JP4627206B2 - ナノチューブトランジスタの製造方法 - Google Patents
ナノチューブトランジスタの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4627206B2 JP4627206B2 JP2005092444A JP2005092444A JP4627206B2 JP 4627206 B2 JP4627206 B2 JP 4627206B2 JP 2005092444 A JP2005092444 A JP 2005092444A JP 2005092444 A JP2005092444 A JP 2005092444A JP 4627206 B2 JP4627206 B2 JP 4627206B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- carbon nanotube
- nanotube
- carbon nanotubes
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
Claims (6)
- 基板の上に複数の単層カーボンナノチューブが各々独立して配置された状態とする工程と、
各々の前記単層カーボンナノチューブをチャネルとするソース電極、ドレイン電極およびゲート電極を形成する工程と、
前記単層カーボンナノチューブチャネルのうち、金属的電気特性を示すものに選択的に所定の照射線量の電子線を照射し、照射後のチャネル特性を、金属から半導体へと変化させるとともに所望のバンドギャップに制御する工程と
を少なくとも備えることを特徴とするナノチューブトランジスタの製造方法。 - 請求項1記載のナノチューブトランジスタの製造方法において、
電子線が照射された前記単層カーボンナノチューブをチャネルとする前記ナノチューブトランジスタは、両極性伝導形を備えることを特徴とするナノチューブトランジスタの製造方法。 - 基板の上に複数の単層カーボンナノチューブが各々孤立して配置された状態とする工程と、
各々孤立した前記単層カーボンナノチューブをチャネルとするソース電極、ドレイン電極およびゲート電極を形成する工程と、
各々の前記単層カーボンナノチューブチャネルのうち、半導体的電気特性を示すものに選択的に所定の射線量の電子線を照射し、所望のバンドギャップに制御する工程と、
を少なくとも備えることを特徴とするナノチューブトランジスタの製造方法。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載のナノチューブトランジスタの製造方法において、
前記電子線の照射量は、1×10 -2 C/cm 2 以下であることを特徴とするナノチューブトランジスタの製造方法。 - 請求項4記載のナノチューブトランジスタの製造方法において、
前記電子線の照射量は、1×10 -3 C/cm 2 以下であることを特徴とするナノチューブトランジスタの製造方法。 - 請求項4または5記載のナノチューブトランジスタの製造方法において、
走査電子顕微鏡により、電子線の照射箇所を観察しながら電子線照射を行うことを特徴とするナノチューブトランジスタの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005092444A JP4627206B2 (ja) | 2005-03-28 | 2005-03-28 | ナノチューブトランジスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005092444A JP4627206B2 (ja) | 2005-03-28 | 2005-03-28 | ナノチューブトランジスタの製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006278505A JP2006278505A (ja) | 2006-10-12 |
JP2006278505A5 JP2006278505A5 (ja) | 2007-03-15 |
JP4627206B2 true JP4627206B2 (ja) | 2011-02-09 |
Family
ID=37212983
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005092444A Expired - Fee Related JP4627206B2 (ja) | 2005-03-28 | 2005-03-28 | ナノチューブトランジスタの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4627206B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7846786B2 (en) | 2006-12-05 | 2010-12-07 | Korea University Industrial & Academic Collaboration Foundation | Method of fabricating nano-wire array |
KR100877690B1 (ko) | 2006-12-05 | 2009-01-08 | 한국전자통신연구원 | 나노 와이어 배열 소자 제조방법 |
JP4666270B2 (ja) * | 2006-12-18 | 2011-04-06 | 日本電気株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4988369B2 (ja) * | 2007-02-05 | 2012-08-01 | 日本電信電話株式会社 | カーボンナノチューブトランジスタの製造方法 |
US8421129B2 (en) | 2007-04-16 | 2013-04-16 | Nec Corporation | Semiconductor device using carbon nanotubes for a channel layer and method of manufacturing the same |
US9174847B2 (en) | 2008-05-01 | 2015-11-03 | Honda Motor Co., Ltd. | Synthesis of high quality carbon single-walled nanotubes |
CN108020573B (zh) * | 2016-10-31 | 2019-12-17 | 清华大学 | 区分碳纳米管类型的方法 |
CN108017048B (zh) * | 2016-10-31 | 2020-01-07 | 清华大学 | 半导体层的制备方法 |
CN108023016B (zh) * | 2016-10-31 | 2020-07-10 | 清华大学 | 薄膜晶体管的制备方法 |
CN113130620B (zh) * | 2020-01-15 | 2023-07-18 | 清华大学 | 场效应晶体管 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004347532A (ja) * | 2003-05-23 | 2004-12-09 | Japan Science & Technology Agency | バイオセンサー |
JP2005064452A (ja) * | 2003-08-19 | 2005-03-10 | Hitachi Ltd | ナノチューブトランジスタデバイスおよびその製造方法 |
JP2005070038A (ja) * | 2003-08-12 | 2005-03-17 | Matsushita Electric Works Ltd | センサおよびこの製造方法 |
-
2005
- 2005-03-28 JP JP2005092444A patent/JP4627206B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004347532A (ja) * | 2003-05-23 | 2004-12-09 | Japan Science & Technology Agency | バイオセンサー |
JP2005070038A (ja) * | 2003-08-12 | 2005-03-17 | Matsushita Electric Works Ltd | センサおよびこの製造方法 |
JP2005064452A (ja) * | 2003-08-19 | 2005-03-10 | Hitachi Ltd | ナノチューブトランジスタデバイスおよびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006278505A (ja) | 2006-10-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4627206B2 (ja) | ナノチューブトランジスタの製造方法 | |
Chen et al. | Sub-10-nm graphene nanoribbons with atomically smooth edges from squashed carbon nanotubes | |
US7736741B2 (en) | Single-wall carbon nanotube heterojunction | |
McEuen et al. | Single-walled carbon nanotube electronics | |
Avouris et al. | Carbon nanotube electronics | |
Xu et al. | Novel cold cathode materials and applications | |
Hong et al. | Improved density in aligned arrays of single-walled carbon nanotubes by sequential chemical vapor deposition on quartz | |
US6423583B1 (en) | Methodology for electrically induced selective breakdown of nanotubes | |
KR100571803B1 (ko) | 수소로 기능화된 반도체 탄소나노튜브를 포함하는 전자 소자 및 그 제조방법 | |
JP5135825B2 (ja) | グラフェントランジスタ及びその製造方法 | |
WO2009039338A1 (en) | Dense array of field emitters using vertical ballasting structures | |
JP2004532523A (ja) | ヘテロ構造のコンポーネント | |
US20060265789A1 (en) | Nanotube with a T shaped structure and a field effect transistor, and a method of manufacturing the same | |
KR20120126586A (ko) | 탄소나노튜브 양을 조절하는 방법 및 이를 이용한 탄소나노튜브 소자 제조방법 | |
JP2004179564A (ja) | pn接合素子及びその製造方法 | |
Koohsorkhi et al. | Fabrication of self-defined gated field emission devices on silicon substrates using PECVD-grown carbon nano-tubes | |
Zhang et al. | Fabrication of hundreds of field effect transistors on a single carbon nanotube for basic studies and molecular devices | |
JP2007234962A (ja) | 量子ドットデバイスの製造方法及びその方法で作製したデバイスからなる集積回路 | |
Abdi et al. | Carbon nanostructures on silicon substrates suitable for nanolithography | |
JP4768454B2 (ja) | トランジスタの製造方法 | |
Monshipouri et al. | Field emission current from a junction field-effect transistor | |
Kim et al. | In situ measurements and transmission electron microscopy of carbon nanotube field-effect transistors | |
JP2004241572A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP4967160B2 (ja) | カーボンナノチューブの製造方法 | |
Derakhshandeh et al. | Fabrication of 100 nm gate length MOSFET's using a novel carbon nanotube-based nano-lithography |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070126 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070126 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100416 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100506 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100624 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101102 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101104 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131119 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131119 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |