JP4979487B2 - 角度センサ - Google Patents

Description

本発明は、角度センサに関し、特に、内蔵される磁石の回転角度を検出する角度センサに関する。

従来、回転軸に取り付けた磁石に対してホール素子を中立検出位置に対向配置し、ホール素子からの出力信号に基づいて磁石の回転角度を検出する角度センサが提案されている（例えば、特許文献１参照）。かかる角度センサにおいては、回転軸の中央に直方体形状の磁石を配設する一方、回転軸の外周面近傍にホール素子を配置し、磁石からのホール素子に印加される磁場の強度に応じて磁石の回転角度を算出している。

一方、現在、磁石からの磁場の向きを検出して出力信号を変化させる巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）を利用した磁気センサが提案されている（例えば、特許文献２参照）。このようなＧＭＲ素子を利用した磁気センサにおいては、磁石からの磁場の向きに応じたＧＭＲ素子における電気抵抗値の変化に基づいて出力信号を変化させている。
特開２００３−１５１３９０号公報 特開２００６−２７６９８３号公報

上述したような特許文献１記載の角度センサにおいて、ホール素子の代わりにＧＭＲ素子を配設し、ＧＭＲ素子を利用した角度センサを構成することが考えられる。しかしながら、特許文献１記載の角度センサのように、回転体の外周面に磁場の向きを検出するＧＭＲ素子を配置する場合においては、磁石の回転角度と、ＧＭＲ素子に作用する磁場の角度とが対応せず、適切に磁石の回転角度を検出することができないという問題がある。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、磁石の回転領域の外側に磁気検知素子を配置した場合においても、適切に磁石の回転角度を検出することができる角度センサを提供することを目的とする。

本発明の角度センサは、回転可能に設けられた磁石と、前記磁石が回転することで形成される回転領域の外側に配設され、当該磁石から発生する磁場の向きを検出する磁気検知素子とを備え、前記磁石の回転角度を検出する角度センサであって、前記磁石は、円盤形状のものから、平面視円形状の外周を平行な２辺で均等に切り落とした平面視直線部と円弧部とからなる形状を有し、前記円弧部の中央に前記磁石の外周側に突出する凸部を設けたことを特徴とする。

上記角度センサによれば、円盤形状の磁石を、平面視円形状の外周を平行な２辺で均等に切り落とした平面視直線部と円弧部とからなる形状としたことから、直線部から発生する磁場の向きを調整可能となるので、磁石の回転角度に対する、磁気検知素子に作用する磁場の角度のリニアリティを向上することができる。この結果、磁石の回転領域の外側に磁気検知素子を配置した場合においても、適切に磁石の回転角度を検出することが可能となる。また、円弧部の中央に設けた凸部から発生する磁場の向きを更に調整可能となるので、より磁石の回転角度に対する、磁気検知素子に作用する磁場の角度のリニアリティを向上することができる。この結果、磁石の回転領域の外側に磁気検知素子を配置した場合においても、適切に磁石の回転角度を検出することが可能となる。

さらに、上記角度センサにおいて、磁気検知素子としてＧＭＲ素子を用いることが好ましい。このように磁気検知素子としてＧＭＲ素子を用いることにより検知感度を向上させることができる。

本発明によれば、磁石を、円形状の外周を平行な２辺で均等に切り落とした直線部と円弧部とからなる形状としたことから、直線部から発生する磁場の向きを調整可能となるので、磁石の回転領域の外側に磁気検知素子を配置した場合においても、適切に磁石の回転角度を検出することが可能となる。

以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。本発明に係る角度センサは、回転可能に設けられた磁石と、この磁石の回転領域の外側に配設されるＧＭＲ素子とを備える角度センサにおいて、磁石の形状を変更することで、磁石の回転角度と磁場の回転角度とを対応させ、適切に磁石の回転角度を検出するものである。

（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１に係る角度センサ１００の構成を説明するための模式図である。なお、図１においては、本実施の形態に係る角度センサ１００が有する磁石の回転軸の軸方向から示している。図１に示すように、本実施の形態に係る角度センサ１００は、回転可能に設けられた磁石１０１と、この磁石１０１が回転することで形成される回転領域の外側であって、当該回転領域から一定距離だけ離間した位置に配設されるＧＭＲ素子１０２とを含んで構成される。

磁石１０１は、図１に示すように、外周部分の一部を切り落とした円盤形状を有している。具体的には、円盤形状の外周部分を平行な２辺で均等に切り落とした形状を有しており、平面視にて一対の直線部１０１ａと、一対の円弧部１０１ｂとから構成されている。また、磁石１０１の中央部には、円形状の開口部１０１ｃが形成されている。開口部１０１ｃには、例えば、自動車に搭載されるステアリングセンサなど、回転角度の検出を必要とする装置の一部を構成するシャフトが挿通される。なお、磁石１０１は、図１に示す下方側の部分がＮ極に着磁され、同図に示す上方側の部分がＳ極に着磁されている。また、磁石１０１は、図１に示す時計回り方向に回転するものとする。

ＧＭＲ素子１０２は、磁石１０１が有する円弧部１０１ｂの外周よりも僅かに外側の位置に配設されている。ＧＭＲ素子１０２は、基本的な構成として、交換バイアス層（反強磁性層）、固定層（ピン止め磁性層）、非磁性層及び自由層（フリー磁性層）をウエハー（図示せず）上に積層して形成され、巨大磁気抵抗効果を利用したＧＭＲ(Giant Magnet Resistance)素子の一種である磁気抵抗効果素子として構成されている。

なお、ＧＭＲ素子１０２が巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）を発揮するためには、例えば、交換バイアス層がＩｒＭｎ層、固定層がＮｉＦｅ層、非磁性層がＣｕ層、自由層がＮｉＦｅ層から形成されることが好ましいが、これらのものに限定されるものではなく、磁気抵抗効果を発揮するものであれば、いずれのものであってもよい。また、ＧＭＲ素子１０２は、磁気抵抗効果を発揮するものであれば、上記の積層構造のものに限定されるものではない。

本実施の形態に係る角度センサ１００は、このような構成を有し、磁石１０１による外部磁場、すなわち、磁石１０１から発生する磁場をＧＭＲ素子１０２に作用させる。そして、ＧＭＲ素子１０２の電気抵抗値の変化を、当該磁場の向きにより生じさせ、これを反映したＧＭＲ素子１０２の出力電圧から磁石１０１の回転角度を検出する。

本実施の形態に係る角度センサ１００において、磁石１０１及びＧＭＲ素子１０２は、図１に示す位置を初期状態の位置（以下、適宜「初期位置」という））として設定されている。すなわち、磁石１０１は、図１に示す下方側に配置された円弧部１０１ｂの外側の位置に、ＧＭＲ素子１０２を対向配置した状態を初期位置として設定されている。なお、ＧＭＲ素子１０２は、図１に示す位置に固定されている。磁石１０１が回転することで、この磁石１０１に対するＧＭＲ素子１０２の相対的な位置が変化するようになっている。

磁石１０１が初期位置に配置されている場合において、磁石１０１からは図１に示すような矢印に対応する磁場ＭＦが発生している。磁石１０１からの磁場ＭＦにおいては、図１に示すように、概して、同図に示す下方側の円弧部１０１ｂの右方側部分からの磁場ＭＦは、同図に示す上方側の円弧部１０１ｂの右方側部分に向かい、同図に示す下方側の円弧部１０１ｂの左方側部分からの磁場ＭＦは、同図に示す上方側の円弧部１０１ｂの左方側部分に向かっている。また、図１に示す直線部１０１ａからの磁場ＭＦは、同一の直線部１０１ａに向かっている。

図２は、図１に示す右下方側の部分に発生する磁場ＭＦの拡大図である。なお、図２においては、説明の便宜上、磁石１０１が回転した場合にＧＭＲ素子１０２が配置される位置に相当する位置を示している。具体的には、磁石１０１が４５度回転した場合、並びに、９０度回転した場合におけるＧＭＲ素子１０２の位置を示している。特に、図２においては、磁石１０１が回転していない場合（初期位置の場合）におけるＧＭＲ素子１０２を「ＧＭＲ素子１０２ａ」と示し、磁石１０１が４５度回転した場合におけるＧＭＲ素子１０２を「ＧＭＲ素子１０２ｂ」と示し、磁石１０１が９０度回転した場合におけるＧＭＲ素子１０２を「ＧＭＲ素子１０２ｃ」と示している。

図２に示すように、磁石１０１が初期位置にある場合、同図に示す下方側に向かう磁場ＭＦが発生し、ＧＭＲ素子１０２ａには、磁石１０１の径方向に向かう磁場ＭＦが作用している。そして、磁石１０１が４５度回転した場合、図２に示す右方側に向かう磁場ＭＦが発生し、ＧＭＲ素子１０２ｂには、同図に示す左方側に配置されるＧＭＲ素子１０２ｂの一角からその対角に向かう磁場ＭＦが作用している。さらに、磁石１０１が９０度回転した場合、図２に示す上方側に向かう磁場ＭＦが発生し、ＧＭＲ素子１０２ｃには、ＧＭＲ素子１０２ｃの周方向に向かう磁場ＭＦが作用している。なお、図１に示す右上方側の部分、左上方側の部分及び左下方側の部分についても、ＧＭＲ素子１０２に作用する角度の値は違うが、同様の態様でＧＭＲ素子１０２に磁場ＭＦが作用する。

ここで、磁石１０１が初期位置にある場合のＧＭＲ素子１０２ａに作用する磁場ＭＦを０度とすると、磁石１０１が４５度回転した場合にＧＭＲ素子１０２ｂに作用する磁場ＭＦの角度は、およそ４５度となる。これは、ＧＭＲ素子１０２ｂの位置がＧＭＲ素子１０２ａの位置に重なるように図２を回転させた場合のＧＭＲ素子１０２に作用する磁場ＭＦの角度に相当する。また、磁石１０１が９０度回転した場合にＧＭＲ素子１０２ｃに作用する磁場ＭＦの角度は、およそ９０度となる。これは、ＧＭＲ素子１０２ｃの位置がＧＭＲ素子１０２ａの位置に重なるように図２を回転させた場合のＧＭＲ素子１０２に作用する磁場ＭＦの角度に相当する。

このような要領で磁石１０１の回転角度（以下、適宜「磁石回転角度」という）と、ＧＭＲ素子１０２に作用する磁場ＭＦの角度（以下、適宜「磁場角度」という）との関係を示すと、図３に示すように、磁場角度は、磁石回転角度と略同一の値を示すこととなる。図３は、本実施の形態に係る角度センサ１００における磁石回転角度と磁場角度との関係を示す図である。図３においては、横軸に磁石回転角度を示し、縦軸に磁場角度を示している。また、図３においては、説明の便宜上、理想的な磁石回転角度と磁場角度との関係も示している。図３から分かるように、本実施の形態に係る角度センサ１００においては、理想的な値と大きな角度ずれを発生させることなく、磁石回転角度を検出することが可能である。

このように実施の形態１に係る角度センサ１００においては、ＧＭＲ素子１０２に作用する磁場を発生する磁石１０１の形状を、平面視円形状の外周を平行な２辺で均等に切り落とした平面視直線部１０１ａと円弧部１０１ｂとからなる形状としたことから、上述のように直線部１０１ａから発生する磁場の向きを調整可能となるので、磁石回転角度に対する磁場角度のリニアリティを向上することができる。この結果、磁石１０１の回転領域の外側にＧＭＲ素子１０２を配置した場合においても、適切に磁石１０１の回転角度を検出することが可能となる。

ここで、本実施の形態に係る角度センサ１００で得られる効果を説明するための参照例について説明する。図４〜図６、並びに、図７〜図９は、本実施の形態に係る角度センサ１００で得られる効果を説明するための参照例を示す図である。図４〜図６は、上記実施の形態に係る磁石１０１の形状を円形状とした場合の角度センサ２００の例であり、図７〜図９は、上記実施の形態に係る磁石１０１の形状を長方形状とした場合の角度センサ３００の例である。

図４は、上記実施の形態に係る磁石１０１の形状を円形状とした場合の角度センサ２００の構成を説明するための模式図である。図４に示す角度センサ２００においては、磁石２０１の形状が平面視円形状とされている点を除き、上記実施の形態に係る角度センサ１００と同一の構成を有する。なお、図４において、図１と同一の構成については、同一の符合を付し、その説明を省略する。

磁石２０１は、平面視円形状を有し、その中央部に円形状の開口部２０１ａが形成されている。また、上記実施の形態と同様に、図４に示す下方側の部分がＮ極に着磁され、同図に示す上方側の部分がＳ極に着磁されている。なお、上記実施の形態と異なり、直線部１０１ａは形成されていない。ＧＭＲ素子１０２は、上記実施の形態と同様に、磁石２０１の回転領域の僅かに外側、すなわち、磁石２０１の外周よりも僅かに外側の位置に配設されており、図４に示す位置を初期位置として設定されている。

磁石２０１が初期位置に配置されている場合において、磁石２０１からは図４に示すような矢印に対応する磁場ＭＦが発生している。磁石２０１からの磁場ＭＦにおいては、図４に示すように、概して、Ｎ極とＳ極との境界位置（以下、単に「境界位置」という）を挟んで同等の距離を有する部分に向かっている。すなわち、境界位置から近い部分からの磁場ＭＦは、境界位置を挟んで境界位置に近いＳ極の部分に向かっている。また、磁場ＭＦが発生する部分が境界位置から離れるに連れて、磁石２０１の外周から離れた位置を孤を描きながら進み、境界位置を挟んで同等の距離を有する部分に向かっている。

図５は、図４に示す右下方側の部分に発生する磁場ＭＦの拡大図である。図５においては、説明の便宜上、図２と同様に、磁石２０１が回転した場合（４５度回転した場合、９０度回転した場合）にＧＭＲ素子１０２が配置される位置に相当する位置を示している。磁石２０１が初期位置にある場合、並びに、磁石２０１が９０度回転した場合に発生する磁場ＭＦは、上記実施の形態に係る角度センサ１００と略同様である。しかしながら、磁石２０１が４５度回転した場合においては、発生する磁場ＭＦの角度（磁場角度）と磁石回転角度との角度ずれが発生する。具体的にいうと、磁石２０１が４５度回転した場合、磁場角度は、磁石回転角度よりも小さくなる。そして、磁石２０１を更に回転させた場合、１３５度、２２５度及び３１５度において同様の角度ずれの問題が生じる。

上記実施の形態と同様の要領で、この場合における磁石回転角度と磁場角度との関係を示すと、図６に示すように、磁石２０１を４５度及び２２５度回転させた場合に磁場角度が磁石回転角度よりも大幅に小さくなり、１３５度及び３１５度回転させた場合に磁場角度が磁石回転角度よりも大幅に大きくなっていることが分かる。

一方、図７は、上記実施の形態に係る磁石１０１の形状を平面視長方形状とした場合の角度センサ３００の構成を説明するための模式図である。図７に示す角度センサ３００においては、磁石３０１の形状が平面視長方形状とされている点を除き、上記実施の形態に係る角度センサ１００と同一の構成を有する。なお、図７において、図１と同一の構成については、同一の符合を付し、その説明を省略する。

磁石３０１は、平面視長方形状を有し、その中央部に円形状の開口部３０１ａが形成されている。また、上記実施の形態における直線部１０１ａに相当する第１直線部３０１ｂと、直線部３０１ｂに直交する第２直線部３０１ｃが形成されている。さらに、上記実施の形態と同様に、図７に示す下方側の部分がＮ極に着磁され、同図に示す上方側の部分がＳ極に着磁されている。なお、上記実施の形態と異なり、円弧部１０１ａは形成されていない。ＧＭＲ素子１０２は、上記実施の形態と同様に、磁石３０１の回転領域の僅かに外側の位置に配設されており、図７に示す位置を初期位置として設定されている。

磁石３０１が初期位置に配置されている場合において、磁石３０１からは図７に示すような矢印に対応する磁場ＭＦが発生している。磁石３０１からの磁場ＭＦにおいては、図７に示すように、概して、同図に示す下方側の第２直線部３０１ｃの右方側部分からの磁場ＭＦは、同図に示す上方側の第２直線部３０１ｃの右方側部分に向かい、同図に示す下方側の第２直線部３０１ｃの左方側部分からの磁場ＭＦは、同図に示す上方側の第２直線部３０１ｃの左方側部分に向かっている。また、図７に示す第１直線部３０１ｂからの磁場ＭＦは、同一の直線部３０１ｂに向かっている。

図８は、図７に示す右下方側の部分に発生する磁場ＭＦの拡大図である。図８においては、説明の便宜上、図２と同様に、磁石３０１が回転した場合（４５度回転した場合、９０度回転した場合）にＧＭＲ素子１０２が配置される位置に相当する位置を示している。磁石３０１が初期位置にある場合、並びに、磁石３０１が９０度回転した場合に発生する磁場ＭＦは、上記実施の形態に係る角度センサ１００と略同様である。しかしながら、磁石３０１が初期位置から９０度回転する過程において、発生する磁場ＭＦの角度（磁場角度）と磁石回転角度との角度ずれが発生する。同様に、９０度から１８０度まで回転する過程、１８０度から２７０度まで回転する過程、並びに、２７０度から３６０度まで回転する過程において、磁場角度と磁石回転角度との角度ずれが発生する。

