JP4982577B2 - プラズマ処理装置および同装置により製造された半導体素子 - Google Patents
プラズマ処理装置および同装置により製造された半導体素子Info
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Description
電源は、互いに同期されており、電力導入線は、マッチングボックスとカソードとの間で、2本に分岐されかつそれらが互いに対称状に延びていることを特徴とするプラズマ処理装置が提供される。
〔実施例〕
ここでは、13.56MHz〜60MHzで10W〜10kWが使用されている。
2 カソード
3 チャンバー
4 アノード
5 ヒータ
6 筐体
7 マッチングボックス
8 プラズマ励起電源(高周波発生器含む)
9 プラズマ励起電源(高周波発生器含まず)
10 電力導入線
11 高周波発生器
12 基板保持部
Claims (7)
- 反応性原料ガスが導入される密封可能な1つのチャンバーと、
前記チャンバー内に配設され、前記原料ガスを介してプラズマ放電させる複数の放電空間を形成するように、放電面を鉛直にして配設された複数のカソード電極および複数のアノード電極と、
前記チャンバー外に配設された高周波発生器と、
前記チャンバー外に配設された、前記高周波発生器にて同期される2つ以上の、高周波発生器を含まないプラズマ放電用の電源と、
前記チャンバー外に配設され、前記各電源ごとに設けられかつ前記カソード電極および前記各電源の間のインピーダンスを整合する複数のマッチングボックスと、
前記各電源から前記マッチングボックスを経て前記各カソード電極まで延びる電力導入線とを備えてなり、
前記電力導入線は、前記マッチングボックスそれぞれと前記カソード電極との間で前記カソード電極の数に対応した数に分岐されかつそれらが互いに対称に延びるとともに、前記チャンバーの上壁側より、前記チャンバー上壁に対向する前記各カソード電極の面に接続され、かつ、前記複数のマッチングボックスそれぞれと前記チャンバーとの間で、該マッチングボックスごとに配設された筐体に収納されていることを特徴とする、プラズマ処理装置。 - 前記複数のカソード電極は、4つの前記カソード電極からなり、前記電力導入線は、2つの前記マッチングボックスと前記カソード電極との間で、2本に分岐されている、請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記電力導入線は、前記マッチングボックスと前記複数のカソード電極との間で2n本に分岐されており(nは1以上の整数)、2n本の前記カソード電極と接続されている、請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記電力導入線は、前記マッチングボックスと前記チャンバーとの間で、分岐箇所ごとに配設された筐体に収納されている、請求項1〜3のいずれか1つに記載のプラズマ処理装置。
- 前記電源は、前記高周波発生器より入力される高周波の周波数が1MHz以上60MHz以下である、請求項1〜4のいずれか1つに記載のプラズマ処理装置。
- 前記電力導入線は、銅、アルミニウム、ニッケル、銀、金から、もしくはこれらの金属を主成分とする合金からなる、請求項1〜5のいずれか1つに記載のプラズマ処理装置。
- 請求項1〜6のいずれか1つに記載のプラズマ処理装置により製造された半導体素子。
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