JP4988369B2 - カーボンナノチューブトランジスタの製造方法 - Google Patents
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- 基板の上にチャンネルとなるカーボンナノチューブが配置された状態とする工程と、
前記基板の上に前記カーボンナノチューブに接続するソース電極及びドレイン電極が形成された状態とする工程と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の前記カーボンナノチューブに電界を印加するゲート電極が形成された状態とする工程と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の前記カーボンナノチューブに50nmの局所的な領域に粒子線を照射することで、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の前記カーボンナノチューブに損傷が与えられた領域が部分的に形成され、前記損傷による欠陥が前記カーボンナノチューブに形成された状態とする工程と
を少なくとも備えることを特徴とするカーボンナノチューブトランジスタの製造方法。 - 請求項1記載のカーボンナノチューブトランジスタの製造方法において、
前記粒子線の照射により、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の前記カーボンナノチューブに単電子島が形成された状態とする
ことを特徴とするカーボンナノチューブトランジスタの製造方法。 - 請求項1又は2記載のカーボンナノチューブトランジスタの製造方法において、
前記粒子線は、紫外線,真空紫外線,エックス線,及び加速電圧が86kV以下の電子線の中より選択されたものである
ことを特徴とするカーボンナノチューブトランジスタの製造方法。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載のカーボンナノチューブトランジスタの製造方法において、
前記粒子線を照射する前の前記カーボンナノチューブは、金属的電気特性を備え、
前記粒子線を照射した後の前記カーボンナノチューブは、半導体的電気特性を備える
ことを特徴とするカーボンナノチューブトランジスタの製造方法。
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