上記実施の形態と同様の要領で、この場合における磁石回転角度と磁場角度との関係を示すと、図９に示すように、磁石１０１を円形状とした場合と比べて磁石回転角度と磁場角度との角度ずれの程度は改善されるものの、その発生頻度が増加している。具体的には、磁石３０１が初期位置から９０度まで回転する過程において、磁石３０１が３０度回転した場合、６０度回転した場合に磁石回転角度と磁場角度との角度ずれが発生している。同様に、磁石３０１が９０度から１８０度まで回転する過程において、１２０度及び１５０度回転した場合、磁石３０１が１８０度から２７０度まで回転する過程において、２１０度及び２４０度回転した場合、並びに、磁石３０１が２７０度から３６０度まで回転する過程において、３００度及び３３０度回転した場合に磁石回転角度と磁場角度との角度ずれが発生していることが分かる。

（実施の形態２）
実施の形態１に係る角度センサ１００においては、理想的な磁石回転角度と磁場角度との関係を維持しながら磁石１０１の回転角度を検出するものであるが、僅かに理想的な値と角度ずれが発生し得る。実施の形態２に係る角度センサ４００は、更に理想的な値との角度ずれを縮小することを目的とするものである。

図１０は、本発明の実施の形態２に係る角度センサ４００の構成を説明するための模式図である。実施の形態２に係る角度センサ４００においては、磁石１０１の形状が一部異なる点を除き、実施の形態１に係る角度センサ１００と同一の構成を有する。なお、図１０において、図１と同一の構成については、同一の符合を付し、その説明を省略する。

実施の形態２に係る角度センサ４００が有する磁石１０１においては、平面視円弧部１０１ｂの中央部分に、外周側に突出する凸部４０１が形成されている。凸部４０１は、その先端が尖った形状を有しており、磁石１０１が初期位置に配置された状態で図１０に示す左右に対称な形状を有している。ＧＭＲ素子１０２は、この凸部４０１の先端の僅かに外側の位置に配設されており、実施の形態１と同様に、図１０に示す位置を初期位置として設定されている。

磁石１０１が初期位置に配置されている場合において、磁石１０１からは図１０に示すような矢印に対応する磁場ＭＦが発生している。図１０に示す磁場ＭＦは、凸部４０１近傍から発生する磁場ＭＦを除き、図１に示す磁場ＭＦと略同様の態様で発生している。凸部４０１近傍においては、凸部４０１の傾斜部からの磁場ＭＦが、図１で対応する位置の磁場ＭＦと比べて僅かに角度を有した状態で発生している。

図１１は、図１０に示す右下方側の部分に発生する磁場ＭＦの拡大図である。なお、図１１においては、図２と同様に、磁石１０１が回転した場合にＧＭＲ素子１０２が配置される位置に相当する位置を示している。具体的には、磁石１０１が４５度回転した場合、並びに、９０度回転した場合におけるＧＭＲ素子１０２の位置を示している。図１１においては、図１０で説明したのと同様に、凸部４０１近傍から発生する磁場ＭＦを除き、図２と同様の磁場ＭＦが発生している。

すなわち、磁石１０１が初期位置にある場合、図１１に示す下方側に向かう磁場ＭＦが発生し、ＧＭＲ素子１０２ａには、磁石１０１の径方向に向かう磁場ＭＦが作用している。そして、磁石１０１が４５度回転した場合、図１１に示す右方側に向かう磁場ＭＦが発生し、ＧＭＲ素子１０２ｂには、同図に示す左方側に配置されるＧＭＲ素子１０２ｂの一角からその対角に向かう磁場ＭＦが作用している。さらに、磁石１０１が９０度回転した場合、図１１に示す上方側に向かう磁場ＭＦが発生し、ＧＭＲ素子１０２ｃには、ＧＭＲ素子１０２ｃの周方向に向かう磁場ＭＦが作用している。

実施の形態１に係る角度センサ１００と同様の要領で、実施の形態２に係る角度センサ４００における磁石回転角度と磁場角度との関係を示すと、図１２に示すように、磁場角度は、磁石回転角度と略同一の値を示すこととなる。特に、図３に示す磁石回転角度と磁場角度との関係に比べ、磁石１０１が３０度、６０度、１２０度、１５０度、２１０度、２４０度、３００度及び３３０度回転した場合における角度ずれが改善されていることが分かる。

ここで、以上のように説明してきた本実施の形態に係る角度センサ１００及び４００における磁石回転角度と磁場角度との角度ずれについて示す。図１３は、本実施の形態に係る角度センサ１００及び４００における磁石回転角度と磁場角度との角度ずれを示す図である。図１３においては、特に、磁石１０１の形状で本実施の形態に係る角度センサ１００及び４００を特定している。また、磁石回転角度と磁場角度との間で最大となる角度ずれ（最大角度ずれ）を示している。さらに、説明の便宜上、上述した参照例の角度センサ２００及び３００における磁石回転角度と磁場角度との角度ずれも示している。

図１３に示すように、実施の形態１に係る角度センサ１００に相当する小判形状においては、最大角度ずれが３．７度である。また、実施の形態１に係る角度センサ１００を改善した実施の形態２に係る角度センサ４００に相当する凸部付き小判形状においては、最大角度ずれが１．７度である。なお、上述した参照例で示した角度センサ２００に相当する円形状においては、最大角度ずれが２４．６度である。また、上述した参照例で示した角度センサ３００に相当する長方形状においては、最大角度ずれが６．０度である。このように本実施の形態に係る角度センサ１００及び４００においては、磁石回転角度と磁場角度との角度ずれを低いレベルに抑えながら磁石回転角度を検出することが可能であることが分かる。

このように実施の形態２に係る角度センサ４００においては、磁石１０１が有する円弧部１０１ｂの中央に、当該磁石１０１の外周側に突出する凸部４０１を設けたことから、この凸部４０１から発生する磁場ＭＦの向きを更に調整可能となるので、磁石回転角度に対する磁場角度のリニアリティをより向上することができる。この結果、実施の形態１に係る角度センサ１００に比べてより適切に磁石１０１の回転角度を検出することが可能となる。

なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。上記実施の形態において、添付図面に図示されている大きさや形状などについては、これに限定されず、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。

本発明の実施の形態１に係る角度センサの構成を説明するための模式図である。 図１に示す右下方側の部分に発生する磁場ＭＦの拡大図である。 実施の形態１に係る角度センサにおける磁石回転角度と磁場角度との関係を示す図である。 実施の形態１に係る角度センサの磁石の形状を平面視円形状とした場合の角度センサの構成を参照例として説明するための模式図である。 図４に示す右下方側の部分に発生する磁場ＭＦの拡大図である。 実施の形態１に係る角度センサの磁石の形状を平面視円形状とした場合における磁石回転角度と磁場角度との関係を示す参照例の図である。 実施の形態１に係る角度センサの磁石の形状を平面視長方形状とした場合の角度センサの構成を参照例として説明するための模式図である。 図７に示す右下方側の部分に発生する磁場ＭＦの拡大図である。 実施の形態１に係る角度センサの磁石の形状を平面視長方形状とした場合における磁石回転角度と磁場角度との関係を示す参照例の図である。 本発明の実施の形態２に係る角度センサの構成を説明するための模式図である。 図１０に示す右下方側の部分に発生する磁場ＭＦの拡大図である。 実施の形態２に係る角度センサにおける磁石回転角度と磁場角度との関係を示す図である。 上記実施の形態に係る角度センサにおける磁石回転角度と磁場角度との角度ずれを示す図である。

符号の説明

１００、２００、３００、４００ 角度センサ
１０１、２０１、３０１ 磁石
１０１ａ 直線部
１０１ｂ 円弧部
１０１ｃ、２０１ａ ３０１ａ 開口部
１０２ ＧＭＲ素子
３０１ｂ 第１直線部
３０１ｃ 第２直線部
４０１ 凸部

Claims (2)

1. 回転可能に設けられた磁石と、前記磁石が回転することで形成される回転領域の外側に配設され、当該磁石から発生する磁場の向きを検出する磁気検知素子とを備え、前記磁石の回転角度を検出する角度センサであって、
   前記磁石は、円盤形状のものから、平面視円形状の外周を平行な２辺で均等に切り落とした平面視直線部と円弧部とからなる形状を有し、前記円弧部の中央に前記磁石の外周側に突出する凸部を設けたことを特徴とする角度センサ。
2. 前記磁気検知素子はＧＭＲ素子であることを特徴とする請求項１記載の角度センサ。
   

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