09-06 日本電気株式会社 light emitting diode
JPH02125454A (en) * 1988-11-02 1990-05-14 Nec Corp Resin-sealed semiconductor device
JP3235470B2 (en) * 1996-06-18 2001-12-04 日亜化学工業株式会社 Optical semiconductor device and light emitting device using the same
JP2001024237A (en) * 1999-07-05 2001-01-26 Rohm Co Ltd Led and display device using the same
DE10259946A1 (en) * 2002-12-20 2004-07-15 Tews, Walter, Dipl.-Chem. Dr.rer.nat.habil. Phosphors for converting the ultraviolet or blue emission of a light-emitting element into visible white radiation with very high color rendering
JP4691955B2 (en) * 2003-10-28 2011-06-01 日亜化学工業株式会社 Fluorescent substance and light emitting device

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