CN108017048B - 半导体层的制备方法 - Google Patents

半导体层的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108017048B
CN108017048B CN201610943257.XA CN201610943257A CN108017048B CN 108017048 B CN108017048 B CN 108017048B CN 201610943257 A CN201610943257 A CN 201610943257A CN 108017048 B CN108017048 B CN 108017048B
Authority
CN
China
Prior art keywords
carbon
carbon nanotubes
carbon nanotube
semiconductor layer
metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201610943257.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN108017048A (zh
Inventor
李东琦
魏洋
姜开利
范守善
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tsinghua University
Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd
Original Assignee
Tsinghua University
Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tsinghua University, Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd filed Critical Tsinghua University
Priority to CN201610943257.XA priority Critical patent/CN108017048B/zh
Priority to TW105138580A priority patent/TWI633641B/zh
Priority to US15/662,252 priority patent/US9985212B2/en
Priority to JP2017208970A priority patent/JP6397980B2/ja
Publication of CN108017048A publication Critical patent/CN108017048A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108017048B publication Critical patent/CN108017048B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656—Special treatments
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15—Nano-sized carbon materials
    • C01B32/158—Carbon nanotubes
    • C01B32/168—After-treatment
    • C01B32/172—Sorting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02425—Conductive materials, e.g. metallic silicides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02527—Carbon, e.g. diamond-like carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/70—Testing, e.g. accelerated lifetime tests
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/20—Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
    • H10K85/221—Carbon nanotubes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2202/00—Structure or properties of carbon nanotubes
    • C01B2202/20—Nanotubes characterized by their properties
    • C01B2202/22—Electronic properties

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

一种半导体层的制备方法，其包括以下步骤：提供一导电基底，该导电基底上设置一层绝缘层；在所述绝缘层上设置一碳纳米管结构；将碳纳米管结构放置在扫描电镜下，调整扫描电镜的加速电压为5～20千伏，驻留时间为6～20微秒，放大倍数为1万～10万倍，采用扫描电镜对所述碳纳米管结构拍摄照片；获得碳纳米管结构的照片，照片中碳纳米管分布在衬底上，比衬底颜色浅的碳纳米管为金属型碳纳米管，比衬底颜色深的碳纳米管为半导体型碳纳米管；按照和照片相同的比例，在实物上相同的位置对金属型的碳纳米管进行标识，并除去金属型碳纳米管。

Description

半导体层的制备方法
技术领域
本发明涉及一种半导体层的制备方法，尤其设置一种基于碳纳米管的半导体层的制备方法。
背景技术
碳纳米管是一种非常具有研究潜能的纳米材料。基于其纳米级的尺寸以及特殊的结构，碳纳米管具有良好的电学性能、光电性能以及半导体型能。现有技术中，采用碳纳米管层作为半导体层使用成为一种热门的研究方向。采用碳纳米管制备半导体层时，通常是先生长碳纳米管阵列，然后，将碳纳米管阵列直接加工成层状的结构，用作半导体层。由于碳纳米管可以分为金属型和半导体型两种类型，在生长碳纳米管阵列时，无法控制长出的碳纳米管的类型，因此，采用这种方法制备的半导体层中，在存在半导体型的碳纳米管时，还存在金属型的碳纳米管。当金属型的碳纳米管用在半导体层时，会对半导体层的性能造成负面影响。
发明内容
有鉴于此，确有必要提供一种可以克服上述缺点的半导体层的制备方法。
一种半导体层的制备方法，其包括以下步骤：提供一导电基底，该导电基底上设置一层绝缘层；在所述绝缘层上设置一碳纳米管结构；将碳纳米管结构放置在扫描电镜下，调整扫描电镜的加速电压为5～20千伏，驻留时间为6～20微秒，放大倍数为1万～10万倍，采用扫描电镜对所述碳纳米管结构拍摄照片；获得碳纳米管结构的照片，照片中碳纳米管分布在衬底上，比衬底颜色浅的碳纳米管为金属型碳纳米管，比衬底颜色深的碳纳米管为半导体型碳纳米管；按照和照片相同的比例，在实物上相同的位置对金属型的碳纳米管进行标识，并除去金属型碳纳米管。
相较于现有技术，本发明所提供的半导体层的制备方法中，包括一除去金属型碳纳米管的步骤，因此，制得的半导体层性能较好；同时，本发明提供的半导体层的制备方法，可以快速准确的标识出金属型的碳纳米管并除去。
附图说明
图1为本发明第一实施例提供的半导体层的制备方法的流程示意图。
图2为本发明第一实施例提供的半导体层的制备方法中，采用扫描电镜拍摄获得的碳纳米管的照片。
图3为图2的示意图。
图4为现有技术中，采用扫描电镜表征碳纳米管获得的照片。
图5为图4的示意图。
主要元件符号说明
无
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
以下将结合附图对本发明的提供的半导体层的制备方法进一步的详细说明。
请参阅图1，本发明第一实施例提供半导体层的制备方法，其包括以下步骤：
S1：提供一导电基底，该导电基底上设置一层绝缘层；
S2：在所述绝缘层上设置一碳纳米管结构；
S3：将碳纳米管结构放置在扫描电镜下，调整扫描电镜的加速电压为5～20千伏，驻留时间为6～20微秒，放大倍数为1万～10万倍，采用扫描电镜对所述碳纳米管结构拍摄照片；以及
S4：获得碳纳米管结构的照片，照片中碳纳米管分布在衬底上，比衬底颜色浅的碳纳米管为金属型碳纳米管，比衬底颜色深的碳纳米管为半导体型碳纳米管；
S5：按照和照片相同的比例，在实物上相同的位置对金属型的碳纳米管进行标识，并除去金属型碳纳米管。
在步骤S1中，所述导电基底的材料不限，只要是导电材料即可，可以为金属、导电有机物或掺杂的导电材料。本实施例中，选用掺杂的硅作为导电基底材料。所述绝缘层的材料为绝缘材料，可以为氧化物或者高分子材料。本实施例中，选用氧化硅材料。所述绝缘层的厚度为50-300纳米。
在步骤S2中，碳纳米管结构包括一根碳纳米管或者多根碳纳米管。碳纳米管可以平行于绝缘层的表面。当碳纳米管结构包括多根碳纳米管时，该多根碳纳米管可以包括金属型碳纳米管和/或半导体型碳纳米管。本实施例中，碳纳米管结构包括多根金属型碳纳米管和半导体型碳纳米管。
在步骤S3中，优选地，加速电压为15-20千伏，驻留时间为10-20微秒。本实施例中，加速电压为10千伏，驻留时间为20微秒，放大倍数为2万倍。
在步骤S4中，获得碳纳米管结构的照片如图2所示，其示意图如图3所示。图2/图3中包括衬底以及形成在衬底上的碳纳米管的影像。从图2/图3可以看出，一部分碳纳米管的颜色比衬底的颜色浅，一部分碳纳米管的颜色比衬底的颜色深。比衬底颜色浅的碳纳米管为金属型碳纳米管；比衬底颜色深的碳纳米管为半导体型碳纳米管。
对比现有技术中采用扫描电镜表征碳纳米管的方法所获得的碳纳米管的照片图4及其示意图图5，和采用本发明实施例碳纳米管的表征方法所获得的碳纳米管照片图2/图3，可以得出以下区别：
第一，采用传统表征方法获得的碳纳米管照片中，碳纳米管的导电性能与照片中的颜色有关，颜色越浅，导电性能越好，但是，碳纳米管的颜色都是比衬底的颜色浅。当照片中同时存在金属型碳纳米管和半导体型碳纳米管时，对于处于中间色的碳纳米管，如灰色的碳纳米管，在判断这些碳纳米管的种类时，常会发生错误。因此，传统的扫描电镜表征碳纳米管的方法在辨识碳纳米管种类时，准确度不够高，常常会出现误判或者难以判断。而采用本发明实施例所获得的碳纳米管照片中，金属型碳纳米管比衬底的颜色浅，半导体型的碳纳米管比衬底的颜色深，因此在判断碳纳米管属于金属型还是半导体型时，便可以一目了然。
第二，采用传统表征方法获得的碳纳米管照片中，由于无论金属型还是半导体型的碳纳米管，在照片中显示的颜色均比衬底颜色浅，当照片中只存在一种类型的碳纳米管时，难以判断照片中的碳纳米管是金属型还是半导体型。而采用本发明所提供的碳纳米管表征方法所获得的碳纳米管照片中，金属型碳纳米管比衬底的颜色浅，半导体型的碳纳米管比衬底的颜色深，即使照片中只存在一种类型的碳纳米管，也可以快速判断其种类。
第三，相对于图2/图3，图4/图5的对比度更高，视觉上更容易观察碳纳米管，而且照片比较美观，而本发明实施例所获得的照片图2中，分辨率相对较低，照片也不够美观，所以现有技术中均是采用低加速电压对碳纳米管进行表征。但是现有技术中碳纳米管的表征方法所获得的照片难以准确地判断碳纳米管的种类。本发明提供的碳纳米管的表征方法，能够快速而准确的判断碳纳米管的种类，克服了技术偏见。
第四，相对于图4/图5，图2/图3中碳纳米管成像的宽度较小，因此，对于密度较高的多个碳纳米管，本发明所提供的碳纳米管的表征方法更加适合。
在步骤S5中，按照照片的比例，在碳纳米管结构实物上相同的位置，标识出金属型的碳纳米管，并除去金属型的碳纳米管。步骤S5的具体步骤可以为：
S51：在照片上建立一坐标系，标识刻度，并读出金属型碳纳米管的具体坐标值；
S52：按照和照片相同的比例，在实体碳纳米管结构上建立坐标系，根据金属型碳纳米管的坐标值标识出金属型的碳纳米管，并将金属型的碳纳米管除去。
本实施例中，用电子束曝光的方法，将该半导体型的碳纳米管进行保护，将金属型的碳纳米管露出，采用等离子体刻蚀的方法将金属型的碳纳米管去除。
本发明所提供的半导体层的制备方法由于采用了上述方法区分碳纳米管膜中的碳纳米管，因此，可以准确快速的判断出碳纳米管的类别，从而除去金属型的碳纳米管，得到仅包括半导体型碳纳米管的半导体层，因此，制备出的半导体层的性能更好。
另外，本领域技术人员还可在本发明精神内做其他变化，当然，这些依据本发明精神所做的变化，都应包含在本发明所要求保护的范围之内。

Claims (10)

1.一种半导体层的制备方法，其包括以下步骤：
提供一导电基底，该导电基底上设置一层绝缘层；
在所述绝缘层上设置一碳纳米管结构；
将碳纳米管结构放置在扫描电镜下，调整扫描电镜的加速电压为5～20千伏，驻留时间为6～20微秒，放大倍数为1万～10万倍，采用扫描电镜对所述碳纳米管结构拍摄照片；
获得碳纳米管结构的照片，照片中碳纳米管分布在衬底上，比衬底颜色浅的碳纳米管为金属型碳纳米管，比衬底颜色深的碳纳米管为半导体型碳纳米管；以及
按照和照片相同的比例，在实物上相同的位置对金属型的碳纳米管进行标识，并除去金属型碳纳米管。
2.如权利要求1所述的半导体层的制备方法，其特征在于，所述导电基底的材料为金属、导电有机物或掺杂的导电材料。
3.如权利要求1所述的半导体层的制备方法，其特征在于，所述绝缘层的材料为氧化物或者高分子材料。
4.如权利要求1所述的半导体层的制备方法，其特征在于，所述绝缘层的厚度为50-300纳米。
5.如权利要求1所述的半导体层的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管结构包括多根碳纳米管，该多根碳纳米管包括金属型碳纳米管和半导体型碳纳米管。
6.如权利要求1所述的半导体层的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管结构包括多根碳纳米管，所述多根碳纳管平行于绝缘层的表面。
7.如权利要求1所述的半导体层的制备方法，其特征在于，所述扫描电镜的加速电压为15-20千伏。
8.如权利要求1所述的半导体层的制备方法，其特征在于，所述驻留时间为10-20微秒。
9.如权利要求1所述的半导体层的制备方法，其特征在于，所述按照和照片相同的比例，在实物上相同的位置对金属型的碳纳米管进行标识的步骤包括：在照片上建立一坐标系，并读出金属型碳纳米管的具体坐标值；按照和照片相同的比例，在实体碳纳米管膜上建立坐标系，根据金属型碳纳米管的坐标值标识出金属型的碳纳米管。
10.如权利要求1所述的半导体层的制备方法，其特征在于，所述除去金属型的碳纳米管的步骤包括：用电子束曝光的方法，将该半导体型的碳纳米管进行保护，将金属型的碳纳米管露出，采用等离子体刻蚀的方法将金属型的碳纳米管去除。
CN201610943257.XA 2016-10-31 2016-10-31 半导体层的制备方法 Active CN108017048B (zh)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610943257.XA CN108017048B (zh) 2016-10-31 2016-10-31 半导体层的制备方法
TW105138580A TWI633641B (zh) 2016-10-31 2016-11-24 半導體層的製備方法
US15/662,252 US9985212B2 (en) 2016-10-31 2017-07-27 Method for making semiconducting layer
JP2017208970A JP6397980B2 (ja) 2016-10-31 2017-10-30 半導体層の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610943257.XA CN108017048B (zh) 2016-10-31 2016-10-31 半导体层的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108017048A CN108017048A (zh) 2018-05-11
CN108017048B true CN108017048B (zh) 2020-01-07

Family

ID=62022610

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610943257.XA Active CN108017048B (zh) 2016-10-31 2016-10-31 半导体层的制备方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9985212B2 (zh)
JP (1) JP6397980B2 (zh)
CN (1) CN108017048B (zh)
TW (1) TWI633641B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108020573B (zh) * 2016-10-31 2019-12-17 清华大学 区分碳纳米管类型的方法
CN113120882B (zh) * 2020-01-15 2022-10-18 清华大学 金属型碳纳米管的获取方法
CN115458380A (zh) * 2021-06-09 2022-12-09 清华大学 扫描电子显微镜样品的处理方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4627206B2 (ja) * 2005-03-28 2011-02-09 日本電信電話株式会社 ナノチューブトランジスタの製造方法
CN101009222A (zh) * 2007-01-26 2007-08-01 北京大学 一种制备碳纳米管电子器件的方法
CN101308889B (zh) * 2007-05-16 2010-08-18 中国科学院半导体研究所 提高半导体型碳纳米管发光效率的方法
KR100930997B1 (ko) * 2008-01-22 2009-12-10 한국화학연구원 탄소나노튜브 트랜지스터 제조 방법 및 그에 의한탄소나노튜브 트랜지스터
CN101997035B (zh) * 2009-08-14 2012-08-29 清华大学 薄膜晶体管
CN102019224B (zh) * 2010-09-29 2013-01-16 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 金属性和半导体性碳纳米管的分离方法
JP5751467B2 (ja) * 2010-10-25 2015-07-22 ニッタ株式会社 Ｆｅ微粒子保持構造、ＣＮＴ生成用触媒およびＣＮＴ製造方法
JP6309221B2 (ja) * 2013-08-12 2018-04-11 株式会社ホロン 超高速レビュー装置および超高速レビュー方法
CN103482607A (zh) * 2013-10-08 2014-01-01 上海理工大学 一种半导体型碳纳米管的富集方法
CN105097428B (zh) * 2014-04-24 2017-12-01 清华大学 碳纳米管复合膜
CN105448674B (zh) * 2014-06-11 2018-12-21 清华大学 N型半导体层以及n型薄膜晶体管的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
US9985212B2 (en) 2018-05-29
CN108017048A (zh) 2018-05-11
US20180123047A1 (en) 2018-05-03
JP6397980B2 (ja) 2018-09-26
TW201818524A (zh) 2018-05-16
TWI633641B (zh) 2018-08-21
JP2018070444A (ja) 2018-05-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108017048B (zh) 半导体层的制备方法
US9960354B1 (en) Method for making thin film transistor
US7491934B2 (en) SEM technique for imaging and measuring electronic transport in nanocomposites based on electric field induced contrast
CN108002364B (zh) 透明导电层的制备方法
CN108020573B (zh) 区分碳纳米管类型的方法
Lan et al. Effect of focused ion beam deposition induced contamination on the transport properties of nano devices
JP2015082501A (ja) 負温度係数作用を有する薄膜およびその製造方法
Clericò et al. Electron beam lithography and its use on 2D materials
Jacob et al. Correlative STEM-HAADF and STEM-EDX tomography for the 3D morphological and chemical analysis of semiconductor devices
Leon et al. Rapid fabrication of bilayer graphene devices using direct laser writing photolithography
Molina et al. Determination of the strain generated in InAs/InP quantum wires: prediction of nucleation sites
CN108020572B (zh) 碳纳米管的表征方法
JP5771256B2 (ja) インプリント用ガラス基板、レジストパターン形成方法、インプリント用ガラス基板の検査方法及び検査装置
Sharma et al. FIB-SEM investigation and auto-metrology of polymer-microlens/CFA arrays of CMOS image sensor
Spallek Electron microscopy studies on structure-property relationships of nanoparticulate transparent electrodes for printed electronics
KR20220054933A (ko) 유연전극용 복합소재 및 이의 제조방법
Henrichsen et al. Submicron organic nanofiber devices with different anode-cathode materials: A simple approach
CN113820578A (zh) 半导体器件的量测方法
Duan et al. Optimization of TEM Sample Preparation to Reduce the Overlapping of TEM Images
Diebold Survey of characterization and metrology for nanoelectronics
Bolten et al. Fabrication of Nanowires
JP2013072642A (ja) パターン寸法計測方法およびパターン寸法計測装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant